Quantum Ring in Gapped Graphene Layer with Wedge Disclination in the Presence of an Uniform Magnetic Field
本文研究了在均匀磁场作用下具有楔向错的石墨烯层中质量激发的相对论量子动力学。我们使用狄拉克振子型耦合在这个系统中引入大质量费米子的限制势。我们得到了量子环被Aharonov-Bohm磁通穿透后出现持续电流和自发磁化的能谱和本征函数。
2018-04-03 cond-mat.mes-hall quant-ph
Quantum transport in gapped graphene under strain and laser--electrostatic barriers
Laboratory of Theoretical Physics, Faculty of Sciences, Chouaïb Doukkali University（舒瓦伊布杜卡利大学理学院理论物理实验室）；Vicerrectoría de Investigación y Postgrado, Universidad de La Serena（拉塞雷纳大学研究与研究生院）；Instituto de Alta Investigación, Universidad de Tarapacá（塔拉帕卡大学高等研究院）
研究激光调制势垒下有隙石墨烯中的电子输运，探讨应变、能隙和势能对传输概率的影响，揭示应变诱导的Fano型振荡及激光场强度与频率对传输的调控作用。
2026-04-21 cond-mat.mes-hall quant-ph
Transport Properties in Gapped Bilayer Graphene
研究了介电层带隙的AB堆叠双层石墨烯（AB-BLG）中矩形势垒的输运性质。使用Dirac-like哈密顿与传输矩阵的方法，我们得到的传输和反射概率以及相关的电导。对于两带模型和垂直入射，我们发现额外的共振出现在传输相比，偏置AB-BLG，这是法布里-珀罗共振类型。现在，通过考虑层间偏压，我们表明，传输和反克莱因隧穿都减少。对于四带模型，我们发现能隙在一个能量范围内抑制传输，表现出类似于“墨西哥帽”的行为。我们检查的总电导，并表明，它是由AA堆叠的双层石墨烯相比，间隙的影响。此外，我们发现电导的抑制比偏压AB-BLG更重要。
2021-01-23 cond-mat.mes-hall quant-ph
Temperature dependent screened electronic transport in gapped graphene
我们报告我们的理论计算的温度和能量依赖的带隙石墨烯的电导率的玻尔兹曼传输形式主义的框架内。由于屏蔽效应在解释无间隙石墨烯的导电性方面具有至关重要的作用，因此我们首先分别计算出带隙石墨烯的温度相关极化函数作为波矢和带隙的函数的行为。将带隙石墨烯的极化与无隙石墨烯、双层石墨烯和2DEG的极化进行了比较，以观察间隙的影响。研究发现，带隙石墨烯的极化函数对温度、波矢和带隙有很强的依赖性，这种影响转化为带隙石墨烯的电导率。观察到带隙石墨烯的导电性的性质是非单调的，范围从好到差到半导电。我们还发现，作为温度的函数计算的电导率平均超过准粒子能量显着不同的费米能量计算，这表明一个显着的贡献，温度依赖的电导率是由电子接近费米能级。
2015-04-06 cond-mat.mes-hall
Perspectives for gapped bilayer graphene polaritonics
双层石墨烯通常是一种具有抛物线色散的半金属，但是通过外部电势打破层之间的对称性可以打开高达几百meV的可调带隙。从头计算结果表明，带隙附近的光学响应是强烈的束缚激子，其特性和选择规则不同于通常的激子在半导体量子阱中发现。在这项工作中，我们研究了这些激子共振耦合到光子微腔的物理，评估的可能性，达到强和超强耦合制度的光-物质相互作用。我们发现，这两个制度是实验上可访问的，从而开辟了一个最有前途的技术平台，结合中红外量子极化与石墨烯双层的可调谐性和电子功能的方式。
2015-09-24 cond-mat.mes-hall quant-ph
Electron Scattering in Gapped Graphene Quantum Dots
由于石墨烯中的Klein隧穿，通过静电门控在石墨烯量子点中仅实现准束缚态。处于准束缚态的粒子在有限的时间内被困在点内，它们不断地来回反弹，直到找到出路。本文研究了感应能隙对Dirac电子在圆形静电约束量子点上散射问题的影响。在量子点内部引入能隙使我们能够区分三种散射机制，而不是在无隙石墨烯量子点的情况下的两种。我们将集中在这些制度和分析的散射效率作为电子能量，点半径和能隙的函数。此外，我们将讨论系统参数如何影响点内的散射共振。
2018-04-22 cond-mat.mes-hall quant-ph
Energy Levels of Gapped Graphene Quantum Dot in Magnetic Field
我们研究了在存在能隙的情况下，被无限大石墨烯片包围的石墨烯磁性量子点中载流子的能级。利用量子点界面的边界条件，得到了$K$和$K'$谷的本征旋量和相应的能级.数值研究表明，在适当的物理参数条件下，能级具有对称性和反对称性。我们发现，根据角动量为零或非零，径向几率可以是对称的或反对称的。最后，我们表明，一个能隙的应用程序减少了电子密度的量子点，这表明一个临时的电子捕获。
