Kondo effect in CeX$_{c}$ (X$_{c}$=S, Se, Te) studied by electrical resistivity under high pressure
我们已经测量了电阻率的铈monochalcogenices，CeS，CeSe和CeTe，在高压下高达8 GPa。反铁磁有序温度$T_{N}$、晶场分裂和近藤效应的$\ln T$异常的压力依赖性已被研究，以覆盖从低压下的磁有序区到高压下的费米液体区的整个区域。$T_{N}$最初随着压力的增加而增加，并在高压下开始减少，如从Doniach图所预期的。同时，$\ln T$在电阻率中的行为增强，表明压力增强了近藤效应。CeX $_{c}$的特征还在于，晶场分裂以$-12.2$ K/GPa的常见速率迅速减小。这导致$f$态简并度的增加和近藤效应的进一步增强。结果表明，$f$态的压力相关简并度是理解$T_{N}$、近藤效应、磁电阻和电阻率温度相关峰结构的压力相关性的关键因素.
2015-12-21 cond-mat.str-el
Magnetic Order and Charge Disproportionation in a Spin-ice type Kondo Lattice Model: Large Scale Monte Carlo Study
采用蒙特卡罗模拟方法，利用多项式展开技术，得到了自旋冰型近藤晶格模型的相图，该模型可能与金属烧绿石氧化物有关.我们确定了一个新的32-亚晶格磁相伴随的电荷双折射，以及其他阶段，如两进两出和全进/全出的订单。自旋和电荷模式可以通过外部磁场切换到一个不同的伴随着半磁化平台。
2012-09-14 cond-mat.str-el
Phase Diagram of a Spin-ice Kondo Lattice Model in a Breathing Pyrochlore Lattice
研究了具有经典局域自旋的呼吸烧绿石晶格上的自旋冰近藤晶格模型。采用高效的核多项式展开法和经典的Monte Carlo方法，研究了四种典型巡游电子数密度下的磁相图。我们调整呼吸模式，通过改变跳跃比-跳跃参数的比例沿不等价路径的巡回电子。几个有趣的磁相稳定在相图参数化的跳跃比，近藤耦合，和电子填充分数，包括一个“全进/全出”有序的自旋配置相，自旋冰，有序相包含$16$和$32$自旋网站的磁性晶胞，以及在小值的跳跃比的无序相。
2020-07-30 cond-mat.str-el
Kondo Effect and Spin Glass Behavior of Dilute Iron Clusters in Silver Studied by Mössbauer Spectroscopy and Resistivity
用气相共沉积法制备了含0.3 - 1.5原子% Fe的银薄膜。根据衬底温度和铁浓度，我们可以系统地跟踪从初始稀释的铁单体形成纳米尺寸的铁簇。通过X射线衍射，电阻率和穆斯堡尔光谱测量样品进行了表征。从穆斯堡尔谱数据得出的磁性行为可以用铁磁单畴粒子的集合来最好地描述。在低温下观察到的磁冻结是通过传导电子极化介导的粒子间相互作用（即RKKY相互作用）来控制的。通过电阻率数据可以最好地量化团簇磁矩与传导电子海的相互作用。对于所有研究的浓度，我们发现一个非单调的变化与温度，可以理解的竞争屏蔽的集群时刻的传导电子自旋散射由于近藤效应和磁耦合。
2008-08-06 cond-mat.str-el
Spin-Orbit-Induced Kondo Size Effect in Thin Films with 5/2-spin Impurities
最近，对于自旋$S=5/2$杂质，实验发现与S=2相比，近藤对电阻率的贡献具有完全不同的尺寸依赖性。因此，将以前关于自旋-轨道诱导磁各向异性对电阻率近藤振幅影响的计算推广到$S=5/2$杂质自旋的情况，这种情况不同于整数自旋的情况，因为基态简并。在这种情况下，近藤贡献保持有限的样品尺寸为零时，近藤电阻率的厚度依赖性是弱得多的Cu（Mn）。Kondo系数作为厚度的函数的行为取决于Kondo温度，对于较大的$T_K$，Kondo温度稍微更强。比较我们的结果与最近的实验在薄Cu（Mn）膜，我们发现一个很好的协议。
1999-09-15 cond-mat.str-el
Extensions to the Kondo lattice model to achieve realistic Curie temperatures and appropriate behavior of the resistivity for manganites
我们调查的影响的Jahn-Teller扭曲和直接的反铁磁矩耦合作为扩展的两个带Kondo晶格模型的磁性和电子性质的锰氧化物。这些计算自洽通过插值自能模型和修改后的RKKY技术，使用有限的Hund耦合和量子自旋。我们发现，这两种效果是必不可少的，以实现现实的居里温度，如果我们考虑带内库仑排斥。使用可靠的模型参数，我们得到的结果是非常好的协议与实验数据在整个铁磁掺杂范围。在计算的相图中，存在铁磁金属到顺磁绝缘体的转变，伴随着巨磁阻（CMR）行为。为了提高电阻率测量值与计算值的可比性，我们必须开启带间库仑相关。
2007-02-26 cond-mat.str-el
Effect of Hydrostatic Pressure on the Kondo Effect in the Heavy Fermion System Yb$_2$Fe$_3$Si$_5$
本文报道了在2-300 K温度范围和10 Kbar压力范围内流体静压对重费米子近藤晶格化合物Yb $_2$ Fe $_3$ Si $_5$电阻率的影响。在常压下，电阻率表现出显著的近藤效应。Kondo最小值从环境压力下的22.5 K变为10 Kbar压力下的19.2 K。近藤极小值的深度也随着压力的增加而逐渐减小。这些结果表明，施加压力的近藤效应可能减弱。
