Kondo volume collapse, Kondo breakdown, and Fermi surface transitions in heavy-fermion metals
各种重费米子金属在磁量子相变附近的非常规临界行为，与标准的自旋密度波情形明显不一致，引发了关于近藤效应在临界点击穿的建议。在这里，我们调查，在一个特定的情况下，这样的零温度过渡耦合后的电子晶格自由度的命运。我们研究了一个Kondo-Heisenberg模型与体积相关的Kondo耦合-这个模型显示了Kondo体积崩溃和Kondo击穿转变，以及与费米表面拓扑结构的变化相关的Lifshitz转变。在一个大的N处理，我们发现，Lifshitz过渡往往合并与近藤体积崩溃，因此成为一阶，而近藤击穿过渡仍然是第二阶，除了非常软的晶格。有趣的物理现象出现在近藤体积坍缩的零温度端点：对于两个空间维度中的电子，这个端点位于大范围参数的Lifshitz线上，因此两个连续的量子相变在没有微调的情况下重合。我们分析了这种情况下的有效朗道理论，并讨论了临界指数。最后，我们将我们的研究结果与当前的重费米子实验。
2008-04-25 cond-mat.str-el
Grüneisen ratio at the Kondo breakdown quantum critical point
我们发现，多尺度近藤击穿量子临界点（QCP）的情况下，产生一个发散的Grüneisen比与异常指数0.7。特别是，我们拟合的比热，热膨胀，和Grüneisen比基于我们简单的解析表达式的实验数据的$YbRh_{2}(Si_{0.95}Ge_{0.05})_{2}$。在0.4 ~ 10 K的温度范围内，理论与实验符合较好。我们讨论了如何格吕奈森比是一个关键的测量区分近藤击穿和自旋密度波理论。
2008-10-15 cond-mat.str-el
Violation of Wiedemann-Franz law at the Kondo breakdown quantum critical point
我们研究了重费米子量子临界点（QCP）附近的电输运和热输运，确定了近藤效应作为轨道选择性莫特跃迁的崩溃。我们发现，电导率的贡献主要来自传导电子，而热导率是由传导电子和局域费米子（自旋），分散与动力学指数$z = 3$。这种散射机制引起的电阻率和热阻率的准线性温度依赖性。近藤崩溃的特点是出现了额外的熵载体，即自旋激发。因此，我们发现，Wiedemann-Franz比应该大于标准值，这一事实，使区分近藤击穿的情况下，赫兹-森谷-米利斯框架。
2008-11-05 cond-mat.str-el
Non-Kondo mechanism for resistivity minimum in spin ice conduction systems
提出了与局域矩耦合的传导电子系统中电阻率极小值的一种机制，它不同于近藤效应。代替近藤效应中的自旋翻转过程，电子被局部自旋关联弹性散射，该局部自旋关联在随着温度降低的几何挫折下以特定的方式演化。这是证明了由元胞动力学平均场论的自旋冰型近藤晶格模型烧绿石晶格。在非近藤机制的电阻率，比热，和磁化率的温度依赖性与实验数据在金属铱烧绿石氧化物进行了比较。
2012-01-05 cond-mat.str-el
Electrical resistivity in 2d Kondo lattice systems
将\cite{konav}中关于近藤晶格材料电阻率的计算从$3d$系统推广到$2d$系统。在本工作中，我考虑一个二维系统，记忆功能的计算。然而，在二维情况下发现的结果与三维系统不同。发现$2d$在低温区（$ k_{B}T\ll μ_d$）电阻率呈幂律（$\frac{1}{T}$）行为，而在高温区（$ k_{B}T\ggμ_d$）电阻率随温度呈线性变化。在$3d$中，这些行为分别称为$\frac{1}{T}$和$T^{\frac{3}{2}}$。
2021-04-25 cond-mat.str-el
Signature of Kondo breakdown quantum criticality in optical conductivity
研究了重费米子系统在近藤击穿量子临界点附近的有限频率带间跃迁峰，在该临界点处近藤温度为零。当系统从重费米液体侧接近相变时，我们发现一个新的交叉制度，其中峰位置与晶格近藤尺度有关，但不成正比。特别地，峰值的位置移动到较低的能量，但在临界点处保持有限。另一方面，峰值非单调地变化，并且最终在量子临界点处峰值消失，这表明f电子的窄带与导带解耦。我们认为，这些是独特的签名近藤击穿过渡，因此可以是有用的，以区分它从自旋密度波不稳定性实验。
2010-04-29 cond-mat.str-el
Kondo Breakdown as a Selective Mott Transition in the Anderson Lattice
我们证明了在从属玻色子技术中，Anderson晶格模型具有近藤击穿量子临界点（KB-QCP），在该临界点处，杂化在零温度下趋于零。在这个固定点上，f电子也经历了一个选择性的莫特跃迁，将局域矩相与近藤屏蔽相分开。在重费米子化合物的背景下，讨论了在没有磁性的情况下，在安德森晶格中的多尺度QCP的存在。这项研究是安德森晶格中选择性莫特转变的第一个证据。
2007-06-18 cond-mat.str-el
Unified description of resistivity and thermopower of Pr$_2$Ir$_2$O$_7$: possible influence of crystal field excitation in a Kondo lattice