2020-08-06 cond-mat.mes-hall quant-ph
Finite temperature dynamical polarization and plasmons in gapped graphene
在本研究中，我们报告了在无规相位近似下，掺杂单层带隙石墨烯的有限温度非相互作用动力学极化函数、等离子体激元模式和电子能量损失函数的数值结果。我们发现线性能带色散、手性、带隙和温度的相互作用赋予了单层带隙石墨烯奇异的极化率行为，它是2DEG、单层和双层石墨烯的混合物，因此等离子体激元光谱也表现出惊人的奇特行为。观察到等离子体激元分散被抑制，直到温度高达~0.5Tf，类似于无带隙石墨烯的情况，但超过0.5Tf，对于带隙的所有值，在带隙石墨烯中看到趋势的逆转。电子能量损失函数的密度图也证实了这种行为。一个小的间隙的开放也产生一个新的无阻尼等离子体激元模式，被发现在高温下消失。进一步发现带间隙的石墨烯的等离子体行为受到带间隙的石墨烯片所处的衬底的巨大影响，这表明在制造期望的基于石墨烯的等离子体器件时需要仔细选择衬底。
2015-04-06 cond-mat.mes-hall
Second Harmonic Generation in Gapped Graphene
计算了带隙石墨烯的二阶非线性光学极化率$Π^{(2)}$。在二次谐波产生（SHG）的背景下研究了线性和二阶非线性等离子体激元激发。我们报告了一个红移和一个数量级的增强的SHG共振与增长的差距，或者，减少电化学势。
2013-11-19 cond-mat.mes-hall
Gapped broken symmetry states in ABC trilayer graphene
我们采用自洽的Hartree-Fock近似和真实的库仑相互作用对$π$带电子进行模拟，探讨了弱无序ABC堆叠三层石墨烯中对称性破缺的可能性.通过总能量的比较，研究了有带隙和无带隙对称破缺态与正常态之间的竞争。我们发现，带隙状态是有利的，与双层的情况下，无隙的对称性破缺状态是不亚稳态。在带隙态中，层反铁磁态优于反常态和自旋霍尔态。
2012-08-01 cond-mat.mes-hall
Ultrafast optical currents in gapped graphene
从理论上研究了超短光脉冲与带隙石墨烯的相互作用。这种强脉冲导致在脉冲期间和脉冲之后的有限导带布居和相应的电流。由于带间隙的石墨烯具有破缺的反转对称性，因此其具有关于$y$轴的轴对称性，但不具有关于$x$轴的轴对称性。我们表明，在这种情况下，如果线性脉冲沿$x$轴极化，整流电流产生的$y$方向。同时，倒易空间中的导带布居分布关于$x$轴对称。因此，带隙石墨烯中的整流电流具有带间起源，而带内对整流电流的贡献为零。
2019-08-23 cond-mat.mes-hall
Strain effect on Goos-Hänchen shifts and group delay time in gapped graphene barrier
研究了应变对带隙石墨烯中狄拉克费米子的古斯-汉欣位移和群延迟时间的影响.利用能谱的解计算了透射概率、GH位移和群延迟时间。我们的结果表明，后两个量强烈依赖于是否沿扶手椅或锯齿形方向施加应变。特别地，发现这两个量可以随着施加的应变而增强。
2022-01-18 cond-mat.mes-hall
Nonequilibrium Casimir-Polder Interaction Between Nanoparticles and Substrates Coated with Gapped Graphene
本文利用 Dirac 模型和极化张量计算纳米颗粒与带隙石墨烯包覆熔融石英基底间的非平衡 Casimir-Polder 力，揭示基底温度和能隙对力大小及石墨烯效应的影响。
2024-03-03 cond-mat.mes-hall quant-ph
Electronic Structure in Gapped Graphene with Coulomb Potential
本文基于晶格模型，数值研究了长程库仑杂质在带隙石墨烯中诱导的束缚电子态和超临界区的准束缚电子态。我们提出了一个详细的比较我们的数值模拟和预测的连续介质模型，这是描述的狄拉克方程（2+1）维量子电动力学（QED）。我们还利用Fano的理论研究了准束缚态的发展，并设计了一个可行的实验来测试带隙石墨烯中超临界真空的衰变。
2008-04-07 cond-mat.mes-hall
Robust zero-averaged wave-number gap inside gapped graphene superlattices
本文系统地研究了具有一维周期势的带隙石墨烯超晶格的电子能带结构及其输运性质。研究发现，在带隙的石墨烯基超晶格中形成了零平均波数（零- $\overline{k}$）带隙，并解析地给出了获得零- $\overline{k}$带隙的条件.详细研究了这种零$\overline{k}$带隙的传输特性、电导特性和Fano因子。最后，研究表明，对于有限石墨烯基势垒体系，零$\overline{k}$带隙附近的电子传输、电导和Fano因子的性质对结构无序度非常不敏感.
