Kondo Effect and Spin Glass Behavior of Dilute Iron Clusters in Silver Studied by Mössbauer Spectroscopy and Resistivity
用气相共沉积法制备了含0.3 - 1.5原子% Fe的银薄膜。根据衬底温度和铁浓度，我们可以系统地跟踪从初始稀释的铁单体形成纳米尺寸的铁簇。通过X射线衍射，电阻率和穆斯堡尔光谱测量样品进行了表征。从穆斯堡尔谱数据得出的磁性行为可以用铁磁单畴粒子的集合来最好地描述。在低温下观察到的磁冻结是通过传导电子极化介导的粒子间相互作用（即RKKY相互作用）来控制的。通过电阻率数据可以最好地量化团簇磁矩与传导电子海的相互作用。对于所有研究的浓度，我们发现一个非单调的变化与温度，可以理解的竞争屏蔽的集群时刻的传导电子自旋散射由于近藤效应和磁耦合。
2008-08-06 cond-mat.str-el
Spin-Orbit-Induced Kondo Size Effect in Thin Films with 5/2-spin Impurities
最近，对于自旋$S=5/2$杂质，实验发现与S=2相比，近藤对电阻率的贡献具有完全不同的尺寸依赖性。因此，将以前关于自旋-轨道诱导磁各向异性对电阻率近藤振幅影响的计算推广到$S=5/2$杂质自旋的情况，这种情况不同于整数自旋的情况，因为基态简并。在这种情况下，近藤贡献保持有限的样品尺寸为零时，近藤电阻率的厚度依赖性是弱得多的Cu（Mn）。Kondo系数作为厚度的函数的行为取决于Kondo温度，对于较大的$T_K$，Kondo温度稍微更强。比较我们的结果与最近的实验在薄Cu（Mn）膜，我们发现一个很好的协议。
1999-09-15 cond-mat.str-el
Extensions to the Kondo lattice model to achieve realistic Curie temperatures and appropriate behavior of the resistivity for manganites
我们调查的影响的Jahn-Teller扭曲和直接的反铁磁矩耦合作为扩展的两个带Kondo晶格模型的磁性和电子性质的锰氧化物。这些计算自洽通过插值自能模型和修改后的RKKY技术，使用有限的Hund耦合和量子自旋。我们发现，这两种效果是必不可少的，以实现现实的居里温度，如果我们考虑带内库仑排斥。使用可靠的模型参数，我们得到的结果是非常好的协议与实验数据在整个铁磁掺杂范围。在计算的相图中，存在铁磁金属到顺磁绝缘体的转变，伴随着巨磁阻（CMR）行为。为了提高电阻率测量值与计算值的可比性，我们必须开启带间库仑相关。
2007-02-26 cond-mat.str-el
Effect of Hydrostatic Pressure on the Kondo Effect in the Heavy Fermion System Yb$_2$Fe$_3$Si$_5$
本文报道了在2-300 K温度范围和10 Kbar压力范围内流体静压对重费米子近藤晶格化合物Yb $_2$ Fe $_3$ Si $_5$电阻率的影响。在常压下，电阻率表现出显著的近藤效应。Kondo最小值从环境压力下的22.5 K变为10 Kbar压力下的19.2 K。近藤极小值的深度也随着压力的增加而逐渐减小。这些结果表明，施加压力的近藤效应可能减弱。
2003-11-24 cond-mat.str-el
La substitution induced linear temperature dependence of electrical resistivity and Kondo behavior in the alloys, Ce_{2-x}La_{x}CoSi_{3}
本文报道了新型合金Ce_{2-x} La_{x} CoSi_{3}的电阻率、热容和磁化率行为。x= 0.0的合金是混合价的，并且La取代Ce（x= 0.25）在低温下引起电阻率的线性温度依赖性，这是与非费米液体行为主题相关的观察结果。对所有合金的近藤效应进行了修正。
1999-02-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interfacial Phase Competition Induced Kondo-like Effect in Manganite-insulator Composites
在钙钛矿结构锰氧化物中，当第二相掺杂为介电体时，观察到了低温电阻率上升的Kondo效应。本文认为低温电阻率上转效应是由界面磁相重构引起的。用Monte Carlo方法模拟了Heisenberg自旋晶格，揭示了第二相边界附近的相竞争，即锰氧化物-绝缘体边界表现出弱的反铁磁倾向。基于双交换导电机制的电阻网络模型真实地再现了低温电阻率上升效应。我们的工作为理解关联电子系统微结构中的新输运行为提供了一个合理的物理机制。
2016-05-15 cond-mat.str-el
Robustness of the Insulating Bulk in the Topological Kondo Insulator SmB$_{6}$
我们使用了反转电阻法来扩展SmB $_{6}$的体电阻率，使其达到表面导电覆盖体电阻的状态。值得注意的是，体电阻率显示出内在的热激活行为，改变了十个数量级，这表明它是一个理想的绝缘体，是免疫紊乱。非化学计量生长的SmB $_{6}$样品也表现出几乎相同的热激活行为。然而，在低温下，这些样品显示出神秘的高体电阻率平台，这可能是由3D TI中的扩展缺陷传导引起的。
2018-03-02 cond-mat.str-el
Magnetic Transition in the Kondo Lattice System CeRhSn2
