Low-temperature electrical resistivity in paramagnetic spinel LiV2O4
3d电子尖晶石化合物LiV_2O_4在30K以下表现出重费米子行为，这与反铁磁自旋涨落在动量空间的扩展区域中强烈增强有关。这种机制解释了增强的热力学量和近临界NMR弛豫的自洽重整化（SCR）理论的框架。在这里，我们表明，低T费米液体行为的电阻率和偏离这种行为的更高的T也可以理解的上下文中。我们计算了电阻率ρ（T）的温度依赖性，假设准粒子散射的两种基本机制，即杂质散射和自旋涨落散射，在低温下同时起作用。计算是基于ρ（T）的微扰级数展开形式的变分原理。LiV_2O_4中ρ（T）的一个特殊行为与低能自旋涨落的性质有关，其T依赖性由SCR理论得到。
2010-08-11 cond-mat.str-el
Low temperature resistivity studies of SmB6: Observation of twodimensional variable-range hopping conductivity
我们研究了SmB 6单晶样品的电阻，重点是“低温电阻率平台”区域。我们的观察没有显示出任何真正的饱和电阻在温度低于3 K下降到70 mK。根据我们的发现，在70 mK以上的温度区间内，电导率的温度依赖性可以分解为温度无关项和温度激活项，这两项可以用二维系统的变程跳跃公式exp[-T0/T）^1/3]来描述。因此，我们的研究结果表明，在SmB 6的近表面区域的跳跃型电输运的重要性。
2017-09-06 cond-mat.str-el
Electrical resistivity of the Ti4O7 Magneli phase under high pressure
我们已经测量了电阻率作为温度和压力的函数的Ti4O7孪晶使用不同的接触配置。超过4kbar的压力抑制了双极化子的局域化，并允许研究双极化子相的电导下降到低温。当压力P > 40 kbar时，双极化子的形成转变被抑制，电阻率几乎与压力无关。我们观察到了各向异性传导。当电流平行于主轴注入时，具有相互作用的载流子效应的金属传导是主要的。超导状态没有得到下降到1.2 K，虽然量子临界点附近的证据被注意到。当电流注入方向不平行于晶体的主轴时，我们得到了低温下电阻率的对数发散。在这种情况下，我们的结果可以解释的框架中的相互作用的载流子（极化子或双极化子）散射的二能级系统的高压制度。
2003-10-02 cond-mat.str-el
Effect of synthesis conditions on the electrical resistivity of TiSe$_2$
稀杂质和生长条件可以显著影响TiSe $_2$的输运性质，特别是低于电荷密度波跃迁。在本文中，我们讨论了冷却速度，退火时间和退火温度对TiSe $_2$的输运性质的影响：多晶TiSe $_2$合成后的缓慢冷却急剧增加低温电阻率，这是在相反的金属行为的单晶TiSe $_2$由于电荷掺杂从残留的碘传输剂。首次观察到多晶TiSe $_2$样品在冷却时电阻率呈对数增长，并且在零场附近具有尖锐的尖点，这表明由于低维性导致了弱的局域化效应.低温退火也有类似的效果，但不那么剧烈。此外，从高温快速淬火的多晶样品的无序冻结，导致在低温电阻率下降。
2019-09-17 cond-mat.str-el
Crystalline electric field effects in the electrical resistivity of PrOs$_4$Sb$_{12}$
最近发现的重费米子超导体\PrOsSb{}的电阻率$ρ$的温度$T$和磁场$H$的依赖关系具有与晶体电场（CEF）分裂Pr $^{3+}$ Hund规则多重态相关的特征。这些功能显然是由于磁交换和非球面库仑散射的热填充CEF分裂Pr $^{3+}$能级。零磁场下的$ρ(T)$数据可以通过基于CEF理论对不同磁交换比和非球面库仑散射的计算得到很好的描述，并得到与以前由磁化率、比热和非弹性中子散射测量得到的CEF参数定性一致的CEF参数。计算的$ρ(H)$等温线的$Γ_{3}$基态定性占“圆顶形”的功能，在测量的$ρ(H)$等温线。
2003-03-21 cond-mat.str-el
Kondo effect in CeX$_{c}$ (X$_{c}$=S, Se, Te) studied by electrical resistivity under high pressure
我们已经测量了电阻率的铈monochalcogenices，CeS，CeSe和CeTe，在高压下高达8 GPa。反铁磁有序温度$T_{N}$、晶场分裂和近藤效应的$\ln T$异常的压力依赖性已被研究，以覆盖从低压下的磁有序区到高压下的费米液体区的整个区域。$T_{N}$最初随着压力的增加而增加，并在高压下开始减少，如从Doniach图所预期的。同时，$\ln T$在电阻率中的行为增强，表明压力增强了近藤效应。CeX $_{c}$的特征还在于，晶场分裂以$-12.2$ K/GPa的常见速率迅速减小。这导致$f$态简并度的增加和近藤效应的进一步增强。结果表明，$f$态的压力相关简并度是理解$T_{N}$、近藤效应、磁电阻和电阻率温度相关峰结构的压力相关性的关键因素.
