Igor Lyapilin
Spin dynamics in spiral magnetic structures has been investigated. It has been shown that the internal spatially dependent magnetic field in such structures produces a new mechanism of spin relaxation.
机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。
继续探索
Electron-electron scattering effect on spin relaxation in multi-valley nanostructures
本文发展了多谷量子阱中电子-电子碰撞对Dyakonov-Perel自旋弛豫影响的理论。结果表明，控制自旋弛豫的电子-电子散射速率不同于单谷系统。该理论被应用到Si/SiGe（001）生长的量子阱中，其中两个谷同时被自由载流子填充。计算并讨论了自旋弛豫速率随温度、电子浓度和谷轨道分裂的变化关系。我们证明了在很宽的温度范围内，电子-电子碰撞可以控制高质量Si/SiGe量子阱中的自旋弛豫。
Spiral Exchange Coupling in Trilayer Magnetic Junction Mediated by Diluted-Magnetic-Semiconductor Thin Film
我们重新讨论了由稀磁半导体薄膜介导的三层磁性结的非共线交换耦合。通过数值方法，我们在参数空间中广泛地研究了铁磁层之间的螺旋角。与以前的研究相比，我们发现自旋弛豫的重要作用，这往往有利于螺旋交换振荡Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida相互作用。最后，我们讨论了这两种磁相互作用的物理起源。
Topological Signatures in the Electronic Structure of Graphene Spirals
拓扑学主要来自数学，但自然科学也发现它的概念很有用。这些概念已被用于解释生物学和物理学中的一些自然现象，并且它们与拓扑绝缘体和石墨烯系统的电子结构描述特别相关。在这里，我们介绍拓扑结构不同的石墨烯形式-石墨烯螺旋-并采用密度泛函理论来研究它们的几何和电子性质。我们发现，螺旋拓扑结构产生了内在的Rashba自旋轨道分裂。通过受空间曲率约束的哈密顿量，石墨烯螺旋由于时间反演对称性而具有拓扑保护状态。此外，我们认为这种石墨烯螺旋的合成是可行的，可以通过我们在这项工作中指出的先进的自下而上的实验路线来实现。
Topological effects of a spiral dislocation on an electron are investigated when it is confined to a hard-wall confining potential. Besides, it is analysed the influence of the topology of the spiral dislocation on the interaction of the electron with a non-uniform radial electric field and a uniform axial magnetic field. It is shown that a discrete spectrum of energy can be obtained in all these cases. Moreover, it is shown that there is one case where an analogue of the Aharonov-Bohm effect for bound states is yielded by the topology of the spiral dislocation.
Electron spin relaxation in GaAs quantum dot systems - The role of the hyperfine interaction
本文给出了垂直磁场中单量子点和横向耦合双量子点的电子自旋弛豫速率的数值计算结果。作为自旋弛豫的来源，我们考虑GaAs衬底中与核自旋的超精细相互作用。由于核塞曼能和电子塞曼能的能量标度不同，声子浴系统必须考虑能量耗散。相应的二阶跃迁率显示出强烈的依赖于电子之间的相关性和电子能量差，因此对磁场。对于高度非对称的双点，我们发现在很宽的磁场范围内，电子的二阶自旋弛豫速率相对较低。
Hamiltonian learning for spin-spiral moiré magnets from electronic magnetotransport
本文提出通过电子输运测量提取自旋螺旋q向量的方法，利用磁场和偏压依赖性训练机器学习算法，揭示q向量与输运特性之间的复杂关系，为直接从输运实验学习磁结构提供新策略。
Electron spin relaxation in graphene: the role of the substrate
发展了SiO $_2$衬底上石墨烯的电子自旋弛豫理论。衬底中的带电杂质和极性光学表面声子诱导了一个有效的随机Bychkov-Rashba-like自旋轨道耦合场，该耦合场通过D 'yakonov-Perel'机制导致自旋弛豫。分析估计和蒙特卡罗模拟表明，相应的自旋弛豫时间在微秒至毫秒之间，仅弱的温度依赖性。还有人认为，石墨烯上吸附原子的存在可能导致自旋寿命短于纳秒。