我们的电阻率，磁阻，磁化强度和比热数据提供明确的证据，CeRhSn 2是一个近藤晶格系统，经历低于4 K的磁转变。
2002-09-17 cond-mat.str-el
Electrical and magnetic properties of the new Kondo-lattice compound Ce3Pd4Ge4
我们测量了新的近藤晶格化合物Ce_3Pd_4Ge_4的电阻率、磁电阻、磁化率和磁化强度。电阻率在低于6K的温度下表现出快速下降，而磁化率在该温度下没有显示出任何相应的异常。这一现象类似于Ce_3Pd_20Ge_6的四极相互作用。我们认为在正交晶系的4f电子系统Ce_3Pd_4Ge_4中存在四极相互作用的可能性。此外，还认识到自旋相关散射效应是磁输运的原因。
2002-02-25 cond-mat.str-el
Unusual Field-Insensitive Phase Transition and Kondo Behavior in SmTi$_2$Al$_{20}$
对用Al自熔法生长的高质量SmTi $_2$ Al $_{20}$（剩余电阻率比$\sim$ 40）单晶进行了磁化强度、电阻率和比热测量。在50 K以下观察到电阻率的Kondo型$\log T$依赖性。发现了在$T_{x}$ = 6.5 K时的场不敏感相变和电子比热系数$γ$ = 150 mJ/（KPDMATHABMS mol）的场不敏感重费米子行为。比热分析表明，基态为$Γ_{8}$四重态，Sm磁偶极矩$m_{\rm Sm}$（$\sim 0.5 μ_{\rm B}$ at $T \simeq$ 0）低于$T_{x}$.将讨论场不敏感的可能原因。
2011-08-03 cond-mat.str-el
Tensile and compressive strain tuning of a Kondo lattice
本研究通过实验与模型计算，发现张拉应变能显著提升YbRh2Si2的电阻率极大值温度，表明近藤温度增加20%，为探索隐藏零场量子临界点提供新途径。
2024-05-10 cond-mat.str-el
Kondo Effects and Multipolar Order in the cubic PrTr2Al20 (Tr=Ti, V)
我们的单晶研究表明，PrTr 2Al 20（Tr = Ti和V）提供了立方的Γ3 π接地双态系统的第一个例子，该系统显示了包括-ln T依赖的电阻率的近藤效应。PrV 2Al 20中的Γ3四极矩通过与导电电子的杂化而引起反常的金属行为，如在~ 20 K以下直到其有序化温度T_0 = 0.6 K，电阻率和磁化率随T^{1/2}的变化。而在PrTi_2Al_（20）中，四极子在T_0 = 2.0K时呈现出有序性。PrV_2Al_（20）中的近藤耦合比PrTi_2Al_（20）中的近藤耦合更强，抑制了四极有序，反而促进了Γ3二重态和传导电子之间的杂化，最有可能导致四极近藤效应。
2011-04-21 cond-mat.str-el
Topological surface conduction in Kondo insulator YbB$_{12}$
近藤绝缘体由于具有由强电子相互作用引起的拓扑绝缘体态，近年来引起了人们极大的兴趣。此外，最近对近藤绝缘体绝缘态量子振荡的观察令人惊讶。在这里，调查的原型Kondo绝缘体YbB $_{12}$的表面电子态，我们测量了单晶和微结构的输运性质。在所有样品中，电阻率的温度依赖性在高温下是绝缘的，并且电阻率在低温下呈现平台。平台值的大小随着样品厚度的减小而减小，这与体绝缘YbB $_{12}$中的表面电子传导定量地一致。此外，在低场下，微结构的磁电阻表现出弱的反局域化效应。这些结果与拓扑保护表面态的存在是一致的，表明YbB $_{12}$是拓扑近藤绝缘体的候选材料。高达$μ_0H$ = 50 T的微结构的高场电阻率测量提供了支持的证据，即在绝缘体中发生在YbB $_{12}$中的电阻率的量子振荡。
2021-07-21 cond-mat.str-el
Log-rise of the Resistivity in the Holographic Kondo Model
我们使用最近发展的全息大$N$技术研究了单通道近藤效应。为了得到该模型的电阻率，我们引入了一个探测场。通过在\ads{3}中嵌入一个定域二维Anti-de Sitter（\ads{2}）膜，构造了1+1维基质中定域费米子杂质的引力对偶.这有助于我们构造一个杂质电荷密度，它作为探针规范场的体运动方程的源。电荷密度的函数形式是通过求解局限于\ads{2} -膜的场的运动方程而独立获得的。探测场的渐近解由杂质电荷密度决定，杂质电荷密度又影响电流-电流关联函数，从而影响电阻率。我们选择的参数调谐的近边界杂质电流是边际，导致在紫外电阻率的$\log T$行为，是预期的近藤问题。IR固定点处的电阻率结果为零，表明杂质被完全屏蔽。
2018-02-20 cond-mat.str-el hep-th
Quantum criticality in Yb(Rh0.97Co0.03)2Si2 probed by low-temperature resistivity
利用电阻率和磁阻效应研究了Yb（Rh0.97Co0.03）2Si 2的量子临界性。Co的部分取代导致了预期的稳定的磁性根据Yb系统的化学压力的应用。然而，近藤击穿的签名保持在相同的位置，在温度-磁场相图相比，化学计量的YbRh 2Si 2。因此，近藤击穿位于反铁磁相内。这些结果很好地符合化学压力下的全局相图[1]。
2009-07-24 cond-mat.str-el
High pressure effects on the electrical resistivity behavior of the Kondo lattice, YbPd2Si2