2015-12-21 cond-mat.str-el
Temperature dependent electrical resistivity of a single strand of ferromagnetic single crystalline nanowire
在3 K-300 K温度范围内，用四探针法测量了直径为55 nm的单股铁磁镍纳米线的电阻率。所用的金属丝是化学纯的，是高质量的取向单晶样品，其中与温度无关的剩余电阻率主要由表面散射决定。精确的温度依赖性电阻率（$ρ$）的评估，使我们能够确定定量的电子-声子的贡献（其特征在于德拜温度$θ_R$），以及自旋波的贡献，这是显着抑制尺寸减小。
2009-06-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
La substitution induced linear temperature dependence of electrical resistivity and Kondo behavior in the alloys, Ce_{2-x}La_{x}CoSi_{3}
本文报道了新型合金Ce_{2-x} La_{x} CoSi_{3}的电阻率、热容和磁化率行为。x= 0.0的合金是混合价的，并且La取代Ce（x= 0.25）在低温下引起电阻率的线性温度依赖性，这是与非费米液体行为主题相关的观察结果。对所有合金的近藤效应进行了修正。
1999-02-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Observation of a temperature dependent electrical resistance minimum above the magnetic ordering temperature in Gd$_2$PdSi$_3$
报道了Gd基金属间化合物Gd $_{2}$ PdSi $_{3}$的电阻率、磁阻、磁化率、热容和Gd穆斯堡尔谱的测量结果。感兴趣的发现是，电阻率意外地在约45 K处显示出明确定义的最小值，远高于长程磁有序温度（21 K），这是通过施加磁场而得到抑制的特征。在Gd合金中的这种观察呈现了一种有趣的情况。在此基础上，我们提出了由s-f（或d-f）交换相互作用先于长程磁序诱导的电子局域化是电阻极小值的一种机制.
1998-11-27 cond-mat.str-el
Normal-state electrical resistivity and superconducting magnetic penetration depth in Eu0.5K0.5Fe2As2
本文测量了Tc= 31K的Eu_（0.5）K_（0.5）Fe_（2As）_2多晶样品的电阻率ρ（T）和磁穿透深度λ（T）随温度的变化关系。$ρ(T)$在T_c以上遵循线性温度依赖关系，在150 K附近转变为较弱的温度依赖关系。的磁穿透深度，由射频技术确定的显示不寻常的最小值约4 K，这是与本地化Eu 3+时刻的短程有序。
2009-02-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrical resistivity near Pomeranchuk instability in two dimensions
我们分析了直流电荷输运的量子临界制度附近的d波Pomeranchuk不稳定性在两个维度。输运衰减率是线性的温度在费米表面上的任何地方，除了在布里渊区对角线上的冷点。对于纯系统，这导致在低温极限下DC电阻率与T^{3/2}成比例。在杂质的存在下，在T=0时的残余杂质电阻在低温下线性接近。
2006-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrical Resistivity and Thermal Expansion Measurements of URu2Si2 under Pressure
我们进行了同时测量的电阻率和热膨胀的重费米子化合物URu 2Si 2在压力下使用一个单晶。我们观察到一个相变异常之间的隐藏（HO）和反铁磁（AFM）有序状态在TM在两个测量的温度依赖性。对于电阻率，TM处的异常与顺磁状态（PM）和HO之间的相变温度T0处的明显驼峰异常相比非常小，并且对于I//a轴和c轴分别仅表现出轻微的增加和减少。我们估计每个激发间隙的HO，Delta_HO，和AFM，Delta_AFM，从电阻率的温度依赖性; Delta_HO和Delta_AFM具有不同的压力依赖性彼此。另一方面，热膨胀的温度依赖性在T0处表现出小的异常，在TM处表现出大的异常。T0和TM相边界的压力依赖性表明，不存在临界终点，两相边界在临界点相交。
2008-11-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Emergence of a metallic meta-stable phase induced by electrical current in Ca_2RuO_4
结合宏观电输运和微观X射线衍射两个实验探针，对莫特绝缘体Ca_2RuO_4在电流驱动下的行为进行了综合研究。绘制了电阻率ρ对电流密度J和温度T的电阻率图。特别地，研究了电流偏置Ca_2RuO_4单晶在绝缘态和金属热力学态之间诱导的亚稳态。结合对所得RuO_6八面体能级的研究，这种分析表明，在亚稳区出现了金属晶体相。这种相的特殊性质，共存于完善的正交绝缘和四金属相，允许解释一些非常规的和令人困惑的行为在实验中观察到的，作为一个负微分电阻率。
2019-12-03 cond-mat.str-el
High pressure effects on the electrical resistivity behavior of the Kondo lattice, YbPd2Si2