2010-08-03 cond-mat.mes-hall
Chiral orbital current and anomalous magnetic moment in gapped graphene
我们提出了一个低能有效质量理论来描述带隙石墨烯及其相关材料中的手征轨道电流和反常磁矩。我们发现，布洛赫电子通常包含一个异常的电流密度，由于带间矩阵元素，它描述了与磁矩的手征电流循环。在带隙石墨烯中，手性电流在不同的谷之间是相反的，相应的磁矩解释了朗道能级的谷分裂。特别地，在带隙双层石墨烯中，谷依赖的磁矩负责带底处的顺磁磁化率的发散，并且在相对小的磁场范围内实现全谷极化。该公式也适用于三维拓扑绝缘体的带隙表面态，其中异常电流与空间调制电位下的磁电响应有关。
2011-09-13 cond-mat.mes-hall
Plasmon dissipation in gapped-graphene open systems at finite temperature
数值和封闭形式的解析表达式的等离子体色散关系和耗散率的第一次获得在有限温度下的自由站立的带隙石墨烯。这些封闭系统的结果被推广到一个开放的系统与库仑耦合的石墨烯电子的外部电子库。在这个开放系统中发现了新的等离子体激元模式以及新的等离子体激元耗散通道，包括由电子的热激发和带隙石墨烯中的能带隙的组合效应引起的显著修改。此外，可以通过调节石墨烯层与厚导体的表面之间的间隔来完全控制新的等离子体激元模式和附加的等离子体激元耗散的特性。数值计算结果的等离子体激元的频率在掺杂间隙石墨烯层的热偏移，以及其对局部环境的敏感性，进行了演示和分析。与等离子体激元的频移相关联的这种现象可以应用于晶体管和纳米等离子体激元结构中的局部电子温度的直接光学测量。
2015-10-08 cond-mat.mes-hall
Tunneling conductance through gapped bilayer graphene junctions
通过考虑带隙和偏置电压项，获得了单层石墨烯（SLG）和AA/AB堆叠的双层石墨烯（BLG）结的电导。首先，我们考虑有间隙的SLG，而在两者之间，它们连接成原始的BLG。当费米能级大于层间跳跃时，电导随双层区长度$d$的变化揭示了两种不同的反共振模型，它们具有相同的周期.作为带隙的函数，在AA-BLG堆叠的情况下，结果表明，无论$d$的值如何，电导具有相同的最小值，并且对于AB-BLG，$d$保持相关，使得系统创建全局能隙。其次，我们考虑原始SLG，在这两者之间，它们与带隙偏置的BLG相连。我们观察到不同的周期和形状的电导曲线中的峰的出现，以及与第一配置相比，零电导的克莱因隧穿的存在。当$ d $小于10时，$G(E)$消失，并表现出作为费米能$E$的函数的反克莱因隧穿。我们还研究了作为偏压的函数的电导。对于AA-BLG，结果显示出反共振，并减少了一个大的偏置值，独立的双层区域的长度。相反，AB-BLG中的电导具有不同的特性，因为它开始传导时，小$E$具有最大值，而大$E$具有最小值。
2022-10-13 cond-mat.mes-hall quant-ph
A study of the nonlinear optical response of the plain graphene and gapped graphene monolayers beyond the Dirac approximation
在这项工作中，我们提出了与二次和三次谐波产生，光学整流和光学克尔效应的平面石墨烯和带隙石墨烯单层的二阶和三阶电导率的数值结果。这里考虑的频率范围从微波到光谱的紫外线部分，后者还没有被研究过。这些计算在速度计中进行，并直接处理电导率张量的分量。在速度规范中，辐射场由矢量势中的幂级数表示，我们讨论了在紧束缚模型的背景下计算其系数的一种非常有效的方法。
2020-02-04 cond-mat.mes-hall
Density of states of Dirac-Landau levels in a gapped graphene monolayer under strain gradient
研究了均匀磁场和应变诱导均匀赝磁场共同作用下的带隙石墨烯单分子层。两个场的存在完全消除了谷简并。由此产生的态密度表现出一种复杂的行为，可以通过调整场的强度来调整。我们分析了这些功能如何可以观察到的亚晶格，谷和全密度的状态。导出了谷态分布的解析表达式。
2017-12-25 cond-mat.mes-hall
Transport in gapped bilayer graphene: the role of potential fluctuations (Supplementary Information)
arXiv的在线补充信息：1008.0783