我们报告的外部压力（P=高达8 GPa）的Yb基近藤晶格，YbPd2Si2，不进行磁有序在环境压力条件下的电阻率的温度依赖性的影响。由于施加外部压力，电阻率的温度依赖性发生质的变化。虽然发现电阻率在低于15 K（低至45 mK）的费米液体特性下呈二次方变化，但在P= 1 GPa时，在低于0.5 K时观察到电阻率下降。由于电阻值没有达到零，我们试图将这种下降归因于磁有序，而不是超导性。发生这种下降的温度经历一个峰值，作为P的函数（2 GPa时为8 K，较高压力时约为5 K）。模拟了多尼亚克的磁相图我们的结论是，这是一个少数的Yb基化学计量材料，其中一个可以通过施加外压从价态波动到磁有序。
2004-07-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low temperature properties of a new Kondo Lattice compound Yb$_2$Ir$_3$Sn$_5$
报道了一种新的Yb基三元化合物Yb $_2$ Ir $_3$ Sn $_5$的制备和磁性及输运性质的测量结果。该化合物以正交晶系Cmc 21结构形成。在1.8 ~ 300 K的直流磁化率范围内，Yb以磁性三价态存在。电阻率测量值降至1。5 K时表现出典型的近藤晶格化合物的行为，在8 K附近电阻率最小，在3 K附近有一个相干峰。交流磁化率低至100 mK时，在1.35K以下出现反铁磁转变。
2005-10-21 cond-mat.str-el
Pressure dependence of the resistivity around valence transition based on 1/N-expansion study for extended Anderson lattice
本文研究了一维扩展周期Anderson模型（PAM）中f与导电电子U_fc之间存在库仑排斥时的电阻率在价态跃迁附近的行为。通过在（1/N）^0中使用1/N展开式，其中N是f电子的自旋轨道简并度，如以前的工作所看到的，随着原子f能级的增加，价跃迁发生在临界U_fc处。我们基于扩展的PAM模型计算了包括晶场在内的整个温度范围内的电阻率，并研究了Ufc相互作用对Kondo温度等物理性质的影响。结果，电阻率的双峰结构通过近藤温度的快速增加而迅速消失。
2006-07-31 cond-mat.str-el
Single-ion Kondo behavior of a novel Kondo lattice, CeNi9Si4
CeNi 9 Si 4是一种不寻常的近藤晶格，具有较大的Ce-Ce间距，其低温电阻率和热容的Kadowaki-Woods关系被打破。本文报道了固溶体Ce（1-x）La（x）Ni_9Si_4的磁化率、热容和电阻率的测量结果，以了解该化合物的近藤行为。结果证实，在该化合物中观察到的Ce的性质是单离子性质。
2006-01-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Peculiar behavior of the electrical resistivity of MnSi at the ferromagnetic phase transition
在常压和高压下测量了MnSi单晶铁磁相变线上的电阻率。电阻率温度系数的尖峰表征了转变线。这些数据的分析表明，在压力~0.35 GPa，这些峰具有精细的结构，揭示了在峰上方~ 0.5 K处的肩部。在压力高于~ 0.35GPa时，这种结构消失，这是一个征兆，这一点以前被确定为三临界点
2006-06-13 cond-mat.str-el
Topological properties and the dynamical crossover from mixed-valence to Kondo-lattice behavior in golden phase of SmS
基于动力学平均场论的能带结构计算，研究了混合价金相SmS的电子结构和电阻率随温度的变化.冷却后，Sm 4 $f$的相干带形成，在费米能级附近产生杂化诱导赝能隙，费米面的拓扑结构发生改变，出现类Lifshitz相变.在体隙区出现的表面态不是拓扑保护态，而是典型的Rashba自旋极化态，表明SmS不是拓扑近藤半金属。通过对SmS中异常电阻率行为的分析，我们确定了表征近藤/混合价半金属体系的普遍能量尺度。
2014-12-26 cond-mat.str-el
A theory of resistivity in Kondo lattice materials: the memory function approach
Himachal Pradesh University（喜马偕尔邦大学）；Physical Research Laboratory（物理研究实验室）
本研究利用记忆函数方法及Wölfle-Götze展开分析近藤晶格模型的直流电阻率，揭示了低温电阻率上翘与高温$ρ\neq T^{3/2}$的规律，且理论与实验定量吻合较好。
2019-12-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Resistivity minimum emerges in Anderson impurity model modified with Sachdev-Ye-Kitaev interaction