2003-11-24 cond-mat.str-el
La substitution induced linear temperature dependence of electrical resistivity and Kondo behavior in the alloys, Ce_{2-x}La_{x}CoSi_{3}
本文报道了新型合金Ce_{2-x} La_{x} CoSi_{3}的电阻率、热容和磁化率行为。x= 0.0的合金是混合价的，并且La取代Ce（x= 0.25）在低温下引起电阻率的线性温度依赖性，这是与非费米液体行为主题相关的观察结果。对所有合金的近藤效应进行了修正。
1999-02-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interfacial Phase Competition Induced Kondo-like Effect in Manganite-insulator Composites
在钙钛矿结构锰氧化物中，当第二相掺杂为介电体时，观察到了低温电阻率上升的Kondo效应。本文认为低温电阻率上转效应是由界面磁相重构引起的。用Monte Carlo方法模拟了Heisenberg自旋晶格，揭示了第二相边界附近的相竞争，即锰氧化物-绝缘体边界表现出弱的反铁磁倾向。基于双交换导电机制的电阻网络模型真实地再现了低温电阻率上升效应。我们的工作为理解关联电子系统微结构中的新输运行为提供了一个合理的物理机制。
2016-05-15 cond-mat.str-el
Monte Carlo Study of an Effective Ising Model for the Spin-ice type Kondo Lattice Model
用经典的蒙特卡罗模拟研究了自旋冰型Kondo晶格模型的有效伊辛模型.我们用四个相：冰-铁、冰-（0，0，2 π）、32-亚晶格和全进/全出有序态阐明了磁相图。结果很好地再现了Kondo晶格模型的相图[H. Ishizuka等人：日本物理学会81（2012）113706]，这表明直到第三邻居的RKKY相互作用足以描述巡回电子模型的磁性。我们讨论了相变的特殊性质：两个冰相之间的临界温度下降到零温度的抑制和32-亚晶格有序态的相边界上的三临界点的存在。
2013-09-20 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Robustness of the Insulating Bulk in the Topological Kondo Insulator SmB$_{6}$
我们使用了反转电阻法来扩展SmB $_{6}$的体电阻率，使其达到表面导电覆盖体电阻的状态。值得注意的是，体电阻率显示出内在的热激活行为，改变了十个数量级，这表明它是一个理想的绝缘体，是免疫紊乱。非化学计量生长的SmB $_{6}$样品也表现出几乎相同的热激活行为。然而，在低温下，这些样品显示出神秘的高体电阻率平台，这可能是由3D TI中的扩展缺陷传导引起的。
2018-03-02 cond-mat.str-el
Magnetic Transition in the Kondo Lattice System CeRhSn2
我们的电阻率，磁阻，磁化强度和比热数据提供明确的证据，CeRhSn 2是一个近藤晶格系统，经历低于4 K的磁转变。
2002-09-17 cond-mat.str-el
Electrical and magnetic properties of the new Kondo-lattice compound Ce3Pd4Ge4
我们测量了新的近藤晶格化合物Ce_3Pd_4Ge_4的电阻率、磁电阻、磁化率和磁化强度。电阻率在低于6K的温度下表现出快速下降，而磁化率在该温度下没有显示出任何相应的异常。这一现象类似于Ce_3Pd_20Ge_6的四极相互作用。我们认为在正交晶系的4f电子系统Ce_3Pd_4Ge_4中存在四极相互作用的可能性。此外，还认识到自旋相关散射效应是磁输运的原因。
2002-02-25 cond-mat.str-el
Unusual Field-Insensitive Phase Transition and Kondo Behavior in SmTi$_2$Al$_{20}$
对用Al自熔法生长的高质量SmTi $_2$ Al $_{20}$（剩余电阻率比$\sim$ 40）单晶进行了磁化强度、电阻率和比热测量。在50 K以下观察到电阻率的Kondo型$\log T$依赖性。发现了在$T_{x}$ = 6.5 K时的场不敏感相变和电子比热系数$γ$ = 150 mJ/（KPDMATHABMS mol）的场不敏感重费米子行为。比热分析表明，基态为$Γ_{8}$四重态，Sm磁偶极矩$m_{\rm Sm}$（$\sim 0.5 μ_{\rm B}$ at $T \simeq$ 0）低于$T_{x}$.将讨论场不敏感的可能原因。
2011-08-03 cond-mat.str-el
Tensile and compressive strain tuning of a Kondo lattice
本研究通过实验与模型计算，发现张拉应变能显著提升YbRh2Si2的电阻率极大值温度，表明近藤温度增加20%，为探索隐藏零场量子临界点提供新途径。
2024-05-10 cond-mat.str-el
Kondo Effects and Multipolar Order in the cubic PrTr2Al20 (Tr=Ti, V)
我们的单晶研究表明，PrTr 2Al 20（Tr = Ti和V）提供了立方的Γ3 π接地双态系统的第一个例子，该系统显示了包括-ln T依赖的电阻率的近藤效应。PrV 2Al 20中的Γ3四极矩通过与导电电子的杂化而引起反常的金属行为，如在~ 20 K以下直到其有序化温度T_0 = 0.6 K，电阻率和磁化率随T^{1/2}的变化。而在PrTi_2Al_（20）中，四极子在T_0 = 2.0K时呈现出有序性。PrV_2Al_（20）中的近藤耦合比PrTi_2Al_（20）中的近藤耦合更强，抑制了四极有序，反而促进了Γ3二重态和传导电子之间的杂化，最有可能导致四极近藤效应。