2010-08-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dimensionality-driven photoproduction of massive Dirac pairs near threshold in gapped graphene monolayers
研究了在两个反向传播光波的复合场中，带隙石墨烯单层中准粒子-空穴对的产生。这个过程代表了一个类似的电子-正电子对生产从QED真空的布雷特-惠勒效应。然而，我们表明，石墨烯的二维结构导致两种情况之间的一些显着差异。特别是，与QED的情况相反，它允许在能量阈值处的非零对产生率，当Breit-Wheeler反应进行非线性吸收三个光子时。
2019-12-21 cond-mat.mes-hall hep-ph physics.atom-ph
The role of the Rashba coupling in spin current of monolayer gapped graphene
在目前的工作中，我们研究了Rashba自旋轨道耦合对单层带隙石墨烯自旋电流的影响。结果表明，Rashba耦合在单层石墨烯中产生垂直自旋的自旋电流中具有相当大的作用。自旋电流的行为由杂质的密度决定。研究还表明，提高石墨烯的Rashba耦合强度和带隙可以增加体系的自旋电流，并且自旋电流的符号可以通过电流驱动电场的方向来控制.
2013-06-03 cond-mat.mes-hall
Domain walls in gapped graphene
研究了带隙石墨烯中一类特殊畴壁的电子性质。我们发现，它们可以支持中隙态，这些中隙态位于畴壁附近，并沿畴壁的长度传播。在有限密度的畴壁下，这些状态可以显著改变带隙石墨烯的电子性质。如果中间带隙被部分填充，则畴壁可以表现得像嵌入半导体中的一维金属，并且可以潜在地用作单通道量子线。
2008-05-31 cond-mat.mes-hall hep-th
Robust wavefront dislocations of Friedel oscillations in gapped graphene
弗里德尔振荡是一种众所周知的波动现象，它代表了电子波对不完整性的振荡响应。通过利用无隙石墨烯中的赝自旋动量锁定，最近的两个实验证明了通过对应于弗里德尔振荡中波前位错的唯一数量来测量拓扑Berry相位。在这里，我们研究了带隙石墨烯中的Friedel振荡，其中赝自旋-动量锁定被打破。不寻常的是，波前位错确实发生在无带隙石墨烯中，这需要在当前的实验条件下立即验证。波前位错的数量归因于有隙和无隙石墨烯中不变的赝自旋缠绕数。该研究加深了对Friedel振荡中拓扑量与波前位错对应关系的理解，并暗示了在本征能隙二维材料中观察Friedel振荡波前位错的可能性，例如，过渡金属二硫属化物。
2021-03-11 cond-mat.mes-hall
Uniaxial strain on gapped graphene
研究了单轴应变对带隙石墨烯电子能带结构的影响。我们考虑两种类型的带隙石墨烯，一种打破了两个三角形子晶格之间的对称性（交错模型），另一种是交替的蜂窝晶格上的键（凯库莱模型）。在交错模型中，低于临界值的应变的影响仅是带隙位置的移动。在Kekulé模型中，随着应变的增加，带隙位置最初被钉扎到布里渊区的一个角落，而其宽度减小，并且在带隙闭合之后，接触点的位置开始移动。分析和数值计算结果得到的紧束缚和狄拉克费米子描述的带隙石墨烯。
2010-05-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum Hall effect in gapped graphene heterojunctions
我们模拟了异质结构中的量子霍尔效应，该异质结构由两个具有不同间隙的石墨烯条带$Δ_1$和$Δ_2$制成。我们考虑两种主要情况，$Δ_1=0,Δ_2\neq0$和$Δ_1=-Δ_2$。它们在一个基本方面是不同的：只有后者的功能扭结状态，当谷间耦合是不存在的，受到保护，免受背散射。我们计算的两个终端电导的异质结构的沟道长度高达430 nm，在两个运输配置，平行和垂直的界面。通过研究无序对沿边界输运的影响，我们量化了扭结态对背散射的鲁棒性。垂直于边界的输运显示了界面态如何为导电边缘态打开反向散射通道，破坏了均匀间隙的石墨烯霍尔棒所具有的完美电导量子化。我们的研究结果可以是相关的石墨烯沉积在六方氮化硼的研究，以及模型石墨烯的相互作用驱动的间隙相与两个等效相分离的域壁。
2013-07-31 cond-mat.mes-hall
Ultrafast topological phenomena in gapped graphene