我们报告的外部压力（P=高达8 GPa）的Yb基近藤晶格，YbPd2Si2，不进行磁有序在环境压力条件下的电阻率的温度依赖性的影响。由于施加外部压力，电阻率的温度依赖性发生质的变化。虽然发现电阻率在低于15 K（低至45 mK）的费米液体特性下呈二次方变化，但在P= 1 GPa时，在低于0.5 K时观察到电阻率下降。由于电阻值没有达到零，我们试图将这种下降归因于磁有序，而不是超导性。发生这种下降的温度经历一个峰值，作为P的函数（2 GPa时为8 K，较高压力时约为5 K）。模拟了多尼亚克的磁相图我们的结论是，这是一个少数的Yb基化学计量材料，其中一个可以通过施加外压从价态波动到磁有序。
2004-07-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic signatures of the electronic correlations in the electrical resistivity of UTe$_2$
多重非常规超导相被怀疑是由重费米子顺磁体UTe $_2$中的磁涨落驱动的，并且挑战是识别电子关联的签名，包括磁涨落，在体物理量中。在这里，我们深入研究了UTe $_2$在高达70 T的强磁场下，不同的电流和磁场配置的电阻率的各向异性。提取了由电子关联控制的两个特征温度和各向异性低温类费米液体系数$A$。表征了$\mathbf{H}\parallel\mathbf{b}$在$μ_0H_m\simeq35$ ~T诱导的变磁跃迁附近的临界行为。各向异性散射过程的证据和磁波动提出了贡献，通过近藤杂交，电阻率。我们的工作呼吁微观建模的各向异性贡献的电阻率作为一个里程碑，了解磁介导的超导在UTe $_2$。
2022-06-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Saturation of electrical resistivity
在许多具有大电阻率的金属系统中观察到电阻率饱和，即，当电阻率达到临界值时，其随温度的进一步增加基本上被减小。这通常发生在表观平均自由程与原子间距离相当时-Ioffe-Regel条件。最近，发现了几个例外。在这里，我们回顾了电阻率饱和的实验结果和早期的理论。然后，我们描述了最近的理论工作，解决的情况下，Ioffe-Regel条件得到满足，它被违反。特别是，我们展示了如何在有关系统的某些假设下用量子力学推导出（半经典）Ioffe-Regel条件，以及为什么对于高Tc铜氧化物和碱金属掺杂富勒烯来说违反了这些假设。
2003-05-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Enhanced electrical resistivity before Néel order in the metals, RCuAs$_2$ (R= Sm, Gd, Tb and Dy
本文报道了一类RCuAs $ρ$（R=稀土）三元金属间化合物的电阻率随温度变化的反常行为。对于某些稀土元素（Sm、Gd、Tb和Dy），其4f杂化可以忽略不计，在远高于相应的Néel温度（T $_N$）的$ρ$（T）中存在明显的最小值。然而，对于由于4f-共价混合和近藤效应而更倾向于表现出这种$ρ$（T）最小值的稀土，该最小值被抑制。这些发现，很难解释在迄今为止已知的概念，提出了一个有趣的场景在磁性。
2003-06-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrical and magnetic properties of the new Kondo-lattice compound Ce3Pd4Ge4
我们测量了新的近藤晶格化合物Ce_3Pd_4Ge_4的电阻率、磁电阻、磁化率和磁化强度。电阻率在低于6K的温度下表现出快速下降，而磁化率在该温度下没有显示出任何相应的异常。这一现象类似于Ce_3Pd_20Ge_6的四极相互作用。我们认为在正交晶系的4f电子系统Ce_3Pd_4Ge_4中存在四极相互作用的可能性。此外，还认识到自旋相关散射效应是磁输运的原因。
2002-02-25 cond-mat.str-el
In-plane anisotropy of electrical resistivity in the strain-detwinned SrFe2As2
本征的，在平面内的电阻率的各向异性进行了研究的SrFe $_2$作为$_2$的机械解孪单晶的温度以上和以下的耦合结构/磁性转变，$T_{\textrm{TO}}$。电阻率对于沿正交$a_o$方向（反铁磁交替磁矩的方向）的电流流动较小，并且对于沿$b_o$方向（铁磁链的方向）的传输较大，这类似于CaFe $_2$ As $_2$和BaFe $_2$ As $_2$化合物。高能X射线衍射结果证实了SrFe $_2$ As $_2$的一级结构转变，其转变温度和性质不受中等应变的影响。对于小的应变水平，这是刚刚足以detwin的样品，我们发现一个可以忽略不计的影响电阻率以上$T_{\textrm{TO}}$。随着应变的增加，电阻率各向异性开始发展到高于$T_{\textrm{TO}}$，清楚地表明各向异性与对应变的强烈响应的关系。我们的研究表明，电子向列性不能观察到的FeAs基化合物中的结构转变是强烈的一级。
2010-12-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Saturation of electrical resistivity in metals at large temperatures
我们提出了一个微观模型的系统电阻率饱和。一个基本上精确的量子Monte-Carlo计算表明，该模型描述饱和。我们给出了一个简单的解释饱和，使用电荷守恒和考虑的限制，热激发声子破坏了周期性。关键的模型特征是声子耦合到跳跃矩阵元素和一个单位细胞与几个原子。我们证明了与碱掺杂C60模型的差异与耦合的水平位置，其中没有饱和。