2011-04-21 cond-mat.str-el
Experimental signatures of versatile Weyl semimetal in pyrochlore iridate with spin-ice like magnetic orders
我们报告的实验签名的Weyl半金属状态的烧绿石Pr 2 Ir 2 O 7，其中近藤耦合之间的Ir拓扑电子和自旋冰类订单的Pr矩起着决定性的作用。电阻率和霍尔电导率的磁场依赖性表现出与磁场磁滞相关的平台和急剧跳跃，类似于偶极自旋冰系统中的液-气相变。此外，近藤耦合是由流体静压控制，揭示了外尔点在动量空间中的场致位移强烈依赖于各自的电子状态以及近藤耦合强度。这些观测结果为具有相对论传导电子和局域磁矩的混合量子材料的能带拓扑结构的工程设计铺平了道路。
2022-02-21 cond-mat.str-el
Topological surface conduction in Kondo insulator YbB$_{12}$
近藤绝缘体由于具有由强电子相互作用引起的拓扑绝缘体态，近年来引起了人们极大的兴趣。此外，最近对近藤绝缘体绝缘态量子振荡的观察令人惊讶。在这里，调查的原型Kondo绝缘体YbB $_{12}$的表面电子态，我们测量了单晶和微结构的输运性质。在所有样品中，电阻率的温度依赖性在高温下是绝缘的，并且电阻率在低温下呈现平台。平台值的大小随着样品厚度的减小而减小，这与体绝缘YbB $_{12}$中的表面电子传导定量地一致。此外，在低场下，微结构的磁电阻表现出弱的反局域化效应。这些结果与拓扑保护表面态的存在是一致的，表明YbB $_{12}$是拓扑近藤绝缘体的候选材料。高达$μ_0H$ = 50 T的微结构的高场电阻率测量提供了支持的证据，即在绝缘体中发生在YbB $_{12}$中的电阻率的量子振荡。
2021-07-21 cond-mat.str-el
Log-rise of the Resistivity in the Holographic Kondo Model
我们使用最近发展的全息大$N$技术研究了单通道近藤效应。为了得到该模型的电阻率，我们引入了一个探测场。通过在\ads{3}中嵌入一个定域二维Anti-de Sitter（\ads{2}）膜，构造了1+1维基质中定域费米子杂质的引力对偶.这有助于我们构造一个杂质电荷密度，它作为探针规范场的体运动方程的源。电荷密度的函数形式是通过求解局限于\ads{2} -膜的场的运动方程而独立获得的。探测场的渐近解由杂质电荷密度决定，杂质电荷密度又影响电流-电流关联函数，从而影响电阻率。我们选择的参数调谐的近边界杂质电流是边际，导致在紫外电阻率的$\log T$行为，是预期的近藤问题。IR固定点处的电阻率结果为零，表明杂质被完全屏蔽。
2018-02-20 cond-mat.str-el hep-th
Quantum criticality in Yb(Rh0.97Co0.03)2Si2 probed by low-temperature resistivity
利用电阻率和磁阻效应研究了Yb（Rh0.97Co0.03）2Si 2的量子临界性。Co的部分取代导致了预期的稳定的磁性根据Yb系统的化学压力的应用。然而，近藤击穿的签名保持在相同的位置，在温度-磁场相图相比，化学计量的YbRh 2Si 2。因此，近藤击穿位于反铁磁相内。这些结果很好地符合化学压力下的全局相图[1]。
2009-07-24 cond-mat.str-el
High pressure effects on the electrical resistivity behavior of the Kondo lattice, YbPd2Si2
我们报告的外部压力（P=高达8 GPa）的Yb基近藤晶格，YbPd2Si2，不进行磁有序在环境压力条件下的电阻率的温度依赖性的影响。由于施加外部压力，电阻率的温度依赖性发生质的变化。虽然发现电阻率在低于15 K（低至45 mK）的费米液体特性下呈二次方变化，但在P= 1 GPa时，在低于0.5 K时观察到电阻率下降。由于电阻值没有达到零，我们试图将这种下降归因于磁有序，而不是超导性。发生这种下降的温度经历一个峰值，作为P的函数（2 GPa时为8 K，较高压力时约为5 K）。模拟了多尼亚克的磁相图我们的结论是，这是一个少数的Yb基化学计量材料，其中一个可以通过施加外压从价态波动到磁有序。
2004-07-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low temperature properties of a new Kondo Lattice compound Yb$_2$Ir$_3$Sn$_5$
报道了一种新的Yb基三元化合物Yb $_2$ Ir $_3$ Sn $_5$的制备和磁性及输运性质的测量结果。该化合物以正交晶系Cmc 21结构形成。在1.8 ~ 300 K的直流磁化率范围内，Yb以磁性三价态存在。电阻率测量值降至1。5 K时表现出典型的近藤晶格化合物的行为，在8 K附近电阻率最小，在3 K附近有一个相干峰。交流磁化率低至100 mK时，在1.35K以下出现反铁磁转变。
2005-10-21 cond-mat.str-el
Pressure dependence of the resistivity around valence transition based on 1/N-expansion study for extended Anderson lattice
