热氧化法生长Cu2O纳米线的结构缺陷与光学性能的相关性

Sb介导的硅基InAs纳米线层错密度最小化对迁移率的增强

Mobility Enhancement by Sb-mediated Minimisation of Stacking Fault Density in InAs Nanowires Grown on Silicon

报道了用无催化剂分子束外延法在硅（111）衬底上生长InAs $_{1-x}$ Sb $_{x}$纳米线（$0\leq x \leq 0.15$）。我们观察到随着锑含量的增加，InAs $_{1-x}$ Sb $_{x}$纳米线晶体结构中的堆垛层错密度急剧下降。这种减少导致场效应迁移率的显着增加，这是在室温下的InAs $_{0.85}$ Sb $_{0.15}$纳米线比InAs纳米线大三倍以上。

自催化分子束外延生长GaAs纳米线中硼掺杂对轴向生长的抑制

Suppression of axial growth by boron incorporation in GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy

通过自催化分子束外延生长的GaAs纳米线中添加硼被发现对纳米线形态有很强的影响，随着名义硼浓度的增加，轴向生长大大减少。透射电子显微镜测量表明，Ga催化剂液滴在生长过程中被无意地消耗。并发的径向生长，粗糙的表面形态和锥形的硼通量下生长的纳米线表明，这种液滴消耗是由于减少Ga吸附原子扩散的纳米线侧壁上的硼的存在下。对纳米线生长的建模将Ga吸附原子在硼通量下的扩散长度置于约700- 1000 nm。纳米线表面的分析显示高硼浓度的区域，表明硼在GaAs中的表面活性剂性质。

MBE生长的GaN和InN纳米线的比较

GaN and InN nanowires grown by MBE: a comparison

研究了分子束外延（MBE）生长的GAN和InN纳米线的形貌、光学和输运性质。强调了两种材料在生长参数和优化过程方面的差异。纳米线的结晶质量已经通过它们的光学性质进行了研究。给出了输运特性的比较。对于每种材料的能带模式，它考虑到运输和光学功能，是基于费米能级钉扎在表面。

在c面、r面和m面蓝宝石衬底上生长的GaN纳米线的比较

Comparison of GaN nanowires grown on c-, r- and m-plane sapphire substrates

在喷淋头金属有机化学气相沉积系统中，使用镍催化剂和三甲基镓和氨作为前体，在c面、r面和m面蓝宝石衬底上生长氮化镓纳米线。我们研究了载气，生长温度，反应器压力，反应物流速和衬底取向的影响，以获得薄的纳米线。纳米线的生长方向取决于衬底的取向。<10-11><10-10>这些纳米线的进一步特征在于使用X射线衍射，电子显微镜，光致发光和拉曼光谱。

硅和钨纳米线自限制氧化的二维模拟

Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires

纳米线的自限制氧化先前已被描述为反应或扩散控制的过程。在这封信中，有限反应区的概念被引入到一个扩散控制的模型，在此基础上，一个二维圆柱形的动力学模型的氧化硅纳米线，并扩展到钨。在模型中，扩散系数受膨胀氧化反应诱导应力的影响。的依赖性的曲率和温度的氧化建模。模型预测和现有的实验数据之间的良好协议。所开发的模型用于量化二维纳米结构中的氧化，并有望通过热氧化技术促进其制造。https://doi.org/10.1016/j.taml.2016.08.002

Bi Incorporation and segregation in the MBE-grown GaAs-(Ga,Al)As-Ga(As,Bi) core-shell nanowires

Incorporation of Bi into GaAs-(Ga,Al)As-Ga(As,Bi) core-shell nanowires grown by molecular beam epitaxy is studied with transmission electron microscopy. Nanowires are grown on GaAs(111)B substrates with Au-droplet assisted mode. Bi-doped shells are grown at low temperature (300 °C) with a close to stoichiometric Ga/As flux ratio. At low Bi fluxes, the Ga(As,Bi) shells are smooth, with Bi completely incorporated into the shells. Higher Bi fluxes (Bi/As flux ratio ~ 4%) led to partial segregation of Bi as droplets on the nanowires sidewalls, preferentially located at the nanowire segments with w…

分子束外延生长金籽晶InAs纳米线的非均匀Si掺杂

Inhomogeneous Si-doping of gold-seeded InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy

我们研究了用分子束外延法从金种子中生长的InAs纳米线的原位Si掺杂。通过电子测量证实了n型掺杂的有效性，电子密度随着Si通量的增加而增加。我们还观察到沿纳米线从尖端到基部的电子密度的增加，这归因于纳米线刻面上的掺杂剂掺入，而通过种子没有发生可检测的掺入。此外，Si掺入强烈影响纳米线的横向生长，而不引起显着的锥形，揭示了轴向和横向生长之间的复杂的相互作用。

金属基半导体纳米线发光二极管：纳米线器件的大规模制备

Semiconductor Nanowire Light Emitting Diodes Grown on Metal: A Direction towards Large Scale Fabrication of Nanowire Devices