Spin relaxation in narrow wires of a two-dimensional electron gas
在具有Rashba自旋轨道耦合的受限二维电子气中，初始均匀的自旋极化如何随时间演化？弛豫时间如何依赖于系统的大小？我们研究这些问题的系统的大小是远远大于费米波长，但可比的，甚至比自旋弛豫长度短。取决于限制自旋弛豫可能变得比在体中更快或更慢。一个初始均匀极化的自旋系统演化成螺旋图案。
Boltzmann theory of magnetoresistance due to a spin spiral
通过求解玻尔兹曼方程，研究了自旋螺旋的磁电阻效应。利用传导电子的非微扰波函数计算了传导电子的散射率，并通过数值求解Boltzmann方程得到了非平衡分布函数。这些使我们能够计算一个足够薄的自旋螺旋的电阻率。对于高自旋极化（>0.8）和小周期（约1- 2nm）的自旋螺旋，预测其磁电阻比大于50%。
Spin relaxation in multiple (110) quantum wells
本文从理论上研究了GaAs多量子阱中平行于生长方向的电子自旋分量的弛豫。自旋弛豫的来源是施主电场引起的随机Rashba自旋轨道耦合和来自不同量子阱的电子的自旋翻转碰撞。我们表明，在低温下的库仑力的屏蔽导致自旋弛豫时间非常强烈的增强。在简并电子气中，Pauli阻塞抑制了电子-电子碰撞，主要的自旋弛豫机制来自施主场。如果电子气是非简并的电子-电子碰撞和散射的电离施主给出类似的贡献弛豫速率。
Enhanced spin relaxation time due to electron-electron scattering in semiconductors
我们提出了一个详细的实验和理论分析的二维电子气（2DEG）在一系列的n掺杂GaAs/AlGaAs量子阱的自旋动力学。皮秒分辨率的偏振泵浦探测反射技术，以详细研究的温度，浓度和量子阱宽度的依赖性的自旋弛豫速率的一个小的光激发电子人口。实验证明了自旋寿命随温度的快速增强，最大值接近2DEG的费米温度。这些观察结果与电子-电子碰撞控制的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫机制一致。自旋弛豫时间的实验结果和理论预测是在很好的定量协议。
Tunneling Spectroscopy of a Spiral Luttinger Liquid in Contact with Superconductors
用螺旋Luttinger液体模型描述了具有Rashba自旋轨道耦合、磁场和强电子-电子相互作用的一维线。我们发展了一个理论来研究超导体邻近效应下螺旋Luttinger液体的隧穿态密度。这种方法提供了一种解开超导关联和强电子相互作用之间微妙相互作用的方法。如果导线-超导体边界由Andreev反射主导，我们发现在界面附近的零偏压隧道异常揭示了一个不寻常的指数幂律增强。远离界面强相关性固有的Luttinger液体占上风，并恢复传统的抑制费米能级的隧穿态密度，这获得，但是，一个类似Friedel的振荡包络与周期重整化的相互作用的强度。
Derivation of Electron Spin Relaxation Rate by Electron-Phonon Interaction Using a New Diagram Method
本文用一种新的弹簧圈图方法导出了电子-声子系统的电子自旋弛豫速率公式。结果适当地包含了电子和声子的分布函数。因此，所有的自旋翻转和守恒过程都从微观的角度得到了解释，并从该图中获得了固体中电子自旋量子动力学的物理见解。光子和声子根据自旋翻转和守恒过程进行分类。利用该公式计算了GaAs中的电子自旋弛豫速率。通过与实验结果的比较，得到了弛豫速率的温度依赖性。
Spiraling Fermi arcs in Weyl materials
在外尔材料中，价电子带和传导电子带在布里渊区中的偶数个孤立点处接触。在这些点附近，电子色散是线性的，可以用无质量狄拉克方程描述。这导致了Berry联络曲率的非平凡拓扑。其结果之一是存在特殊的表面电子态，其费米面形成连接外尔点在表面平面上的投影的弧。晶体边界附近的能带弯曲也产生表面态。我们表明，在Weyl材料的能带弯曲附近的晶体表面引起的螺旋结构的能量表面的弧状态。相应的费米面具有螺旋的形状，该螺旋围绕外尔点在表面平面上的投影缠绕。缠绕的方向由外尔点的螺旋度和能带弯曲势的符号决定。对于封闭的谷，弧状态形态可以根据避免相反缠绕的螺旋的交叉来理解。
D'yakonov-Perel' spin relaxation under electron-electron collisions in n-type QWs
从理论和实验上研究了n掺杂GaAs/AlGaAs量子阱中的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫机制。计算了任意简并度的二维电子气自旋弛豫时间随温度的变化关系。理论与实验的比较表明，在高迁移率n掺杂量子阱中，所研究的自旋退相干是由电子-电子碰撞控制的。
Reduced electron relaxation rate in multi-electron quantum dots
我们采用组态相互作用方法和费米黄金法则研究了实际多电子量子点中的电子-声子相互作用。寿命计算在低密度，高度相关的制度。我们报告的数值证据表明，电子-电子相互作用一般会导致降低衰减率的激发电子态在弱限制量子点，其中载流子弛豫是由纵向声学声子的相互作用为主。