2002-01-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantum Oscillations of Electrical Resistivity in an Insulator
在金属中，费米表面上的传导电子的轨道运动在磁场中被量子化，这表现为电阻率的量子振荡。这种朗道量子化在绝缘体中通常是不存在的。在这里，我们报告一个值得注意的例外，在绝缘体，镱十二硼化（YbB12）。尽管YbB_（12）的电阻率远大于金属的电阻率，但它表现出深刻的量子振荡。这种非常规的振荡被证明是由绝缘体引起的，但其振幅的温度依赖性遵循传统的费米液体金属理论。大的有效质量表明存在由强关联电子组成的费米面。我们的结果揭示了YbB 12的一个神秘的二分基态：它既是一个电荷绝缘体，又是一个强关联金属。
2019-05-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Chiral Phonons and Electrical Resistivity of Ferromagnetic Metals at Low Temperatures
铁磁性是物质的一个激发相，表现出强关联电子行为，也是自发破缺旋转对称性的一个标准例子：在居里温度以下，各向同性单畴铁磁金属中的原子磁体沿着自发选择的方向排列。传导电子从热扰动到该自旋序的散射，以及电子-电子碰撞，标志着材料在低温下的电学行为，其中电阻率主要随温度二次变化。然而，在液氦温度附近，发生了一个有趣的现象，引起了额外的\emph{linear}对电阻率随温度变化的贡献，其理论解释长期以来遇到了问题。在这里，我介绍了自旋翻转散射机制的铁磁金属中的传导电子所产生的相互作用与内部磁感应和介导的手征模式的晶格振动携带自旋1。这一机制能够解释上述反常现象，并能很好地解释铁、钴和镍在室温下的自旋-晶格弛豫时间。
2018-04-05 cond-mat.other cond-mat.str-el
Crystallography, magnetic susceptibility, heat capacity, and electrical resistivity of heavy fermion LiV$_2$O$_4$ single crystals grown using a self-flux technique
磁纯尖晶石化合物${\rm LiV_2O_4}$是一种稀有的$d$-电子重费米子.需要对单晶进行测量以澄清纯材料中重费米子行为的机制。此外，它是已知的，小浓度（$< 1$摩尔%）的结构中的磁性缺陷强烈影响的性质，和含有磁性缺陷的单晶的测量将有助于理解后者的行为。在此，我们报告的流量增长的${\rm LiV_2O_4}$和初步测量，以帮助解决这些问题。一些生长的晶体的磁化率在低温下表现出居里样的上升，表明尖晶石结构内存在磁缺陷。通过在700 $^\circ$ C下退火，可以消除某些晶体中的磁缺陷。对于含有磁缺陷浓度为${\rm_{defect}}$ = 0.5摩尔%的晶体，在1.8 K的温度下获得了非常高的比热系数$γ$ = 450 mJ/（mol K ${^2}$）。$n$ ${\rm _{defect}}$ = 0.01摩尔%的晶体显示出50的残余电阻率比。
2007-09-19 cond-mat.str-el
Magnetotransport as a probe of phase transformations in metallic antiferromagnets: the UIrSi$_3$ case
测量了类伊辛反铁磁体UIrSi 3的电阻、霍耳电阻和热电势随温度和磁场的变化。我们观察到一级和二级磁相变的明显不同的特征导致了在相应的临界温度和磁场附近的明显不同的磁输运性质。在反铁磁状态下，磁对电阻率和霍尔电阻率的贡献，以及顺磁状态下的极化和正常状态由不同的潜在机制驱动。在三临界点附近的磁输运的详细测量的结果表明，霍尔电阻率的步骤在相变改变极性就在这一点上。比热、电阻率、霍尔电阻率和塞贝克系数随磁场的变化在一阶变磁转变时的跳跃表明费米面重构，这是磁场诱导的Lifshitz转变的特征。所提出的结果强调有用的电和热输运性质的测量作为敏感的探头的磁相变在反铁磁体有时很难检测到其他方法。
2019-06-11 cond-mat.str-el
Electrical resistivity and magnetization measurements on the heavy fermion superconductor PrOs4Sb12
填充方钴矿化合物PrOs 4 Sb 12是Pr基重费米子超导体的第一个实例，显示出具有$T_c\sim 1.85$ K的超导性，并且具有有效质量$m^* \sim$ {50 $m_e$ }，其中$m_e$是自由电子质量。对于高于4.5 T的磁场，正常状态下电阻率、磁化强度、比热和热膨胀数据的尖锐特征表明在高磁场下发生了相变。这种正常状态下的高场有序相可能源于晶体电场增强的塞曼分裂和四极有序的组合。我们提出了一个调查的电阻率和磁化强度的PrOs 4Sb 12作为一个函数的温度之间的{350 mK}和{3.5 K}和磁场高达{18 T}。数据揭示了详细的相边界的高场有序相，以及较低的临界场$H_{c1}$和在超导状态的峰值效应的起始字段的PrOs 4 Sb 12。
2003-03-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High-pressure study of non-Fermi liquid and spin-glass-like behavior in CeRhSn
我们目前的测量CeRhSn的电阻率的温度依赖性高达~ 27千巴。在低温下，对于所有压力，电阻率随温度线性变化，表明非费米液体行为。低于温度Tf ~ 6 K时，电阻率偏离线性关系.我们发现，低温特征集中在T = Tf显示出压力依赖性dTf/dP ~ 30 mK/kbar，这是典型的正则自旋玻璃。在CeRhSn和Ce0.9La0.1RhSn合金中都观察到了这种自旋玻璃样和非费米液体行为之间的相互作用。