自下而上的纳米线对于实现具有极端异质结构的半导体器件是有吸引力的，因为通过纳米线侧壁的应变弛豫允许高度晶格失配的材料的组合而不产生位错。由此产生的纳米线用于制造发光二极管（LED）、激光器、太阳能电池和传感器。然而，昂贵的单晶衬底通常用作纳米线异质结构以及外延器件的衬底，这限制了纳米线器件的可制造性。在这里，我们展示了直接生长和电集成在金属上的纳米线LED。光学和结构测量揭示了钼和钛膜上的高质量，垂直排列的GAN纳米线。透射电子显微镜证实了极化梯度AlGaN纳米线LED的组成变化。InGaN量子阱有源区观察到蓝色到绿色的电致发光，而GAN有源区显示出紫外发射。这些结果展示了在金属箔或金属片上大规模制造固态照明和光电子器件的途径。

气-液-固生长p型非极性GaN纳米线中Mg掺杂途径的直接证据

Direct Evidence of Mg Incorporation Pathway in Vapor-Liquid-Solid Grown p-type Nonpolar GaN Nanowires

III族氮化物基化合物半导体纳米线的掺杂仍然是一个具有挑战性的问题，以控制掺杂剂在纳米线光电子器件的精确位置中的分布。知识的掺杂剂的掺入和它的途径，在纳米线的这种设备是有限的生长方法。本文首次报道了Mg掺杂剂在化学气相沉积技术中通过汽-液-固（VLS）方法生长的p型非极性GAN纳米线中的掺入途径的直接证据。Mg掺入证实使用X射线光电子（XPS）和电子能量损失光谱（EELS）测量。能量过滤透射电子显微镜（EFTEM）的研究用于寻找镁掺入GAN纳米线的途径。Mg掺杂GAN纳米线的光致发光研究以及纳米线与n-Si之间形成的异质结的电学特性证实了Mg原子作为非极性GAN纳米线中的p型掺杂剂的活化。

Si（111）衬底上等离子体辅助分子束外延生长GaN纳米线的生长、结构和光学性质相关性的综合研究

Comprehensive investigation on the correlation of growth, structural and optical properties of GaN nanowires grown on Si(111) substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy technique

本研究阐明了在不同生长条件下，通过等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）技术在Si（111）衬底上生长的GAN纳米线的结构和光学性质之间的相关性。在不同的衬底温度下生长出具有不同形状、尺寸和分布的GAN纳米线，其中相同的Ga-N（III-V）比为0.4。我们观察到，在较低的衬底温度（~700摄氏度）下生长的样品产生具有几乎非常小（~30%）的圆形度的二维岛状结构，而增加衬底温度（>770摄氏度）导致具有优异结构特性的单个GAN NW（>80%圆形度）的生长。温度依赖的光致发光测量与拉曼激活模式的分析提供了合理的证据之间的强相关性的结构和光学性质生长在Si衬底上的GAN纳米线。

低温生长ZnTe单根纳米线的光学性质

Optical properties of single ZnTe nanowires grown at low temperature

通过分子束外延，在ZnTe（111）缓冲层上，在低温350 \degree和富Te条件下，以超低密度（每微米1至5根纳米线^{2}）生长光学活性金催化ZnTe纳米线。晶体结构是锌的结晶，通过透射电子显微镜鉴定。所有的纳米线都是锥形的，其中大多数是<111>定向的。对单根纳米线进行了低温微区光致发光和阴极射线发光实验。我们观察到一个狭窄的发射线与蓝移的2或3毫电子伏的激子能量在散装ZnTe。这种转变是由于应变引起的5 nm厚的氧化物层覆盖的纳米线，这一假设是支持的定量估计的应变的纳米线。

石墨烯上分子束外延生长无缺陷SnTe拓扑晶体绝缘体纳米线

Defect-free SnTe topological crystalline insulator nanowires grown by molecular beam epitaxy on graphene

采用分子束外延技术在石墨烯/SiC衬底上生长了SnTe拓扑晶体绝缘体纳米线。纳米线具有立方岩盐结构，它们沿[001]晶向生长，并具有由{100}晶面组成的四个侧壁，已知其具有狄拉克色散的金属表面态。彻底的高分辨率透射电子显微镜研究表明，纳米线生长在石墨烯上的范德瓦尔斯外延模式时，诱导的催化金纳米粒子与锡提供的SnTe熔剂混合，提供液体Au-Sn合金。纳米线是完全免费的结构缺陷，但它们的{001}侧壁是容易氧化，这指出了必要性的沉积保护帽，鉴于利用磁电传输现象涉及载流子占据拓扑保护状态。

ZnO纳米线上垂直界面Pr0.5Ca 0.5MnO 3的开关磁电阻

Switching magnetoresistance in vertically interfaced Pr0.5Ca0.5MnO3 grown on ZnO nanowires

