Design and Demonstration of Ultra Wide Bandgap AlGaN Tunnel Junctions
紫外线发光二极管（UV LED）由于电阻性和吸收性p型接触层而在注入效率和光提取效率方面面临严重限制。在这项工作中，我们研究了超宽带隙AlGaN（Al摩尔分数高于50%）材料的偏振工程隧道结的设计和应用，以实现高效的UV LED。我们证明了极化诱导的3D电荷有利于降低隧道势垒，特别是对于高组分AlGaN隧道结。渐变隧道结结构的设计可以导致对于高组分AlGaN隧道结低于10-3 Ohm cm 2的低隧穿电阻和低于1V（在1 kA/cm 2下）的低电压消耗。292 nm发射的实验证明是通过非平衡空穴注入到具有大于4.7 eV的带隙能量的宽带隙材料中实现的，并且隧道结的详细建模表明它们可以被设计为具有低电阻，并且可以在UV-C波长范围内实现高效发射器。
2016-08-30 cond-mat.mtrl-sci
Tailoring the photonic bandgap of porous silicon dielectric mirror
本文介绍了一种系统制备多孔硅一维光子晶体的方法，其光子带宽可达2000nm。光子带隙（PBG）的可剪裁性的观察强调了制造宽PBG结构的大折射率对比度的要求。在这封信中，我们提出了这种结构的制造和特性，可能是有前途的结构，用于各种各样的应用。
2003-07-18 cond-mat.mtrl-sci
Simulation of Growth of Graded Bandgap Solid Solutions of GaAsxP1-x at Liquid Phase Electroepitaxy
从理论上考虑了从Ga-As-P溶液熔体中液相电外延GaAs衬底上GaAs 1-xPx固溶体成分控制的可能性。通过模拟确定，在规定工艺参数如生长空间的温度和/或厚度的稳态条件下，随着P含量向层表面的增加，可以获得具有从0.5 × 10 -4摩尔分数/nm到2.0 × 10 -4摩尔分数/nm的组成梯度的GaAs 1-xPx固溶体的渐变带隙层。3摩尔分数/nm。研究还表明，利用非稳态电场可以实现对液相电外延三元固溶体组成的控制。
2008-08-14 cond-mat.mtrl-sci
Nanoscale Bandgap Tuning across an Inhomogeneous Ferroelectric Interface
我们报告纳米级的带隙工程通过一个局部应变的非均匀的铁电界面，这是由可见光激发的探测电压控制。研究了开关光伏效应和光电流的光谱响应，以说明可逆的带隙变化（~0.3eV）。这种局部应变工程的带隙已进一步揭示了原位探针电压辅助价电子能量损失谱（EELS）。相场模拟和第一性原理计算也被用于说明大的局部应变和带隙变化的铁电钙钛矿氧化物。这种可逆的带隙调谐在复杂的氧化物演示了一个框架的理解opticallyrelated行为（光伏，光电发射，光催化剂效应）的影响序参量，如电荷，轨道和晶格参数。
2017-09-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Hybrid Structures and Strain-Tunable Electronic Properties of Carbon Nanothreads
近年来，新型碳纳米线的合成引起了碳学界的极大关注。在此，基于第一性原理计算，我们研究了两个重要因素：Stone-Wales（SW）型缺陷和晶格应变对碳纳米线电子性质的影响. SW缺陷是纳米线的聚合物-I结构所固有的，并且是一般混合结构的构建块。我们发现，纳米线的带隙可以通过SW缺陷的浓度在$3.92 \sim 4.82$ eV的宽范围内进行调谐，在$sp^{3}$ -（3，0）结构和聚合物-I结构的带隙之间进行插值。在应变下，所有结构的带隙，包括混合的，表现出非单调的变化：带隙首先增加的应变，然后下降，在10%以上的大应变。可以通过应变在宽范围（$>0.5$ eV）内有效地调节间隙尺寸。有趣的是，对于$sp^{3}$ -（3，0）结构，在应变下在价带最大处发生带序的切换，并且对于聚合物-I结构，在约8%应变下发生间接到直接带隙转变。结果还表明，SW缺陷的存在下，往往稳定的带隙尺寸对应变。我们的研究结果表明，结构和应变工程碳纳米线在光电和光电化学应用以及应力传感器的巨大潜力。
2018-03-13 cond-mat.mtrl-sci
Leakage-Aware Bandgap Prediction on the JARVIS-DFT Dataset: A Phase-Wise Feature Analysis
Metallic Materials Technology Faculty of Materials Science and Technology（材料科学与技术系金属材料技术系）