2012-05-31 cond-mat.str-el
On the Kinetic Equation and Electrical Resistivity in Systems with Strong Spin- Hole Interaction
在正则反铁磁$s-d$模型的框架下，考虑了用自旋极化子描述强自旋-空穴相互作用系统（如高温超导体）中空穴运动的动力学方程的构造问题.电阻率的例子表明，动力学是由自旋极化子（而不是“棒孔”）的能带及其准粒子残余物$Z_{k}$的性质决定的。已经考虑了$CuO_{2}$平面的低掺杂和最佳掺杂的情况。它已被证明，重排的光谱较低的极化子带，以及强掺杂的准粒子残留物$Z_{k}$的依赖性是决定性的，在统一考虑这些情况下。
2007-12-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-tuned First-order Phase Transition and Accompanying Resistivity Anomaly in CeZn_{1-δ}Sb_{2}
本文用电阻率和交流磁化率的测量方法研究了近藤晶格系统CeZn_{0.66} Sb_{2}。在P=0 kbar时，铁磁和反铁磁转变分别出现在3.6和0.8 K。T_N处的电阻率在17 kbar附近从Fisher-Langer型（类铁磁）急剧变化到Suzaki-Mori型，即，从电阻率的温度导数的正发散到负发散。压力引起的SM型异常，这表明热滞后，很容易被小的磁场（1.9 kOe为19.8 kbar），表明弱的一级性质的过渡抑制。通过减去一个低压数据集，我们直接将电阻率异常与SM理论进行比较，而不需要任何背景假设，其中dρ/dT的负散度归因于存在超带间隙时临界波动的增强。
2006-03-07 cond-mat.str-el
Electrical transport near quantum criticality in low dimensional organic superconductors
我们提出了一个理论的纵向电阻率在正常相位的准一维有机超导体的量子临界点附近的反铁磁性边界与超导压力下。线性化的半经典Boltzmann方程的数值求解，馈入的半填充电子umklapp散射顶点，来自准一维电子气模型的单圈重整化群计算。umklapp散射的动量和温度依赖性对正相纵向电阻率的行为有重要影响。电阻率被发现是线性的量子临界点附近的自旋密度波顺序加入超导沿antinesting轴的温度，逐渐演变为费米液体的行为在弱超导电性的极限。在压力下对Bechgaard盐系的（TMTSF）$_2$ PF $_6$成员进行了理论和实验之间的比较。
2015-08-21 cond-mat.str-el
Low-temperature electrical transport and double exchange in La(Pb,Ca)MnO
助熔剂法生长的La_{2/3}（Pb，Ca）_{1/3}MnO_3单晶在磁场高达7 T时的铁磁态电阻率在50 K及以上呈现出很强的二次温度依赖性。在较低的温度下，这种贡献急剧下降，使电阻率在20 K以下基本上与温度无关。塞贝克系数还反映了在相同温度下的状态变化。我们将这种行为归因于双交换铁磁体的极化带在长波长处切断了单磁振子散射过程。
1998-05-01 cond-mat.str-el
Electrical Resistivity Anisotropy from Self-Organized One-Dimensionality in High-Temperature Superconductors
研究了非孪晶La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}（x = 0.02 - 0.04）和YBa_{2} Cu_{3} O_{y}（y = 6.35 - 7.0）单晶的面内电阻率各向异性条纹的表现。结果发现，这两个系统显示出强烈的温度依赖性的平面内各向异性的轻空穴掺杂区域和各向异性在YBa_{2} Cu_{3} O_{y}增长与降低y低于约6.60，尽管降低正交性，这给出了最直接的证据，电子自组织成宏观各向异性状态。运输被发现是更容易沿着已经报道的自旋条纹的方向，表明条纹本质上是在铜酸盐中进行。
2002-02-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrical and thermal transport in van der Waals magnets 2H-M$_x$TaS$_2$ (M = Mn, Co)
本文详细研究了M原子嵌入范德华能隙的2 H-M $_x$ TaS $_2$（M = Mn，Co）磁体的电输运和热输运性质。在2 H-Co $_{0.22}$ TaS $_2$中引入了强单轴各向异性的铁磁性，而在2 H-Mn $_x$ TaS $_2$中引入了强单轴各向异性的铁磁性，并最终在2 H-Co $_{0.34}$ TaS $_2$中引入了三维反铁磁性.随温度变化的电阻率显示所有样品的金属行为。2 H-Co $_x$ TaS $_2$的热电势在整个温度范围内均为负值，而2 H-Mn $_x$ TaS $_2$的热电势随Mn的增加由负变正。扩散热电响应占主导地位，在高温和低温范围内的所有样品。在2 H-Mn $_{0.28}$ TaS $_2$（$T_\textrm{c}$ $\approx$ 82 K）和2 H-Co $_{0.34}$ TaS $_2$（$T_\textrm{N}$ $\approx$ 36 K）的磁转变处分别观察到电阻率的明显扭结、热导率的弱异常以及热电势的斜率变化，尽管较低的$x$晶体较弱。霍尔电阻进一步证实了Co的嵌入促进了铁磁到反铁磁的转变，普通霍尔系数的符号变化表明了2 H-Co $_x$ TaS $_2$的多带行为.