报道了在ZnO纳米线上生长的电荷有序Pr0.5Ca0.5MnO3纳米结构的合成、形貌和磁输运性质。电荷有序的稳定性可以调节，但更有趣的是，磁阻的符号在低温下反转。为了理解这些特征，我们考虑了晶粒表面铁磁团簇和核内反铁磁相的共存。这项工作表明，这种在纳米线网络上生长的过程可以很容易地扩展到其他过渡金属氧化物，并为定制它们的功能打开大门。

硅基分子束外延自催化GaAs：Mn纳米线的结构和光学性质

Structural and optical properties of self-catalytic GaAs:Mn nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

利用分子束外延技术在氧化的Si（100）表面自催化生长了Mn掺杂的GaAs纳米线，并通过扫描和透射电子显微镜、拉曼散射、光致发光、阴极发光和电子输运测量等方法对纳米线进行了表征。透射电子显微镜的研究证明了大量的积累内的催化Ga液滴在纳米线的顶部的Mn。光学和输运测量揭示了GaAs纳米线自催化生长的Mn含量的极限对应于掺杂水平，即，比MBE生长过程中使用的Mn/Ga流量比（约3%）低得多。个别纳米线的电阻率测量证实，它们是导电的，根据光致发光测量，其显示存在的Mn 2+受体位于Ga网站的GaAs主晶格的纳米线。Mn掺杂GaAs纳米线的激子相关的光致发光的异常温度依赖性被证明。

外延生长Zn3P2纳米线中的界面及其用于光伏应用的成分依赖性光电性质

Interfaces in epitaxially grown Zn3P2 nanowires and their composition dependent optoelectronic properties for photovoltaic applications

本文研究了外延生长Zn3P2纳米线的界面结构及缺陷形成，通过调节V/II比实现光电性质可调谐，为光伏新材料组合提供了可能。

GaAs：Mn纳米线在MnAs分凝条件下的分子束外延生长（Ga，Mn）As

GaAs:Mn nanowires grown by molecular beam epitaxy of (Ga,Mn)As at MnAs segregation conditions

采用分子束外延法在GaAs（001）和GaAs（111）B衬底上生长了（Ga，Mn）As纳米线。它们的密度与催化MnAs纳米岛的密度成比例，这可以通过Mn通量和/或衬底温度来控制。植根于铁磁半导体（Ga，Mn）As，纳米线结合了一维特性与（Ga，Mn）As的磁性，并为纳米自旋电子学提供自然的自组装结构。

基于莫尔效应的砷化镓异质纳米线应变分析

Moire based strain analysis in wurtzite GaAs -- rock-salt (Pb,Sn)Te core-shell nanowires grown by molecular beam epitaxy

研究通过分子束外延生长的砷化镓/铅锡碲异质纳米线结构，利用高分辨透射电镜和几何相分析技术，分析莫尔条纹和位错以评估拓扑绝缘体壳层的应变。

Coalescence, crystallographic orientation and luminescence of ZnO nanowires grown on Si(001) by chemical vapour transport

We analyse the morphological, structural and luminescence properties of self-assembled ZnO nanowires grown by chemical vapour transport on Si(001). The examination of nanowire ensembles by scanning electron microscopy reveals that a non-negligible fraction of nanowires merge together forming coalesced aggregates during growth. We show that the coalescence degree can be unambiguously quantified by a statistical analysis of the cross-sectional shape of the nanowires. The examination of the structural properties by X-ray diffraction evidences that the nanowires crystallize in the wurtzite phase, …

不透明衬底上生长的GaN纳米线吸收系数的提取

Extraction of absorption coefficients from GaN nanowires grown on opaque substrates

我们展示了一种新的方法来测量任何家庭的纳米线的吸收系数，只要它们生长在基板上具有相当大的差异，在介电常数与空气中的空气矩阵。在高晶体质量的情况下，无应变GAN纳米线，生长在Si（111）衬底上的密度为~1010 cm-2，提取的吸收系数没有表现出任何增强相比，体GAN值，不像文献中的相关权利要求。这可能归因于我们的纳米线阵列的相对小的直径、短的高度和高密度。

分子束外延生长全纤锌矿型（In，Ga）As-（Ga，Mn）As核壳纳米线

All-wurtzite (In,Ga)As-(Ga,Mn)As core-shell nanowires grown by molecular beam epitaxy

采用分子束外延技术在GaAs（111）B衬底上生长了（In，Ga）As-（Ga，Mn）As核壳结构纳米线，研究了其结构和磁性。(In在高温（500 °C）下生长（Ga，Mn）As核纳米线，而在低得多的温度（220 °C）下在核的{1-100}侧面上沉积（Ga，Mn）As壳。高分辨率透射电子显微镜图像和高光谱分辨率拉曼散射数据表明，核和壳的纳米线具有纤锌矿晶体结构。扫描和透射电子显微镜观察表明，光滑的（Ga，Mn）作为外壳含有5%的Mn外延沉积在（In，Ga）作为核心含有约10%的In，没有任何失配位错在核壳界面。当（In，Ga）As核中In含量大于5%时，（In，Ga）As的晶格常数大于（Ga，Mn）As的晶格常数，壳层处于拉伸应变状态。详细的磁性研究表明，在温度超过33 K时，（Ga，Mn）As壳层中存在铁磁耦合。这种耦合仅在分离的介观体积中保持，导致在低于~17 K时被阻断的总体超顺磁性行为。