Optically-Induced Suppression of Spin Relaxation in Two-Dimensional Electron Systems with Rashba Interaction
本文讨论了二维系统中电子的脉冲技术，在某些方面类似于核磁共振中的自旋回波。我们表明，一个序列的光学带隙以下的脉冲可以用来抑制电子自旋弛豫由于D 'yakonov-Perel'自旋弛豫机制。在蒙特卡罗模拟方案中计算了几个脉冲序列的自旋弛豫时间。作为脉冲幅度/宽度的函数的自旋弛豫时间的最大值对应于$π$ -脉冲。重要的是，即使是相对遥远的脉冲也能有效地抑制自旋弛豫。
Electron-phonon and exciton-phonon interactions in nanoclusters are formulated and computed under the framework of GW-BSE (Bethe-Salpeter equation) approach. The phonon effect is modeled with the two-particle representation for the first time. The nonradiative relaxation rates of electrons and excitons are calculated. It is uncovered that both single-phonon relaxation and multiple-phonon relaxation are significant in nanocrystals, and correspond to two types of physical processes that have totally different spectral lineshapes. Furthermore, the multiple-phonon relaxation always occurs and its …
Electron Spin Relaxation in Two Polymorphic Structures of GaN
利用投影约化方法推导出的电子自旋弛豫时间公式，从微观角度解释了电子与压电形变声子相互作用系统中电子自旋的弛豫过程.计算了GAN两种多晶结构的电子自旋弛豫时间。通过与先前报道的实验结果进行比较，获得了纤锌矿结构的压电材料常数P_pe=1.5 x 10^29 eV/m。纤锌矿和锌掺杂GaN的弛豫时间随温度和磁场的变化规律相似，但锌掺杂GAN的弛豫时间随温度和磁场的升高而减小，且减小速度更快。本研究还表明，在低密度下，纤锌矿GAN的电子自旋弛豫可以用Elliot-Yafet过程来解释，但在金属区域中，锌掺杂GAN的电子自旋弛豫不能用Elliot-Yafet过程来解释。
Electron spin relaxation as evidence of excitons in an electron-hole plasma
我们利用电子和空穴之间的库仑相互作用对（110）-GaAs量子阱中电子自旋弛豫的影响来揭示多粒子电子-空穴系统中的激子特征。温度依赖性的时间和偏振分辨的光致发光测量跨越五十年的载流子密度，包括从准自由激子到电子-空穴等离子体的局部激子的过渡，并且即使在相对高的密度和温度下也揭示了强激子签名。
Spin relaxation due to electron-electron magnetic interaction in high Lande g-factor semiconductors
本文采用Monte Carlo方法研究了InSb/InAlSb异质结中的自旋输运，并考虑了自旋动力学，引入了自旋的密度矩阵描述。除了占主导地位的Dyakonov-Perel（DP）机制的自旋控制和弛豫，我们认为电子之间的磁相互作用的重要性，由于在材料中的高电子Lande g因子。据发现，虽然磁相互作用的效果是不重要的，在低密度，它减少了高达50%的自旋弛豫长度在较高的密度。我们还提出了一个计算，阐明了抑制退相干归因于波矢依赖磁场的DP弛豫机制。我们注意到，磁相互作用是一个一般的弛豫机制，可能承担的重要性，在材料中具有高电子朗德g因子。
We study and compare two analytic models of graphene quantum dots for calculating charge relaxation times due to electron-phonon interaction. Recently, charge relaxation processes in graphene quantum dots have been probed experimentally and here we provide a theoretical estimate of relaxations times. By comparing a model with pure edge confinement to a model with electrostatic confinement, we find that the latter features much larger relaxation times. Interestingly, relaxation times in electrostatically defined quantum dots are predicted to exceed the experimentally observed lower bound of ~10…
