Full investigation of deep defect states and impurities in wide-bandgap materials by employing commercial transient capacitance spectroscopy is a challenge, demanding very high temperatures. Therefore, a high-temperature deep-level transient spectroscopy (HT-DLTS) system was developed for measurements up to 1100 K. The upper limit of the temperature range allows for the study of deep defects and trap centers in the bandgap, deeper than previously reported by DLTS characterization in any material. Performance of the system was tested by conducting measurements on the well-known intrinsic defects in n-type 4H-SiC in the temperature range 300-950 K. Experimental observations performed on 4H-SiC Schottky diodes were in good agreement with the literatures. However, the DLTS measurements were restricted by the operation and quality of the electrodes.
Minimizing propagated density errors of atomic core-electron for simultaneously accurate bandgaps and lattice constants in closed-shell Copper semiconductors
Key Lab of advanced optoelectronic quantum architecture and measurement (MOE), and School of Interdisciplinary Science, Beijing Institute of Technology（北京理工大学光电量子架构与测量教育部重点实验室，交叉科学学院）；Department of Physics, Applied Physics, and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute（伦斯勒理工学院物理、应用物理和天文学系）
Efficient and Robust p-type Transistor based on Ultra-wide-bandgap Semiconductor
Macau University of Science and Technology（澳门科技大学）；Zhuhai MUST Science and Technology Research Institute（珠海澳门科技大学研究院）；School of Physics and Astronomy, Monash University（蒙纳士大学物理与天文学院）；Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University（南洋理工大学物理与数学科学学院物理与应用物理部）；Department of Materials Science & Engineering, Monash University（蒙纳士大学材料科学与工程系）；Faculty of Materials Science and Engineering, Kunming University of Science and Technology（昆明理工大学材料科学与工程学院）；Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Melbourne（墨尔本大学电气与电子工程系）；School of Science, RMIT University（皇家墨尔本理工大学理学院）；Princeton Plasma Physics Laboratory（普林斯顿等离子体物理实验室）；Bio21 Institute, The University of Melbourne（墨尔本大学生物21研究所）；Research School of Chemistry, Australian National University（澳大利亚国立大学化学研究学院）；Shanghai Key Laboratory of High Temperature Superconductors, Department of Physics, Shanghai University（上海大学物理系高温超导重点实验室）；Centre for Materials Science, School of Chemistry and Physics, Queensland University of Technology（昆士兰科技大学化学与物理学院材料科学中心）；Macao Institute of Materials Science and Engineering (MIMSE), Faculty of Innovation Engineering, Macau University of Science and Technology（澳门科技大学创新工程学院澳门材料科学与工程研究所）；School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University（南洋理工大学电气与电子工程学院）
本文用一种快速、实用的方法计算了半导体合金的带隙和能带弯曲参数。该方法是一个介电缩放近似的基础上，一个近似。它增加了一个能移的带隙所提供的局域密度近似（LDA）的密度泛函理论（DFT）。能量位移由高频介电常数的倒数加权的材料无关常数组成。该方法的显著特点是通过紧束缚线性松饼-锡轨道（TB-LMTO）的格林函数（GF）在原子球近似（ASA）下快速计算合金的介电常数。当将其应用于高度失配的半导体合金（HMA）（如Zn Te $_x$ Se $_{1-x}$）时，该方法提供了与用LDA计算的带弯曲参数不同的带弯曲参数，这是由于高频介电常数也表现出弯曲。
2D ferroelectric narrow-bandgap semiconductor Wurtzite' type alpha-In2Se3 and its silicon-compatible growth
Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences（中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室）；School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China（中国科学技术大学材料科学与工程学院）；School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Frontier Material Physics and Devices, Soochow University（苏州大学江苏省前沿材料物理与器件重点实验室物理科学与技术学院）；Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University（山西大学极端光学协同创新中心）；Center for Quantum Matter, School of Physics, Zhejiang University（浙江大学物理学院量子物质研究中心）；Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong（香港大学机械工程系）
Reversible Fluorination of Graphene: towards a Two-Dimensional Wide Bandgap Semiconductor
我们报告了石墨烯氟化物的合成和证据，石墨烯是一种二维宽带隙半导体。氟化石墨烯表现出六方晶序和强绝缘行为，在室温下电阻超过10 G $Ω$。氟化石墨烯中的电子输运通过由于带隙中的局域态的存在而在二维中的可变范围跳跃来很好地描述。通过还原氟化石墨烯获得的石墨烯是高度导电的，在室温下表现出小于100 k $Ω$的电阻率。我们的方法提供了一种新的途径，可逆工程的能带结构和导电性的石墨烯的电子和光学应用。
Benchmarking bandgap prediction in semiconductors under experimental and realistic evaluation settings
Centre for Machine Intelligence, University of Sheffield（智能研究中心，谢菲尔德大学）；School of Computer Science, University of Sheffield（计算机科学学院，谢菲尔德大学）；Climate Office, European Space Agency（气候办公室，欧洲航天局）；School of Mathematical and Physical Sciences, University of Sheffield（数学与物理科学学院，谢菲尔德大学）；School of Chemical, Materials and Biological Engineering, University of Sheffield（化学、材料与生物工程学院，谢菲尔德大学）
Direct growth of crystalline spinel GaON films: A wide-bandgap mixed-anion semiconductor
State Key Laboratory of Radio Frequency Heterogeneous Integration, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University（深圳大学物理与光电工程学院射频异构集成国家重点实验室）；Physics Department, The Hong Kong University of Science and Technology（香港科技大学物理系）
Improved electronic structure prediction of chalcopyrite semiconductors from a semilocal density functional based on Pauli kinetic energy enhancement factor
d电子的正确处理是至关重要的，以预测原型黄铜矿半导体的电子性质。d态的影响与阴离子位移参数u有关，这反过来又影响这些系统的带隙。半局域交换相关泛函产生良好的半导体和绝缘体的结构特性，往往无法预测合理的u，因为d电子之间的强相互作用所产生的带隙的低估。在本研究中，我们表明，从无尖氢密度（MGGAC）[Phys. Rev. B 100，155140（2019）]获得的亚广义梯度近似（meta-GGA）在理解黄铜矿电子性质的关键特征方面有所改进，其带隙与使用最先进的混合方法获得的带隙相当。此外，本评估还显示了泡利动能增强因子，$α=(τ-τ^W)/τ^{unif}$在描述黄铜矿中的d电子的重要性。本研究强烈表明，MGGAC功能内半局部近似可以是一个更好的和首选的选择，研究黄铜矿和其他固态系统，由于其优越的性能和显着低的计算成本。
Anomalous mass renormalization in two-dimensional electron systems on ultra-wide bandgap semiconductor $β$-Ga$_2$O$_3$
Tohoku University（东北大学）；Korea Institute of Science and Technology (KIST)（韩国科学技术院）；Sorbonne Université（索邦大学）；C&A Corporation（C&A公司）；FOX Corporation（FOX公司）；Osaka University（大阪大学）
High electrical conducting deep-ultraviolet-transparent oxide semiconductor La-doped SrSnO3 exceeding ~3000 S cm-1
La掺杂的SrSnO 3（LSSO）是一种带隙约为4.6eV的深紫外透明导电氧化物。由于LSSO可以异质外延生长在更宽的带隙衬底上，例如MgO（Eg ~ 7.8eV），因此LSSO被认为是作为DUV透明电极的良好候选者。然而，LSSO薄膜的电导率低于1000 S cm^-1，这很可能是由于La离子在LSSO晶格中的低溶解度。本文报道了用脉冲激光沉积法在MgO衬底上制备出带隙约为4.6 eV的高导电（>3000 S cm^-1）LSSO薄膜，并在真空中进行了简单的退火处理。通过X射线衍射和扫描透射电子显微镜分析，我们发现在退火过程中发生了横向晶粒生长，这提高了La离子的激活速率，导致载流子浓度（3.26 x 10^20 cm^-3）和霍尔迁移率（55.8 cm ^2 V^-1 s^-1）显著提高。本发明的DUV透明氧化物半导体将可用作用于开发透射和/或发射DUV光的光电子器件的透明电极。
