Peculiar behavior of the electrical resistivity of MnSi at the ferromagnetic phase transition
在常压和高压下测量了MnSi单晶铁磁相变线上的电阻率。电阻率温度系数的尖峰表征了转变线。这些数据的分析表明，在压力~0.35 GPa，这些峰具有精细的结构，揭示了在峰上方~ 0.5 K处的肩部。在压力高于~ 0.35GPa时，这种结构消失，这是一个征兆，这一点以前被确定为三临界点
2006-06-13 cond-mat.str-el
Electrical Resistivity Anisotropy from Self-Organized One-Dimensionality in High-Temperature Superconductors
研究了非孪晶La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}（x = 0.02 - 0.04）和YBa_{2} Cu_{3} O_{y}（y = 6.35 - 7.0）单晶的面内电阻率各向异性条纹的表现。结果发现，这两个系统显示出强烈的温度依赖性的平面内各向异性的轻空穴掺杂区域和各向异性在YBa_{2} Cu_{3} O_{y}增长与降低y低于约6.60，尽管降低正交性，这给出了最直接的证据，电子自组织成宏观各向异性状态。运输被发现是更容易沿着已经报道的自旋条纹的方向，表明条纹本质上是在铜酸盐中进行。
2002-02-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-phase diagram of UCoGe by ac-susceptibility and resistivity measurements
UCoGe是少数几种在常压下表现出铁磁性和超导性共存的化合物之一。当T_Curie = 3 K和T_SC = 0.6 K时，它接近量子相变;抑制磁性所需的压力略高于1 GPa。我们报告的同时电阻率和交流磁化率测量压力下的多晶非常大的单晶域和电阻率比约为6。这两种方法都证实了以前通过测量多晶体的电阻率所建立的相图。铁磁相被抑制P约1.2 GPa。令人惊讶的是，超导性在压力高达至少2.4 GPa的情况下仍然存在。在其他超导和铁磁重费米子化合物中，如UGe 2和URhGe，超导态仅位于较大的铁磁区域内。因此，UCoGe似乎是超导性从铁磁区延伸到顺磁区的第一个例子。
2009-08-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrical resistivity in 2d Kondo lattice systems
将\cite{konav}中关于近藤晶格材料电阻率的计算从$3d$系统推广到$2d$系统。在本工作中，我考虑一个二维系统，记忆功能的计算。然而，在二维情况下发现的结果与三维系统不同。发现$2d$在低温区（$ k_{B}T\ll μ_d$）电阻率呈幂律（$\frac{1}{T}$）行为，而在高温区（$ k_{B}T\ggμ_d$）电阻率随温度呈线性变化。在$3d$中，这些行为分别称为$\frac{1}{T}$和$T^{\frac{3}{2}}$。
2021-04-25 cond-mat.str-el
Pressure-temperature Phase Diagram of Polycrystalline UCoGe Studied by Resistivity Measurement
最近，铁磁性（T_Curie = 2.8K）和超导性（T_sc = 0.8K）共存的UCoGe，一种在环境压力P下接近铁磁性不稳定性的化合物已被报道。从多晶样品的电阻率测量得到的相图被发现是定性不同的所有其他铁磁超导体。通过施加高压，铁磁性以1.4 K/GPa的速率被抑制。在P ~ 1GPa以上没有观察到铁磁有序的迹象。然而，电阻性超导转变在温度上相当稳定，并持续到最高测量压力约2.4GPa。因此，超导性也会出现在顺磁相中。然而，在特征压力P ~* ~ 0.8GPa下，超导电性的出现似乎发生了变化。接近铁磁不稳定性，样品的均匀性可以强烈地影响电子和磁性，因此体相变可能不同于通过电阻率测量的确定。
2008-04-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrical resistivity ofYb(Rh1-xCox)2Si2 single crystals at low temperatures
本文报道了Yb（Rh 1-xCox）2Si 2单晶（0 <= x <= 0.12）的低温电阻率测量结果。Co在Rh位上的等电子取代导致晶胞体积的减小，从而稳定了反铁磁性。因此，反铁磁转变温度增加后，钴替代。对于x = 0.07 Co含量随后的低温转变观察到的协议与磁化率测量和结果YbRh 2Si 2在静水压力下。以上的尼尔转变的电阻率遵循类似于YbRh 2Si 2的非费米液体行为。
2009-06-16 cond-mat.str-el
Fermi-liquid versus non-Fermi-liquid/'strange-metal' fits to the electrical resistivity in the quantum critical magnetic regime of an unconventional superconductor
Institute for Materials Research, Tohoku University（东北大学材料研究所）；Institute for Quantum Materials and Technologies, Karlsruhe Institute of Technology（卡尔斯鲁厄理工学院量子材料与技术研究所）；Univ. Grenoble Alpes, CEA, Grenoble INP, IRIG, PHELIQS（格勒诺布尔阿尔卑斯大学，法国原子能和替代能源委员会，格勒诺布尔国立理工学院，IRIG，PHELIQS）