本文通过分析JARVIS-DFT数据集，移除可能泄露带结构信息的描述符，构建三阶段建模框架，验证在控制泄漏情况下，扩展描述符空间对预测精度影响有限，并发现介电张量是主要贡献者。
2025-12-17 cond-mat.mtrl-sci cs.LG
Single-Dirac-Cone topological surface states on pseudo-IV-VI-semimetal/semiconductors: Thallium-based III-V-VI2 Ternary Chalcogenides
我们已经研究了几个类的强自旋轨道硫族化物有关的（Pb，Sn）Te系列研究与狄拉克费米子物理在20世纪80年代。第一性原理计算表明，三元硫族化合物TlBiX $_2$和TlSbX $_2$（X=Te，Se，S）系列在某些选择性表面上具有单一狄拉克锥的小带隙拓扑绝缘体，而等结构和等电子的银基AgBiX $_2$和AgSbX $_2$（X=Te，Se，S）系列则没有。我们发现，几个Tl-化合物是在附近的拓扑临界点。我们确定精确的表面终止，实现了单一的狄拉克锥。单狄拉克锥表面被证明是相关的终止，最大限度地减少悬挂键合效应有利于ARPES实验。我们的结果进一步表明，这类拓扑半金属可能具有与CuxBi_2Se_3（T_c ~ 4K）类似的奇宇称拓扑超导体.
2010-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Charge-density-wave resistive switching and voltage oscillations in ternary chalcogenide BaTiS3
本研究在三元硫族化合物BaTiS3中发现直流诱导的CDW相与室温半导体相间可逆阈值开关，证实其焦耳热机制及1 kHz电压振荡，为低功耗神经形态电子器件提供新的CDW材料选择。
2023-03-24 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Virtual crystal description of III-V semiconductor alloys in the tight binding approach
提出了一种简单有效的方法来构造三元合金在虚晶近似下的经验紧束缚参数。这结合了一个新的，紧凑的制定的应变参数和线性插值应变合金平衡晶格参数的二元材料的哈密顿。我们表明，它是可能的，以获得一个完美的描述的带隙弓的InGaAsSb材料的三元合金家庭。此外，这种方法是在一个很好的协议与超胞计算使用相同的参数集。该方案为基于合金的光电器件的原子建模开辟了一条道路，而无需大量的超原胞计算。
2016-03-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Polarization-engineered GaN/InGaN/GaN tunnel diodes
我们报告的设计和演示的极化工程GAN/InGaN/GAN隧道结二极管具有高电流密度和低隧道导通电压。WKB计算被用于建模和设计具有窄带隙InGaN基势垒层的隧道结。采用分子束外延技术生长了N极性p-GaN/In 0. 33 Ga 0. 67 N/n-GaN异质结隧道二极管。在1V的反向偏压下获得了118 A/cm ~ 2的高电流密度，最大电流密度达到9.2kA/cm ~ 2。这些结果代表了III族氮化物隧道结中报道的最高电流密度，并证明了III族氮化物隧道器件在广泛的光电和电子应用中的潜力。
2010-08-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other quant-ph
Near-room-temperature magnetoelectric coupling engineered through inversion-breaking tilts in a bulk perovskite polytype
University of Warwick（华威大学）；Luxembourg Institute of Science and Technology（卢森堡科学技术研究所）；Rutherford Appleton Laboratory（鲁瑟福阿普尔顿实验室）；Durham University（杜伦大学）
本研究通过对称性引导设计，在六方多型体AMnO3中利用反转对称性破缺刚性单元模式同时产生极化和铁磁序，实现了近室温磁电耦合。
2026-06-05 cond-mat.mtrl-sci
Comparative Study of Strain-Engineered Thermoelectric Performance of 2D-Xene Nanoribbons
本文系统比较了五种二维Xene材料扶手椅型纳米带在应变和宽度调控下的热电势，发现磷烯因大带隙和各向异性电子结构表现出最高热电势，并揭示了3p+2族在应变下由金属态向半导体态转变激活热电性能的设计规律。