本文研究了一个修正的Anderson模型，在大$N$极限下，用Sachdev-Ye-Kitaev随机相互作用代替库仑相互作用.导电电子$ρ_{c}$的电阻率在温度附近有一个极小值$\widetilde{T}_{K}$，这与近藤系统相似，但杂质电子态密度$A_{d}(ω)$在费米面附近没有类似近藤共振的尖峰.杂质电子的熵$S_{d}$和比热容$C_{\textrm{v}}$说明了从费米液体到非费米液体的过渡。该系统在温度为$T^{\star}<T<\widetilde{T}_{K}$时为非费米液体，在温度为$T<T^{\star}$时为费米液体，在温度为$T>\widetilde{T}_{K}$时为费米气体。在标准安德森模型中，中间态- $T$不存在非费米液体。通过重整化群分析，我们阐明了从费米液体到非费米液体的过渡，与输运和热力学相吻合。电阻率极小值和近藤共振是近藤效应的两个特征。然而，在我们的模型中出现的电阻率最小值时，系统的行为是一个NFL而不是FL，和杂质电子的态密度没有近藤共振。
2019-05-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electrical resistivity ofYb(Rh1-xCox)2Si2 single crystals at low temperatures
本文报道了Yb（Rh 1-xCox）2Si 2单晶（0 <= x <= 0.12）的低温电阻率测量结果。Co在Rh位上的等电子取代导致晶胞体积的减小，从而稳定了反铁磁性。因此，反铁磁转变温度增加后，钴替代。对于x = 0.07 Co含量随后的低温转变观察到的协议与磁化率测量和结果YbRh 2Si 2在静水压力下。以上的尼尔转变的电阻率遵循类似于YbRh 2Si 2的非费米液体行为。
2009-06-16 cond-mat.str-el
Violation of Wiedemann-Franz law at the Kondo breakdown quantum critical point
我们研究了重费米子量子临界点（QCP）附近的电输运和热输运，确定了近藤效应作为轨道选择性莫特跃迁的崩溃。我们发现，电导率的贡献主要来自传导电子，而热导率是由传导电子和局域费米子（自旋），分散与动力学指数$z = 3$。这种散射机制引起的电阻率和热阻率的准线性温度依赖性。近藤崩溃的特点是出现了额外的熵载体，即自旋激发。因此，我们发现，Wiedemann-Franz比应该大于标准值，这一事实，使区分近藤击穿的情况下，赫兹-森谷-米利斯框架。
2008-11-05 cond-mat.str-el
Electrical resistivity and tunneling anomalies in CeCuAs2
发现化合物CeCuAs 2在环境压力条件下在整个T-范围的调查（45 mK至300 K），即使在高磁场的存在下，也表现出负的温度（T）电阻率系数（ρ）。初步的隧道光谱测量表明至少在低温下存在伪能隙，从而暗示该化合物可以被归类为近藤半导体，尽管有趣的是没有发现rho（T）是活化型的。
2004-08-03 cond-mat.str-el
Orbital Selective Kondo Effect in Heavy Fermion Superconductor UTe$_{2}$
用$ab$ - $initio$方法研究重费米子系统中的多体效应一直是一个巨大的挑战。我们计算了UTe $_{2}$的电子结构，没有刻意的判断，如有意选择的库仑相互作用和忽略自旋轨道耦合。我们发现，U-5 $f$电子是高度本地化的顺磁正常状态，引起的近藤效应。研究还发现，U-5 $f$和U-6 $d$主要在正交$ab$ -平面上的杂化是高温近藤效应的原因.相反，U-5 $f$和Te-5 $p$沿$c$轴的杂化表明在低得多的温度下的近藤散射，这可能是$c$轴电阻率低温上升的原因。结果表明，UTe $_2$中的电子关联是轨道选择性的，这自然解释了最近的电阻率异常温度依赖性的实验观察。此外，我们认为，近藤效应被抑制在高压下，由于弱的磁矩，这是由于增强的U-5 $f$电子跳跃。
2022-02-02 cond-mat.str-el
Magnetic and transport properties of the new antiferromagnetic Kondo-lattice CeNiBi2
本文报道了一种新材料CeNiBi_2的磁性和输运性质的初步研究结果。磁化率在T_N = 6K时出现一个尖峰，表明发生了反铁磁相变。磁化强度测量证实了T_N以下的反铁磁序，在H_m = 5T时出现类变磁转变。低温磁化率和高场磁化强度都表明CeNiBi_2具有很强的晶体电场效应。电阻率显示了近藤和晶场效应的存在，由于反铁磁有序，在TN以下急剧下降。当外加磁场为18 T时，电阻率在T_N以下的急剧下降在更高温度下被稍微抑制。随着磁场的增加，磁阻的斜率从正变为负，指示向铁磁状态的转变。
2001-10-18 cond-mat.str-el
Evolution of electrical resistivity and electronic structure of transuranium metals under pressure: Numerical investigations
在相干势近似（CPA）多带电导模型下，研究了纯Np、Pu、Am和Cm金属电子结构随压力的演化对电阻率温度依赖性的影响.在局域密度近似下，采用Hubbard U和自旋轨道耦合修正（LDA+U+SO）方法，计算了纯锕系金属在常压和高压下的电子结构.它们与相应的立方相（bcc或fcc）相比较。后者的态密度被用作电阻率模型研究的起点。所得结果与实验数据吻合良好。根据所提出的电导率模型，利用从头计算的参数，讨论了锕系元素大电阻率的本质。
2010-05-25 cond-mat.str-el
Comparison of experimental data and theoretical calculations for electrical resistivity and Hall coefficient in quasi-one-dimensional organic conductor (TMTSF)2PF6