我们目前的实验证据的非相干近藤散射的电阻率最小值的块状多晶和纳米晶Pr $_2$ Ir $_2$ O $_7$的来源。热电势的温度依赖性在高温下表现出正的最大值，在低温下表现出负的最小值，并且在比$T_K$高得多的温度下发生符号反转。此外，我们观察到TK和$θ_{CW}$给出的位点间耦合强度之间几乎没有相关性。我们描述的热电势和电阻率的温度依赖性的框架内的晶场激发在近藤晶格。
2021-04-27 cond-mat.str-el
Fermi Surface Reconstruction without Breakdown of Kondo Screening at Quantum Critical Point
受最近在YbRh $_2$ Si $_2$中的霍尔效应实验的启发，我们用变分蒙特卡罗方法研究了二维正方晶格中Kondo晶格模型的基态性质.我们发现了两种类型的相变：反铁磁相变和拓扑相变（费米面重构）。在很宽的参数范围内，这两个转变同时发生，而没有近藤屏蔽的崩溃，伴随着霍尔系数的不连续变化。这一结果与实验一致，并给出了重费米子系统量子临界点的一个新的理论图象。
2007-04-13 cond-mat.str-el
Kondo Breakdown via Fractionalization in a Frustrated Kondo Lattice Model
我们考虑了蜂窝晶格近藤上的狄拉克电子耦合到kagome晶格上的自旋1/2自由度。自旋之间的相互作用是沿着Balents-Fisher-Girvin模型的线选择的，该模型已知具有$\mathbb{Z}_2$自旋液体和铁磁相。该模型适用于符号自由辅助场量子蒙特卡罗模拟。在铁磁相中，狄拉克电子获得一个能隙，而在$\mathbb{Z}_2$自旋液相中，由于近藤屏蔽的破坏，狄拉克电子保持无质量。由于我们的模型每个晶胞的自旋数是奇数，因此该相是非费米液体，这违反了传统的Luttinger定理，该定理将费米表面体积与费米液体中的粒子密度联系起来。这种非费米液体是在重费米子背景下提出的所谓分馏费米液体的具体实现。我们探测近藤击穿在这个非费米液相通过传统的可观测量，如光谱函数，也通过研究电子和自旋之间的互信息。
2018-10-31 cond-mat.str-el
Emergent Charge Fluctuations at the Kondo Breakdown of Heavy Fermions
在强关联电子系统中的一个挑战是理解在反铁磁量子临界点（QCP）处发展的异常电子行为，这是在重费米子材料中已经被广泛研究的现象。目前的理论主要集中在临界自旋涨落和与之相关的近藤效应的崩溃。在这里，我们认为，费米表面体积的突然变化，伴随着沉重的费米子临界导致临界电荷波动。利用一个一维Kondo晶格模型，在该模型中，每个矩都与一个单独的导电池相连，我们通过一个具有ω/T标度的QCP，在一个重费米液体和一个带隙的自旋液体之间发展了一个Kondo击穿跃迁，其特征是一个与Kondo单线态的破裂直接相关的临界电荷模式.我们讨论了这种紧急充电模式的实验可能产生的影响。
2019-05-29 cond-mat.str-el
Many-body breakdown of indirect gap in topological Kondo insulators
我们表明，列入非局部相关效应的变分波函数的基态的拓扑安德森晶格哈密顿是能够描述拓扑平凡的绝缘相和非平凡的特征在于间接间隙，以及其关闭在过渡到金属相。该方法，虽然适用于一个过于简化的模型，从而捕捉金属和绝缘状态，确实观察到在各种近藤半导体，同时占拓扑非平凡的能带结构。
2016-09-01 cond-mat.str-el
Spin-Orbit-Induced Magnetic Anisotropy for Impurities in Metallic Samples II. Finite Size Dependence in the Kondo Resistivity
计算了稀磁合金薄膜的电阻率，包括低温下近藤电阻率的增加。假设在非磁性主体中，自旋-轨道相互作用像Au和Cu中一样强，则磁性杂质具有在第I部分中计算的表面各向异性。这种各向异性阻碍了自旋的运动。在考虑各向异性的情况下，利用二阶重整化群方程计算了电子-杂质的有效耦合。近藤电阻率贡献的幅度随着杂质的位置接近表面而减小，但增加大约发生在体近藤温度处。定性地解释了Giordano观察到的磁性合金膜被具有不同平均自由程的纯第二层膜覆盖时的不同邻近效应，并解释了在弹道区内表面有大量杂质时的实验结果。
1997-07-29 cond-mat.str-el
Kondo Breakdown and Hybridization Fluctuations in the Kondo-Heisenberg Lattice
我们使用局域自旋的费米子表示来研究三维近藤-海森堡晶格的去限制量子临界点。的平均场相图表现出零温度量子临界点分离的自旋液相的杂交消失和近藤相，它不。在近藤相中可以稳定两种溶液，即当传导电子和自旋子的带质量具有相同符号时的均匀杂化和当它们具有相反符号时的调制杂化。对于均匀的情况下，我们表明，在一个非常小的温度尺度以上，与消失杂交的临界波动具有动态指数z=3，从而产生的电阻率，具有T日志T行为。我们还发现，在一些重费米子金属中观察到的比热系数发散的温度曲线。
2006-10-30 cond-mat.str-el
Metamagnetic Behavior and Kondo Breakdown in Heavy-Fermion CeFePO
本文报道了具有二维XY型各向异性的重费米子氧铌酸铁CeFePO在垂直于c轴的变磁场H_M \simeq 4 T处表现出变磁行为，并在H_M附近观察到临界行为。虽然其磁特性与其它Ce基HF超磁体完全不同，但它们的H_M与有效质量的倒数或磁化率出现峰值的温度成线性关系。这一发现表明，H_M是一个破缺Kondo单态的磁场，H_M附近的临界行为是由Kondo破缺和费米面不稳定性共同驱动的.