在带隙石墨烯的模型中，我们已经展示了最近预测的拓扑共振如何仅与布里渊区的$K$和$K^\prime$点处的能带隙的存在相关。在强单振荡手征（圆偏振）光脉冲场中，拓扑共振导致导带的谷选择布居。这种人口分布表示在倒易空间中的手性织构，其相对于脉冲分界线而构造，如先前对于过渡金属二硫属化物所预测的。当带隙关闭时，这种手性逐渐消失，取而代之的是石墨烯的非手性分布特征。
2018-12-20 cond-mat.mes-hall
Topological resonance and single-optical-cycle valley polarization in gapped graphene
对于带隙石墨烯，我们预测，一个强烈的超短（单振荡）圆偏振光脉冲可以诱导大量的导带和大的谷极化。随着带隙的增加，谷极化的幅度从零（对于天然无带隙石墨烯）逐渐增加到单位数量级的值。被激发到导带中的电子的能量带宽可以非常大（对于$\sim 0.5$ $\mathrm{V/Å}$的合理脉冲幅度，为$\gtrsim 10$ eV）。这些现象是由于拓扑共振效应：拓扑（几何）相位和动力学相位的匹配。具有可调带隙的带隙石墨烯可以用作具有蜂窝通用晶格结构和破缺反转对称性的二维半导体（诸如过渡金属二硫属化物）的方便通用模型。
2019-09-06 cond-mat.mes-hall
Quantum electrodynamic approach to the conductivity of gapped graphene
从量子电动力学第一性原理出发，研究了任意温度下（2+1）维时空中质量间隙参数不为零的石墨烯的电导率.使用复频率的整个平面上定义的极化张量的形式主义。在零温度下，我们再现的结果为实部和虚部的电导率，以前获得的局部近似，并概括他们考虑到非局部性的影响。在非零温度下，导出了带隙石墨烯纵向电导率和横向电导率的实部和虚部的精确解析表达式，以及它们在几种渐近区域的局部极限和近似表达式.具体地说，一个简单的本地结果，在任何温度下有效的带隙石墨烯的电导率的实部。根据我们的结果，电导率的实部不等于零的频率超过的间隙的宽度，并与频率增加的普适电导率。带隙石墨烯的电导率的虚部从零频率处的无穷大变化到由间隙参数定义的频率处的负无穷大，然后随着频率的进一步增加而变为零。解析表达式附有数值计算的结果。未来可能的推广使用的形式主义进行了讨论。
2016-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Spin- and valley-dependent Goos-Hanchen effect in silicene and gapped graphene structures
我们研究了Goos-Hänchen位移的弹道电子（i）反映从一个台阶状的不均匀性的势能和（或）有效质量，（ii）通过单层硅烯或带隙石墨烯的铁磁势垒区传输。对于从单一界面反射的电子，我们发现Goos-Hänchen位移对于带隙的石墨烯结构是谷极化的，而对于硅烯，由于自旋-谷耦合，谷极化和自旋极化。与此相反，例如，对于无间隙石墨烯，有间隙结构中的横向光束偏移不仅发生在全反射的情况下，而且发生在部分反射的情况下，即在小于全反射的临界角的角度下。我们还证明了谷和自旋极化位移的电子束，通过铁磁硅势垒传输，共振依赖于势垒的宽度。通过调节电势、外部垂直电场和绝缘铁磁衬底感应的交换场，可以控制位移的谐振值。
2016-10-18 cond-mat.mes-hall
Supercritical Coulomb Impurities in Gapped Graphene
研究了库仑场诱导的二维Dirac粒子（带隙石墨烯）系统的基态带电问题。在其三维QED对应，临界库仑耦合重整化到更高的值，相比无质量的情况下。我们发现，在有间隙的石墨烯一种新的超临界制度是可能的，其中屏蔽电荷是可比的杂质电荷，从而导致在纳米尺度上的库仑场的抑制。我们证实了这一点与蜂窝晶格中的紧束缚问题的数值解。
2008-06-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Two-electron bound states near a Coulomb impurity in gapped graphene
我们制定和解决可能是最简单的两体束缚态相互作用狄拉克费米子在两个空间维度的问题。一个两体束缚态的预测中存在的弱排斥的电子-电子相互作用和库仑杂质与电荷$Ze>0$，其中最有趣的情况下，对应于$Z=1$的间隙石墨烯单层。我们引入了一个变分的Dirasekhar-Dirac旋量波函数，并证明了至少存在一个束缚态。这种状态留下了清晰的特征，可以通过扫描隧道显微镜进行观察。由此可以获得关于石墨烯中电子-电子相互作用强度的直接信息。
2017-01-23 cond-mat.mes-hall