研究通过对比不同品质的UTe₂样品电电阻数据，探讨非费米液体/'奇异金属'行为是否揭示了隐藏的零温量子临界行为。
2026-04-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase Diagram of Pressure-Induced Superconductivity in EuFe2As2 Probed by High-Pressure Resistivity up to 3.2 GPa
通过在3.2GPa范围内的电阻率（$ρ$）测量，我们建立了EuFe $_2$ As $_2$单晶中$P$诱导超导电性的压力-温度（$P-T$）相图.由于流体静压的应用，反铁磁（AF）过渡归因于在$T_\mathrm{0}$的FeAs层转移到较低的温度，相应的电阻异常变得不可检测的$P$ $\ge$ 2.5 GPa。这表明$T_\mathrm{0}$变为零的临界压力$P_\mathrm{c}$约为2.5 GPa。我们已经发现，AF顺序的Eu $^{2+}$时刻生存高达3.2 GPa的AF有序温度$T_\mathrm{N}$没有显着的变化。在$T_\mathrm{c}$ $\sim$ 30 K下具有到零电阻率的急剧转变的超导（SC）基态（指示体超导性）出现在从$P_\mathrm{c}$ $\sim$ 2.5 GPa到$\sim$ 3.0 GPa的压力范围内。在接近但在SC相之外的压力下，$ρ(T)$曲线显示部分SC转变（即，没有达到零电阻率），随后是随着温度降低在大约$T_\mathrm{N}$处的折返状隆起。当用固体压力介质施加具有类单轴应变分量的非流体静压时，在1.1 GPa至3.2 GPa的宽压力范围内连续观察到部分超导性。
2011-05-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrical resistivity and tunneling anomalies in CeCuAs2
发现化合物CeCuAs 2在环境压力条件下在整个T-范围的调查（45 mK至300 K），即使在高磁场的存在下，也表现出负的温度（T）电阻率系数（ρ）。初步的隧道光谱测量表明至少在低温下存在伪能隙，从而暗示该化合物可以被归类为近藤半导体，尽管有趣的是没有发现rho（T）是活化型的。
2004-08-03 cond-mat.str-el
Temperature dependent electrical resistivity of a single strand of ferromagnetic single crystalline nanowire
在3 K-300 K温度范围内，用四探针法测量了直径为55 nm的单股铁磁镍纳米线的电阻率。所用的金属丝是化学纯的，是高质量的取向单晶样品，其中与温度无关的剩余电阻率主要由表面散射决定。精确的温度依赖性电阻率（$ρ$）的评估，使我们能够确定定量的电子-声子的贡献（其特征在于德拜温度$θ_R$），以及自旋波的贡献，这是显着抑制尺寸减小。
2009-06-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
La substitution induced linear temperature dependence of electrical resistivity and Kondo behavior in the alloys, Ce_{2-x}La_{x}CoSi_{3}
本文报道了新型合金Ce_{2-x} La_{x} CoSi_{3}的电阻率、热容和磁化率行为。x= 0.0的合金是混合价的，并且La取代Ce（x= 0.25）在低温下引起电阻率的线性温度依赖性，这是与非费米液体行为主题相关的观察结果。对所有合金的近藤效应进行了修正。
1999-02-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Evolution of electrical resistivity and electronic structure of transuranium metals under pressure: Numerical investigations
在相干势近似（CPA）多带电导模型下，研究了纯Np、Pu、Am和Cm金属电子结构随压力的演化对电阻率温度依赖性的影响.在局域密度近似下，采用Hubbard U和自旋轨道耦合修正（LDA+U+SO）方法，计算了纯锕系金属在常压和高压下的电子结构.它们与相应的立方相（bcc或fcc）相比较。后者的态密度被用作电阻率模型研究的起点。所得结果与实验数据吻合良好。根据所提出的电导率模型，利用从头计算的参数，讨论了锕系元素大电阻率的本质。
2010-05-25 cond-mat.str-el
Universal scaling behavior of resistivity under two-dimensional superconducting phase fluctuations
本研究用 Monte Carlo 模拟经典 XY 模型，揭示二维超导体中热相位涨落导致的电阻率普适标度及其 BKT 临界起源。
2024-06-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Comparison of experimental data and theoretical calculations for electrical resistivity and Hall coefficient in quasi-one-dimensional organic conductor (TMTSF)2PF6