Raoult公式在理解使用二元前体低温生长GaN纳米线中的应用

Raoult's Formalism in Understanding Low Temperature Growth of GaN Nanowires using Binary Precursor

GAN纳米线的生长是通过金属引发的气-液-固机制进行的，Au作为催化剂。在化学气相沉积技术中，由于Ga的蒸气压低于900 ° C，因此通常在900-1100 ° C范围内的高温下生长GAN纳米线。在本研究中，我们在低至700 ° C的温度下生长GAN纳米线。在拉乌尔定律的范围内讨论了铟在降低生长温度中的作用。铟用于增加Ga的蒸气压，使其足以在低温下蒸发，从而引发GAN纳米线的生长。除了与结构和振动特性相关的研究外，还报道了生长的纳米线的光学特性以进行详细的结构分析。

反应分子束外延生长氧工程HfO $_{2\pm x}$的物理性质和能带结构

Physical properties and band structure of reactive molecular beam epitaxy grown oxygen engineered HfO$_{2\pm x}$

我们进行了详细的薄膜生长结构的氧工程单斜HfO $_{2\pm x}$的反应分子束外延（MBE）生长。氧化条件诱导氧化铪的（$\bar{1}11$）和（002）织构之间的切换。的带隙的氧缺陷的氧化物的增加量的氧空位减少超过1 eV。对于高的氧空位浓度，缺陷带形成的带隙内，诱导光学跃迁和$p$型导电性。作为氧化条件的函数，电阻率变化几个数量级。氧空位不引起铁磁行为。

用于灵敏和快速光检测的溶液生长纳米线器件

Solution-grown nanowire devices for sensitive and fast photo detection

利用电化学和湿化学途径的优点，开发了以CdSe量子纳米线为活性元件的高灵敏度和快速光电探测器器件。直接电化学合成到叉指型铂电极上的铋纳米颗粒在以下溶液-液体-固体合成中充当催化剂，所述溶液-液体-固体合成在低温温和条件下直接在浸没的衬底上的量子纳米线。这种快速而简单的制备过程导致具有桥接电极间隙的有限厚度的纳米线膜的光电检测器装置，其中高比例的单独纳米线电接触并且可以同时暴露于光。光电探测器装置的高灵敏度可以通过其开/关比或其在高达约700 nm的宽波长范围内大于107的光敏性来表示。比探测率和响应率分别确定为D* = 4*10^13琼斯和R = 0.32 A/W。器件的速度反映在1 MHz以上的3 dB频率中，对应于350 ns以下的上升和下降时间。高灵敏度和快速响应的显著组合归因于纳米线内部的耗尽区、纳米线之间的隧道结势垒以及电极处的肖特基接触，其中所有这些特征都受到光生载流子的数量的强烈影响。

Doubling the mobility of InAs/InGaAs selective area grown nanowires

Selective area growth (SAG) of nanowires and networks promise a route toward scalable electronics, photonics and quantum devices based on III-V semiconductor materials. The potential of high-mobility SAG nanowires however is not yet fully realized, since interfacial roughness, misfit dislocations at the nanowire/substrate interface and non-uniform composition due to material intermixing all scatter electrons. Here, we explore SAG of highly lattice-mismatched InAs nanowires on insulating GaAs(001) substrates and address these key challenges. Atomically smooth nanowire/substrate interfaces are a…

理解气相外延生长PbSnTe纳米线的各向异性生长

Understanding the anisotropic growth of VS grown PbSnTe nanowires

针对PbSnTe纳米线各向异性生长机制不明的问题，基于实验观察建立形貌演化模型，揭示其由直接入射等三种过程调控且存在生长模式转变，为器件设计提供更灵活的实验指导。

高掺杂MBE生长磷化镓纳米线的电学特性

Electrical properties of highly-doped MBE-grown gallium phosphide nanowires

针对半导体纳米线高效掺杂的商业化难题，研究了MBE生长的Be、Si掺杂p/n型磷化镓纳米线的生长与电学特性，通过原子力显微镜定量测电导率，提出可实现满足应用需求的高掺杂水平的生长策略。

基于自极化压电Polymer纳米线的可扩展高能量转换效率纳米发电机

A Scalable Nanogenerator Based on Self-Poled Piezoelectric Polymer Nanowires with High Energy Conversion Efficiency