2025-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Single crystal growth by self-flux method of the mixed valence gold halides Cs$_2$[Au$^{I}$X$_2$][Au$^{III}$X$_4$] (X=Br,I)
采用三元自熔法生长了Cs $_2$ Au $_2$ X $_6$（X=Br，I）的高质量单晶。基于单晶X射线衍射测量的结构改进表明，这两种材料都具有属于I4/mmm空间群的畸变钙钛矿结构，具有完全占位。输运测量显示Cs $_2$ Au $_2$ I $_2$的大带隙为550 $\pm$ 100 meV，Cs $_2$ Au $_2$ Br $_6$的带隙为520 $\pm$ 80 meV。描述了化学取代的初步尝试。
2011-11-29 cond-mat.mtrl-sci
Half-metallicity and efficient spin injection in AlN/GaN:Cr (0001) heterostructure
对Cr掺杂的AlN/GAN（0001）异质结构的结构、电子和磁性的第一性原理研究表明，Cr偏析到GAN区域中，这些界面保持其重要的半金属特性，从而从铁磁GAN产生有效的（100%）自旋极化注入：Cr电极穿过AlN隧道势垒-其高度和宽度可以通过调节渐变带隙设计的Al（1-x）Ga（x）N（0001）中的Al浓度来控制层次。
2004-10-18 cond-mat.mtrl-sci
Defect emission and its dipole orientation in layered ternary Znln2S4 semiconductor
该研究结合光谱表征与理论计算，揭示少层六方ZnIn₂S₄中Zn-In反位缺陷导致的能级、DAP发射的栅控可调性及其面内偶极取向。
2023-04-27 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Rationalizing the influence of tunable energy levels on quantum efficiency to design optimal non-fullerene acceptor-based ternary organic solar cells
基于非富勒烯受体（NFA）的三元本体异质结太阳能电池（TSC）是当今最高效的有机太阳能电池（OSC），这是由于其更宽的吸收和量子效率（QE）通常超过相应的二元共混物。我们研究了在电子供体：电子受体（D/A）界面驱动电荷转移的能量学如何影响PBDB-T-2F供体与几对较低带隙NFA的共混物中的QE。在二元共混物中，供体和受体之间的电离能偏移（ΔIE）控制QE，并且当ΔIE > 0.5 eV时最大化。然而，ΔIE不是由单个NFA IE控制的，而是由它们的平均值控制的，根据它们的混合比加权。使用该性质，我们通过添加深IE第三组分：IT-4F来改善对于电荷产生具有不足的ΔIE的PBDB-T-2F：IEICO二元共混物的QE。组合两个NFA使得能够在没有分子工程的情况下优化D/A能量对准和细胞的QE。
2023-02-12 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Strong modulation of optical properties in black phosphorus through strain-engineered rippling
通过局部应变工程控制带隙是定制光电材料的一个令人兴奋的途径。二维晶体特别适合这个目的，因为它们可以在破裂之前承受前所未有的非均匀变形：人们可以真正地弯曲它们，并将它们折叠起来，几乎像一张纸一样。在这里，我们研究多层黑磷片进行周期性的应力，以调节其光电性能。我们发现一个显着的位移的光吸收带边的拉伸和压缩应力下的区域之间的高达~0.7 eV，大大超过了应变可调谐性报告的过渡金属二硫属化物。这一观察结果得到了理论模型的支持，该模型还预测这种周期性应力调制可以在低温下产生载流子的量子限制。在电荷载流子的局部密度中产生大的应变诱导变化的可能性为包括光电子学、量子光学和二维光电子器件的各种应用打开了大门。
2016-04-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effect of heterostructure engineering on electronic structure and transport properties of two-dimensional halide perovskites