最近由Moser等人测量的霍尔系数和电阻率的温度依赖性。84，2674（2000）]中的准一维有机导体（TMTSF）2 PF 6的计算结果与我们以前的理论计算[Synth. Met. 103，2202（1999）; Eur. J. B 11，385（1999）]。我们发现一个很好的协议，虽然不是一个完全一致的参数集的两个数量，没有呼吁Luttinger液体的概念。
2000-09-24 cond-mat.str-el
Interplay between interaction and chiral anomaly: Anisotropy in the electrical resistivity of interacting Weyl metals
我们预测，长程相互作用引起的各向异性的外尔金属的电阻率在低温下，当电场施加到动量矢量的方向连接两个成对的外尔点的电阻率变得大大降低。通过重整化群分析，我们发现在低温下，两个Weyl点之间的距离呈幂律增长，而这种相互作用的耦合常数则呈幂律负增长.考虑到Adler-Bell-Jackiw异常，这两个Weyl点之间的散射被抑制，以增加“纵向”方向的电导率，这在相互作用预计会降低金属丰度方面是违反直觉的。我们还提出，在霍尔效应的异常贡献显示的对数增强作为一个函数的温度，源于一个事实，即异常霍尔系数原来是成比例的两对Weyl点之间的距离。与拓扑约束的相关性允许意想不到的和奇异的输运性质。
2013-04-07 cond-mat.str-el
Evidence for a Ru$^{4+}$ Kondo Lattice in LaCu$_3$Ru$_4$O$_{12}$
用电阻率、磁化率、比热测量和磁共振技术研究了$1 \leq x \leq 4$的LaCu $_3$ Ru $_x$ Ti $_{4-x}$ O $_{12}$系列固溶体的稀有$d$电子重费米子性质。纯铁酸盐（$x = 4$）是一种重费米子金属，其特征在于在低温下电阻率与$T^2$成正比。局域化的Ru4PDMATHABMM电子形成的相干近藤晶格被传导电子屏蔽，导致有效电子质量的强烈增强.通过增加钛取代，Kondo晶格被稀释，导致单离子Kondo性质，如在基于$4f$的重费米子化合物Ce $_x$ La $_{1-x}$ Cu $_{2.05}$ Si $_2$ [M. Ocko {\em等}，B \textbf{64}，195106（2001）]。在LaCu $_3$ Ru $_x$ Ti $_{4-x}$ O $_{12}$中，重费米子行为最终在穿过接近$x = 2$的金属-绝缘体转变时破裂。
2016-02-03 cond-mat.str-el
Ferromagnetic Kondo lattice behavior in Ce11Pd4In9
本文报道了一种新型化合物Ce $_{11}$ Pd $_4$ In $_9$的低温物理性质，该化合物与正交晶系的Nd $_{11}$ Pd $_4$ In $_9$型晶体结构（空间群$Cmmm$）一起结晶。该化合物在$T_{\rm {C}}$ = 18.6 K时呈现铁磁有序，在$T_{\rm {t}}$ $\sim$ ~1.6 K时呈现有序-有序转变.在顺磁区，Ce $_{11}$ Pd $_4$ In $_9$的电输运主要由近藤效应控制。在$T_{\rm {C}}$以下，由于铁磁自旋波的明显贡献主导电阻率数据，而在最低温度下，电输运和热力学性质由强电子-电子相关性支配。结合观察到的特征暗示在Ce $_{11}$ Pd $_4$ In $_9$中的强关联基态。
2019-01-21 cond-mat.str-el
Metallic surface states in a correlated d-electron topological Kondo insulator candidate FeSb2
当温度接近零时，传统绝缘体的电阻会发散。4f Kondo绝缘体（KI）SmB 6的低温电阻率饱和特性促使人们提出了一种具有奇异基态的相关驱动拓扑Kondo绝缘体（TKI）。然而，模型TKI材料族的稀缺性使得难以从不相关的细节中分离出关键成分。在这里，我们使用角分辨光电子能谱（ARPES）来研究FeSb 2，这是一种相关d电子KI候选物，也表现出低温电阻率饱和。在（010）面上，我们发现了丰富的二维色散金属态的集合。体能带结构的测量揭示带重整化，一个大的温度依赖性带移，以及沿某些高对称性方向的平坦光谱特征，为强相关性提供光谱证据。我们的观察表明，奇异的绝缘状态类似于那些在SmB 6和YbB 12也可能存在于系统中的d而不是f电子。
2020-05-13 cond-mat.str-el
Charge Kondo Effect in Thermoelectric Properties of Lead Telluride doped with Thallium Impurities
我们研究了PbTe掺杂小浓度$x$的Tl杂质作为受主和安德森杂质与负的现场（有效）相互作用描述的热电性能。由此产生的电荷近藤效应自然地解释了该系统中的一些低温异常，包括载流子浓度的不寻常的掺杂依赖性、费米能级钉扎和自补偿效应。低温电阻率在温度$T\leq 10\, {\rm K}$的近藤异常和剩余电阻率的$x$依赖性也与实验符合得很好。我们的模型还捕捉到定性方面的热电势在较高的温度下$T>300\, {\rm K}$的高掺杂（$x>0.6%$），预计在很大程度上由载流子的重空穴带的碲化铅。
2013-04-10 cond-mat.str-el
Resistivity saturation in Kondo insulators