最近由Moser等人测量的霍尔系数和电阻率的温度依赖性。84，2674（2000）]中的准一维有机导体（TMTSF）2 PF 6的计算结果与我们以前的理论计算[Synth. Met. 103，2202（1999）; Eur. J. B 11，385（1999）]。我们发现一个很好的协议，虽然不是一个完全一致的参数集的两个数量，没有呼吁Luttinger液体的概念。
2000-09-24 cond-mat.str-el
Interplay between interaction and chiral anomaly: Anisotropy in the electrical resistivity of interacting Weyl metals
我们预测，长程相互作用引起的各向异性的外尔金属的电阻率在低温下，当电场施加到动量矢量的方向连接两个成对的外尔点的电阻率变得大大降低。通过重整化群分析，我们发现在低温下，两个Weyl点之间的距离呈幂律增长，而这种相互作用的耦合常数则呈幂律负增长.考虑到Adler-Bell-Jackiw异常，这两个Weyl点之间的散射被抑制，以增加“纵向”方向的电导率，这在相互作用预计会降低金属丰度方面是违反直觉的。我们还提出，在霍尔效应的异常贡献显示的对数增强作为一个函数的温度，源于一个事实，即异常霍尔系数原来是成比例的两对Weyl点之间的距离。与拓扑约束的相关性允许意想不到的和奇异的输运性质。
2013-04-07 cond-mat.str-el
T-square dependence of the electronic thermal resistivity in metallic strontium titanate
本文通过分离电子与声子热输运贡献，在铌掺杂钛酸锶中发现电子热阻率呈T平方依赖，并论证该行为无需Umklapp散射，为稀金属中T平方电阻率起源提供新解释。
2023-07-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of pressure cycling on Iron: Signatures of an electronic instability and unconventional superconductivity
对Fe单晶进行了高压电阻率和X射线衍射实验。晶体学研究提供了直接的证据，在马氏体$bcc \rightarrow hcp$转变在14 GPa的$\lbrace 110\rbrace_{bcc}$成为$\lbrace 002\rbrace_{hcp}$方向。在压力循环期间，电阻率显示出6.5 GPa的宽滞后，而在13和31 GPa之间观察到的超导性保持不受影响。当压力增加时，在19 GPa附近观察到电子不稳定性，可能是量子临界点，并且接近该压力，超导$T_{c}$和等温电阻率（$0<T<300\,$ K）达到最大值。在超导压力域，指数$n = 5/3$的电阻率的温度幂律和它的前因子，它模仿$T_{c}$，表明铁磁波动可能提供胶的库珀对，产生非常规的超导性。
2013-06-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Low-temperature electrical resistivity in paramagnetic spinel LiV2O4
3d电子尖晶石化合物LiV_2O_4在30K以下表现出重费米子行为，这与反铁磁自旋涨落在动量空间的扩展区域中强烈增强有关。这种机制解释了增强的热力学量和近临界NMR弛豫的自洽重整化（SCR）理论的框架。在这里，我们表明，低T费米液体行为的电阻率和偏离这种行为的更高的T也可以理解的上下文中。我们计算了电阻率ρ（T）的温度依赖性，假设准粒子散射的两种基本机制，即杂质散射和自旋涨落散射，在低温下同时起作用。计算是基于ρ（T）的微扰级数展开形式的变分原理。LiV_2O_4中ρ（T）的一个特殊行为与低能自旋涨落的性质有关，其T依赖性由SCR理论得到。
2010-08-11 cond-mat.str-el
Low temperature resistivity studies of SmB6: Observation of twodimensional variable-range hopping conductivity
我们研究了SmB 6单晶样品的电阻，重点是“低温电阻率平台”区域。我们的观察没有显示出任何真正的饱和电阻在温度低于3 K下降到70 mK。根据我们的发现，在70 mK以上的温度区间内，电导率的温度依赖性可以分解为温度无关项和温度激活项，这两项可以用二维系统的变程跳跃公式exp[-T0/T）^1/3]来描述。因此，我们的研究结果表明，在SmB 6的近表面区域的跳跃型电输运的重要性。
2017-09-06 cond-mat.str-el
Electrical resistivity of the Ti4O7 Magneli phase under high pressure
我们已经测量了电阻率作为温度和压力的函数的Ti4O7孪晶使用不同的接触配置。超过4kbar的压力抑制了双极化子的局域化，并允许研究双极化子相的电导下降到低温。当压力P > 40 kbar时，双极化子的形成转变被抑制，电阻率几乎与压力无关。我们观察到了各向异性传导。当电流平行于主轴注入时，具有相互作用的载流子效应的金属传导是主要的。超导状态没有得到下降到1.2 K，虽然量子临界点附近的证据被注意到。当电流注入方向不平行于晶体的主轴时，我们得到了低温下电阻率的对数发散。在这种情况下，我们的结果可以解释的框架中的相互作用的载流子（极化子或双极化子）散射的二能级系统的高压制度。