2012-01-16 cond-mat.str-el
Concealed Mott Criticality: Unifying the Kondo Breakdown and Doped Charge-Transfer Insulators
本研究提出隐藏的莫特临界性框架，统一解释重费米子近藤击穿与掺杂铜氧化物的量子临界点，通过玩具模型验证了费米面跳变与两侧质量增强的结论，符合实验观测。
2024-12-27 cond-mat.str-el
Exotic Kondo-hole band resistivity and magnetoresistance of Ce$_{1-x}$La$_{x}$Os$_4$Sb$_{12}$ alloys
本文报道了非磁性单晶Ce $_{1-x}$ La $_x$ Os $_4$ Sb $_{12}$合金、$x=0.02$和0.1的电阻率测量结果，温度低至20 mK，磁场高至18 T。在最低温度下，Ce $_{0.98}$ La $_{0.02}$ Os $_4$ Sb $_{12}$的电阻率具有类费米液体的温度变化$ρ=ρ_0+A T^2$，但在小电场下具有负的$A$。对于顺磁性金属，电阻率具有异常强的磁场依赖性。20 mK电阻率在H=0和4 T之间增加75%，然后在4 T和18 T之间降低65%。类似地，在H=0和7 T之间，$A$系数随磁场从-77到29 $ μΩ$ cmK $^{-2}$增加，然后对于18 T降低到18 $ μΩ$ cmK $^{-2}$。这种非平凡的温度和场的变化是由于存在一个非常窄的近藤空穴带的杂化间隙，钉扎费米能量。由于无序，近藤空穴带具有靠近带边的局域态。$x=0.1$的电阻率具有与$x=0.02$的电阻率定性相似的行为，但是具有更大的近藤空穴带。
2007-04-19 cond-mat.str-el
Berry Phase and the Breakdown of the Quantum to Classical Mapping for the Quantum Critical Point of the Bose-Fermi Kondo model
玻色-费米近藤模型的相图包含一个SU（2）不变的近藤屏蔽相，它与近藤破坏的局域矩相被一个连续的量子相变分开。我们分析了自旋路径积分中的Berry相位项对该量子杂质模型的量子临界性质的影响。对于表征耗散玻色浴谱密度的幂律指数的范围，忽略Berry相位项的影响使得不动点为高斯型。对于相同的谱密度指数范围，引入Berry相位项会导致一个相互作用的不动点，在这个不动点上，量子到经典的映射失效。我们的研究结果的一些一般意义进行了讨论。
2008-08-20 cond-mat.str-el
Photo-emission signatures of coherence breakdown in Kondo alloys: dynamical mean-field theory approach
本文采用动态平均场论（DMFT）和静态平均场近似，研究了正方晶格上的近藤合金模型。我们计算和分析了光电特性作为电子填充$n_c$，近藤杂质浓度$x$，近藤温度$T_K$的强度的函数。我们提供了一个完整的描述的角度分辨光电子能谱（ARPES）的顺磁近藤阶段预期的信号。通过对费米面的分析，我们观察到了先前预测的强$T_K$在$x=n_c$的类Lifshitz跃迁，并讨论了色散从稠密相干态到稀近藤态的演化.在较小的$T_K$，我们发现，这种转变标志着在$x=n_c$的连贯性的崩溃成为一个交叉。然而，我们发现另一个过渡在一个较小的浓度$x^\star$的有效质量连续消失。$x^\star$分离的一个分支和两个分支的ARPES分散体分别表征稀释和密集近藤顺磁制度。还描述了$x-T_K$相图，表明在$x^\star$的转变可能是实验观察到的，因为磁有序相稳定在低得多的$T_K$。反铁磁相和铁磁相的费米面重建也进行了讨论。
2021-03-09 cond-mat.str-el
Kondo effect in CeX$_{c}$ (X$_{c}$=S, Se, Te) studied by electrical resistivity under high pressure
我们已经测量了电阻率的铈monochalcogenices，CeS，CeSe和CeTe，在高压下高达8 GPa。反铁磁有序温度$T_{N}$、晶场分裂和近藤效应的$\ln T$异常的压力依赖性已被研究，以覆盖从低压下的磁有序区到高压下的费米液体区的整个区域。$T_{N}$最初随着压力的增加而增加，并在高压下开始减少，如从Doniach图所预期的。同时，$\ln T$在电阻率中的行为增强，表明压力增强了近藤效应。CeX $_{c}$的特征还在于，晶场分裂以$-12.2$ K/GPa的常见速率迅速减小。这导致$f$态简并度的增加和近藤效应的进一步增强。结果表明，$f$态的压力相关简并度是理解$T_{N}$、近藤效应、磁电阻和电阻率温度相关峰结构的压力相关性的关键因素.