基于压电材料的纳米发电机将永远存在的机械振动转化为电能，用于能量自主的无线和电子设备。压电聚合物的纳米线对于以这种方式收集机械能特别有吸引力，因为它们是柔性的、重量轻的并且对小振动敏感。以前的研究只集中在通过静电纺丝生长的纳米线上，但这涉及复杂的设备和$\approx$ 10 kV的高电压，该高电压使纳米线电极化，从而使它们压电。在这里，我们表明，纳米线的聚（偏氟乙烯-三氟乙烯）（P（VDF-TrFE））生长使用一个简单的和具有成本效益的模板润湿技术，可以成功地利用纳米发电机没有极化。包括$\approx$ 10 $^{10}$的典型纳米发电机被示出为响应于低水平振动在5.5 nA下产生3 V的峰值输出电压，所述$^{10}$高度结晶、自极化、对齐的纳米线跨越$\approx$ 2 cm $^2$。我们的模板生长的纳米线所表现出的11%的机械-电气转换效率与先前报道的最佳值相当。因此，我们的工作提供了一种可扩展的方法，为下一代自供电电子产品实现高性能纳米发电机。

用于快闪存储器的CVD生长SiGe层中的锗分凝

Germanium Segregation in CVD Grown Sige Layers for Flash Memory Application

通过低压化学气相沉积结合炉氧化和快速热退火形成嵌入SiO2中的球形结晶Ge纳米点的2D层。通过透射电子显微镜和卢瑟福背散射光谱法对样品进行了结构表征，并通过测量CV和IV特性对样品进行了电学表征。结果表明，高密度Ge点的形成是由于氧化引起的Ge偏析。这些点位于SiO2中，与衬底的平均距离为5 nm。高频CV曲线的滞后行为证明了结晶Ge纳米点层中电荷存储效应的强有力证据。

氧化硅纳米线的弹道电导

Ballistic Conductance in Oxidized Si Nanowires

利用密度泛函理论结合格林函数散射方法研究了硅纳米线中局部氧化对空穴输运的影响，以及改变硅原子在线表面的氧化态的影响.对于硅纳米线的生长方向沿[110]和几个纳米的直径，它被发现，引入氧桥和背键不显着降低空穴传输的电压高达几百毫伏相对于价带边缘。因此，平均自由程与晶体管和其他纳米电子应用所设想的线长度相当或更长。沿着[100]取向的纳米线的传输是不太有利的，因此在空穴迁移率方面为[110]纳米线取向提供了优势，如在一些生长方法中优先产生的。

Hexagonal germanium grown by molecular beam epitaxy on self-assisted GaAs nanowires

Hexagonal group IV materials like silicon and germanium are expected to display remarkable optoelectronic properties for future development of photonic technologies. However, the fabrication of hexagonal group IV semiconductors within the vapour-liquid-solid method has been obtained using gold as a catalyst thus far. In this letter, we show the synthesis of hexagonal Ge on self-assisted GaAs nanowires using molecular beam epitaxy. With an accurate tuning of the Ga and As molecular beam flux we selected the crystal phase, cubic or hexagonal, of the GaAs NWs during the growth. A 500 nm-long hexa…

GaAsP壳层对硅基自催化GaAs纳米线光学性质的影响

Effect of the GaAsP shell on optical properties of self-catalyzed GaAs nanowires grown on silicon

利用分子束外延技术在Si衬底上实现了GaAs/GaAsP核壳结构纳米线的自催化生长。单个GaAs/GaAsP纳米线的透射电子显微镜（TEM）证实了它们的高晶体质量，并显示出锌-β相的主导地位。这在使用连续波和时间分辨光致发光（PL）研究的单个纳米线的光学中得到进一步证实。与未覆盖的GaAs纳米线的详细比较强调了GaAsP覆盖在抑制非辐射表面态方面的作用：在10 K下观察到核壳结构中显着的PL增强超过2000倍;在未覆盖的纳米线中，PL在60 K下被猝灭，而单核壳GaAs/GaAsP纳米线即使在室温下也表现出明亮的发射。从PL的温度依赖性在这两种类型的NW的分析，我们能够确定的主要载流子逃逸机制导致PL淬火。

InAs垂直取向自支撑纳米线中Ga互扩散增强的直接证据

Direct evidence of enhanced Ga interdiffusion in InAs vertically aligned free-standing nanowires

我们提出了直接的证据，增强Ga相互扩散的InAs独立的纳米线生长在中等温度下的分子束外延GaAs（111）B。扫描电子显微镜以及共面和掠入射几何形状的X射线衍射测量表明，名义上生长的InAs纳米线实际上是由In $_{0.86}$ Ga $_{0.14}$ As制成的。与典型的气-液-固生长不同，这些纳米线是通过扩散诱导生长结合来自衬底材料的强相互扩散形成的。基于实验结果，一个简单的纳米线生长模型占镓互扩散。该生长模型可普遍应用于III-V族纳米线的分子束异质外延。

自组织模板上Fe（110）纳米线阵列的磁性可调

Tunable magnetic properties of arrays of Fe(110) nanowires grown on kinetically-grooved W(110) self-organized templates