2003-10-02 cond-mat.str-el
High pressure effects on the electrical resistivity behavior of the Kondo lattice, YbPd2Si2
我们报告的外部压力（P=高达8 GPa）的Yb基近藤晶格，YbPd2Si2，不进行磁有序在环境压力条件下的电阻率的温度依赖性的影响。由于施加外部压力，电阻率的温度依赖性发生质的变化。虽然发现电阻率在低于15 K（低至45 mK）的费米液体特性下呈二次方变化，但在P= 1 GPa时，在低于0.5 K时观察到电阻率下降。由于电阻值没有达到零，我们试图将这种下降归因于磁有序，而不是超导性。发生这种下降的温度经历一个峰值，作为P的函数（2 GPa时为8 K，较高压力时约为5 K）。模拟了多尼亚克的磁相图我们的结论是，这是一个少数的Yb基化学计量材料，其中一个可以通过施加外压从价态波动到磁有序。
2004-07-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Saturation of electrical resistivity
在许多具有大电阻率的金属系统中观察到电阻率饱和，即，当电阻率达到临界值时，其随温度的进一步增加基本上被减小。这通常发生在表观平均自由程与原子间距离相当时-Ioffe-Regel条件。最近，发现了几个例外。在这里，我们回顾了电阻率饱和的实验结果和早期的理论。然后，我们描述了最近的理论工作，解决的情况下，Ioffe-Regel条件得到满足，它被违反。特别是，我们展示了如何在有关系统的某些假设下用量子力学推导出（半经典）Ioffe-Regel条件，以及为什么对于高Tc铜氧化物和碱金属掺杂富勒烯来说违反了这些假设。
2003-05-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of synthesis conditions on the electrical resistivity of TiSe$_2$
稀杂质和生长条件可以显著影响TiSe $_2$的输运性质，特别是低于电荷密度波跃迁。在本文中，我们讨论了冷却速度，退火时间和退火温度对TiSe $_2$的输运性质的影响：多晶TiSe $_2$合成后的缓慢冷却急剧增加低温电阻率，这是在相反的金属行为的单晶TiSe $_2$由于电荷掺杂从残留的碘传输剂。首次观察到多晶TiSe $_2$样品在冷却时电阻率呈对数增长，并且在零场附近具有尖锐的尖点，这表明由于低维性导致了弱的局域化效应.低温退火也有类似的效果，但不那么剧烈。此外，从高温快速淬火的多晶样品的无序冻结，导致在低温电阻率下降。
2019-09-17 cond-mat.str-el
Enhanced electrical resistivity before Néel order in the metals, RCuAs$_2$ (R= Sm, Gd, Tb and Dy
本文报道了一类RCuAs $ρ$（R=稀土）三元金属间化合物的电阻率随温度变化的反常行为。对于某些稀土元素（Sm、Gd、Tb和Dy），其4f杂化可以忽略不计，在远高于相应的Néel温度（T $_N$）的$ρ$（T）中存在明显的最小值。然而，对于由于4f-共价混合和近藤效应而更倾向于表现出这种$ρ$（T）最小值的稀土，该最小值被抑制。这些发现，很难解释在迄今为止已知的概念，提出了一个有趣的场景在磁性。
2003-06-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Crystalline electric field effects in the electrical resistivity of PrOs$_4$Sb$_{12}$
最近发现的重费米子超导体\PrOsSb{}的电阻率$ρ$的温度$T$和磁场$H$的依赖关系具有与晶体电场（CEF）分裂Pr $^{3+}$ Hund规则多重态相关的特征。这些功能显然是由于磁交换和非球面库仑散射的热填充CEF分裂Pr $^{3+}$能级。零磁场下的$ρ(T)$数据可以通过基于CEF理论对不同磁交换比和非球面库仑散射的计算得到很好的描述，并得到与以前由磁化率、比热和非弹性中子散射测量得到的CEF参数定性一致的CEF参数。计算的$ρ(H)$等温线的$Γ_{3}$基态定性占“圆顶形”的功能，在测量的$ρ(H)$等温线。
2003-03-21 cond-mat.str-el
Pressure-induced residual resistivity anomaly in CeCu_5Au
在8.5GPa压力下研究了磁有序CeCu_5Au的电阻率。在磁有序区（p<3.4GPa），剩余电阻率ρ 0随压力的变化呈现明显的最大值。即使在100 °区域，rho_0也单调地减少三倍以上。这两种效应可以定性地用弱无序的强关联电子系统中压力、磁性和无序的相互作用来解释。
2000-07-20 cond-mat.str-el
High Pressure Measurements of the Resistivity of $β$-YbAlB$_4$
用高质量的Yb基重费米子系统$β$ -YbAlB $_4$单晶测量了在静水压力下的电阻率$ρ(T)$，压力高达8 GPa，温度高于2K。我们发现压力诱导的磁有序的临界压力$P_{\rm c} \approx $ 2.4 GPa以上。该相变温度$T_M$随压力增大而升高，在8 GPa压力下达到30 K，这是Yb基重费米子化合物的最高相变温度。相反，电阻率对低于$P_c$的压力不敏感，并且在2和20 K之间的温度范围内表现出$T$线性行为。我们的结果表明，$β$ -$_4$的量子临界除了环境压力外，还位于$P_{\rm c}$附近.