本文研究了一维扩展周期Anderson模型（PAM）中f与导电电子U_fc之间存在库仑排斥时的电阻率在价态跃迁附近的行为。通过在（1/N）^0中使用1/N展开式，其中N是f电子的自旋轨道简并度，如以前的工作所看到的，随着原子f能级的增加，价跃迁发生在临界U_fc处。我们基于扩展的PAM模型计算了包括晶场在内的整个温度范围内的电阻率，并研究了Ufc相互作用对Kondo温度等物理性质的影响。结果，电阻率的双峰结构通过近藤温度的快速增加而迅速消失。
2006-07-31 cond-mat.str-el
Single-ion Kondo behavior of a novel Kondo lattice, CeNi9Si4
CeNi 9 Si 4是一种不寻常的近藤晶格，具有较大的Ce-Ce间距，其低温电阻率和热容的Kadowaki-Woods关系被打破。本文报道了固溶体Ce（1-x）La（x）Ni_9Si_4的磁化率、热容和电阻率的测量结果，以了解该化合物的近藤行为。结果证实，在该化合物中观察到的Ce的性质是单离子性质。
2006-01-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Polynomial Expansion Monte Carlo Study of Frustrated Itinerant Electron Systems: Application to a Spin-ice type Kondo Lattice Model on a Pyrochlore Lattice
我们提出了基准的多项式展开蒙特卡罗方法的Kondo晶格模型与经典局域自旋的几何阻挫晶格。与基于费米子哈密顿矩阵的精确对角化的常规蒙特卡罗技术相比，该方法能够通过使用状态密度的切比雪夫多项式展开来减少计算量。进一步减少所带来的向量矩阵运算的实空间截断。我们应用该方法的模型与自旋冰型伊辛自旋的三维烧绿石晶格，并仔细检查的多项式的阶数和截断距离方面的收敛性。我们发现，在较宽的电子密度范围内，在一个相对较弱的近藤耦合相比，非相互作用的带宽，由多项式展开方法的结果显示出良好的收敛到那些由传统的方法在合理数量的多项式。这使我们能够研究高达4x8^3 = 2048个站点的系统，而以前通过传统方法进行的研究仅限于4x4^3 = 256个站点。另一方面，实空间截断并不有助于减少我们所达到的系统规模的计算量，因为当大多数站点都在截断距离内时，可以获得足够的收敛性。然而，必要的截断距离，似乎没有显示出显着的系统尺寸的依赖性，这表明截断方法变得有效的较大的系统尺寸。
2013-07-10 cond-mat.str-el
Topological properties and the dynamical crossover from mixed-valence to Kondo-lattice behavior in golden phase of SmS
基于动力学平均场论的能带结构计算，研究了混合价金相SmS的电子结构和电阻率随温度的变化.冷却后，Sm 4 $f$的相干带形成，在费米能级附近产生杂化诱导赝能隙，费米面的拓扑结构发生改变，出现类Lifshitz相变.在体隙区出现的表面态不是拓扑保护态，而是典型的Rashba自旋极化态，表明SmS不是拓扑近藤半金属。通过对SmS中异常电阻率行为的分析，我们确定了表征近藤/混合价半金属体系的普遍能量尺度。
2014-12-26 cond-mat.str-el
A theory of resistivity in Kondo lattice materials: the memory function approach
Himachal Pradesh University（喜马偕尔邦大学）；Physical Research Laboratory（物理研究实验室）
本研究利用记忆函数方法及Wölfle-Götze展开分析近藤晶格模型的直流电阻率，揭示了低温电阻率上翘与高温$ρ\neq T^{3/2}$的规律，且理论与实验定量吻合较好。
2019-12-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Resistivity minimum emerges in Anderson impurity model modified with Sachdev-Ye-Kitaev interaction
本文研究了一个修正的Anderson模型，在大$N$极限下，用Sachdev-Ye-Kitaev随机相互作用代替库仑相互作用.导电电子$ρ_{c}$的电阻率在温度附近有一个极小值$\widetilde{T}_{K}$，这与近藤系统相似，但杂质电子态密度$A_{d}(ω)$在费米面附近没有类似近藤共振的尖峰.杂质电子的熵$S_{d}$和比热容$C_{\textrm{v}}$说明了从费米液体到非费米液体的过渡。该系统在温度为$T^{\star}<T<\widetilde{T}_{K}$时为非费米液体，在温度为$T<T^{\star}$时为费米液体，在温度为$T>\widetilde{T}_{K}$时为费米气体。在标准安德森模型中，中间态- $T$不存在非费米液体。通过重整化群分析，我们阐明了从费米液体到非费米液体的过渡，与输运和热力学相吻合。电阻率极小值和近藤共振是近藤效应的两个特征。然而，在我们的模型中出现的电阻率最小值时，系统的行为是一个NFL而不是FL，和杂质电子的态密度没有近藤共振。
2019-05-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Orbital Selective Kondo Effect in Heavy Fermion Superconductor UTe$_{2}$