Quantum transport of pseudospin-polarized Dirac fermions in gapped graphene nanostructures
我们研究了带隙单层石墨烯中的量子输运特性，该石墨烯处于赝自旋破缺态，具有净垂直赝磁化。利用这些赝铁磁体，我们提出了一个完美的赝自旋阀效应，可用于实现赝自旋电子学在单层石墨烯。研究了赝自旋注入和赝自旋积累联合效应的特点。我们进一步证明了亚晶格赝自旋自由度对Andreev反射的决定性影响以及PF和超导体在S/PF和PF/S/PF几何结构中的混合结构中的邻近效应。特别是，我们发现了一个奇特的Andreev反射，这是与反转的z分量的载流子赝自旋矢量。我们的研究结果表明，带隙的正常石墨烯的行为像一个铁磁石墨烯和赝自旋自由度的影响，在带隙的石墨烯是一样重要的自旋在铁磁石墨烯。
2013-08-19 cond-mat.mes-hall
Electronic zero modes of vortices in Hall states of gapped graphene
最近对石墨烯的$ν=0$霍尔态中的金属-绝缘体相变的观察激发了金属态中的载流子可能是分数带电涡旋的想法。我们研究的问题，特别是带隙状态的石墨烯和受外部磁场和伪磁场的涡旋可以有中间的间隙零模式的电子状态，这将使他们被充电。
2010-05-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.other hep-th
WKB energy levels in gapped graphene under crossed electromagnetic fields
本文用WKB近似研究交叉电磁场下带隙石墨烯的能级，发现量子化条件含额外的依赖谷的几何相位，计入后与精确对角化结果除最低Landau能级外吻合良好。
2025-05-07 cond-mat.mes-hall
Superfluidity and collective properties of excitonic polaritons in gapped graphene in a microcavity
我们预测的形成和超流性的极化激元在光学微腔中形成的带隙石墨烯的激子嵌入那里和微腔光子。在石墨烯层中的带隙的存在下的激子的产生相关的拉比分裂得到。对集体激发和声速进行了分析。我们证明了Kosterlitz无相变相变的超流密度和温度是能隙的减函数。
2012-05-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Ultrafast strong-field absorption in gapped graphene
从理论上研究了超快光脉冲在带隙单层石墨烯上的强场吸收。在低场振幅下，原始石墨烯中的吸光度等于$2.3$百分比的通用值。虽然对于低场振幅的超快光吸收与所施加的光脉冲的线性或圆形偏振无关，但是对于高场振幅，吸收强烈地依赖于脉冲偏振。对于线性偏振脉冲，对于脉冲的幅度$\geq 0.4~\mathrm{V/Å}$，光吸收在$\approx 1.4$百分比的值处饱和，但是对于圆偏振脉冲没有观察到这样的饱和。对于带隙石墨烯，线偏振脉冲的吸收对带隙的依赖性较弱，而对于圆偏振脉冲，吸收对带隙非常敏感。通过放置在例如SiC衬底上来打开石墨烯中的带隙强烈地改变了在小场振幅下的超快吸收。
2020-01-15 cond-mat.mes-hall
Second and third harmonics generation by coherent sub-THz radiation at induced Lifshitz transitions in gapped bilayer graphene
利用强相干电磁辐射与带隙双层石墨烯相互作用的微观非线性量子理论，研究了低能光子激发诱导的Lifshitz跃迁的高次谐波产生.在非绝热多光子激发状态下，数值求解了密度矩阵的Liouville-vonNeumann方程。通过数值求解，研究了两个线偏振相干电磁波反向传播诱导Lifshitz跃迁中粒子-空穴湮灭时二次和三次谐波的产生率.结果表明，带隙的双层石墨烯可以作为一种有效的介质，用于产生频率的亚太赫兹域中的偶次和奇次高次谐波。
2020-07-03 cond-mat.mes-hall
Ground-state properties of gapped graphene using the random phase approximation
在零温无规相位近似下研究了带隙对掺杂石墨烯中狄拉克电子基态性质的影响。计算了交换能、关联能、基态能和可压缩性对带隙的依赖关系。我们还表明，在带隙的石墨烯的电导小于无间隙的。我们还计算了电荷可压缩性对带隙的依赖性，它随带隙值的增加而减小。