2015-12-21 cond-mat.str-el
Emergent Chiral Metal near a Kondo Breakdown Quantum Phase Transition
本文利用部分子平均场理论研究近藤击穿量子相变，发现π磁通分数化费米液体附近可自发涌现同时破缺平移与时间反演对称性的手性重费米金属轨道反铁磁相。
2025-03-16 cond-mat.str-el
Breakdown of coherence in Kondo alloys: crucial role of concentration vs band filling
研究了近藤合金模型（KAM）的低能态随磁杂质浓度x和传导电子平均占位nc的变化。在以前的工作中，两个不同的费米液体制度已被确定在强近藤耦合JK，这可能是由在x=nc的过渡分开。在这里，我们分析的KAM有限JK的Bethe晶格结构。首先，使用平均场相干势近似（DMFT-CPA），这是准确的晶格坐标Z=infty，我们表明，本地电位散射的实部可能位于外的传导电子带，揭示了一个可能的故障Luttinger '定理'的中间值的杂质浓度x。预期会出现异常的物理签名，例如，在ARPES实验中。为了考虑到与有限维相关联的波动，即，有限的Z，我们还研究了KAM与适应的平行DMFT方法，在其他地方开发了这个分析。我们回顾了局部势散射的分布及其随模型参数的演化：浓度，近藤耦合强度，配位数，局部位置邻域，与渗流问题的联系。讨论了近藤合金材料与f电子的关系。
2018-10-12 cond-mat.str-el
Breakdown of the scaling relation of anomalous Hall effect in Kondo lattice ferromagnet USbTe
强关联与Berry曲率的相互作用是量子材料领域的一个开放领域。在这里，我们报告了大的异常霍尔电导率在近藤晶格铁磁体USbTe，这是占主导地位的内在贝里曲率在低温下。然而，Berry曲率诱导的反常霍尔效应并不遵循费米液体理论导出的标度关系。Berry曲率贡献的开始与近藤相干温度一致。结合ARPES测量和DMFT计算，这有力地表明Berry曲率是由费米能级上Kondo杂化引起的平带所承载的。结果表明，近藤相干对Berry曲率相关的低温物理性质有显著的影响，需要新的反常霍尔效应标度关系理论来解释强关联和Berry曲率之间的相互作用.
2022-12-22 cond-mat.str-el
Quantum Boltzman equation study for the Kondo breakdown quantum critical point
我们发展了量子玻尔兹曼方程的方法，近藤击穿量子临界点，涉及两个带的传导电子和局域费米子。特别是，顶点校正在运输中的作用得到解决，非费米液体运输的温度线性依赖性的关键。只有一个带的自旋子可以考虑与规范涨落的散射，并以通常的方式引入其相关的顶点修正，其中自能修正的发散被顶点修正的发散所抵消，从而在电导率的规范不变表达式中产生有物理意义的结果。另一方面，两个频带应考虑与杂化激发散射，引起耦合量子玻尔兹曼方程。我们发现，与杂交波动的顶点校正原来是无关的，由于在所谓的去耦极限，与图示的方法显示的非费米液体运输的自旋子的重质量。
2009-09-27 cond-mat.str-el
Kondo Effect and Spin Glass Behavior of Dilute Iron Clusters in Silver Studied by Mössbauer Spectroscopy and Resistivity
用气相共沉积法制备了含0.3 - 1.5原子% Fe的银薄膜。根据衬底温度和铁浓度，我们可以系统地跟踪从初始稀释的铁单体形成纳米尺寸的铁簇。通过X射线衍射，电阻率和穆斯堡尔光谱测量样品进行了表征。从穆斯堡尔谱数据得出的磁性行为可以用铁磁单畴粒子的集合来最好地描述。在低温下观察到的磁冻结是通过传导电子极化介导的粒子间相互作用（即RKKY相互作用）来控制的。通过电阻率数据可以最好地量化团簇磁矩与传导电子海的相互作用。对于所有研究的浓度，我们发现一个非单调的变化与温度，可以理解的竞争屏蔽的集群时刻的传导电子自旋散射由于近藤效应和磁耦合。
2008-08-06 cond-mat.str-el
Heavy-fermion hybridization waves from Dirac spinons near a Kondo-breakdown quantum phase transition
Arizona State University（亚利桑那州立大学）；Technische Universität Dresden（德累斯顿工业大学）
针对重费米子材料中观测到的空间调制屏蔽现象，提出部分子平均场理论，证明在Kondo击穿量子相变附近重费米液体可自发产生杂化波，其周期由连接Dirac自旋子节点与电子低能带的动量决定。
2026-11-04 cond-mat.str-el
Kondo scaling of $4f$-electron states and the Kondo singlet breakdown in heavy fermions
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie（柏林亥姆霍兹材料与能源中心）；Heidelberg University（海德堡大学）；Synchrotron SOLEIL（SOLEIL同步辐射中心）；Université de Rennes, CNRS, Institut des Sciences Chimiques de Rennes-UMR6226（雷恩大学，法国国家科学研究中心，雷恩化学科学研究所）；Université de Lorraine, CNRS, Institut Jean Lamour（洛林大学，法国国家科学研究中心，让·拉穆尔研究所）；National Synchrotron Radiation Research Center（国家同步辐射研究中心）