用$ab$ - $initio$方法研究重费米子系统中的多体效应一直是一个巨大的挑战。我们计算了UTe $_{2}$的电子结构，没有刻意的判断，如有意选择的库仑相互作用和忽略自旋轨道耦合。我们发现，U-5 $f$电子是高度本地化的顺磁正常状态，引起的近藤效应。研究还发现，U-5 $f$和U-6 $d$主要在正交$ab$ -平面上的杂化是高温近藤效应的原因.相反，U-5 $f$和Te-5 $p$沿$c$轴的杂化表明在低得多的温度下的近藤散射，这可能是$c$轴电阻率低温上升的原因。结果表明，UTe $_2$中的电子关联是轨道选择性的，这自然解释了最近的电阻率异常温度依赖性的实验观察。此外，我们认为，近藤效应被抑制在高压下，由于弱的磁矩，这是由于增强的U-5 $f$电子跳跃。
2022-02-02 cond-mat.str-el
Evidence for a Ru$^{4+}$ Kondo Lattice in LaCu$_3$Ru$_4$O$_{12}$
用电阻率、磁化率、比热测量和磁共振技术研究了$1 \leq x \leq 4$的LaCu $_3$ Ru $_x$ Ti $_{4-x}$ O $_{12}$系列固溶体的稀有$d$电子重费米子性质。纯铁酸盐（$x = 4$）是一种重费米子金属，其特征在于在低温下电阻率与$T^2$成正比。局域化的Ru4PDMATHABMM电子形成的相干近藤晶格被传导电子屏蔽，导致有效电子质量的强烈增强.通过增加钛取代，Kondo晶格被稀释，导致单离子Kondo性质，如在基于$4f$的重费米子化合物Ce $_x$ La $_{1-x}$ Cu $_{2.05}$ Si $_2$ [M. Ocko {\em等}，B \textbf{64}，195106（2001）]。在LaCu $_3$ Ru $_x$ Ti $_{4-x}$ O $_{12}$中，重费米子行为最终在穿过接近$x = 2$的金属-绝缘体转变时破裂。
2016-02-03 cond-mat.str-el
Metallic surface states in a correlated d-electron topological Kondo insulator candidate FeSb2
当温度接近零时，传统绝缘体的电阻会发散。4f Kondo绝缘体（KI）SmB 6的低温电阻率饱和特性促使人们提出了一种具有奇异基态的相关驱动拓扑Kondo绝缘体（TKI）。然而，模型TKI材料族的稀缺性使得难以从不相关的细节中分离出关键成分。在这里，我们使用角分辨光电子能谱（ARPES）来研究FeSb 2，这是一种相关d电子KI候选物，也表现出低温电阻率饱和。在（010）面上，我们发现了丰富的二维色散金属态的集合。体能带结构的测量揭示带重整化，一个大的温度依赖性带移，以及沿某些高对称性方向的平坦光谱特征，为强相关性提供光谱证据。我们的观察表明，奇异的绝缘状态类似于那些在SmB 6和YbB 12也可能存在于系统中的d而不是f电子。
2020-05-13 cond-mat.str-el
Charge Kondo Effect in Thermoelectric Properties of Lead Telluride doped with Thallium Impurities
我们研究了PbTe掺杂小浓度$x$的Tl杂质作为受主和安德森杂质与负的现场（有效）相互作用描述的热电性能。由此产生的电荷近藤效应自然地解释了该系统中的一些低温异常，包括载流子浓度的不寻常的掺杂依赖性、费米能级钉扎和自补偿效应。低温电阻率在温度$T\leq 10\, {\rm K}$的近藤异常和剩余电阻率的$x$依赖性也与实验符合得很好。我们的模型还捕捉到定性方面的热电势在较高的温度下$T>300\, {\rm K}$的高掺杂（$x>0.6%$），预计在很大程度上由载流子的重空穴带的碲化铅。
2013-04-10 cond-mat.str-el
Resistivity saturation in Kondo insulators
重费米子绝缘体的电阻率通常在特征温度$T^*$以下饱和。对于一些，金属表面状态，可能来自非平凡的体拓扑结构，是残余传导的可能来源。在这里，我们建立了一个替代机制：在低温下，除了电荷间隙，散射率变成一个相关的能量尺度，无效的半经典玻尔兹曼图片。本征载流子的有限寿命限制了导电，强加了交叉$T^*$的存在，并控制-现在与间隙相当-量子制度出现在它下面。我们展示了与现实的多体模拟机制，并阐明如何饱和制度的近藤绝缘体Ce $_3$ Bi $_4$ Pt $_3$，其中剩余导电是一个整体属性，在外部压力和不同的无序状态下进化。使用的量子制度，我们推导出的唯象公式，我们也解开了不理解的体电导率的钐$_6$ -证明我们的机制是广泛适用于相关的窄隙半导体。
2020-08-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetic Kondo lattice behavior in Ce11Pd4In9
本文报道了一种新型化合物Ce $_{11}$ Pd $_4$ In $_9$的低温物理性质，该化合物与正交晶系的Nd $_{11}$ Pd $_4$ In $_9$型晶体结构（空间群$Cmmm$）一起结晶。该化合物在$T_{\rm {C}}$ = 18.6 K时呈现铁磁有序，在$T_{\rm {t}}$ $\sim$ ~1.6 K时呈现有序-有序转变.在顺磁区，Ce $_{11}$ Pd $_4$ In $_9$的电输运主要由近藤效应控制。在$T_{\rm {C}}$以下，由于铁磁自旋波的明显贡献主导电阻率数据，而在最低温度下，电输运和热力学性质由强电子-电子相关性支配。结合观察到的特征暗示在Ce $_{11}$ Pd $_4$ In $_9$中的强关联基态。
2019-01-21 cond-mat.str-el
On the problem of the Kondo-lattice model application to CeB6