2022-02-27 cond-mat.str-el
Magnetic Phase Diagram and Metal-Insulator Transition of NiS2-xSex
用化学输运法生长的NiS_（2-x）Sex单晶，通过电阻率、均匀磁化率和中子衍射的系统研究，重新检验了NiS_（2-x）Sex的磁相图。电阻率和均匀磁化率在宽Se浓度范围内表现出相同的温度依赖性。在0.50<x<0.59时，只在反铁磁有序相中观察到明显的一级金属-绝缘体（M-I）相变，并伴有体积变化。在该区域，M-I相变对交错矩的热演化有重要影响。在顺磁相中，M-I转变变得宽;电阻率和均匀磁化率都在外推到顺磁相的M-I转变线上的温度附近表现出宽的最大值。
2000-06-16 cond-mat.str-el
Electrical resistivity at large temperatures: Saturation and lack thereof
许多过渡金属化合物在高温T下显示电阻率的饱和，而碱掺杂的富勒烯和高Tc铜酸盐通常被认为不显示饱和。我们提出了一个过渡金属化合物的模型，显示饱和，和碱掺杂的富勒烯的模型，显示没有饱和。为了分析结果，我们使用f-求和规则，这导致在大T下电阻率的近似上限。对于某些系统和在低T下，电阻率增加得如此之快，以至于接近实验T的上限。然后电阻率饱和。对于具有弱相互作用电子的过渡金属化合物的模型，上限对应于与Ioffe-Regel条件一致的平均自由程。然而，对于具有强相互作用电子的高Tc铜酸盐模型，上限比Ioffe-Regel条件所建议的要大得多。由于实验数据未超过该极限，因此对于铜酸盐，数据也与饱和一致。在“饱和”之后，电阻率通常缓慢地增长。对于碱金属掺杂的富勒烯，由于取向无序，可以认为T=0时已经发生了“饱和”。然而，对于这些系统，电阻率在“饱和”之后增长得如此之快，以至于这个概念毫无意义。这是由于小的带宽和耦合到重要的声子的能级能量。
2002-09-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic, electrical resistivity, heat-capacity and thermopower anomalies in CeCuAs2
本文报道了ZrCuSi_2型四方晶系CeCuAs_2的磁化率、电阻率（$ρ$）、热容（C）和热电势（S）的测量结果。我们的研究表明，铈是三价的，并没有明确的证据，长程磁有序下降到45 mK。$ρ$的行为值得注意，因为（i）在整个测量范围内，$ρ$的温度（T）系数为负（45 mK至300 K）具有大的$ρ$值，而S行为是金属近藤晶格的典型行为，以及（ii）$ρ$在低温下与T-0.6成比例，而通过施加磁场对指数没有任何影响，其似乎没有将该化合物分类到迄今已知的非费米液体（NFL）系统中。与NFL系统已知的对数增加相反，测量到0.5 K的C/T显示低于2 K。观察到的这种化合物的性质是不寻常的Ce系统。
2004-05-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic magnetization, resistivity and heat capacity of single crystalline R3Ni2-xSn7 (R = La, Ce, Pr and Nd)
我们提出了一个详细的研究R3 Ni 2-xSn 7（R = La，Ce，Pr和Nd）单晶的晶体结构，化学计量，温度依赖的磁化率，磁化强度，电阻率，磁阻和比热的测量。该系列形成部分Ni占位，x从R = La的~ 0.1变化到R = Nd的~0.7。该系列的电阻率遵循高温下的金属行为。测定了R_3Ni_（2-x）Sn_（7）（R = Ce，Pr和Nd）的各向异性和反铁磁有序温度。对于Pr_3Ni_1.56Sn_7和Nd_3Ni_1.34Sn_7，在冷却时发生多个磁转变。在这个家庭（R = Ce，Pr和Nd）的变磁转变被检测到的磁场低于70千奥斯特。组装Ce3Ni1.69Sn7的H-T相图以阐明其低场特性并排除可能的量子临界效应。
2012-12-11 cond-mat.str-el
Spin-fluctuation dominated electrical transport of Ni3Al at high pressure
首次研究了高压下巡游电子铁磁体Ni_3Al的磁量子相变。在金刚石压砧单元中，在高达100 kbar的流体静压和低至50 mK的温度下的电阻率测量表明，居里温度在临界压力pc=82（2）kbar时向绝对零度塌陷。在很宽的压力和温度范围内，无论是在铁磁和顺磁状态，电阻率的温度变化被发现偏离传统的费米液体的形式。我们认为，在何种程度上可以理解的平均场模型的铁磁性的边界上的增强自旋波动的偏差在三维。
2004-11-17 cond-mat.str-el
Two-dimensional electron gas at the interface of the ferroelectric-antiferromagnetic heterostructure Ba_0.8Sr_0.2TiO_3/LaMnO_3
研究了外延铁电Ba $_{0.8}$ Sr $_{0.2}$ TiO $_3$薄膜覆盖不同晶向的LaMnO $_3$单晶异质结构的电阻率随温度的变化关系。异质结构得到的结果进行了比较与单晶LaMnO $_3$的电阻率没有膜。结果表明，当极化轴垂直于晶体表面时，薄膜的电阻率显著降低，在低于~160 K时发生绝缘体-金属转变。对BaTiO $_3$ /LaMnO $_3$异质结构的结构和电子性质进行了从头计算.过渡到2D电子气在界面处示出。
2017-10-19 cond-mat.str-el
Unconventional scaling of resistivity in two-dimensional Fermi liquids
本文研究了相互作用的二维金属系统电阻率的温度依赖性。我们基于半经典玻尔兹曼输运理论对非平衡态进行了数值模拟。通过我们的模拟，我们表明，偏离标准费米液体理论的预测可能会出现由于特殊的散射几何的umklapp过程，在特殊情况下，即使在超低温极限。Umklapp散射需要放松准粒子分布函数的总动量。本文研究了二维准粒子系统的输运性质，其中准粒子在正方形晶格上具有排斥的在位相互作用和非均匀的杂质散射，色散采用单轨道紧束缚模型。我们表明，非常规的缩放特性的电阻率，这往往被解释为一个非费米液体状态的指示，可以出现由于特殊的几何条件的费米面。在我们的简单模型中，费米液体理论的预测出现了强大的偏差，提出了一个新的观点，以解释非常规的电子-电子散射为主的金属系统中的输运性质。
2013-12-23 cond-mat.str-el