2015-01-15 cond-mat.str-el
Saturation of electrical resistivity in metals at large temperatures
我们提出了一个微观模型的系统电阻率饱和。一个基本上精确的量子Monte-Carlo计算表明，该模型描述饱和。我们给出了一个简单的解释饱和，使用电荷守恒和考虑的限制，热激发声子破坏了周期性。关键的模型特征是声子耦合到跳跃矩阵元素和一个单位细胞与几个原子。我们证明了与碱掺杂C60模型的差异与耦合的水平位置，其中没有饱和。
2002-01-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of pressure on superconductivity in doped topological crystalline insulator Sn0.5In0.5Te
我们报告的流体静压力的影响，最佳（铟）掺杂的SnTe的超导性，这是建立来自拓扑晶体绝缘相。采用改进的Bridgman法合成了Sn 1-xInxTe单晶，其最大超导温度为4.4K（x= 0.5）。在Sn_（0.5）In_（0.5）Te晶体上施加2.5GPa的静水压，测量了电阻率随温度和压力的变化。我们观察到的起始超导转变温度从4.4 K到2.8 K的压力增加到2.5 GPa。正常状态的电阻率也突然下降了一个数量级，在0.5 GPa，但对于更高的压力，同样的下降幅度不大。从起始电阻率、偏移电阻率和零电阻率值确定dTc/dP为-0.6K/GPa。低温正常态的电阻率随T^2的变化关系，表明在环境和高压下的费米液体行为。这种金属特性的增加伴随着正常状态的费米液体的行为是根据一个圆顶结构的Tc变化与不同的载流子浓度。
2015-03-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Resistivity of non-Fermi liquid U2Pt2In under pressure
本文用电阻率实验研究了U_2Pt_2In单晶的非费米液体行为||c）在静水压力下（P<1.5GPa）。在环境压力下，电阻率rho（T）遵循幂律rho~T^alpha，其中alpha~0.5。在施加压力时，α增加。当P>1 GPa时，ρ（T）出现最小值。对最小值的场依赖性的研究证实了它的磁起源。提出了用c/a比代替晶胞体积作为有效控制参数。
1999-07-20 cond-mat.str-el
Quantum Oscillations of Electrical Resistivity in an Insulator
在金属中，费米表面上的传导电子的轨道运动在磁场中被量子化，这表现为电阻率的量子振荡。这种朗道量子化在绝缘体中通常是不存在的。在这里，我们报告一个值得注意的例外，在绝缘体，镱十二硼化（YbB12）。尽管YbB_（12）的电阻率远大于金属的电阻率，但它表现出深刻的量子振荡。这种非常规的振荡被证明是由绝缘体引起的，但其振幅的温度依赖性遵循传统的费米液体金属理论。大的有效质量表明存在由强关联电子组成的费米面。我们的结果揭示了YbB 12的一个神秘的二分基态：它既是一个电荷绝缘体，又是一个强关联金属。
2019-05-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Chiral Phonons and Electrical Resistivity of Ferromagnetic Metals at Low Temperatures
铁磁性是物质的一个激发相，表现出强关联电子行为，也是自发破缺旋转对称性的一个标准例子：在居里温度以下，各向同性单畴铁磁金属中的原子磁体沿着自发选择的方向排列。传导电子从热扰动到该自旋序的散射，以及电子-电子碰撞，标志着材料在低温下的电学行为，其中电阻率主要随温度二次变化。然而，在液氦温度附近，发生了一个有趣的现象，引起了额外的\emph{linear}对电阻率随温度变化的贡献，其理论解释长期以来遇到了问题。在这里，我介绍了自旋翻转散射机制的铁磁金属中的传导电子所产生的相互作用与内部磁感应和介导的手征模式的晶格振动携带自旋1。这一机制能够解释上述反常现象，并能很好地解释铁、钴和镍在室温下的自旋-晶格弛豫时间。
2018-04-05 cond-mat.other cond-mat.str-el
Kondo effect in CeX$_{c}$ (X$_{c}$=S, Se, Te) studied by electrical resistivity under high pressure
我们已经测量了电阻率的铈monochalcogenices，CeS，CeSe和CeTe，在高压下高达8 GPa。反铁磁有序温度$T_{N}$、晶场分裂和近藤效应的$\ln T$异常的压力依赖性已被研究，以覆盖从低压下的磁有序区到高压下的费米液体区的整个区域。$T_{N}$最初随着压力的增加而增加，并在高压下开始减少，如从Doniach图所预期的。同时，$\ln T$在电阻率中的行为增强，表明压力增强了近藤效应。CeX $_{c}$的特征还在于，晶场分裂以$-12.2$ K/GPa的常见速率迅速减小。这导致$f$态简并度的增加和近藤效应的进一步增强。结果表明，$f$态的压力相关简并度是理解$T_{N}$、近藤效应、磁电阻和电阻率温度相关峰结构的压力相关性的关键因素.
2015-12-21 cond-mat.str-el
Pressure-induced superconductivity in polycrystalline La3Ni2O7
本研究合成无高氧压后退火的多晶La3Ni2O7样品，观测到压力诱导的超导现象，零电阻温度随压力从9 GPa下6.6 K升至14.5 GPa下35.6 K，证实了该体系的超导性并推动相关研究。
2023-10-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the bad metallicity and phase diagrams of Fe$_{1+δ}X$ ($X$ =Te, Se, S, solid solutions): an electrical resistivity study