在1.8-300 K的宽温度范围内，对高质量六硼化铈单晶的电荷输运参数（电阻率、霍尔系数和塞贝克系数）进行了精密测量。结果表明，在5 K < T < T* = 80 K的温度区间内，磁对电阻率的贡献服从幂律rm = T-1/n，对应于载流子的弱局域化状态，临界折射率1/n = 0.39 ± 0.02。在相同的温度区间内，发现热电势S = -lnT的渐近行为与CeB 6中载流子迁移率的本质降低一起。一个负的霍尔系数异常已被检测到在液氦温度。所获得的数据进行了比较与近藤晶格模型预测的结果，并讨论了激子铁磁性的理论。
2005-05-19 cond-mat.str-el
Tuning the Kondo effect in Yb(Fe$_{1-x}$Co$_{x}$)$_{2}$Zn$_{20}$
利用电阻率和比热随温度的变化研究了重费米子化合物Yb（Fe $_{1-x}$ Co $_{x}$）$_{2}$ Zn $_{20}$（0 $\leqslant$ x $\leqslant$ 1）中近藤效应的演化. YbFe $_2$ Zn $_{20}$的基态可以用简并度为$N$ = 8，温度为$T_K\sim$ 30 K的Kondo模型很好地描述.在与YbFe $_2$ Zn $_{20}$存在非常相似的总CEF分裂的情况下，YbCo $_2$ Zn $_{20}$的基态接近于简并度$N$ = 2的Kondo态，并且具有低得多的$T_K\sim$ 2 K。Co取代后，YbFe $_2$ Zn $_{20}$的相干温度被抑制，伴随着与冷却时CEF能级的热减少相关的比热中的新兴Schottky样特征。对于0.4 $\lesssim$ × $\lesssim$ 0.9，基态保持大致相同，这可以通过CEF分裂存在下的近藤效应定性地理解。没有明确的迹象表明，近藤相干观察电阻率在此替代范围内下降到500 mK。在x $\gtrsim$ 0.9附近再次出现相干，并且相干温度随着Co浓度水平的升高而升高。
2016-09-20 cond-mat.str-el
Magnetism, non-Fermi-liquid behavior and deconfinement in Kondo lattices
本文提出有效杂化模型，统一描述Kondo晶格中费米液体与分数化费米液体态，并考虑磁有序，通过微扰和规范场分析电荷与磁涨落，比较其对热和输运性质的贡献。
2023-09-01 cond-mat.str-el
Semimetallic Kondo lattice behavior in YbPdAs with a distorted kagome structure
我们合成了具有六方ZrNiAl型结构的YbPdAs，其中Yb原子在六方基面上形成畸变的kagome亚晶格。磁性、输运和热力学测量表明，YbPdAs是一种低载流子的近藤晶格化合物，在$T_\mathrm{N}$ = 6.6 K时发生反铁磁转变，在高达9 T的磁场中，这种转变受到轻微抑制.在$T_\mathrm{N}$的磁熵恢复只有$R\ln{2}$的33\%，基态的Yb离子的双重态的全部熵。电阻率显示$-\ln T$依赖性在30和15 K之间，随后在冷却时在$T\rm_{coh}$ = 12 K处出现宽的最大值。低于$T\rm_{coh}$，磁阻从负到正的变化，表明从单离子近藤散射过程在中间温度下的相干近藤晶格行为在低温下的交叉。霍尔电阻率测量和能带结构计算都表明YbPdAs中的载流子浓度相对较低。我们的结果表明，YbPdAs可以为研究低载流子系统中近藤物理和磁阻挫的相互作用提供机会。
2022-09-02 cond-mat.str-el
Anomalous ferromagnetism and non-Fermi-liquid behavior in the Kondo lattice CeRuSi2
实验研究了近藤晶格体系CeRuSi_2的结构、电子和磁性，并将其与其它三元铈化合物进行了对比分析。该系统是一个很好的模型系统，表现出近藤效应和反常铁磁性的共存，同时具有很小的磁矩，这一点已被磁性和μSR测量所证实。比热，电阻率和塞贝克系数的数据。从电阻率和比热数据推断，在低温下观察到非费米液体行为，这是不寻常的铁磁近藤系统。与其他磁性近藤晶格进行了比较。
2013-04-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Transducing quantum-spin-ice correlations into Weyl Fermi-arc transport at a synthetic Kondo lattice interface
Rutgers University（罗格斯大学）；University of California, Berkeley（加州大学伯克利分校）；Rice University（莱斯大学）；National High Magnetic Field Laboratory（国家高磁场实验室）；Tsinghua University（清华大学）
研究构建外尔半金属与量子自旋冰候选材料的人工近藤晶格界面，发现量子自旋冰关联可印记在外尔费米弧输运上，为阻挫量子磁性的输运调控提供新途径。
2026-10-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Collapse of Kondo state and ferromagnetic quantum phase transition in YbFe$_2$Zn$_{20}$
我们提出的电阻率数据下的应用程序的压力高达$\sim$ 26 GPa和下降到50 mK的温度对YbFe $_2$锌$_{20}$。我们发现一个压力诱导的磁相变的起始点在$p_c$ =18.2 $\pm$ 0.8 GPa。在常压下，YbFe $_2$ Zn $_{20}$表现出重费米子、重基态和低温下的费米液体行为。随着压力的增加，电阻率的幂律指数$n$显著偏离费米液体行为，并趋于在接近$p_c$的$n$ = 1时饱和。一个明显的电阻率最大值，$T_\text{max}$，这与近藤温度的比例进行了观察。$T_\text{max}$随压力增加而减小，并在$p_c$附近变平，表明近藤交换相互作用受到抑制。对于$p>p_c$，$T_\text{max}$显示出突然向上的偏移，很可能与晶体电场散射有关。对$p>p_c$施加磁场使相变变宽并使其向更高温度移动，这是铁磁转变的典型行为。磁性转变似乎突然发展以上$p_c$，这表明可能的一阶（与变化的压力）性质的过渡;一旦稳定，有序温度不依赖于压力高达$\sim$ 26 GPa。作为一个整体，这些数据表明，在$p_c$ = 18.2 GPa的YbFe $_2$ Zn $_{20}$有一个量子相变与避免量子临界金属铁磁体。