Temperature dependence of electron-spin relaxation in a single InAs quantum dot at zero applied magnetic field
利用时间分辨光致发光光谱技术测量了零磁场下单个InAs量子点中带正电荷激子的电子自旋弛豫随温度的变化。实验结果表明，电子自旋弛豫明显地分为两个不同的温度区域：（i）T < 50 K，自旋弛豫依赖于动态核自旋极化（DNSP），并且与温度无关，正如Merkulov等人所预测的那样;（ii）T > 50 K，自旋弛豫随温度的升高而加快。提出了一个耦合超精细相互作用的双LO声子散射模型来解释高温下电子自旋的加速弛豫。
Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon MOS-Based Quantum Dot
我们报告的测量的自旋弛豫时间T1的个别电子自旋的Si/SiO2-基量子点（QD）的少电子制度。量子点的能量光谱已经使用电荷传感技术进行。自旋弛豫时间随后测量在时域中的泵浦和探测方法。对于含有未成对自旋的量子点，可能只有一个电子，我们发现T1强烈依赖于所施加的磁场。可能的机制导致所观察到的自旋弛豫进行了讨论。
Confinement-enhanced spin relaxation for electron ensembles in large quantum dots
本文用数值方法研究了大弹道量子点中半经典电子系综的自旋弛豫。该点被定义在GaAs/AlGaAs异质结系统与二维电子气，和弛豫发生由于Dresselhaus和Rashba自旋轨道相互作用。我们发现，限制在一个微米级的点可以导致强烈增强松弛相对于一个自由的二维电子系综，相反的既定结果，强约束或频繁的动量散射减少松弛。当系统的尺寸在自旋进动长度的数量级上，但小于平均自由程时，就会发生这种效应。
Electron Number Dependence of Spin Triplet-Singlet Relaxation Time
在GaAs单量子点中，测量了最后几个偶数电子的自旋三重态和单重态之间的弛豫时间T_{1}。调节单重态-三重态能量分离E_{ST}作为控制参数，用于比较不同电子数之间的T_{1}。T_{1}从2个电子、4个电子到6个电子呈现出稳定的下降趋势，我们发现这意味着多电子量子点中自旋轨道耦合强度的增强。
Calculation of the Electron Spin Relaxation Times in InSb and InAs by the Projection-Reduction Method
利用投影约化方法导出的电子自旋弛豫时间公式，计算了电子与压电声子通过自旋轨道相互作用相互作用的系统中电子自旋弛豫时间.结果表明，InSb和InAs的弛豫时间随温度和磁场的变化规律相似。通过与已报道的实验结果进行比较，获得了InSb的压电材料常数Ppe = 4.0 × 10^21 eV/m，InAs的压电材料常数Ppe = 6.7 × 10^21 eV/m。电子自旋的弛豫可以用高场极限下的Elliot-Yafet过程来解释。
Time-Resolved Intraband Relaxation of Strongly-Confined Electrons and Holes in Colloidal PbSe Nanocrystals
利用飞秒瞬态吸收光谱对胶体PbSe纳米晶体中强束缚电子和空穴在1 P和1 S能级之间的弛豫过程进行了时间分辨。与II-VI族和III-V族半导体纳米晶体相反，电子和空穴都被强烈地限制在PbSe纳米晶体中。尽管大的电子和空穴能级间距（至少12倍的光学声子能量），我们始终观察到皮秒的时间尺度弛豫。现有的载流子弛豫理论不能解释这些实验结果。讨论了可能绕过IV-VI量子点声子瓶颈的机制。
Direct temporal measurement of hot-electron relaxation in a phonon-cooled metal island
我们报告的时间测量的电子温度和电子-声子的热弛豫速率在微米尺度的金属岛，与1 fJ/K的顺序的热容。我们采用超导体-绝缘体-普通金属隧道结，嵌入在射频谐振器中，作为快速（~ 20 MHz）温度计。一个电阻加热器耦合到岛允许我们驱动电子温度远高于声子温度。利用该装置，我们直接测量了热电子布居的热弛豫，测得的速率与动态电子-声子冷却的理论一致。
We investigate the electron and hole spin relaxation in an ensemble of self-assembled InAs/In$_{0.53}$Al$_{0.24}$Ga$_{0.23}$As/InP quantum dots with emission wavelengths around $1.5$~$μ$m by pump-probe Faraday rotation spectroscopy. Electron spin dephasing due to the randomly oriented nuclear Overhauser fields is observed. At low temperatures we find a sub-microsecond longitudinal electron spin relaxation time $T_1$ which unexpectedly strongly depends on temperature. At high temperatures the electron spin relaxation time is limited by optical phonon scattering through spin-orbit interaction de…