T-square dependence of the electronic thermal resistivity in metallic strontium titanate
本文通过分离电子与声子热输运贡献，在铌掺杂钛酸锶中发现电子热阻率呈T平方依赖，并论证该行为无需Umklapp散射，为稀金属中T平方电阻率起源提供新解释。
2023-07-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A Novel Effect of Electron Spin Resonance on Electrical Resistivity
Physical Research Laboratory（物理研究实验室）
本研究将磁阻现象拓展至横向磁场加共振交流场的新场景，发现了由塞曼能级电子退激产生自旋涨落引发的新动量弛豫通道，预测了对应的额外电阻率并估算了量级，拓展了爱因斯坦平衡普朗克公式推导至近平衡系统。
2017-12-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el quant-ph
High pressure investigation of the heavy-fermion antiferromagnet U_3Ni_5Al_19
本文测量了重费米子反铁磁体U_3Ni_5Al_（19）单晶的磁化率、比热和在55 kbar压力下的电阻率。在常压下，当T_N=23 K时，比热和T-线性电阻率的对数T依赖关系表明存在体反铁磁有序时的非费米液体（NFL）行为。电阻率测量揭示了在46 kbar和51 kbar之间的中间压力下从非费米液体到费米液体行为的交叉，然后在更高的压力下返回到NFL T^{3/2}行为。这些结果提供了在P_c=60 kbar时存在环境压力量子临界点和附加反铁磁不稳定性的证据。
2004-09-08 cond-mat.str-el
Fermi-liquid versus non-Fermi-liquid/'strange-metal' fits to the electrical resistivity in the quantum critical magnetic regime of an unconventional superconductor
Institute for Materials Research, Tohoku University（东北大学材料研究所）；Institute for Quantum Materials and Technologies, Karlsruhe Institute of Technology（卡尔斯鲁厄理工学院量子材料与技术研究所）；Univ. Grenoble Alpes, CEA, Grenoble INP, IRIG, PHELIQS（格勒诺布尔阿尔卑斯大学，法国原子能和替代能源委员会，格勒诺布尔国立理工学院，IRIG，PHELIQS）
研究通过对比不同品质的UTe₂样品电电阻数据，探讨非费米液体/'奇异金属'行为是否揭示了隐藏的零温量子临界行为。
2026-04-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced residual resistivity anomaly in CeCu_5Au
在8.5GPa压力下研究了磁有序CeCu_5Au的电阻率。在磁有序区（p<3.4GPa），剩余电阻率ρ 0随压力的变化呈现明显的最大值。即使在100 °区域，rho_0也单调地减少三倍以上。这两种效应可以定性地用弱无序的强关联电子系统中压力、磁性和无序的相互作用来解释。
2000-07-20 cond-mat.str-el
Magnetic and magnetoresistance behavior of Tb7Rh3, an intermetallic compound with a negative temperature coefficient of electrical resistivity in the paramagnetic state, and Paramagnetic Giant Magnetoresistance Phenomenon
直流磁化，电和磁电阻和热容量测量（2-300 K）的结果Tb 7 Rh 3，在Th 7 Fe 3型六方结构结晶，报告。在这种化合物中，磁有序集在约90 K，在低温下具有额外的转变，并且电阻率（R）的温度系数dR/dT在顺磁状态下在很宽的温度范围内为负。磁化结果表明，该化合物在磁场-温度相图中具有丰富的特征。主要强调的一点是，顺磁状态下的dR/dT的符号可以通过施加磁场而逐渐改变。结果，除了在磁有序状态下的巨磁阻行为之外，磁阻（MR）的幅度即使在室温附近（远高于磁有序温度）也相当大。与该系列的其他重稀土元素类似，这类化合物可以被归类为顺磁性巨磁阻系统。一种新的理论方法是必要的，以了解这一现象。
2006-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrical transport in the ferromagnetic state of manganites: Small-polaron metallic conduction at low temperatures
我们报告的电阻率的测量在铁磁状态的外延薄膜的La_{1-x} Ca_{x} MnO_{3}和低温比热的多晶La_{0.8} Ca_{0.2} MnO_{3}。当\hbar ω s}/ k_{B} \simeq为100 K，E为常数时，100 K以下的电阻率可用ρ- ρ o} = E ω s}/sinh^{2}（\hbar ω s}/2 k_{B} T）拟合。这种行为是一致的小极化子相干运动，其中涉及由于软光学声子模式的弛豫。比热数据也表明存在这样的声子模式。因此，目前的结果提供了证据的小极化子金属导电的铁磁态的锰氧化物。
1999-12-02 cond-mat.str-el
Pressure effects on the heavy-fermion antiferromagnet CeAuSb2
f电子化合物CeAuSb_2具有ZrCuSi_2型四方晶系结构，在5 ~ 6.8K之间具有反铁磁性，反铁磁性转变温度T_N取决于Au位的占有率。本文报道了一种优质晶体CeAuSb_2的电阻率和热容，其T_N为6.8K，是该化合物中最高的。磁性转变温度最初被压力抑制，但被2.1 GPa以上的新磁性状态拦截。新相随压力变化呈圆顶状，当压力大于4.7GPa时，新相与另一相共存。电阻率在复磁态下表现为T^2费米液体行为，剩余电阻率和T^2电阻率系数随压力的增大而增大，表明在较高压力下可能存在磁量子临界点.