2018-08-03 cond-mat.str-el
YbNiSi3: a new antiferromagnetic Kondo lattice with strong exchange interaction
本文报道了用助熔剂法生长的高质量YbNiSi_3单晶的结构、热力学和输运性质。该化合物以Cmmm空间群的SmNiGe 3层状结构类型结晶。在T_N = 5.1 K以下，一般的物理行为是Kondo晶格的反铁磁基态。这是Yb基金属间化合物的最高有序温度之一，表明Yb离子之间的强交换相互作用，基于4.45 μ B/f. u的有效矩，Yb离子接近+3价。该化合物具有中等重电子行为，索末菲系数为190 mJ/mol K^2。电阻率是高度各向异性的，并且表现出低于局部最小值的签名对数增加，随后是相干/磁有序状态的急剧下降，导致1.5微欧姆cm的剩余电阻率和RRR = 40。在低于1 K的温度下，可以清楚地观察到费米液体行为与基态双峰相一致。
2004-07-21 cond-mat.str-el
Signatures of the Kondo effect in VSe2
VSe 2是一种过渡金属硫族化物，其具有已被充分研究的电荷密度波跃迁。我们报告的电阻率在低温回升，并在温度低于此电阻率的最小值，一个不寻常的磁阻，这是负的，在低场和正的，在较高的领域，在单晶的VSe 2。负磁电阻随磁场的变化呈抛物线型，且几乎不随角度变化。在高于电阻率最小值的温度下的磁阻总是正的。我们将这些结果解释为VSe 2中近藤效应的特征。磁化率的上升表明存在层间V离子，其可以提供在近藤效应中散射传导电子所需的局部磁矩。的热容量的低温行为，包括高值的伽马，随着偏离居里-外斯定律中观察到的低温磁化率，是一致的与存在的磁性之间的相互作用的顺磁性层间V离子和近藤筛选这些V时刻。
2017-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Probing the Kondo Lattice
我们提出了一个唯象的解决方案的近藤晶格，来自重电子超导体CeCoIn 5的体比热和自旋磁化率的分析。我们发现，低于交叉温度对应的intersite耦合规模，T* ~ 45 K，近藤气体（非相互作用的近藤杂质）部分冷凝成重电子“近藤”液体，具有温度无关的威尔逊比= 2.0。“冷凝的”近藤液体组分的相对分数f起着序参量的作用;它随着温度的降低而线性增加，直到它在0.9的低温值处饱和。电阻率被证明是简单的产品（1-f）和孤立的Kondo杂质。通过对Ce 1-xLaxCoIn 5和CeIrIn 5的相应分析表明了该结果的普遍性。
2003-04-25 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and transport properties of the Kondo system Ce4Sb1.5Ge1.5
铁磁有序与一个小的磁矩被发现低于14 K的SQUID测量的化合物Ce4Sb1.5Ge1.5。在室温下测量了Ce_4Sb_（3-x）Tx（T = Ge，Si，Sn，Pb，Al）体系的输运特性，其中Ce_4Sb_（1.5）Ge_（1.5）体系的Seebeck系数最高。它的传输性能（电阻率，热导率，热电功率）的实验研究详细到低温。发现了电阻率的近藤晶格行为及其在有序点处的反常现象，并与Wiedemann-Franz定律进行了比较。
2014-03-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-Cannel Kondo Effect in Glass-Like ThAsSe
我们提出了低温热和电荷传输以及热性能的ThAsSe单晶。一个额外的AT 1/2长期的电阻率，独立的磁场高达14 T，提供了一个不寻常的散射的传导电子的证据。此外，热导率和比热都显示出玻璃型温度依赖性，这表明存在隧道态。这些观测结果显然表明，实验上实现了结构二能级系统的双通道近藤效应。
2005-02-02 cond-mat.str-el
Kondo-hole substitution in heavy fermions: dynamics and transport
近藤空穴替代是研究重费米子材料中相互作用、f-电子稀释和无序相互作用的独特探针。在稀释的周期性安德森模型中，我们研究了单粒子动力学的变化以及响应函数，作为近藤空穴浓度（$x$）和温度的函数。我们发现，由于近藤空穴替代的光谱权重转移具有不同于温度引起的特性;直流电阻率从具有$x\rightarrow 0$极限中的相干峰的高度非单调形式跨越到在低温下饱和的单调单杂质形式。的热功率表现出的特征最大值作为温度的函数，其值的变化与增加$x$的符号，其位置示出对应于系统的低能量尺度。在零温度下，霍尔系数也随着$x$的增加而改变符号，并且对于所有$x$都是高度温度依赖性的。当$x$增大到一定的$x_c$以上时，电导率中的Drude峰和中红外峰几乎完全消失，光散射率中的A峰熔化并最终消失。我们讨论了上述变化的性质的交叉，从相干的，近藤晶格行为的单一杂质一样，不相干的行为与增加$x$。Ce $_{1-x}$ La $_x$ B $_6$的直流电阻率和热电势的理论与实验的比较产生良好的一致性。
2014-10-08 cond-mat.str-el