Dynamics of Spin Relaxation near the Edge of Two-Dimensional Electron Gas
本文计算了在边缘区存在自旋-轨道相互作用的二维电子气的自旋弛豫动力学。结果表明，自旋极化在边缘附近的弛豫比在体中的弛豫慢。这最终导致了自旋在边缘的积累。用解析和数值方法计算了自旋极化密度随时间的变化关系。边缘附近自旋弛豫较慢的机制与电子从边界的反射和平移对称性的缺乏有关。这些反射部分地补偿了由自旋轨道相互作用产生的电子自旋进动，从而使边缘附近的自旋极化长期存在。这种效应伴随着自旋极化振荡和自旋极化从垂直分量到面内分量的转移。
Spectral properties of one-dimensional spiral spin density wave states
我们提供了一个完整的表征的螺旋自旋密度波（SSDW）的光谱特性出现在一维电子系统耦合到本地化的磁矩或量子线与自旋轨道相互作用。利用场论技术，我们得到了低能极限下的谱函数、局域态密度和电导率的解析结果。我们确定了各种集体模式，并表明光谱强烈依赖于电子之间的相互作用强度。结果提供了一个实验检测SSDW状态的特征签名。
Relaxation and edge reconstruction in integer quantum Hall systems
限制势和电子-电子相互作用之间的相互作用导致量子霍尔边缘的重建。我们研究的后果，这种边缘重建的弛豫热电子注入整数量子霍尔边缘状态。在非线性不变的边缘，热电子的弛豫是由三体碰撞，这是敏感的电子色散，从而重建效果。我们表明，在不同的重建方案的松弛率显着改变。
Electron states, phonon-assisted relaxation and tunneling in self-assembled quantum dot molecules in an electric field
我们对两个自组装垂直堆叠量子点组成的系统中的声子辅助弛豫进行了理论分析。我们建立了真实的模型，它考虑了系统的几何形状和应变分布。我们计算声子辅助弛豫率之间的两个最低的状态（在一个和两个电子的情况下）。的弛豫速率和能级作为外部（轴向）电场和结构的几何形状（点的大小）的函数进行了研究。我们发现，弛豫时间可以低至1~ps，但有效的弛豫只发生在非常精细的调谐点。
Inelastic electron relaxation rates caused by Spin M/2 Kondo Impurities
本文研究了自旋S=M/2的Kondo系统在高于Kondo温度的任意非平衡态下的电子耦合。耦合到热电子导致伪粒子的逆寿命增加，相关的Korringa宽度。这反过来又是电子系统的非弹性弛豫速率增加的原因。速率与自旋-自旋关联函数有关，这些函数是使用投影算子形式主义确定的。结果推广了最近的研究结果S=1/2-Kondo杂质已被用来描述无序介观线的能量弛豫实验。
Electron spin relaxation in bulk GaAs for doping densities close to the metal-to-insulator transition
我们用自旋噪声谱测量了n型掺杂GaAs中电子自旋弛豫速率和自旋噪声积分功率，温度在4 K到80 K之间，掺杂浓度在2.7 x 10^{-15} cm^{-3}到8.8 x 10^{-16} cm^{-3}之间。依赖于温度的测量结果表明，从本地化的自由电子的较低掺杂的样品和确认主要是自由电子在所有温度下的最高掺杂的样品明显的过渡。虽然在金属-绝缘体转变的样品在低温下显示最长的自旋弛豫时间，但在70 K下观察到自旋弛豫速率的明显交叉，并且最高掺杂的样品在70 K以上显示最长的自旋弛豫时间。
Relaxation dynamics of the electron distribution in the Coulomb blockade problem
本文研究了单电子晶体管岛上电子分布函数的弛豫动力学，推导了无相干相互作用区的量子动力学方程并获得解析解，发现Coulomb相互作用强烈改变了通常的指数弛豫行为。
Non-equilibrium dynamics of strongly correlated systems constitutes a fascinating problem of condensed matter physics with many open questions. Here we investigate the relaxation dynamics of Landau-quantized electron system into spin-valley polarized ground state in a gate-tunable MoSe$_2$ monolayer subjected to a strong magnetic field. The system is driven out of equilibrium with optically injected excitons that depolarize the electron spins and the subsequent electron spin-valley relaxation is probed in time-resolved experiments. We demonstrate that the relaxation rate at millikelvin tempera…