有机-无机卤化物钙钛矿太阳能电池由于其低成本制造、灵活性和高功率转换效率而引起了人们的广泛关注。最近的努力表明，从三维到二维（2D）的有机-无机卤化物钙钛矿的减少有望提供一个令人兴奋的机会来调整其电子特性。在这里，我们探讨了降维和异质结构工程的内在材料性能，如能量稳定性，带隙和输运性能的二维混合有机-无机卤化物钙钛矿使用第一性原理密度泛函理论的效果。我们表明，能量稳定性显着增强工程钙钛矿异质结构，也具有良好的传输特性类似于他们的散装同行。这些层状化学物质还展示了宽范围的可调谐带隙和可见光谱中的高吸收系数的优点。所提出的二维异质结构材料具有用于纳米光电子器件以及有效的光电子器件的潜力。
2021-08-17 cond-mat.mtrl-sci
Micrometer-thick, atomically random Si0.06Ge0.90Sn0.04 for silicon-integrated infrared optoelectronics
如果应变和带隙能量可以在SiGeSn半导体中独立设计，那么真正的单片红外光子学平台就触手可及。在此，我们研究了1.5 μ m厚的Si0.06Ge0.90Sn0.04层的结构和光电特性，该层与Si衬底上的Ge几乎晶格匹配。原子水平的研究表明，高结晶质量和均匀的组成，并没有显示出短程有序和集群的迹象。室温下的光谱椭圆偏振和传输测量显示在0.83 eV的直接带隙吸收和降低的间接带隙吸收在较低的能量。Si0.06Ge0.90Sn0.04在室温下工作的光电导器件表现出类似于Si上Ge器件的暗电流和光谱响应度（低于1.5 μm波长为1 A/W），具有可通过合金成分调节的近红外带隙的优点。这些结果强调了SiGeSn半导体在实现硅集成红外光电子学的IV族材料平台方面的相关性。
2022-08-12 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
3D-mapping and manipulation of photocurrent in an optoelectronic diamond device
结合电荷态敏感光学显微与氮空位中心光电探测，实现金刚石光电器件内载流子流动的三维时间分辨成像，并按需光学操控背景杂质电荷态以重构导电通道，为宽禁带定制光电学提供新诊断与操控方法。
2024-02-11 cond-mat.mtrl-sci
Bulk synthesis of Zn$_3$WN$_4$ via solid-state metathesis
本研究提出通过Li$_6$WN$_4$与Zn$X_2$的固态复分解反应宏量合成具有阳离子有序结构的Zn$_3$WN$_4$，验证了反应规律与材料的宽带隙半导体特性，为新型三元氮化物发现提供了普适性合成策略。
2024-01-05 cond-mat.mtrl-sci
Ion exchange synthesizes layered polymorphs of MgZrN$_2$ and MgHfN$_2$, two metastable semiconductors
针对三元氮化物合成困难的问题，本研究以Li₂ZrN₂为前驱体，通过离子交换反应合成亚稳层状多晶型MgZrN₂和MgHfN₂，验证了Li-M-N相作为合成新三元氮化物前驱体的潜力。
2024-12-03 cond-mat.mtrl-sci
Ion-Engineered Insulator-to-Semiconductor Transition in Natural 2D Biotite
Indian Institute of Technology Kharagpur（印度理工学院卡拉格普尔分校）；State University of Campinas（坎皮纳斯州立大学）；Rice University（莱斯大学）；University of Brasília（巴西利亚大学）
本研究通过可控NaOH处理实现天然二维黑云母的绝缘体-半导体转变，明确其电子结构调控机制，为制备电子可调控二维矿物材料提供了有效途径。
2026-09-04 cond-mat.mtrl-sci
Charge Localization and Hopping in a Topologically Engineered GNR
University of Brasília（巴西利亚大学）；State University of Goiás（戈亚斯州立大学）
本研究针对拓扑工程化的7/9-AGNR交替异质结石墨烯纳米带，通过二维扩展Su-Schrieffer-Heeger模型研究其带电态特性，发现注入电荷形成的极化子严格局域于9-AGNR段且迁移受拓扑抑制，并揭示了9-AGNR段间跳跃的电荷输运机制。
2020-07-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interpretable discovery of new semiconductors with machine learning