Evidence for a Kondo destroying quantum critical point in YbRh2Si2
重费米子金属YbRh $_{2}$ Si $_{2}$在低于$T_{N} = 0.07$ K时是弱反铁磁体。施加低磁场$B_{c} = 0.06$ T（$\perp c$）足以连续抑制反铁磁（AF）序。低于$T \approx 10$ K时，电子比热$γ(T)$的索末菲系数呈现对数发散。在$T < 0.3$ K，$γ(T) \sim T^{-ε}$（$ε: 0.3 - 0.4$），而电阻率$ρ(T) = ρ_{0} + aT$（$ρ_{0}$：残余电阻率）。在将有限的输运和热力学量的$T$数据外推到$T = 0$时，观察到（i）“费米表面交叉”标度$T^{*}(B)$的消失，（ii）初始霍尔系数$R_{H}(B)$的突然跳跃和（iii）在$B = B_{c}$（场诱导量子临界点（QCP））处违反Wiedemann Franz定律。这些观测结果被解释为重准粒子临界破坏的证据，即，传播Kondo单线态，在该材料的QCP。
2013-09-27 cond-mat.str-el
Interplay between the Kondo effect and randomness: Griffiths phase in MxTiSe2 (M = Co, Ni, and Fe) single crystals
我们研究了MxTiSe 2（M = Co，Ni，Fe）单晶中近藤效应和随机性之间的相互作用。虽然电阻率的典型低温上升意味着单离子近藤温度\overline{T}_{K}附近的近藤效应，但正的磁阻与磁场成线性比例，磁化强度的幂律标度表明近藤效应和时间反演对称性破缺之间的禁戒共存。这个令人困惑的结果被格里菲斯方案解决了--近藤温度的无序诱导分布产生了远低于\overline{T}_{K}的有效近藤温度（\overline{T}_{K}），允许高于\overline{T}_{K}的未屏蔽局部矩，并导致MxTiSe 2中低于逾渗阈值（x<xc）的非费米液体性质。
2011-05-04 cond-mat.str-el
Magnetotransport of CeRhIn5
我们报告测量的温度依赖的各向异性电阻率和面内磁阻单晶的四重费米子反铁磁体（TN = 3.8 K）CeRhIn 5。测量报告的温度范围为1.4 K至300 K和磁场至18特斯拉。电阻率是适度的各向异性，与室温c轴面内电阻率比rho_c/rho_a（300 K）= 1.7。对非磁性类似物LaRhIn 5的rho（T）测量表明，CeRhIn 5电阻率的各向异性主要源于Kondo导出的磁散射的各向异性。在磁有序状态下，由于小的有序矩（0.37mu_B）和磁各向异性，施加的场H仅略微降低TN。TN以下的磁电阻（MR）为正，并随H线性变化。在顺磁状态下，正MR低于7.5 K，而高场负贡献在较高温度下是明显的。正贡献的大小随温度的升高而减小。在40 K以上，不再观察到正贡献，MR为负。低T的正磁电阻是由于与近藤相干态的相互作用引起的，而高T的负磁电阻则是由于单杂质效应引起的。H和T依赖的磁输运反映了CeRhIn 5中的磁各向异性和近藤相互作用。
2001-09-04 cond-mat.str-el
Charge Kondo anomalies in PbTe doped with Tl impurities
我们研究了PbTe掺杂小浓度$x$的Tl杂质作为受主的性质，并用负现场相关能的Anderson杂质来描述。我们使用的数值重整化群方法表明，由此产生的电荷近藤效应自然占不寻常的低温和掺杂的正常状态的属性，包括自补偿效应的载流子密度和非磁性近藤异常的电阻率。这些被发现是在良好的定性与实验一致。我们的研究结果的Tl s-电子光谱函数提供了一个新的解释点接触数据。
2012-01-18 cond-mat.str-el
Transport coefficients from QCD Kondo effect
研究了含有重夸克杂质粒子的夸克物质中QCD近藤效应的输运系数。本文用二圈级的重整化群方程估计了有限密度和温度下轻夸克和重夸克相互作用的耦合常数。我们还估计了耦合常数在零温度下，通过使用平均场近似作为非微扰处理。为了计算输运系数，我们使用相对论玻尔兹曼方程和应用弛豫时间近似。我们从相对论动力学理论计算电阻率，从相对论流体力学计算粘度。我们发现低温下由于QCD近藤效应，电阻率增加，剪切粘滞性被抑制。
2017-12-27 cond-mat.str-el hep-ph
CePdAl - a Kondo lattice with partial frustration
磁阻挫，这是很好地定义在绝缘系统与局部磁矩，产生异国情调的基态，如自旋冰，自旋玻璃，或自旋液体。在金属中，由于与传导电子的相互作用使磁矩初始离域，即，近藤效应。因此，近藤效应和磁阻挫是对立的现象。本文给出了CePdAl的电阻率、磁化强度、比热和中子衍射的实验数据，这是一种罕见的几何阻挫Kondo晶格，证明了近藤效应和磁阻挫的结合导致了不寻常的基态。
2016-09-06 cond-mat.str-el
Electronic transport in the Coulomb phase of the pyrochlore spin ice
我们研究了在焦绿石晶格的相关顺磁相中，巡游电子与局域自旋背景相互作用的输运性质。我们发现在零温度下的剩余电阻率由于散射的电子的静态偶极自旋相关的特征金属库仑相。随着温度的升高，热激发的拓扑缺陷，也被称为磁单极子，降低自旋相关性，从而抑制电子散射。结合在较高温度下金属中的通常散射过程，该机制产生非单调电阻率，在与磁致伸缩激发能相关的温度标度处显示最小值。我们的计算同意在Nd2Ir2O7的电阻率测量定量，脱落光的起源观察到的金属自旋冰化合物的电阻率最低。
2012-10-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