Spin relaxation in a two-electron quantum dot
讨论了在磁场驱动的单重态-三重态跃迁附近的双电子液滴中总自旋的弛豫速率。总自旋弛豫归因于自旋-轨道和电子-声子相互作用。弛豫过程依赖于基态和激发态的自旋。这种不对称性被用来解释最近的高源漏输运实验中的难题。
Decoherence and relaxation of single electron excitations in quantum Hall edge channels
本文提出了一种计算双量子霍尔边沟道中能量分辨单电子激发的退相干和弛豫的统一方法。在玻色化框架内，计算了由相互作用和与外部线性电路的电容耦合引起的弛豫和退相干。本文建立了一个由边沟道和线性电路构成的两端器件高频输运特性的显式连接。
Effect of electron-electron interaction on the phonon-mediated spin relaxation in quantum dots
我们估计了弱限制量子点中最多五个相互作用电子的自旋-轨道耦合和声学声子散射引起的自旋弛豫速率。全组态相互作用方法被用来解释电子间的排斥，Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合是精确对角化的。我们发现，电子-电子相互作用强烈影响自旋轨道混合在样品中。因此，弛豫速率强烈地依赖于限制在点中的载流子的数量。我们确定的机制，这可能会导致改善自旋稳定性的几个电子（>2）量子点相比，通常的一个和两个电子设备。最后，我们讨论了最近的实验在GaAs点受外部磁场的三重态-单重态转变。我们的模拟结果与实验结果吻合良好，并支持所观察到的自旋弛豫是由于自旋轨道耦合辅助声声子发射的解释。
Energy relaxation and thermalization of hot electrons in quantum wires
我们发展了量子线中热载流子的能量弛豫和热化理论。我们的理论是基于大激发能的控制微扰方法，并强调了电子自旋和有限温度的重要作用。与更高维度不同，一维电子液体中的弛豫需要三体碰撞，并且粒子的弛豫速度比仅在非零温度下弛豫的空穴快得多。此外，同向移动的载流子比反向传播的载流子更快地热化。我们的结果与最近的一个实验定量一致。
We calculate the transport relaxation time $τ_{\rm tr}$ and spin transport relaxation time $τ_{s,{\rm tr}}$ for a two-dimensional electron gas with spatially fluctuating Rashba spin-orbit interaction. These relaxation times determine the electrical and spin conductivity of the two-dimensional system, respectively. It is shown that the transport relaxation time $τ_{\rm tr}$ is a nonmonotonic function of electron energy $\varepsilon $, whereas the spin transport relaxation time $τ_{s,{\rm tr}}$ decreases with increasing $\varepsilon $, similarly to the conventional electron relaxation time $τ$ t…
Coulomb interaction effects and electron spin relaxation in the 1d Kondo lattice model
研究了一维Kondo晶格模型中库仑相互作用对相图、静态磁化率和电子自旋弛豫的影响。我们发现，现场库仑相互作用支持铁磁顺序和最近邻库仑相互作用驱动器，这取决于电子填充，无论是顺磁或铁磁顺序。此外，我们计算电子准粒子的寿命，这可以与电子自旋弛豫和退相干时间，并解释它们的相互作用的强度和电子填充的依赖，以找到最佳点的弛豫时间最大化的参数。我们发现电子之间的有效交换过程决定了自旋弛豫和退相干速率。
Electron energy and temperature relaxation in graphene on a piezoelectric substrate
我们研究了压电衬底上石墨烯中电子的能量和温度弛豫。在狄拉克费米子的（非）简并气体中，考虑了基底的非本征压电表面声学（PA）声子和石墨烯的本征变形声学（DA）声子的组合势的散射。结果表明，在低能量或低温度下，PA声子占主导地位的弛豫和定性改变其性质。这一预测与使用石墨烯器件的量子精密测量和电子应用相关，并提出了一种用于探测石墨烯中电子-声子耦合的新实验装置。
Energy relaxation in the spin-polarized disordered electron liquid
研究了自旋极化无序电子系统在扩散区的能量弛豫。导出了电子-电子碰撞积分核显式依赖于电子磁化强度的量子动力学方程。结果表明，非弹性散射率与电子系统的自旋极化率呈非单调关系。
Effect of the Coulomb interaction on the electron relaxation of weakly-confined quantum dot systems