本研究利用RIXS和SIAM计算证实了CeSi₂中低能和高能Kondo标度，揭示了Kondo单态的破坏及热占据低能磁态的现象，展示了软X射线RIXS在强关联材料中探测低能和高能标混合效应的准确性。
2026-03-31 cond-mat.str-el
Spin-Orbit-Induced Kondo Size Effect in Thin Films with 5/2-spin Impurities
最近，对于自旋$S=5/2$杂质，实验发现与S=2相比，近藤对电阻率的贡献具有完全不同的尺寸依赖性。因此，将以前关于自旋-轨道诱导磁各向异性对电阻率近藤振幅影响的计算推广到$S=5/2$杂质自旋的情况，这种情况不同于整数自旋的情况，因为基态简并。在这种情况下，近藤贡献保持有限的样品尺寸为零时，近藤电阻率的厚度依赖性是弱得多的Cu（Mn）。Kondo系数作为厚度的函数的行为取决于Kondo温度，对于较大的$T_K$，Kondo温度稍微更强。比较我们的结果与最近的实验在薄Cu（Mn）膜，我们发现一个很好的协议。
1999-09-15 cond-mat.str-el
Extensions to the Kondo lattice model to achieve realistic Curie temperatures and appropriate behavior of the resistivity for manganites
我们调查的影响的Jahn-Teller扭曲和直接的反铁磁矩耦合作为扩展的两个带Kondo晶格模型的磁性和电子性质的锰氧化物。这些计算自洽通过插值自能模型和修改后的RKKY技术，使用有限的Hund耦合和量子自旋。我们发现，这两种效果是必不可少的，以实现现实的居里温度，如果我们考虑带内库仑排斥。使用可靠的模型参数，我们得到的结果是非常好的协议与实验数据在整个铁磁掺杂范围。在计算的相图中，存在铁磁金属到顺磁绝缘体的转变，伴随着巨磁阻（CMR）行为。为了提高电阻率测量值与计算值的可比性，我们必须开启带间库仑相关。
2007-02-26 cond-mat.str-el
Local Kondo entanglement and its breakdown in an effective two-impurity Kondo model
在双杂质近藤问题中，近藤效应与Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida相互作用之间的竞争可以用Rasul-Schlottmann自旋模型唯象地描述.我们从量子纠缠的角度重新审视了这个模型，计算了杂质间纠缠和局域近藤纠缠，后者是局域磁性杂质与其空间附近的导电电子之间的纠缠，得到了基态相图，发现局域近藤纠缠在奇点处发生了不连续的破裂，并伴随着杂质间纠缠的跳跃.一夫一妻制的纠缠在整个相图中成立。我们的结果确认了受抑交叉耦合的重要作用，并证明了量子相变在双杂质Kondo问题中的局域特性。这些结果对近藤晶格和量子信息处理的影响也作了简要的讨论。
2015-03-17 cond-mat.str-el quant-ph
Quantum Monte Carlo studies of U(1) lattice gauge models of Kondo breakdown
Institut für Theoretische Physik und Astrophysik and Würzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universität Würzburg（维尔茨堡大学理论与天体物理研究所及维尔茨堡-德累斯顿ct.qmat卓越集群）
通过无符号问题的行列式量子蒙特卡洛模拟，研究自旋链耦合二维狄拉克传导电子的最小U(1)晶格规范模型，发现重费米子金属和Kondo击穿金属两种对称等价相，并揭示Luttinger体积变化和输运指纹。
2026-09-15 cond-mat.str-el
Multi-scale fluctuations near a Kondo Breakdown Quantum Critical Point
我们研究了Kondo-Heisenberg模型中局域自旋的费米表象。的平均场相图表现出零温度量子临界点分离的自旋液相的f-导电杂化消失，和近藤相，它不。在近藤相中有两种稳定的解，即当传导电子和f自旋子的带质量具有相同符号时的均匀杂化和当它们具有相反符号时的调制杂化。对于均匀的情况下，我们表明，以上一个非常小的费米液体温度标度（~1 mK），与消失的杂交的临界波动具有动力学指数z=3，从而产生的比热系数，发散温度，以及传导电子逆寿命，具有T log T行为。由于f自旋子不携带电流，但作为一个有效的浴由传导电子携带的电流松弛，后者的结果也引起了电阻率的T log T行为。这种行为与在一些重费米子金属中的观察结果一致。
2008-04-10 cond-mat.str-el
Effect of Hydrostatic Pressure on the Kondo Effect in the Heavy Fermion System Yb$_2$Fe$_3$Si$_5$
本文报道了在2-300 K温度范围和10 Kbar压力范围内流体静压对重费米子近藤晶格化合物Yb $_2$ Fe $_3$ Si $_5$电阻率的影响。在常压下，电阻率表现出显著的近藤效应。Kondo最小值从环境压力下的22.5 K变为10 Kbar压力下的19.2 K。近藤极小值的深度也随着压力的增加而逐渐减小。这些结果表明，施加压力的近藤效应可能减弱。
2003-11-24 cond-mat.str-el
Breakdown of Anomalous Hall Scaling in Dilute Kondo System