重费米子绝缘体的电阻率通常在特征温度$T^*$以下饱和。对于一些，金属表面状态，可能来自非平凡的体拓扑结构，是残余传导的可能来源。在这里，我们建立了一个替代机制：在低温下，除了电荷间隙，散射率变成一个相关的能量尺度，无效的半经典玻尔兹曼图片。本征载流子的有限寿命限制了导电，强加了交叉$T^*$的存在，并控制-现在与间隙相当-量子制度出现在它下面。我们展示了与现实的多体模拟机制，并阐明如何饱和制度的近藤绝缘体Ce $_3$ Bi $_4$ Pt $_3$，其中剩余导电是一个整体属性，在外部压力和不同的无序状态下进化。使用的量子制度，我们推导出的唯象公式，我们也解开了不理解的体电导率的钐$_6$ -证明我们的机制是广泛适用于相关的窄隙半导体。
2020-08-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
On the problem of the Kondo-lattice model application to CeB6
在1.8-300 K的宽温度范围内，对高质量六硼化铈单晶的电荷输运参数（电阻率、霍尔系数和塞贝克系数）进行了精密测量。结果表明，在5 K < T < T* = 80 K的温度区间内，磁对电阻率的贡献服从幂律rm = T-1/n，对应于载流子的弱局域化状态，临界折射率1/n = 0.39 ± 0.02。在相同的温度区间内，发现热电势S = -lnT的渐近行为与CeB 6中载流子迁移率的本质降低一起。一个负的霍尔系数异常已被检测到在液氦温度。所获得的数据进行了比较与近藤晶格模型预测的结果，并讨论了激子铁磁性的理论。
2005-05-19 cond-mat.str-el
Tuning the Kondo effect in Yb(Fe$_{1-x}$Co$_{x}$)$_{2}$Zn$_{20}$
利用电阻率和比热随温度的变化研究了重费米子化合物Yb（Fe $_{1-x}$ Co $_{x}$）$_{2}$ Zn $_{20}$（0 $\leqslant$ x $\leqslant$ 1）中近藤效应的演化. YbFe $_2$ Zn $_{20}$的基态可以用简并度为$N$ = 8，温度为$T_K\sim$ 30 K的Kondo模型很好地描述.在与YbFe $_2$ Zn $_{20}$存在非常相似的总CEF分裂的情况下，YbCo $_2$ Zn $_{20}$的基态接近于简并度$N$ = 2的Kondo态，并且具有低得多的$T_K\sim$ 2 K。Co取代后，YbFe $_2$ Zn $_{20}$的相干温度被抑制，伴随着与冷却时CEF能级的热减少相关的比热中的新兴Schottky样特征。对于0.4 $\lesssim$ × $\lesssim$ 0.9，基态保持大致相同，这可以通过CEF分裂存在下的近藤效应定性地理解。没有明确的迹象表明，近藤相干观察电阻率在此替代范围内下降到500 mK。在x $\gtrsim$ 0.9附近再次出现相干，并且相干温度随着Co浓度水平的升高而升高。
2016-09-20 cond-mat.str-el
Magnetism, non-Fermi-liquid behavior and deconfinement in Kondo lattices
本文提出有效杂化模型，统一描述Kondo晶格中费米液体与分数化费米液体态，并考虑磁有序，通过微扰和规范场分析电荷与磁涨落，比较其对热和输运性质的贡献。
2023-09-01 cond-mat.str-el
Semimetallic Kondo lattice behavior in YbPdAs with a distorted kagome structure
我们合成了具有六方ZrNiAl型结构的YbPdAs，其中Yb原子在六方基面上形成畸变的kagome亚晶格。磁性、输运和热力学测量表明，YbPdAs是一种低载流子的近藤晶格化合物，在$T_\mathrm{N}$ = 6.6 K时发生反铁磁转变，在高达9 T的磁场中，这种转变受到轻微抑制.在$T_\mathrm{N}$的磁熵恢复只有$R\ln{2}$的33\%，基态的Yb离子的双重态的全部熵。电阻率显示$-\ln T$依赖性在30和15 K之间，随后在冷却时在$T\rm_{coh}$ = 12 K处出现宽的最大值。低于$T\rm_{coh}$，磁阻从负到正的变化，表明从单离子近藤散射过程在中间温度下的相干近藤晶格行为在低温下的交叉。霍尔电阻率测量和能带结构计算都表明YbPdAs中的载流子浓度相对较低。我们的结果表明，YbPdAs可以为研究低载流子系统中近藤物理和磁阻挫的相互作用提供机会。
2022-09-02 cond-mat.str-el
Surface and bulk components of electrical conductivity in the (presumably special topological) Kondo insulator SmB6 at lowest temperatures
六硼化钐（SmB 6）最近被认为是拓扑近藤绝缘体（TKI），是第一个表现出拓扑表面导电态的强关联电子系统。在这方面的贡献，电阻率测量结果之间的80 K和0.08 K的各种SmB 6单晶样品，分析和讨论。收到的结果意味着，SmB 6的剩余电导率低于约4 K是非活化（类金属）的性质。结果表明，这种金属样的行为可以归因于表面（2D）导电状态，可以预期的情况下的拓扑绝缘体，以及高度相关的多体（3D）体基态，这是形成在该化合物的间隙。由此可见，在SmB 6中，表面导电性状态明显存在，平行地，也存在源自具有价态波动的强关联电子系统的对剩余电导率的体贡献。这就提出了一个问题，是否SmB 6不形成一个新的/特殊类型的拓扑绝缘体，其中在能隙中除了表面导电状态，也有一个导电窄的间隙带起源于体强关联电子系统。
2014-08-04 cond-mat.str-el
Anomalous ferromagnetism and non-Fermi-liquid behavior in the Kondo lattice CeRuSi2