我们研究了含有少量受限相互作用电子的单个和隧道耦合量子点中的声声子诱导电荷激发弛豫。全组态相互作用方法用于解释电子-电子排斥。电子-声子相互作用占通过变形势和压电场机制。我们发现，电子相关性一般降低点内和点间跃迁率相对于相应的单电子跃迁，但这种影响是由外部磁场减少。另一方面，压电场散射被发现成为占主导地位的弛豫机制作为限制电子的数量增加。先前的建议，强烈抑制电子-声子耦合在适当设计的单电子量子点中被证明也在多电子器件中。结果表明，少电子轨道自由度比单电子轨道自由度稳定。
We present results for the electronic and magnetic structure of Mn and Fe clusters on Nb(110) surface, focusing on building blocks of atomic chains as possible realizations of topological superconductivity. The magnetic ground states of the atomic dimers and most of the monatomic chains are determined by the nearest-neighbor isotropic interaction. The dependence on the crystallographic direction as well as on the atomic coordination number is analyzed via an orbital decomposition of this isotropic interaction based on the spin-cluster expansion and the difference in the local density of states…
Electron-phonon induced spin relaxation in InAs quantum dots
我们计算了外磁场作用下抛物量子点中由于自旋轨道相互作用的声子调制引起的自旋弛豫率。变形势和压电电子-声子耦合机制都包含在Pavlov-Firsov自旋-声子哈密顿量中。我们的结果表明，在窄禁带材料中，电子-声子变形势和压电耦合的贡献与自旋弛豫过程相当。对于大的点，变形势相互作用成为主导。这种行为是没有观察到宽或中间间隙半导体，其中的压电耦合，一般来说，支配自旋弛豫过程。我们还证明了自旋弛豫速率对Landé $g$因子特别敏感。
Intrinsic electron spin relaxation due to the D'yakonov-Perel' mechanism in monolayer MoS$_2$
本文研究了单层二硫化钼中D 'yakonov-Perel'机制引起的内禀电子自旋弛豫。由于两个谷中垂直于单层二硫化钼平面的相反的有效磁场以及谷间的电子-声子散射，揭示了一个谷间的面内自旋弛豫通道。谷间电子-声子散射始终处于弱散射极限，导致面内自旋弛豫时间随温度的升高而迅速减小。面内自旋弛豫时间随电子密度的增加而减小。
Electron Density Dependence of in-plane Spin Relaxation Anisotropy in GaAs/AlGaAs Two-Dimensional Electron Gas
采用时间分辨克尔旋转技术研究了横向磁场下（001）GaAs/AlGaAs异质结构中二维电子的自旋动力学。由于Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合和D 'yakonov-Perel'自旋弛豫的干扰，在150 K以下，面内自旋寿命是各向异性的。面内自旋寿命的比率作为温度和泵浦功率的函数直接测量，显示在2DEG通道中的电子密度强烈影响Rashba自旋轨道耦合。
Temperature and Electron Density Dependence of Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Well
利用时间分辨克尔旋转技术研究了具有不同结构对称性的GaAs/AlGaAs量子阱的自旋动力学随温度和载流子密度的变化。与非对称GaAs量子阱相比，对称GaAs量子阱的自旋弛豫时间要长得多，表明Rashba自旋轨道耦合对自旋弛豫有很强的影响. D 'yakonov-Perel'（DP）机制是GaAs/AlGaAs量子阱自旋弛豫的主要机制。自旋弛豫时间表现出非单调依赖于温度和光激发载流子密度的行为，揭示了电子-电子库仑散射的非单调温度和密度依赖性的重要作用。我们的实验观察表明，与最近发展的自旋弛豫理论的基础上微观动力学自旋布洛赫方程的方法很好的协议。
Nuclear spin relaxation probed by a single quantum dot
本文介绍了在高迁移率电子气中用单个量子点探测核自旋弛豫的测量结果。通过量子点的电流导致了从电子自旋系统到核自旋系统的自旋转移。应用电子自旋共振，可以直接调谐转移机制。此外，观察到核自旋弛豫对点栅电压的依赖性。我们发现电子-核弛豫时间大约为10分钟。
Electron spin relaxation in graphene from a microscopic approach: Role of electron-electron interaction