2012-03-23 cond-mat.str-el
Universal scaling behavior of resistivity under two-dimensional superconducting phase fluctuations
本研究用 Monte Carlo 模拟经典 XY 模型，揭示二维超导体中热相位涨落导致的电阻率普适标度及其 BKT 临界起源。
2024-06-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin singlet small bipolarons in Nb-doped BaTiO3
在较宽的温度范围内测量了n型BaTi{1-x}Nb{x}O3的磁化率和电阻率。发现当0 < x < 0.2时，掺杂电子形成束缚能约为110 meV的自旋单重态小双极化子。对于x = 0.2，在15 K附近的电阻率的最大值表明从带的交叉跳跃运输的载流子，一种现象预期，但很少观察到在真正的极化系统。
2006-05-18 cond-mat.str-el
Thermal and Electrical Properties of gamma-NaxCoO2 (0.70 < x < 0.78)
我们进行了比热和电阻率测量的Na $_{x}$ CoO $_{2}$（$x=0.70$ -0.78）。在$x=0.78$的比热数据中观察到两个异常，对应于先前报道的在$T_{c}=22$ K和$T_{k}\simeq 9$ K处的磁跃迁。在电阻率方面，已经观察到在$T_{c}$处的急剧降低和在$T_{b}$（对于$x=0.78$ = 120 K）处的弯曲状变化。此外，我们已经详细研究了这些参数的$x$依赖性。该体系的物理性质对$x$非常敏感，以前报道的不一致结果可以用$x$的微小差异来解释。此外，对于较高的$x$值，如我们先前所提出的，发生相分离成富Na和贫Na域，而对于较低的$x$值，从低温区域的比热和电阻率的特征行为来看，该系统预计将处于磁不稳定性附近，该磁不稳定性实际上存在于$x=0.70$以下。
2004-07-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
On the bad metallicity and phase diagrams of Fe$_{1+δ}X$ ($X$ =Te, Se, S, solid solutions): an electrical resistivity study
通过对Fe基硫族化合物Fe $_{1+δ}$ Te $_{1-x}X_{x}$（$X$ = Se，S）非金属电阻率热演化过程的系统分析，认为它们的非金属电阻率与两个电阻通道的存在有关：一个是高温热激活过程，另一个是低温登录- $T$过程.在降低温度时，通常存在两个金属-非金属交叉事件：一个从高$T$热活化非金属状态进入类金属相，另一个从登录$T$状态进入第二类金属相。基于这些事件，连同磁和超导转变，相图构造为每个系列。我们讨论了这两个过程的起源以及相关的交叉事件。我们还讨论了这些电阻过程是如何受到压力，嵌入，无序，掺杂，或样品条件的影响，反过来，这些修改是如何塑造相关的相图。
2014-10-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Universal temperature-dependent electrical resistivity in actinides
M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences（俄罗斯科学院乌拉尔分校 M.N. 米凯耶夫金属物理研究所）；Nanotech Centre, Ural Federal University（乌拉尔联邦大学纳米技术中心）
研究针对锕系元素实验ρ(T)曲线差异大且无统一理论拟合的问题，提出基于两个平行传导通道概念的简单模型，能准确拟合多个锕系相及合金的ρ(T)数据，还得出相关德拜温度等结果。
2026-07-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic-field effects on the in-plane electrical resistivity in the single-crystal La$_{2-x}$Ba$_x$CuO$_4$ and La$_{1.6-x}$Nd$_{0.4}$Sr$_x$CuO$_4$ around $x=1/8$: Relating to the field-induced stripe order
测量了La $_{2-x}$ Ba $_x$ CuO $_4$（$x=0.08$，0.10，0.11）和La $_{1.6-x}$ Nd $_{0.4}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x=0.12$）在不同磁场下的面内电阻率$ρ_{\rm ab}$的温度依赖性。已经发现，超导转变曲线显示出所谓的扇形加宽磁场的$x=0.08$，而它移向低温侧平行于增加磁场的$x=0.11$和0.12的电荷自旋条纹秩序是在低温下形成的。对于$x=0.10$，在低场观察到展宽，在9 T以上的高场观察到平行位移。此外，$ρ_{\rm ab}$在低温下的正常状态值随着磁场的增加而显著增加，直到15 T。$x=0.10$的这些显著特征，可能是根据La-214系统中子散射测量结果所建议的条序的磁场诱导稳定性来理解的。已发现低温下正常状态下的$ρ_{\rm ab}$与ln（1/ $T$）成比例，对于$x=0.10$为0.11和0.12。$ρ_{\rm ab}$的ln（1/ $T$）依赖性即使在条带有序状态下也是鲁棒的。
2005-01-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The two-dimensional metallic triangular lattice antiferromagnet CeCd3P3
研究了$R$ Cd $_{3}$ P $_{3}$（$R$ = La和Ce）单晶的磁化强度、电阻率、霍尔系数和比热。CeCd $_{3}$ P $_{3}$的磁化强度测量显示出清晰的准二维磁性行为。电阻率和霍尔系数测量表明，$R$ Cd $_{3}$ P $_{3}$化合物是低载流子密度金属系统，与多晶材料的早期研究形成强烈对比。CeCd $_{3}$ P $_{3}$的比热和电阻率测量表明，在$T_{s} = 127$ ~K处存在高温（结构）相变，在低于$T_{N} = 0.41$ ~K处存在反铁磁有序.当在易平面（$H {\parallel} ab$）内施加磁场时，磁有序温度在$H \sim 15$ ~kOe处升高到0.43~K，表明磁阻挫部分提升.大的电子比热在高于$T_{N}$的异常宽的温度范围内持续存在，这是由于受抑的自旋。在电阻率中的常规金属行为的观察表明，CeCd $_{3}$ P $_{3}$中的$f$ -电子与传导电子进行可忽略的杂化。因此，CeCd $_{3}$ P $_{3}$可能是用于探索低载流子密度Ce三角晶格上的磁阻挫和RKKY物理之间的复杂相互作用的模型系统。
2022-06-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