University of Toronto（多伦多大学）；National Research Council of Canada（加拿大国家研究委员会）；Vector Institute for Artificial Intelligence（向量人工智能研究所）
与从头算方法相比，材料的机器学习模型$^{1-5}$可以加速发现：深度学习模型现在可以以密度泛函理论（DFT）$^{6}$的十万分之一的成本再现DFT计算结果。为了在实验材料合成中提供指导，这些需要与准确而有效的搜索算法和与实验观察一致的训练数据相结合。在这里，我们报告了一种进化算法驱动的搜索，它使用机器学习的代理模型，这些模型是在以实验带隙为基准的高吞吐量混合功能DFT数据上训练的：深度自适应回归加权智能网络（DARWIN）。该策略能够在~10个$^8$三元组和10个$^{11}$四元组$^{7}$的材料空间中有效地搜索具有目标性质的候选物。它提供了可解释的设计规则，如我们的发现，在电负性之间的卤化物和B-位点阳离子的差异是一个强有力的预测三元结构的稳定性。作为一个例子，当我们寻求紫外发射，达尔文预测K $_2$ CuX $_3$（X = Cl，Br）作为一个有前途的材料家族，基于其电负性差异。我们合成并发现这些材料是稳定的，直接带隙的UV发射器。该方法还允许知识蒸馏供人类使用。
2021-01-12 cond-mat.mtrl-sci cs.LG
Controlling high-harmonic generation from strain engineered monolayer phosphorene
该研究采用从头算含时密度泛函理论，揭示双轴应变通过调控磷烯带隙和面内各向异性来增强并控制高次谐波产生。
2024-04-11 cond-mat.mtrl-sci physics.atom-ph
Strain effects on electronic and optic properties of monolayer C$_2$N holey two-dimensional crystals
最近合成了一种新的二维材料，C $_2$ N多孔2D（C $_2$ N- $h$ 2D）晶体。本文通过第一性原理计算研究了应变对这种新材料性能的影响。我们表明，该材料是相当软的一个小的刚度常数，可以承受大的应变$\geq 12\%$。它仍然是一个直接带隙半导体应变和带隙大小可以在很宽的范围内调整为1 eV。有趣的是，对于双轴应变，在接近8%应变的价带最大值处发生带交叉效应，导致空穴有效质量的急剧增加.强的光吸收可以通过应变调谐来实现，其中吸收系数$\sim10^6$ cm $^{-1}$覆盖宽光谱。我们的研究结果表明，应变工程C $_2$ N- $h$ 2D在电子和光电子器件应用的巨大潜力。
2015-10-04 cond-mat.mtrl-sci
Local strain engineering in atomically thin MoS2
通过使材料经受应变来调节材料的电子性质构成了增强半导体电子器件性能的重要策略。使用局部应变，可以设计激子的限制势，具有用于捕获激子用于量子光学和用于有效收集太阳能的激发可能性。二维材料能够在断裂之前承受大的应变，这为引入大的局部应变提供了独特的机会。在这里，我们研究原子级薄的MoS2层与大的局部应变高达2.5%，从基板的控制分层诱导。使用同时扫描拉曼和光致发光成像，我们在空间上解决了高达90毫电子伏的直接带隙减少引起的局部应变。我们观察到一个漏斗效应，其中激子漂移数百纳米，以较低的带隙区域重组之前，证明激子限制的局部应变。观测结果得到了原子紧束缚模型的支持，该模型用于预测非均匀应变对MoS2中局部电子态的影响。在激子俘获势中产生大的应变诱导变化的可能性为原子级薄材料中的各种应用打开了大门，包括光致发光、量子光学和二维光电子器件。
2013-12-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Generative Adversarial Networks for Crystal Structure Prediction
对新功能材料的不断需求要求有效的策略来加速材料的设计和发现。在应对这一挑战时，机器学习生成模型可以提供有希望的机会，因为它们允许通过低维潜在空间对化学空间进行连续导航。在这项工作中，我们采用了一种晶体表示，这是无反转与低内存要求的基础上的晶胞信息和分数原子坐标，并建立生成对抗网络（GAN）的晶体结构。将该模型应用于Mg-Mn-O三元无机材料体系，生成具有潜在水裂解光阳极应用前景的新型结构，并结合其光阳极性能评价，用于高通量虚拟筛选（HTVS）。我们建立的生成HTVS系统预测了23种新的晶体结构，具有合理的预测稳定性和带隙。这些研究结果表明，所提出的生成模型可以是一种有效的方式来探索隐藏的部分的化学空间，一个区域，通常是无法到达的，当采用传统的替代为基础的发现。