我们报告了一个详细的磁性研究的一种新型的自组织纳米线简要披露以前[B。Borca等人，应用物理信函90，142507（2007）]。在蓝宝石晶片上以动力学限制的方式制备的模板由单轴开槽的W（110）表面组成，其中横向周期在这里被调谐到15nm。Fe的沉积导致在沟槽底部形成（110）7 nm宽的线。研究了覆盖层（Mo、Pd、Au、Al）和底层（Mo、W）对丝的磁各向异性的影响。显着差异与数字已知的薄平面膜的步骤各向异性和应变相关的表面各向异性的证明和讨论。还计算了具有三角形等腰截面的圆柱体的退磁系数，以估计偶极各向异性的贡献。最后，磁各向异性与界面元件的依赖性被用来调整线的阻断温度，这里从50 K到200 K。

使用全地球丰产组分生长的磷化锌纳米线中的非常规截面

Unconventional cross sections in zinc phosphide nanowires grown using exclusively earth-abundant components

本文研究仅用地球丰产元素生长Zn3P2纳米线，发现温度与V/II比可调控其三角形、伪五边形及孪晶面超晶格六边形截面，为可持续太阳能收集和纳米线内量子阱制造提供新途径。

Wurtzite phase control for self-assisted GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy

The accurate control of the crystal phase in III-V semiconductor nanowires (NWs) is an important milestone for device applications. In this work, we present a method to select and maintain the wurtzite (WZ) crystal phase in self-assisted NWs. By choosing a specific regime where the NW growth process is a self-regulated system, the main experimental parameter to select the zinc-blende (ZB) or WZ phase is the V/III flux ratio. The latter can be monitored by changing the As flux, and drives the system toward a stationary regime when the wetting angle of the Ga droplet falls in a target interval, …

Enhanced radiative efficiency in GaN nanowires grown on sputtered TiN$_{\boldsymbol{x}}$: effects of surface electric fields

GaN nanowires grown by molecular beam epitaxy generally suffer from dominant nonradiative recombination, which is believed to originate from point defects. To suppress the formation of these defects, we explore the synthesis of GaN nanowires at temperatures up to 915 $°C$ enabled by the use of thermally stable TiN$_x$/Al$_2$O$_3$ substrates. These samples exhibit indeed bound exciton decay times approaching those measured for state-of-the-art bulk GaN. However, the decay time is not correlated with the growth temperature, but rather with the nanowire diameter. The inverse dependence of the dec…

A Roadmap for Controlled and Efficient n-type Doping of Self-assisted GaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

N-type doping of GaAs nanowires has proven to be difficult because the amphoteric character of silicon impurities is enhanced by the nanowire growth mechanism and growth conditions. The controllable growth of n-type GaAs nanowires with carrier density as high as 1020 electron/cm3 by self-assisted molecular beam epitaxy using Te donors is demonstrated here. Carrier density and electron mobility of highly doped nanowires are extracted through a combination of transport measurement and Kelvin probe force microscopy analysis in single-wire field-effect devices. Low-temperature photoluminescence is…

通过快速热处理最大化热生长二氧化钒薄膜相变过程中的红外透射对比度

Maximizing Infrared Transmission Contrast Upon Phase Transition of Thermally Grown Vanadium Dioxide Thin Films by Rapid Thermal Processing

通过快速热处理优化二氧化钒薄膜的相变特性，提升红外透射对比度并实现高热控制性能

InAs-AlInAs和InAs-AlInP核壳纳米线的结构研究

Structural Investigation of InAs-AlInAs and InAs-AlInP Core-Shell Nanowires

在气体源分子束外延（GS-MBE）系统中，采用金辅助气液固（VLS）方法在GaAs衬底上生长了InAs纳米线。钝化的InAs纳米线使用InP壳证明是困难的，由于形成轴向而不是核-壳结构的趋势。为了避免这个问题，通过在InAs纳米线的侧壁上直接气相-固相沉积来生长具有标称Al组成分数x = 0.20、0.36或0.53的Al $_x$ In $_{1-x}$ As或Al $_x$ In $_{1-x}$ P壳。通过透射电子显微镜表征发现，在壳中添加Al导致从VLS到沿纳米线长度具有均匀壳厚度的气-固生长模式的显著转变。这种转变的可能机制包括减少吸附原子扩散，金种子颗粒的相变和表面活性剂的影响。InAs-AlInP核壳纳米线表现出失配位错，而具有较低应变的InAs-AlInAs纳米线似乎没有缺陷。

单核壳结构GaAs-AlGaAs纳米线的成像和光学性质

Imaging and optical properties of single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires

利用显微光致发光技术和空间分辨光致发光成像技术研究了单根核壳结构GaAs-AlGaAs纳米线（VLS法生长）的光学性质。我们观察到大的线性偏振各向异性的纳米线的发射和激发。

分子束外延在Ti/Al$_{2}$O$_{3}$上生长的GaN纳米线的X射线散射研究

X-ray scattering study of GaN nanowires grown on Ti/Al$_{2}$O$_{3}$ by molecular beam epitaxy