Saha Institute of Nuclear Physics（萨哈核物理研究所）；Ames National Laboratory, Iowa State University（艾姆斯国家实验室，爱荷华州立大学）
研究非f电子赫斯勒合金Ru₂Mn₀.₅Ti₀.₅Ge的稀释近藤系统，发现其反常霍尔响应在磁相变附近违反费米液体标度，揭示平带近藤相干性对贝里曲率相关铁电响应的影响。
2026-09-07 cond-mat.str-el
Interfacial Phase Competition Induced Kondo-like Effect in Manganite-insulator Composites
在钙钛矿结构锰氧化物中，当第二相掺杂为介电体时，观察到了低温电阻率上升的Kondo效应。本文认为低温电阻率上转效应是由界面磁相重构引起的。用Monte Carlo方法模拟了Heisenberg自旋晶格，揭示了第二相边界附近的相竞争，即锰氧化物-绝缘体边界表现出弱的反铁磁倾向。基于双交换导电机制的电阻网络模型真实地再现了低温电阻率上升效应。我们的工作为理解关联电子系统微结构中的新输运行为提供了一个合理的物理机制。
2016-05-15 cond-mat.str-el
Breakdown of heavy quasiparticles in a honeycomb Kondo lattice: A quantum Monte Carlo study
我们表明，对于蜂窝晶格上的半填充近藤晶格模型，近藤击穿发生在磁有序相内的小近藤耦合$J_k$处。我们的结论是基于辅助场量子蒙特卡罗模拟的所谓的复合费米子谱函数。在近藤模型的U（1）规范理论表述中，很明显希格斯机制决定了谱函数中共振的权重。对于蜂窝晶格，我们观察到，对于小$J_k$的准粒子极点让位于不相干的光谱权重，但它仍然很好地定义为正方形晶格。我们的结果提供了一个明确的例子，其中重准粒子的磁跃迁和击穿分离，如在Yb（Rh $_{0.93}$ Co $_{0.07}$）$_2$ Si $_2$中观察到的[Friedemann等人，\textbf{5}，465（2009）]。
2022-09-15 cond-mat.str-el hep-lat
La substitution induced linear temperature dependence of electrical resistivity and Kondo behavior in the alloys, Ce_{2-x}La_{x}CoSi_{3}
本文报道了新型合金Ce_{2-x} La_{x} CoSi_{3}的电阻率、热容和磁化率行为。x= 0.0的合金是混合价的，并且La取代Ce（x= 0.25）在低温下引起电阻率的线性温度依赖性，这是与非费米液体行为主题相关的观察结果。对所有合金的近藤效应进行了修正。
1999-02-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Breakdown of bulk-projected isotropy in surface electronic states of topological Kondo insulator SmB$_6$(001)
二维（2D）表面电子态的拓扑结构和自旋轨道极化在近十年来得到了广泛的研究。对它们的一个主要兴趣是它们与体（3D）电子态的宇称的密切关系。在这种情况下，表面通常被认为是一个简单的截断体晶体。在这里，我们显示了击穿的体相关的平面内旋转对称性的拓扑表面态（TSS）的近藤绝缘体SmB $_6$。对SmB $_6$（001）- $p$（2 $\times$ 2）表面的角分辨光电子能谱学（ARPES）分析表明，TSS是各向异性的，费米围线缺乏体相的四重旋转对称性.这一结果强调了即使在TSS中表面原子结构的重要作用。此外，它表明，表面原子结构的工程可以提供一个新的途径，以定制的各种性质之间的TSS，如各向异性的表面电导率，嵌套的表面费米轮廓，或在2D倒易空间中的van Hove奇点的数量和位置。
2022-08-22 cond-mat.str-el
Emergence of a symmetry-broken Chern insulator near a moiré Kondo breakdown
Shanghai Jiao Tong University（上海交通大学）；Cornell University（康奈尔大学）；Kavli Institute at Cornell for Nanoscale Science（康奈尔纳米科学卡弗里研究所）；Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室）；Tsung-Dao Lee Institute, Shanghai Jiao Tong University（上海交通大学李政道研究所）；National Institute for Materials Science（国立材料研究所）；Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）；Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter（马克斯·普朗克物质结构动力学研究所）
在摩尔双层中，通过角度对齐的MoTe2/WSe2异构双层，在摩尔空穴填充因子4/3处发现对称破缺的陈绝缘体，揭示了拓扑与Kondo相互作用的相互作用。
2026-02-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Flat-Band Driven Kondo Breakdown and Reentrant Effects in Heavy-Fermion Moiré Superlattices