实验研究了近藤晶格体系CeRuSi_2的结构、电子和磁性，并将其与其它三元铈化合物进行了对比分析。该系统是一个很好的模型系统，表现出近藤效应和反常铁磁性的共存，同时具有很小的磁矩，这一点已被磁性和μSR测量所证实。比热，电阻率和塞贝克系数的数据。从电阻率和比热数据推断，在低温下观察到非费米液体行为，这是不寻常的铁磁近藤系统。与其他磁性近藤晶格进行了比较。
2013-04-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Collapse of Kondo state and ferromagnetic quantum phase transition in YbFe$_2$Zn$_{20}$
我们提出的电阻率数据下的应用程序的压力高达$\sim$ 26 GPa和下降到50 mK的温度对YbFe $_2$锌$_{20}$。我们发现一个压力诱导的磁相变的起始点在$p_c$ =18.2 $\pm$ 0.8 GPa。在常压下，YbFe $_2$ Zn $_{20}$表现出重费米子、重基态和低温下的费米液体行为。随着压力的增加，电阻率的幂律指数$n$显著偏离费米液体行为，并趋于在接近$p_c$的$n$ = 1时饱和。一个明显的电阻率最大值，$T_\text{max}$，这与近藤温度的比例进行了观察。$T_\text{max}$随压力增加而减小，并在$p_c$附近变平，表明近藤交换相互作用受到抑制。对于$p>p_c$，$T_\text{max}$显示出突然向上的偏移，很可能与晶体电场散射有关。对$p>p_c$施加磁场使相变变宽并使其向更高温度移动，这是铁磁转变的典型行为。磁性转变似乎突然发展以上$p_c$，这表明可能的一阶（与变化的压力）性质的过渡;一旦稳定，有序温度不依赖于压力高达$\sim$ 26 GPa。作为一个整体，这些数据表明，在$p_c$ = 18.2 GPa的YbFe $_2$ Zn $_{20}$有一个量子相变与避免量子临界金属铁磁体。
2018-08-03 cond-mat.str-el
Low-temperature electrical resistivity in paramagnetic spinel LiV2O4
3d电子尖晶石化合物LiV_2O_4在30K以下表现出重费米子行为，这与反铁磁自旋涨落在动量空间的扩展区域中强烈增强有关。这种机制解释了增强的热力学量和近临界NMR弛豫的自洽重整化（SCR）理论的框架。在这里，我们表明，低T费米液体行为的电阻率和偏离这种行为的更高的T也可以理解的上下文中。我们计算了电阻率ρ（T）的温度依赖性，假设准粒子散射的两种基本机制，即杂质散射和自旋涨落散射，在低温下同时起作用。计算是基于ρ（T）的微扰级数展开形式的变分原理。LiV_2O_4中ρ（T）的一个特殊行为与低能自旋涨落的性质有关，其T依赖性由SCR理论得到。
2010-08-11 cond-mat.str-el
YbNiSi3: a new antiferromagnetic Kondo lattice with strong exchange interaction
本文报道了用助熔剂法生长的高质量YbNiSi_3单晶的结构、热力学和输运性质。该化合物以Cmmm空间群的SmNiGe 3层状结构类型结晶。在T_N = 5.1 K以下，一般的物理行为是Kondo晶格的反铁磁基态。这是Yb基金属间化合物的最高有序温度之一，表明Yb离子之间的强交换相互作用，基于4.45 μ B/f. u的有效矩，Yb离子接近+3价。该化合物具有中等重电子行为，索末菲系数为190 mJ/mol K^2。电阻率是高度各向异性的，并且表现出低于局部最小值的签名对数增加，随后是相干/磁有序状态的急剧下降，导致1.5微欧姆cm的剩余电阻率和RRR = 40。在低于1 K的温度下，可以清楚地观察到费米液体行为与基态双峰相一致。
2004-07-21 cond-mat.str-el
Low temperature resistivity studies of SmB6: Observation of twodimensional variable-range hopping conductivity
我们研究了SmB 6单晶样品的电阻，重点是“低温电阻率平台”区域。我们的观察没有显示出任何真正的饱和电阻在温度低于3 K下降到70 mK。根据我们的发现，在70 mK以上的温度区间内，电导率的温度依赖性可以分解为温度无关项和温度激活项，这两项可以用二维系统的变程跳跃公式exp[-T0/T）^1/3]来描述。因此，我们的研究结果表明，在SmB 6的近表面区域的跳跃型电输运的重要性。
2017-09-06 cond-mat.str-el
Electrical resistivity of the Ti4O7 Magneli phase under high pressure
我们已经测量了电阻率作为温度和压力的函数的Ti4O7孪晶使用不同的接触配置。超过4kbar的压力抑制了双极化子的局域化，并允许研究双极化子相的电导下降到低温。当压力P > 40 kbar时，双极化子的形成转变被抑制，电阻率几乎与压力无关。我们观察到了各向异性传导。当电流平行于主轴注入时，具有相互作用的载流子效应的金属传导是主要的。超导状态没有得到下降到1.2 K，虽然量子临界点附近的证据被注意到。当电流注入方向不平行于晶体的主轴时，我们得到了低温下电阻率的对数发散。在这种情况下，我们的结果可以解释的框架中的相互作用的载流子（极化子或双极化子）散射的二能级系统的高压制度。
2003-10-02 cond-mat.str-el
Signatures of the Kondo effect in VSe2