2009-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High-order harmonic generation in gapped bilayer graphene
发展了相干电磁辐射与带隙双层石墨烯相互作用的微观非线性量子理论。在多光子激发状态下，数值求解了密度矩阵的Liouville-von Neumann方程。所发展的带电载流子与强驱动波场相互作用的理论在布里渊区的狄拉克点附近是有效的。我们考虑了非绝热相互作用区中的谐波产生过程，当Keldysh参数为1阶时。在数值解的基础上，我们研究了任意极化的强泵浦波场中粒子-空穴湮灭时奇次和偶次高次谐波的速率。实验结果表明，带隙的双层石墨烯可以作为一种有效的介质，在太赫兹和远红外频率域产生偶次和奇次高次谐波。
2019-05-20 cond-mat.mes-hall
Valley hydrodynamics in gapped graphene
最近的实验表明，在超纯石墨烯中实现了与电子的流体动力学描述一致的新的非平衡态，该石墨烯具有谷自由度。在这里，我们制定了一个理论的电子流体动力学，包括耗散过程的谷角动量采用微极流体的概念。因此，我们的理论提出了一种新的策略，产生一个谷极化的微旋转。我们发现旋转粘性在电场中诱导出二阶纵向谷电流。
2022-05-04 cond-mat.mes-hall
Gapped Topological Kink States and Topological Corner States in Graphene
基于紧束缚模型计算和光子实验可视化，我们报道了畴壁诱导的带隙拓扑扭结态和拓扑角态。在石墨烯中，具有无间隙拓扑扭结态的畴壁可以通过亚晶格对称性破缺或晶格变形来诱导。我们发现，这两种机制的共存将诱导畴壁具有带隙的拓扑扭结态。值得注意的是，这两种类型的畴壁的交叉点引起局部化在交叉点的拓扑角状态。通过对畴壁的调控，我们发现石墨烯不仅是一个以可控的方式支持多种拓扑角模的多功能平台，而且在制备由带隙的拓扑扭结态和拓扑角态组成的拓扑量子点等方面具有广阔的应用前景.
2019-03-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
NMR parameters in gapped graphene systems
我们计算了带隙石墨烯系统的核自旋-晶格弛豫时间和奈特位移。我们的计算考虑了大质量和无质量的差距情况。自旋-晶格弛豫时间和奈特位移都依赖于温度、化学势和电子能隙的值。特别地，在狄拉克点处，在无质量能隙的情况下，电子能隙对系统核磁共振参数具有更强的影响。因此，在大的化学势值下，两种带隙方案以类似的方式表现，并且从核磁共振参数的角度来看，带隙的石墨烯系统接近费米气体。我们的研究结果是重要的核磁共振测量，目标的$^{13}$ C活性核在石墨烯样品。
2016-07-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Gapped Dirac materials and quantum valley currents in dual-gated hBN/bilayer-graphene heterostructures
本研究在双栅hBN/双层石墨烯异质结中实现了可由垂直电场调控的谷电流，观测到符合谷霍尔效应标度理论的非局域电阻，且低温下其在量子极限附近饱和，证实了量子谷电流的存在。
2024-10-08 cond-mat.mes-hall
Optical valleytronics in gapped graphene
提出了一种利用圆偏振光和微尺度金属谐振腔在带隙狄拉克系统中捕获和过滤电子的方案。允许选择的主要机制是时间反演对称性的谷依赖性破坏。事实上，在一个山谷中，光线部分关闭了已经存在的差距，而在另一个山谷中则打开了它。这种靠近狄拉克点的能带结构的差异引起电子动力学的变化，导致系统的谷路由器行为。
2019-01-21 cond-mat.mes-hall
Screening and collective modes in gapped bilayer graphene
我们研究了带隙双层石墨烯的静态和动态筛选。与以前的工作不同，我们使用4带模型，而不是简化的2带模型。我们发现，有重要的定性差异之间的介电屏蔽功能使用2带和使用4带模型获得。特别是在4带模型中，在带隙的存在下，静态屏蔽表现出Kohn异常，这在2带模型中不存在。此外，使用4带模型，我们能够检查三角形翘曲（在2带模型中不存在）对双层石墨烯的屏蔽性能的影响。我们还发现四带模型中的等离子体激元模与两带模型中的等离子体激元模相比有着质的不同。
2012-10-22 cond-mat.mes-hall
Gap opening in the zeroth Landau level in gapped graphene: Pseudo-Zeeman splitting in an angular magnetic field