Institute of Software Technology, German Aerospace Center（德国航空航天中心软件技术研究所）；Theoretical Division, Los Alamos National Laboratory（洛斯阿拉莫斯国家实验室理论部）；Center for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Laboratory（洛斯阿拉莫斯国家实验室集成纳米技术中心）；Department of Physics, Condensed Matter Theory, TU Dortmund University（多特蒙德工业大学凝聚态理论物理系）
研究重费米莫尔达夫超晶格中电子相变，通过DMFT与NRG方法揭示新能标和莫尔带出现的Kondo破裂现象，并与Lieb-Mattis定理对比验证新能标必要性。
2026-06-05 cond-mat.str-el
Emergence of ferromagnetism at the onset of moiré Kondo breakdown
本研究在AB堆叠MoTe₂/WSe₂莫尔双层中观测到密度调控的近藤破坏，伴随重费米液体-绝缘体态转变与铁磁序涌现，为莫尔近藤晶格中探索奇异量子相变提供了新途径。
2023-10-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Robustness of the Insulating Bulk in the Topological Kondo Insulator SmB$_{6}$
我们使用了反转电阻法来扩展SmB $_{6}$的体电阻率，使其达到表面导电覆盖体电阻的状态。值得注意的是，体电阻率显示出内在的热激活行为，改变了十个数量级，这表明它是一个理想的绝缘体，是免疫紊乱。非化学计量生长的SmB $_{6}$样品也表现出几乎相同的热激活行为。然而，在低温下，这些样品显示出神秘的高体电阻率平台，这可能是由3D TI中的扩展缺陷传导引起的。
2018-03-02 cond-mat.str-el
Low energy scales of Kondo lattices: mean-field perspective
在平均场近似下，对近藤晶格系统的低温性质进行了综述，重点讨论了不同的特征能量标度。分析了近藤温度T_K和费米液体相干能T_0与电子填充、非相互作用态密度形状和磁矩浓度的关系。这两个尺度可以消失，对应于当施加外部磁场时近藤效应的崩溃。近藤击穿也可以通过在近藤晶格模型中加入超交换项来实现，该超交换项模拟了在平均场水平上忽略的位间磁相关。
2009-03-11 cond-mat.str-el
Quantum phase transition in a two-dimensional Kondo-Heisenberg model: a Schwinger-boson large-N approach
在反铁磁跃迁附近的重费米子金属中出现了奇怪的金属行为。越来越多的实验表明这种行为与近藤击穿量子临界点有关。为了阐明这个有趣的问题，我们研究了二维近藤海森堡模型使用动态大N多通道Schwinger玻色子的方法。我们发现并描述了从反铁磁有序的基态到近藤主导的顺磁态的量子相变，并将一定相移的跳跃归因于近藤击穿。此外，我们计算运输和热力学量，并讨论它们的背景下，在量子临界重费米子系统的实验观察。
2019-02-12 cond-mat.str-el
Magnetic Transition in the Kondo Lattice System CeRhSn2
我们的电阻率，磁阻，磁化强度和比热数据提供明确的证据，CeRhSn 2是一个近藤晶格系统，经历低于4 K的磁转变。
2002-09-17 cond-mat.str-el
Topological phase in $1D$ topological Kondo insulator: $Z_{2}$ topological insulator, Haldane-like phase and Kondo breakdown
我们用数值精确投影量子Monte Carlo方法模拟了半满$1D$ $p$波周期性Anderson模型，虽然系统的可解非相互作用极限对应于传统的$Z_{2}$拓扑绝缘体，但系统确实处于与以前在$p$波Kondo晶格模型上所发现的Haldane态.利用开边界系统的场分辨磁化强度和周期边界的奇异相关子来识别上述拓扑态。有趣的是，在我们的周期类Anderson-like模型中，由于本征电荷涨落的存在，类Haldane态的边缘磁化强度并没有饱和到单位磁矩，这超出了现有文献中Kondo晶格模型的描述.这一发现揭示了在这种典型的相互作用拓扑态中存在着关联驱动的拓扑态，并且在使用非相互作用图像时应注意。此外，在零温度下没有观察到表面近藤击穿的痕迹，并且怀疑类似挫折的相互作用可能在诱导这种近藤屏蔽的根本破坏中是至关重要的。这里的发现可能与我们对相互作用的拓扑材料如拓扑近藤绝缘体候选者SmB $_{6}$的理解有关。
2017-07-10 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Electrical and magnetic properties of the new Kondo-lattice compound Ce3Pd4Ge4
我们测量了新的近藤晶格化合物Ce_3Pd_4Ge_4的电阻率、磁电阻、磁化率和磁化强度。电阻率在低于6K的温度下表现出快速下降，而磁化率在该温度下没有显示出任何相应的异常。这一现象类似于Ce_3Pd_20Ge_6的四极相互作用。我们认为在正交晶系的4f电子系统Ce_3Pd_4Ge_4中存在四极相互作用的可能性。此外，还认识到自旋相关散射效应是磁输运的原因。
2002-02-25 cond-mat.str-el
Unusual Field-Insensitive Phase Transition and Kondo Behavior in SmTi$_2$Al$_{20}$