通过对Fe基硫族化合物Fe $_{1+δ}$ Te $_{1-x}X_{x}$（$X$ = Se，S）非金属电阻率热演化过程的系统分析，认为它们的非金属电阻率与两个电阻通道的存在有关：一个是高温热激活过程，另一个是低温登录- $T$过程.在降低温度时，通常存在两个金属-非金属交叉事件：一个从高$T$热活化非金属状态进入类金属相，另一个从登录$T$状态进入第二类金属相。基于这些事件，连同磁和超导转变，相图构造为每个系列。我们讨论了这两个过程的起源以及相关的交叉事件。我们还讨论了这些电阻过程是如何受到压力，嵌入，无序，掺杂，或样品条件的影响，反过来，这些修改是如何塑造相关的相图。
2014-10-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic-field effects on the in-plane electrical resistivity in the single-crystal La$_{2-x}$Ba$_x$CuO$_4$ and La$_{1.6-x}$Nd$_{0.4}$Sr$_x$CuO$_4$ around $x=1/8$: Relating to the field-induced stripe order
测量了La $_{2-x}$ Ba $_x$ CuO $_4$（$x=0.08$，0.10，0.11）和La $_{1.6-x}$ Nd $_{0.4}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x=0.12$）在不同磁场下的面内电阻率$ρ_{\rm ab}$的温度依赖性。已经发现，超导转变曲线显示出所谓的扇形加宽磁场的$x=0.08$，而它移向低温侧平行于增加磁场的$x=0.11$和0.12的电荷自旋条纹秩序是在低温下形成的。对于$x=0.10$，在低场观察到展宽，在9 T以上的高场观察到平行位移。此外，$ρ_{\rm ab}$在低温下的正常状态值随着磁场的增加而显著增加，直到15 T。$x=0.10$的这些显著特征，可能是根据La-214系统中子散射测量结果所建议的条序的磁场诱导稳定性来理解的。已发现低温下正常状态下的$ρ_{\rm ab}$与ln（1/ $T$）成比例，对于$x=0.10$为0.11和0.12。$ρ_{\rm ab}$的ln（1/ $T$）依赖性即使在条带有序状态下也是鲁棒的。
2005-01-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Observation of a temperature dependent electrical resistance minimum above the magnetic ordering temperature in Gd$_2$PdSi$_3$
报道了Gd基金属间化合物Gd $_{2}$ PdSi $_{3}$的电阻率、磁阻、磁化率、热容和Gd穆斯堡尔谱的测量结果。感兴趣的发现是，电阻率意外地在约45 K处显示出明确定义的最小值，远高于长程磁有序温度（21 K），这是通过施加磁场而得到抑制的特征。在Gd合金中的这种观察呈现了一种有趣的情况。在此基础上，我们提出了由s-f（或d-f）交换相互作用先于长程磁序诱导的电子局域化是电阻极小值的一种机制.
1998-11-27 cond-mat.str-el
A novel method for determining the resistivity of compressed superconducting materials
针对高压下各向异性层状超导材料电阻率测量难题，本文提出结合常压电阻率、样品尺寸、晶格参数与高压电阻的新测定方法，并在铜氧化物超导体中验证其有效性。
2024-02-26 cond-mat.str-el
Pressure-tuned First-order Phase Transition and Accompanying Resistivity Anomaly in CeZn_{1-δ}Sb_{2}
本文用电阻率和交流磁化率的测量方法研究了近藤晶格系统CeZn_{0.66} Sb_{2}。在P=0 kbar时，铁磁和反铁磁转变分别出现在3.6和0.8 K。T_N处的电阻率在17 kbar附近从Fisher-Langer型（类铁磁）急剧变化到Suzaki-Mori型，即，从电阻率的温度导数的正发散到负发散。压力引起的SM型异常，这表明热滞后，很容易被小的磁场（1.9 kOe为19.8 kbar），表明弱的一级性质的过渡抑制。通过减去一个低压数据集，我们直接将电阻率异常与SM理论进行比较，而不需要任何背景假设，其中dρ/dT的负散度归因于存在超带间隙时临界波动的增强。
2006-03-07 cond-mat.str-el
Giant generic topological Hall resistivity of MnSi under pressure
我们报告详细的低温磁输运和磁化强度的测量下的压力高达$\sim12\,{\rm kbar}$的MnSi。跟踪样品质量的作用，压力变送器，和字段和温度的历史，使我们能够链接到一个巨大的拓扑霍尔电阻率$\sim50\,{\rm nΩcm}$的skyrmion晶格相在环境压力的出现。我们表明，拓扑霍尔电阻率在零温度极限的显着大的尺寸必须是通用的。我们讨论了各种机制，可以导致在环境压力下观察到的温度升高时的信号小得多。
2014-04-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Resistivity in the Vicinity of a Van Hove Singularity: Sr$_2$RuO$_4$ Under Uniaxial Pressure
本文报道了非常规超导体Sr $_2$ RuO $_4$在单轴压力下的正常态电阻率和超导转变温度$T_c$的综合研究结果。有强有力的证据表明，除了在$\sim$ 3.5 K下驱动$T_c$通过最大值之外，沿着晶体[100]轴的接近1%的压缩应变$\varepsilon$驱动$γ$费米表面片通过Van Hove奇点，将电阻率的温度依赖性从过渡区上方和下方的$T^2$改变为过渡区内的$T^{1.5}$。这发生在极纯的单晶中其中杂质对电阻率的贡献为$<$ 100 n $Ω$ cm，因此我们的研究还强调了单轴压力作为清洁系统中这类物理学的更一般探针的潜力。