我们提出了一个理论研究的间隙开放的零朗道水平的石墨烯作为一个结果的伪塞曼相互作用。所施加的磁场与载流子的谷赝自旋自由度耦合，导致赝塞曼相互作用。为了研究它在电荷中性点（CNP）输运中的作用，我们研究了在有角向磁场中存在赝塞曼相互作用的带隙石墨烯中的整数量子霍尔效应（QHE）.利用Kubo-Greenwood公式推导了霍尔电导率的解析表达式。我们还确定了在第一玻恩近似下的弹性杂质散射的纵向电导率。我们表明，伪塞曼分裂导致在高磁场和零坪霍尔电导率的碰撞电导率的最小值。在CNP激活运输的证据被发现从碰撞电导率的温度依赖性。
2012-02-10 cond-mat.mes-hall
Thermally activated conductivity in gapped bilayer graphene
这是一个门控双层石墨烯-一种新型的半导体材料，具有可调的带隙的电子输运的理论研究。结果表明，哪一层的赝自旋相干增强了亚带电导率，有利于热激活输运。提出的机制也可以导致非单调的电导率与温度的依赖性在带隙尺寸的顺序为10毫电子伏。这种效应可以在夹在氮化硼中的带隙双层石墨烯中观察到，其中电子-空穴水坑和弯曲声子被强烈抑制。
2012-05-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Edge-state transport in gapped bilayer graphene
本研究发现双层石墨烯中特定边缘终止条件下存在边缘态传导，其能隙由层间电势偏置打开，且边缘态局域性可通过电子能量调节，不依赖拓扑体态-边界对应关系。
2025-11-26 cond-mat.mes-hall
Edge dependece of nonlocal transport in gapped bilayer graphene
本研究针对有隙双层石墨烯非局域电阻来源不明的问题，通过氧等离子体边缘刻蚀双栅BLG器件，发现刻蚀后电阻变化源于边缘导电路径而非拓扑性质，澄清了相关输运机制。
2024-11-28 cond-mat.mes-hall
Influence of minivalleys and Berry curvature on electrostatically induced quantum wires in gapped bilayer graphene
我们表明，在带隙双层石墨烯中的静电定义的量子线的子带的光谱直接体现了minivalley结构，并反映Berry曲率通过相关的磁矩的状态，在这种二维材料的低能带。我们演示了这些如何出现在低能量的迷你带和他们的谷分裂，线性发展在一个弱磁场的简并。因此，通过间隙连接双层的两个非间隙区域的弹道点接触的磁导（顶部和底部栅控）势垒将通过在BLG导电沟道的掺杂增加时发展的前几个电导台阶的高度来反映这种简并：$8e^2/h$在具有大间隙的BLG中的宽沟道中步进，$4e^2/h$在窄沟道中步进，在通过磁场提升谷简并性时，所有分裂成$2e^2/h$阶梯。
2018-10-25 cond-mat.mes-hall
Nonlinear optical response in gapped graphene
我们提出了一个配方的非线性光学响应的带隙石墨烯，其中的低能量单粒子光谱是由大量狄拉克理论建模。作为这里提出的公式的代表性例子，我们获得了带隙石墨烯中三次谐波产生（THG）的封闭形式公式。结果表明，低能理论的协变形式在非线性光谱中产生了一种特殊的对数奇异性。响应函数对无量纲量的普适函数依赖性表明，通过将间隙调节到较小的值，可以大大增强光学非线性。
2012-02-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el physics.optics
Enhanced Andreev reflection in gapped graphene
我们从理论上证明了带隙石墨烯中超导邻近效应的不寻常特征，它呈现出一种具有净赝磁化的赝自旋破缺铁磁体。我们发现，带隙的存在使得石墨烯超导体/赝铁磁体（S/PF）结的Andreev电导的行为类似于石墨烯铁磁体-超导体结。能隙$Δ_N$增强了S/PF结的赝自旋反转Andreev电导，使$Δ_N\gg μ$达到极限最大值，该值取决于偏置电压，可以大于没有能隙的相应结的值。我们进一步证明了S/PF结的PF区域的局域态密度的阻尼振荡行为和PF/S/PF结构中的长程交叉Andreev反射过程以及PF的伪磁化的反平行排列，这证实了，在这方面，带隙的正常石墨烯表现得像铁磁石墨烯。
2012-08-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