本研究通过X射线散射技术研究了分子束外延在Ti/Al₂O₃上生长的GaN纳米线，揭示了Ti膜中拓扑外延晶粒的形成及其对纳米线取向的影响，并利用蒙特卡洛建模确定了纳米线的横截面尺寸分布和侧面比例。

通过分子束外延生长的可扩展且可调谐的面内Ge/Si(001)纳米线

Scalable and Tunable In-Plane Ge/Si(001) Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

该研究提出一种低温分子束外延方法，在预图案化衬底上生长位置可控、高空穴迁移率的面内锗纳米线，为可扩展纳米电子学和多量子比特芯片制造提供了可靠平台。

利用InGaAs缓冲层和覆盖层增强选择性生长面内InAs纳米线的电学性能

Enhancing Electrical Properties of Selectively Grown In-Plane InAs Nanowires using InGaAs Buffer and Capping Layers

本研究利用原子氢拓宽InGaAs生长选择性窗口，将其作为InAs纳米线的缓冲层和覆盖层，使电子迁移率提高近三倍、相位相干长度提高一倍，证明该策略可显著提升纳米线质量。

水热生长Pr_（0.57）Ca_（0.41）Ba_（0.02）MnO_3纳米线电荷序的完全熔化

Complete melting of charge order in hydrothermally grown Pr_0.57 Ca_0.41 Ba_0.02 MnO_3 nanowires

采用低温水热法合成了Pr0.57Ca0.41Ba0.02MnO3（PCBM）纳米线（直径80-90 nm，长度3.5mm）。通过XRD实验证实了样品的单相性质。利用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对纳米线的形貌和微结构进行了表征。虽然块体PCBM已知在低于230 K时表现出电荷序（CO）以及在110 K时的铁磁转变，但对PCBM纳米线的SQUID测量显示完全不存在电荷序，并且在115 K时发生铁磁转变。然而，在纳米线中的磁化被观察到相比，在散装。考虑到在Pr_0.5Ca_0.5MnO_3纳米线中仅观察到CO的减弱，PCBM纳米线中电荷顺序的完全熔化的观察结果特别重要。电子顺磁共振实验也进行了PCBM纳米线使用X波段EPR光谱仪。特征差异，观察到的线宽的纳米线相比，散装。

与电子和体硅相比，[110]硅纳米线中的空穴迁移率显著增强

Significant enhancement of hole mobility in [110] silicon nanowires compared to electrons and bulk silicon

利用sp 3d 5s * 紧束缚能带结构和电子和空穴的波函数，我们证明了在[110]生长的硅纳米线（SiNWs）中声学声子限制的空穴迁移率大于电子迁移率。所考虑的SiNW的室温声学限制的空穴迁移率可以高达2500 cm 2/Vs，这是几乎三倍大于体声学限制的硅空穴迁移率。结果还表明，[110]生长的硅纳米线的电子和空穴迁移率超过了类似直径的[100]硅纳米线，空穴迁移率相差近两个数量级。由于小直径的硅纳米线主要沿[110]方向生长，结果强烈表明这些硅纳米线可能在未来的电子学中有用。我们的研究结果也与最近的实验测量硅纳米线的流动性。

无色无味（III部分）：模板上脉冲电沉积金属壳的结构

With no Color and Scent (part III): Architecture of metal shells grown on templates by pulse current electrodeposition

提出了一种生长蘑菇状或贝壳状纳米结构金属凹凸模型的方法。在脉冲电沉积过程中，由于纳米线在多孔膜上的自组装生长，再现了银、铜、镍、铑和Pd-Ni、Pd-Co合金结构。结果表明，该方法不仅可以模拟壳的形状，但也在纳米，微米和mesolevels的层次结构。从Pd-Ni合金生长出1.2mm大小的壳。通过碎裂和化学蚀刻研究了模型的结构。使用SUPRA 50 VP和JEOL扫描电子显微镜获得图像。金属外壳是一个碗状框架，其壁由密集的纳米元素组成。每一个纳米元件都是一束锥形的纳米线，就像一个被支撑的酒杯。壳内表面是具有自下而上定向线的植被图案的纳米线编织物。内表面也表现出明显的横向环，由自下而上生长的纳米线束构成壳框架。许多纳米线束末端上升到壳外表面作为纳米花，其可以用作生长纳米线的模板。在某些情况下，生长在外表面上的纳米线形成了一个蘑菇状的复制品。提出了一个假设，脉冲生长的膜是一种工具的形态发生的许多蘑菇和植物。

分子束外延高温生长GaN纳米线：迈向体相GaN的材料质量

High-temperature growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: toward the materials quality of bulk GaN

针对分子束外延中高温下GaN纳米线自发生长孵育时间长的问题，提出三种非常规生长方法实现最高875℃生长，所得纳米线光学质量媲美先进自支撑GaN层。

氧化Si（100）上自催化MBE纳米线

Autocatalytic MBE growth of GaAs nanowires on oxidized Si(100)