2017-09-19 cond-mat.str-el
A Novel Effect of Electron Spin Resonance on Electrical Resistivity
Physical Research Laboratory（物理研究实验室）
本研究将磁阻现象拓展至横向磁场加共振交流场的新场景，发现了由塞曼能级电子退激产生自旋涨落引发的新动量弛豫通道，预测了对应的额外电阻率并估算了量级，拓展了爱因斯坦平衡普朗克公式推导至近平衡系统。
2017-12-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el quant-ph
Emergence of a metallic meta-stable phase induced by electrical current in Ca_2RuO_4
结合宏观电输运和微观X射线衍射两个实验探针，对莫特绝缘体Ca_2RuO_4在电流驱动下的行为进行了综合研究。绘制了电阻率ρ对电流密度J和温度T的电阻率图。特别地，研究了电流偏置Ca_2RuO_4单晶在绝缘态和金属热力学态之间诱导的亚稳态。结合对所得RuO_6八面体能级的研究，这种分析表明，在亚稳区出现了金属晶体相。这种相的特殊性质，共存于完善的正交绝缘和四金属相，允许解释一些非常规的和令人困惑的行为在实验中观察到的，作为一个负微分电阻率。
2019-12-03 cond-mat.str-el
Electrical resistivity at large temperatures: Saturation and lack thereof
许多过渡金属化合物在高温T下显示电阻率的饱和，而碱掺杂的富勒烯和高Tc铜酸盐通常被认为不显示饱和。我们提出了一个过渡金属化合物的模型，显示饱和，和碱掺杂的富勒烯的模型，显示没有饱和。为了分析结果，我们使用f-求和规则，这导致在大T下电阻率的近似上限。对于某些系统和在低T下，电阻率增加得如此之快，以至于接近实验T的上限。然后电阻率饱和。对于具有弱相互作用电子的过渡金属化合物的模型，上限对应于与Ioffe-Regel条件一致的平均自由程。然而，对于具有强相互作用电子的高Tc铜酸盐模型，上限比Ioffe-Regel条件所建议的要大得多。由于实验数据未超过该极限，因此对于铜酸盐，数据也与饱和一致。在“饱和”之后，电阻率通常缓慢地增长。对于碱金属掺杂的富勒烯，由于取向无序，可以认为T=0时已经发生了“饱和”。然而，对于这些系统，电阻率在“饱和”之后增长得如此之快，以至于这个概念毫无意义。这是由于小的带宽和耦合到重要的声子的能级能量。
2002-09-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure dependence of the resistivity around valence transition based on 1/N-expansion study for extended Anderson lattice
本文研究了一维扩展周期Anderson模型（PAM）中f与导电电子U_fc之间存在库仑排斥时的电阻率在价态跃迁附近的行为。通过在（1/N）^0中使用1/N展开式，其中N是f电子的自旋轨道简并度，如以前的工作所看到的，随着原子f能级的增加，价跃迁发生在临界U_fc处。我们基于扩展的PAM模型计算了包括晶场在内的整个温度范围内的电阻率，并研究了Ufc相互作用对Kondo温度等物理性质的影响。结果，电阻率的双峰结构通过近藤温度的快速增加而迅速消失。
2006-07-31 cond-mat.str-el
Magnetic, electrical resistivity, heat-capacity and thermopower anomalies in CeCuAs2
本文报道了ZrCuSi_2型四方晶系CeCuAs_2的磁化率、电阻率（$ρ$）、热容（C）和热电势（S）的测量结果。我们的研究表明，铈是三价的，并没有明确的证据，长程磁有序下降到45 mK。$ρ$的行为值得注意，因为（i）在整个测量范围内，$ρ$的温度（T）系数为负（45 mK至300 K）具有大的$ρ$值，而S行为是金属近藤晶格的典型行为，以及（ii）$ρ$在低温下与T-0.6成比例，而通过施加磁场对指数没有任何影响，其似乎没有将该化合物分类到迄今已知的非费米液体（NFL）系统中。与NFL系统已知的对数增加相反，测量到0.5 K的C/T显示低于2 K。观察到的这种化合物的性质是不寻常的Ce系统。
2004-05-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrical and magnetic properties of the new Kondo-lattice compound Ce3Pd4Ge4
我们测量了新的近藤晶格化合物Ce_3Pd_4Ge_4的电阻率、磁电阻、磁化率和磁化强度。电阻率在低于6K的温度下表现出快速下降，而磁化率在该温度下没有显示出任何相应的异常。这一现象类似于Ce_3Pd_20Ge_6的四极相互作用。我们认为在正交晶系的4f电子系统Ce_3Pd_4Ge_4中存在四极相互作用的可能性。此外，还认识到自旋相关散射效应是磁输运的原因。
2002-02-25 cond-mat.str-el
Pressure effects on the heavy-fermion antiferromagnet CeAuSb2
f电子化合物CeAuSb_2具有ZrCuSi_2型四方晶系结构，在5 ~ 6.8K之间具有反铁磁性，反铁磁性转变温度T_N取决于Au位的占有率。本文报道了一种优质晶体CeAuSb_2的电阻率和热容，其T_N为6.8K，是该化合物中最高的。磁性转变温度最初被压力抑制，但被2.1 GPa以上的新磁性状态拦截。新相随压力变化呈圆顶状，当压力大于4.7GPa时，新相与另一相共存。电阻率在复磁态下表现为T^2费米液体行为，剩余电阻率和T^2电阻率系数随压力的增大而增大，表明在较高压力下可能存在磁量子临界点.