对用Al自熔法生长的高质量SmTi $_2$ Al $_{20}$（剩余电阻率比$\sim$ 40）单晶进行了磁化强度、电阻率和比热测量。在50 K以下观察到电阻率的Kondo型$\log T$依赖性。发现了在$T_{x}$ = 6.5 K时的场不敏感相变和电子比热系数$γ$ = 150 mJ/（KPDMATHABMS mol）的场不敏感重费米子行为。比热分析表明，基态为$Γ_{8}$四重态，Sm磁偶极矩$m_{\rm Sm}$（$\sim 0.5 μ_{\rm B}$ at $T \simeq$ 0）低于$T_{x}$.将讨论场不敏感的可能原因。
2011-08-03 cond-mat.str-el
Tensile and compressive strain tuning of a Kondo lattice
本研究通过实验与模型计算，发现张拉应变能显著提升YbRh2Si2的电阻率极大值温度，表明近藤温度增加20%，为探索隐藏零场量子临界点提供新途径。
2024-05-10 cond-mat.str-el
Kondo Effects and Multipolar Order in the cubic PrTr2Al20 (Tr=Ti, V)
我们的单晶研究表明，PrTr 2Al 20（Tr = Ti和V）提供了立方的Γ3 π接地双态系统的第一个例子，该系统显示了包括-ln T依赖的电阻率的近藤效应。PrV 2Al 20中的Γ3四极矩通过与导电电子的杂化而引起反常的金属行为，如在~ 20 K以下直到其有序化温度T_0 = 0.6 K，电阻率和磁化率随T^{1/2}的变化。而在PrTi_2Al_（20）中，四极子在T_0 = 2.0K时呈现出有序性。PrV_2Al_（20）中的近藤耦合比PrTi_2Al_（20）中的近藤耦合更强，抑制了四极有序，反而促进了Γ3二重态和传导电子之间的杂化，最有可能导致四极近藤效应。
2011-04-21 cond-mat.str-el
Kondo Breakdown and Quantum Oscillations in SmB$_6$
最近的量子振荡实验对钐$_6$提出了一个悖论，虽然角度依赖的振荡频率表明一个三维体费米表面，钐$_6$仍然鲁棒绝缘非常高的磁场。此外，振荡幅度的突然低温上升提高了量子临界的可能性。在这里，我们讨论最近提出的机制，这种效果，对比散装和表面的情况。我们认为，拓扑表面状态允许我们调和的各种数据与批量运输和光谱测量，解释低温上升的量子振荡幅度作为结果的表面近藤击穿和高频振荡作为大拓扑保护轨道周围的X点。我们讨论了各种预测，可以用来测试这个理论。
2016-01-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological surface conduction in Kondo insulator YbB$_{12}$
近藤绝缘体由于具有由强电子相互作用引起的拓扑绝缘体态，近年来引起了人们极大的兴趣。此外，最近对近藤绝缘体绝缘态量子振荡的观察令人惊讶。在这里，调查的原型Kondo绝缘体YbB $_{12}$的表面电子态，我们测量了单晶和微结构的输运性质。在所有样品中，电阻率的温度依赖性在高温下是绝缘的，并且电阻率在低温下呈现平台。平台值的大小随着样品厚度的减小而减小，这与体绝缘YbB $_{12}$中的表面电子传导定量地一致。此外，在低场下，微结构的磁电阻表现出弱的反局域化效应。这些结果与拓扑保护表面态的存在是一致的，表明YbB $_{12}$是拓扑近藤绝缘体的候选材料。高达$μ_0H$ = 50 T的微结构的高场电阻率测量提供了支持的证据，即在绝缘体中发生在YbB $_{12}$中的电阻率的量子振荡。
2021-07-21 cond-mat.str-el
Log-rise of the Resistivity in the Holographic Kondo Model
我们使用最近发展的全息大$N$技术研究了单通道近藤效应。为了得到该模型的电阻率，我们引入了一个探测场。通过在\ads{3}中嵌入一个定域二维Anti-de Sitter（\ads{2}）膜，构造了1+1维基质中定域费米子杂质的引力对偶.这有助于我们构造一个杂质电荷密度，它作为探针规范场的体运动方程的源。电荷密度的函数形式是通过求解局限于\ads{2} -膜的场的运动方程而独立获得的。探测场的渐近解由杂质电荷密度决定，杂质电荷密度又影响电流-电流关联函数，从而影响电阻率。我们选择的参数调谐的近边界杂质电流是边际，导致在紫外电阻率的$\log T$行为，是预期的近藤问题。IR固定点处的电阻率结果为零，表明杂质被完全屏蔽。
2018-02-20 cond-mat.str-el hep-th
Breakdown of the Kondo insulating state in SmB6 by introducing Sm vacancies
SmB 6是一种拓扑近藤绝缘体，其中拓扑非平凡性的存在可以通过Sm价的变化来调节。在实验上，Sm的价态可以通过调整SmB 6的化学计量来改变。我们发现，拉曼散射可以检测低于1%的Sm位在SmB 6晶体中的缺陷诱导散射的强度在10~meV的声学声子分支。在130 K以下的SmB_6的电子拉曼光谱中，我们观察到在100和41 meV处A $_{1g}$和E $_g$对称性的发展特征，我们将其归属于杂化带之间的激发，以及与杂化带隙相关的低于20 meV的谱权。随着Sm空位数的增加，我们观察到低于20~meV的光谱权重的增加，表明能隙被电子态填充。对于空位数最少的样品，在16-18 meV的E $_g$和T $_{2g}$对称性中观察到了受杂交能隙保护的长寿命隙内激子激发。这些激发加宽的寿命随着空位的数量增加而减少，并且在Sm空位浓度约为1%时通过存在间隙状态而淬灭。基于这项研究，我们认为，只有最化学计量的SmB 6样品有拓扑近藤绝缘体所需的散装间隙。
2016-01-11 cond-mat.str-el