2020-06-23 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Parallel Exploration of the Optoelectronic Properties of (Sb,Bi)(S,Se)(Br,I) Chalcohalides
Swiss Federal Laboratories for Material Science and Technology (EMPA)（瑞士联邦材料科学与技术研究院）；University of Basel（巴塞尔大学）；Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)（加泰罗尼亚理工大学）
本文通过PVD法合成八种三元硫化物，研究其带隙和PL特性，并结合DFT计算揭示结构-性质关系，为优化光电应用材料提供蓝图。
2025-08-25 cond-mat.mtrl-sci
Engineering Phonons in Compositionally Complex Carbide Ceramics
本研究通过从头计算和实验测量，揭示了成分复杂碳化物中质量与力常数变化对声子带结构和散射的调控作用，并发现五组分陶瓷热导率高于二元和三元合金，为极端环境应用提供新机遇。
2025-08-06 cond-mat.mtrl-sci
Interplay of the disorder and strain in gallium oxide
离子辐照是调节半导体，特别是氧化镓（Ga 2 O3）的性质的有力工具，氧化镓是一种有前途的超宽带隙半导体，对于足够高的应变/无序水平表现出相不稳定性。在本文中，我们观察到一个有趣的单斜\b{eta} -Ga_2 O_3单晶的无序和应变之间的相互作用，通过比较原子和团簇离子照射以及原子离子共注入。结合沟道技术、X射线衍射和理论计算得到的结果表明，\b{eta} -Ga_2 O_3中的无序积累与碰撞级联密度呈超线性关系。此外，注入区中的应变水平可以通过改变近表面层中的无序条件来设计。结果可用于更好地理解的辐射效应在\b{eta} -Ga 2 O 3和暗示，无序/应变相互作用提供了额外的自由度，以保持理想的应变Ga 2 O 3，可能适用于修改该材料中的多态性转变的速率。
2022-09-13 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Thermal Stability Enhancement in Epitaxial α-Sn Films by Strain Engineering
探索具有大的拓扑非平凡带隙和简单组分的新型拓扑材料，无论是在理论研究还是实验实现上都具有重要意义。最近，α-Sn被预测为这样的候选者，并且通过施加适当的应变，它可以被调谐为拓扑绝缘体或Dirac半金属。然而，独立的α-Sn仅在13.2 °C以下稳定。本研究采用分子束外延（MBE）技术在InSb衬底上成功地生长了一系列不同厚度的高质量α-Sn薄膜。通过X射线衍射（XRD）和倒易空间映射（RSM）证实，所有的薄膜保持完全应变高达4000埃，证明来自衬底的应变效应。值得注意的是，对于200埃厚的样品，单晶α相可以持续到170 °C。α相消失的临界温度随薄膜厚度的增加而降低，表明可以通过改变α-Sn的厚度来实现热稳定。考虑到加工硬化的塑性流动模型被引入来解释这种依赖性，假设应变松弛和相变相继发生。这种增强的热稳定性是该材料系统在室温以上表征和应用的先决条件。
2019-05-29 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Atomic Layer-controlled Nonlinear Terahertz Valleytronics in Dirac Semi-metal and Semiconductor PtSe2
本研究展示了晶圆级多晶PtSe2中通过原子层控制实现的太赫兹非线性与圆二色性，利用超快光生电流和能带结构谷工程，打破了材料中心对称性并实现了二阶非线性，为太赫兹谷电子学和自旋电子学开辟了新方向。
2023-04-04 cond-mat.mtrl-sci
Dynamic In-context Learning with Conversational Models for Data Extraction and Materials Property Prediction
Lehigh University（利哈伊大学）
本文提出开源工具 PropertyExtractor，结合对话式 LLM、零样本/少样本上下文学习和工程化提示，实现可信的材料性质提取与验证，并构建二维材料厚度和能带隙数据库。
2024-08-02 cond-mat.mtrl-sci cs.AI physics.comp-ph