2012-03-23 cond-mat.str-el
Crystallography, magnetic susceptibility, heat capacity, and electrical resistivity of heavy fermion LiV$_2$O$_4$ single crystals grown using a self-flux technique
磁纯尖晶石化合物${\rm LiV_2O_4}$是一种稀有的$d$-电子重费米子.需要对单晶进行测量以澄清纯材料中重费米子行为的机制。此外，它是已知的，小浓度（$< 1$摩尔%）的结构中的磁性缺陷强烈影响的性质，和含有磁性缺陷的单晶的测量将有助于理解后者的行为。在此，我们报告的流量增长的${\rm LiV_2O_4}$和初步测量，以帮助解决这些问题。一些生长的晶体的磁化率在低温下表现出居里样的上升，表明尖晶石结构内存在磁缺陷。通过在700 $^\circ$ C下退火，可以消除某些晶体中的磁缺陷。对于含有磁缺陷浓度为${\rm_{defect}}$ = 0.5摩尔%的晶体，在1.8 K的温度下获得了非常高的比热系数$γ$ = 450 mJ/（mol K ${^2}$）。$n$ ${\rm _{defect}}$ = 0.01摩尔%的晶体显示出50的残余电阻率比。
2007-09-19 cond-mat.str-el
Magnetic and magnetoresistance behavior of Tb7Rh3, an intermetallic compound with a negative temperature coefficient of electrical resistivity in the paramagnetic state, and Paramagnetic Giant Magnetoresistance Phenomenon
直流磁化，电和磁电阻和热容量测量（2-300 K）的结果Tb 7 Rh 3，在Th 7 Fe 3型六方结构结晶，报告。在这种化合物中，磁有序集在约90 K，在低温下具有额外的转变，并且电阻率（R）的温度系数dR/dT在顺磁状态下在很宽的温度范围内为负。磁化结果表明，该化合物在磁场-温度相图中具有丰富的特征。主要强调的一点是，顺磁状态下的dR/dT的符号可以通过施加磁场而逐渐改变。结果，除了在磁有序状态下的巨磁阻行为之外，磁阻（MR）的幅度即使在室温附近（远高于磁有序温度）也相当大。与该系列的其他重稀土元素类似，这类化合物可以被归类为顺磁性巨磁阻系统。一种新的理论方法是必要的，以了解这一现象。
2006-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetotransport as a probe of phase transformations in metallic antiferromagnets: the UIrSi$_3$ case
测量了类伊辛反铁磁体UIrSi 3的电阻、霍耳电阻和热电势随温度和磁场的变化。我们观察到一级和二级磁相变的明显不同的特征导致了在相应的临界温度和磁场附近的明显不同的磁输运性质。在反铁磁状态下，磁对电阻率和霍尔电阻率的贡献，以及顺磁状态下的极化和正常状态由不同的潜在机制驱动。在三临界点附近的磁输运的详细测量的结果表明，霍尔电阻率的步骤在相变改变极性就在这一点上。比热、电阻率、霍尔电阻率和塞贝克系数随磁场的变化在一阶变磁转变时的跳跃表明费米面重构，这是磁场诱导的Lifshitz转变的特征。所提出的结果强调有用的电和热输运性质的测量作为敏感的探头的磁相变在反铁磁体有时很难检测到其他方法。
2019-06-11 cond-mat.str-el
High-pressure study of non-Fermi liquid and spin-glass-like behavior in CeRhSn
我们目前的测量CeRhSn的电阻率的温度依赖性高达~ 27千巴。在低温下，对于所有压力，电阻率随温度线性变化，表明非费米液体行为。低于温度Tf ~ 6 K时，电阻率偏离线性关系.我们发现，低温特征集中在T = Tf显示出压力依赖性dTf/dP ~ 30 mK/kbar，这是典型的正则自旋玻璃。在CeRhSn和Ce0.9La0.1RhSn合金中都观察到了这种自旋玻璃样和非费米液体行为之间的相互作用。
2012-05-31 cond-mat.str-el
Conductivity and Resistivity of Dirac Electrons in Single-Component Molecular Conductor [Pd(dddt)_2]
本文用紧束缚模型计算了单组分分子导体[Pd（dddt）_2]在压力下的电导率和电阻率，研究了压力下的Dirac电子，给出了半金属或绝缘体的节线。电导率的温度（T）依赖性表明，由于狄拉克锥，电导率在低T下在压力下线性增加，但在高T下几乎保持恒定。此外，在较低的压力下，由于非常规间隙，导电性被抑制，这是通过计算电阻率来检查的。即使在狄拉克锥所描述的情况下，电阻率也表现出类似赝隙的行为。这种行为起源于一个新的作用的节线半金属其次是一个赝隙，这是不同的带隙。本文的结果合理地解释了实验中观察到的电阻率现象。
2018-07-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrical transport near quantum criticality in low dimensional organic superconductors
我们提出了一个理论的纵向电阻率在正常相位的准一维有机超导体的量子临界点附近的反铁磁性边界与超导压力下。线性化的半经典Boltzmann方程的数值求解，馈入的半填充电子umklapp散射顶点，来自准一维电子气模型的单圈重整化群计算。umklapp散射的动量和温度依赖性对正相纵向电阻率的行为有重要影响。电阻率被发现是线性的量子临界点附近的自旋密度波顺序加入超导沿antinesting轴的温度，逐渐演变为费米液体的行为在弱超导电性的极限。在压力下对Bechgaard盐系的（TMTSF）$_2$ PF $_6$成员进行了理论和实验之间的比较。
2015-08-21 cond-mat.str-el