采用全微观动力学自旋Bloch方程方法研究了衬底上石墨烯中的电子自旋弛豫。所有相关的散射，如电子-杂质，电子-声学-声子，电子-光学-声子，电子-远界面-声子，以及电子-电子库仑散射，明确地包括在内。我们的研究集中在清洁的本征石墨烯，其中吸附原子的自旋轨道耦合可以忽略不计。讨论了电子-电子库仑相互作用在不同条件下对自旋弛豫的影响。结果表明，电子-电子库仑散射在高温自旋弛豫过程中起着重要作用。我们还发现，即使在室温下，高自旋极化的自旋弛豫时间的显着增加，这是由于库仑Hartree-Fock贡献诱导的有效纵向磁场。研究还发现，由于热电子效应，自旋弛豫时间随面内电场的增加而增加，这与半导体中的非单调行为不同。此外，我们表明，在石墨烯中的电子-电子库仑散射是不够强，以建立在文献中的稳态热电子分布，并提出了一个替代的近似基于我们的计算。
Relaxation of hot electrons in a degenerate two-dimensional electron system: transition to one-dimensional scattering
在介观三端器件输运实验中，研究了简并二维电子系统中远离热平衡的超热电子的能量弛豫通道。我们观察到了超热电子从零磁场下的二维散射到强磁场下的准一维散射的转变。在二维情况下，电子-电子散射是主要的弛豫机制，而随着磁场的增加，光学声子的发射变得越来越重要。观测到每个热电子发射的多达11个光学声子，使我们能够以高精度（$\eph=36.0\pm0.1\,$ meV）确定GaAs中LO声子在低温下的起始能量。电子-电子散射和光学声子发射的数值计算强调我们的解释过渡到一维动力学。
Electron transport and energy relaxation in dilute magnetic alloys
我们考虑了磁性杂质之间的RKKY相互作用对正常金属中电子弛豫速率的影响。RKKY相互作用和近藤效应之间的相互作用可能导致电子动量弛豫速率的非单调温度依赖性，这决定了Drude电导率。决定电阻率弱局域化修正大小的电子相位弛豫速率也是温度的非单调函数。对于这个函数，我们发现其最大值的位置上的磁性杂质的浓度的依赖性。我们还将电子能量弛豫速率与磁性杂质系统的激发谱联系起来。能量弛豫决定了非平衡电子的分布函数。因此，电子分布函数的测量可以提供关于自旋玻璃相中的激发的信息。
Spin Relaxation of Conduction Electrons in Semiconductors Due to Interaction with Nuclear Spins
研究了零外加磁场下半导体中传导电子自旋由于与自旋1/2核的超精细相互作用而产生的弛豫。我们计算了电子自旋弛豫时间尺度，以评估这种弛豫机制的重要性。主方程的电子自旋密度矩阵的推导和解决。极化的核自旋可以用于自旋电子器件中的电子。
A short overview of theoretical models for the description of the relaxation processes in metals excited by a short laser pulse is presented. The main effort is given to description of different processes which are taking place after absorption of the laser pulse. Widely used two temperature model is discussed and the conditions of applicability of this model are identified. Various approaches for solving the Boltzmann kinetic equations are discussed. It is identified that in the case of low excitation limit the relaxation is determined by the emission of phonons by photoexcited electrons. The…
Electron spin relaxation in semiconductors and semiconductor structures
本文提出了一种研究具有任意各向异性或量子结构的半导体在磁场中自由电子自旋演化问题的方法。所开发的方法利用量子动力学方程的平均自旋组件。这些方程代表自旋弛豫的有效场起伏的关联函数的弛豫。在自相关函数占主导地位的特定情况下，动力学方程简化为Bloch方程。将该方法应用于半磁量子阱中交换散射引起的电子自旋弛豫问题以及Dyakonov-Perel机制引起的量子阱自旋弛豫问题。
D'yakonov-Perel' spin relaxation under electron-electron collisions in QWs
自旋弛豫的D 'yakonov-Perel'机制与缺乏对称中心的晶体中电子色散曲线的自旋分裂有关。在二维非中心对称系统中，例如量子阱或异质结，自旋分裂是${\bm k}$的线性函数，至少对于小的${\bm k}$值是如此。我们证明了自旋分裂引起的自旋弛豫时间$τ_s$不仅受到动量弛豫过程的控制，而且还受到电子-电子碰撞的控制，电子-电子碰撞对电子迁移率没有影响。为了计算考虑电子-电子散射的时间$τ_s$，我们求解了电子自旋密度矩阵的二维动力学方程。我们展示了如何可以扩展到允许的自旋极化的二维电子气的简并分布的理论。
扫码添加微信好友，提出您的宝贵建议 👇
💡 备注请填写：网站反馈
发表机构由 AI 从论文文本抽取，如发现错误，欢迎反馈修正建议。