采用分子束外延技术在覆盖有5 nm SiO2的Si（100）衬底上生长了GaAs纳米线。在低的，接近化学计量比，As 4/Ga流量比，使用Ga纳米液滴作为催化剂与As 4进行生长。纳米线被发现是在外延关系的Si衬底由于接触通过针孔通过SiO2层。纳米线的长度可达15微米，直径约为100 nm，在其顶部观察到催化Ga纳米液滴。

基于选区生长InAs纳米线的场效应晶体管与放大器的低温性能

Cryogenic performance of field-effect transistors and amplifiers based on selective area grown InAs nanowires

本研究利用选区生长技术制备InAs纳米线场效应晶体管，表征了其低温特性及在集成电路和放大器中的应用表现，并讨论了晶体缺陷与工艺影响及改进策略。

单根CdS纳米线的低温光学特性

Low-Temperature Optical Characterization of Single CdS Nanowires

我们在低温下使用空间分辨微PL成像来研究使用20 nm和50 nm催化剂生长的两组CdS纳米线的光学性质。我们发现，低温PL的单纳米线是一个理想的技术来衡量一个给定的生长运行的质量，而且能够收集详细的空间信息单线电子状态。

氧对大尺寸非极性GaN纳米线结构的影响

Influence of oxygen in architecting large scale nonpolar GaN nanowires

通过控制表面极性来操纵半导体纳米线的表面结构是用于商业化的基于纳米线的电子和光电子器件的重要目标之一。我们报道了具有受控和均匀的表面形貌和尺寸分布的非常高的结构和光学质量的非极性GAN纳米线的生长，用于大规模生产。研究了O污染（~1-10^5 ppm）在这些纳米线表面结构中的作用及其可能的机制。在富氧条件下生长的非极性GAN纳米线显示出不均匀的表面形貌和尺寸（50 - 150 nm），而对于在氧还原条件下生长的样品，纳米线具有40（5）nm的精确尺寸和均匀的表面形貌。相对O含量估计使用电子能量损失谱研究。均匀的纳米线的尺寸选择性生长也被证明，在O还原的条件下，使用不同的催化剂尺寸。光致发光的研究，随着观察到的单模波导形成，作为远场明亮的紫色多个发射点，揭示了高光学质量的非极性GAN纳米线生长在O还原条件。

氧化In2S3膜以合成作为太阳能电池中的缓冲层的In2S3（1-x）O3x薄膜

Oxidation of In2S3 films to synthetize In2S3(1-x)O3x thin films as a buffer layer in solar cells

从先前的研究中已知In 2S 3（1-x）O3 x具有作为x的函数连续变化的带隙，这就是为什么这种固溶体在光化学领域中潜在地令人感兴趣的原因。在这项工作中，我们提出了在空气气氛中加热氧化的In 2S 3，以获得所需的材料的结果。氧化是伴随着质量损失，由于通过热重分析研究的装置由O原子取代的S。看来，发生氧化的温度区域强烈依赖于沉积膜的织构。通过化学浴沉积法沉积的生长态膜经受纳米氧化，所述纳米氧化发生在比以更好的结晶度和更大的微晶尺寸为特征的材料的氧化更低的温度下。利用X射线衍射和扫描电子显微镜（包括EDX）对薄膜的成分和织构进行了表征。该论文的主要结论为生产太阳能电池层的实际应用开辟了前景。

III族辅助分子束外延生长的(In,Ga)As纳米线的组分与光学性质

Composition and optical properties of (In,Ga)As nanowires grown by group-III-assisted molecular beam epitaxy

本研究利用(In,Ga)合金液滴催化分子束外延在Si(111)上生长(In,Ga)As纳米线，发现通过调节元素通量可控制其组分与光学性质，为Si平台集成红外发射器提供了新方法。

核壳结构纳米线的空间分辨发光和晶体结构

Spatially-resolved luminescence and crystal structure of single core-shell nanowires measured in the as-grown geometry

我们报道了单个的、生长态的核-多壳GaAs/In $_{0.15}$ Ga $_{0.85}$ As/GaAs/AlAs/GaAs纳米线的结构和光学性质之间的直接相关性。通过分子束外延在预先图案化的Si（111）衬底上制造，在一排良好分离的成核位置上，可以在生长的几何形状中访问单个纳米线。通过同步辐射纳米探针X射线衍射技术监测轴向111布拉格反射，揭示了沿纳米线生长轴的多型体分布。对于相同的纳米线，空间分辨的发射特性，通过阴极发光高光谱线扫描在扫描电子显微镜。相关的两个测量，我们揭示了一个蓝移的壳量子阱发射能量结合的发射强度增加的片段表现出的混合结构的交替纤锌矿和锌的堆叠相比，纯晶体多型体。这种混合结构的存在下，独立地证实了横截面透射电子显微镜。