VSe 2是一种过渡金属硫族化物，其具有已被充分研究的电荷密度波跃迁。我们报告的电阻率在低温回升，并在温度低于此电阻率的最小值，一个不寻常的磁阻，这是负的，在低场和正的，在较高的领域，在单晶的VSe 2。负磁电阻随磁场的变化呈抛物线型，且几乎不随角度变化。在高于电阻率最小值的温度下的磁阻总是正的。我们将这些结果解释为VSe 2中近藤效应的特征。磁化率的上升表明存在层间V离子，其可以提供在近藤效应中散射传导电子所需的局部磁矩。的热容量的低温行为，包括高值的伽马，随着偏离居里-外斯定律中观察到的低温磁化率，是一致的与存在的磁性之间的相互作用的顺磁性层间V离子和近藤筛选这些V时刻。
2017-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of synthesis conditions on the electrical resistivity of TiSe$_2$
稀杂质和生长条件可以显著影响TiSe $_2$的输运性质，特别是低于电荷密度波跃迁。在本文中，我们讨论了冷却速度，退火时间和退火温度对TiSe $_2$的输运性质的影响：多晶TiSe $_2$合成后的缓慢冷却急剧增加低温电阻率，这是在相反的金属行为的单晶TiSe $_2$由于电荷掺杂从残留的碘传输剂。首次观察到多晶TiSe $_2$样品在冷却时电阻率呈对数增长，并且在零场附近具有尖锐的尖点，这表明由于低维性导致了弱的局域化效应.低温退火也有类似的效果，但不那么剧烈。此外，从高温快速淬火的多晶样品的无序冻结，导致在低温电阻率下降。
2019-09-17 cond-mat.str-el
Crystalline electric field effects in the electrical resistivity of PrOs$_4$Sb$_{12}$
最近发现的重费米子超导体\PrOsSb{}的电阻率$ρ$的温度$T$和磁场$H$的依赖关系具有与晶体电场（CEF）分裂Pr $^{3+}$ Hund规则多重态相关的特征。这些功能显然是由于磁交换和非球面库仑散射的热填充CEF分裂Pr $^{3+}$能级。零磁场下的$ρ(T)$数据可以通过基于CEF理论对不同磁交换比和非球面库仑散射的计算得到很好的描述，并得到与以前由磁化率、比热和非弹性中子散射测量得到的CEF参数定性一致的CEF参数。计算的$ρ(H)$等温线的$Γ_{3}$基态定性占“圆顶形”的功能，在测量的$ρ(H)$等温线。
2003-03-21 cond-mat.str-el
Probing the Kondo Lattice
我们提出了一个唯象的解决方案的近藤晶格，来自重电子超导体CeCoIn 5的体比热和自旋磁化率的分析。我们发现，低于交叉温度对应的intersite耦合规模，T* ~ 45 K，近藤气体（非相互作用的近藤杂质）部分冷凝成重电子“近藤”液体，具有温度无关的威尔逊比= 2.0。“冷凝的”近藤液体组分的相对分数f起着序参量的作用;它随着温度的降低而线性增加，直到它在0.9的低温值处饱和。电阻率被证明是简单的产品（1-f）和孤立的Kondo杂质。通过对Ce 1-xLaxCoIn 5和CeIrIn 5的相应分析表明了该结果的普遍性。
2003-04-25 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and transport properties of the Kondo system Ce4Sb1.5Ge1.5
铁磁有序与一个小的磁矩被发现低于14 K的SQUID测量的化合物Ce4Sb1.5Ge1.5。在室温下测量了Ce_4Sb_（3-x）Tx（T = Ge，Si，Sn，Pb，Al）体系的输运特性，其中Ce_4Sb_（1.5）Ge_（1.5）体系的Seebeck系数最高。它的传输性能（电阻率，热导率，热电功率）的实验研究详细到低温。发现了电阻率的近藤晶格行为及其在有序点处的反常现象，并与Wiedemann-Franz定律进行了比较。
2014-03-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-Cannel Kondo Effect in Glass-Like ThAsSe
我们提出了低温热和电荷传输以及热性能的ThAsSe单晶。一个额外的AT 1/2长期的电阻率，独立的磁场高达14 T，提供了一个不寻常的散射的传导电子的证据。此外，热导率和比热都显示出玻璃型温度依赖性，这表明存在隧道态。这些观测结果显然表明，实验上实现了结构二能级系统的双通道近藤效应。
2005-02-02 cond-mat.str-el
Kondo-hole substitution in heavy fermions: dynamics and transport
近藤空穴替代是研究重费米子材料中相互作用、f-电子稀释和无序相互作用的独特探针。在稀释的周期性安德森模型中，我们研究了单粒子动力学的变化以及响应函数，作为近藤空穴浓度（$x$）和温度的函数。我们发现，由于近藤空穴替代的光谱权重转移具有不同于温度引起的特性;直流电阻率从具有$x\rightarrow 0$极限中的相干峰的高度非单调形式跨越到在低温下饱和的单调单杂质形式。的热功率表现出的特征最大值作为温度的函数，其值的变化与增加$x$的符号，其位置示出对应于系统的低能量尺度。在零温度下，霍尔系数也随着$x$的增加而改变符号，并且对于所有$x$都是高度温度依赖性的。当$x$增大到一定的$x_c$以上时，电导率中的Drude峰和中红外峰几乎完全消失，光散射率中的A峰熔化并最终消失。我们讨论了上述变化的性质的交叉，从相干的，近藤晶格行为的单一杂质一样，不相干的行为与增加$x$。Ce $_{1-x}$ La $_x$ B $_6$的直流电阻率和热电势的理论与实验的比较产生良好的一致性。
2014-10-08 cond-mat.str-el
