Ni Schottky barrier on heavily doped phosphorous implanted 4H-SiC
研究了重掺杂（ND>1019 cm-3）n型磷离子注入碳化硅（4 H-SiC）上Ni肖特基势垒的电学行为，着重研究了正向和反向偏压下的电流输运机制。肖特基二极管的正向电流-电压特性表明，主要的电流传输是一个电子-场致发射机制。另一方面，反向偏置特性不能用唯一的机制来描述。实际上，在适当的反向偏压下，漏电流温度的升高主要是由掺杂引起的损伤引起的，而随着偏压的增加，漏电流温度的升高更接近于纯场致发射机制。讨论了重掺杂层上金属/4 H-SiC接触在实际器件中的潜在应用。
2021-04-15 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Schottky barriers at hexagonal boron nitride/metal interfaces: a first principles study
用密度泛函理论研究了金属与六方氮化硼（h-BN）界面肖特基势垒的形成。对于金属的功函数范围从4.2到6.0 eV，我们发现肖特基势垒高度为1.2和2.3 eV之间的空穴。在确定肖特基势垒高度中的中心作用是在金属处形成的0.4至1.8eV之间的电势阶跃|h-BN界面，并有效地降低金属功函数。如果h-BN被物理吸附，如在fcc Cu、Al、Au、Ag和Pt（111）衬底上的情况，则界面电位阶跃由仅取决于h-BN与金属表面之间的距离的通用函数很好地描述。当h-BN被化学吸附时，界面电位阶跃最大，这是hcp Co和Ti（0001）以及fcc Ni和Pd（111）衬底的情况。
2014-08-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Boron and Barium Incorporation at the 4H-SiC/SiO2 Interface using a Laser Multi-Charged Ion Source
采用激光多电荷离子源对4 H-SiC/ SiO2界面进行B、Ba离子处理。采用调Q Nd：YAG激光器（波长λ = 1064 nm，脉宽τ = 7 ns，注量F = 135 J/cm 2）烧蚀B和Ba靶，产生多电荷离子。这些离子被一个静电场偏转，使它们与中性粒子分离。利用多电荷离子在4 H-SiC中进行纳米层生长和浅离子注入。几个金属氧化物半导体电容器（MOSCAP）与B和Ba的组合在SiC/SiO2界面制作。使用高低C-V测量来表征MOSCAP。B界面层降低了MOSCAP平带电压从4.5到0.04 V，而Ba层的影响可以忽略不计。
2021-01-24 cond-mat.mtrl-sci
Unveiling microstructural damage for leakage current degradation in SiC Schottky diode after heavy ions irradiation under 200 V
该研究利用高分辨率TEM表征重离子辐照下SiC肖特基二极管的微观损伤，发现界面熔融导致非晶化和原子混合，从而引起漏电流永久增加，揭示了SELC机制。
2024-03-08 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Boron-doping of cubic SiC for intermediate band solar cells: a scanning transmission electron microscopy study
硼（B）有可能在立方碳化硅（3C-SiC）中产生中间带，将这种材料变成单结太阳能电池的高效吸收体。离域带的形成需要高浓度的杂质元素，但是B在SiC的3C多晶型物中的沉淀行为还不是很清楚。在这里，探针校正的扫描透射电子显微镜和二次离子质谱法被用来研究在B-注入3C-SiC作为温度的函数的沉淀机制。在1273 K退火后检测到点缺陷聚集，而层错，富B沉淀和位错网络的发展在1573 - 1773 K范围内。析出相为菱方B13 C2结构，在1773 K时仍能捕获B。高于此温度，较高的溶解度减少沉淀和游离B扩散出注入层。在1873 K下获得了E19（cm-3）掺杂浓度。
2018-12-10 cond-mat.mtrl-sci
Boron nitride on SiC(0001)
在范德华异质结构领域中，堆叠的二维（2D）层之间的扭转角已经被确定为对于异质结构的性质至关重要。在这种情况下，我们先前报道了在表面活性剂气氛中形成的单层非常规取向的外延石墨烯的生长[F. C. Bocquet等人，物理修订信函125，106102（2020）]。由此产生的G-R 0 $^\circ$层与SiC晶格对齐，因此代表了迈向高质量扭曲双层石墨烯（tBLG）的重要里程碑，tBLG是该领域经常研究的模型系统。在这里，我们专注于在相同的表面活性剂气氛中获得的表面结构，但在较低的制备温度下，氮化硼模板层在SiC（0001）上形成。在一项基于互补实验和理论技术的综合研究中，我们发现-与文献相反-该模板层是六方B $_x$ N $_y$层，但不是高质量的hBN。它与SiC晶格对齐，并在退火时逐渐被B $_x$ N $_y$模板层的0 $^\circ$取向的低质量石墨烯取代。
2022-04-14 cond-mat.mtrl-sci
4H-SiC Schottky diode radiation hardness assessment by IBIC microscopy
我们报告的离子束感生电荷（IBIC）表征的4 H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）的研究结果，在修改的电荷收集效率（CCE）的分布引起的20 MeV的C离子辐照的能量密度范围从20到200离子/微米2。在原始二极管上进行的在SBD截面上具有4 MeV质子的横向IBIC显微术证明了作为所施加偏压的函数的耗尽层延伸的加宽，并且允许测量少数载流子扩散长度。用C离子辐照后，横向IBIC显示出显着的修改的CCE分布，随着破坏性C离子的注量增加的耗尽层的逐步收缩。一个简单的静电模型排除了收缩是由于注入的电荷和归因于静电景观的扰动辐射诱导的缺陷与正电荷状态。
2022-11-10 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.ins-det
Carrier transport in reverse-biased graphene/semiconductor Schottky junctions
反向偏置的石墨烯（Gr）/半导体肖特基二极管表现出更高的气体传感灵敏度。然而，跨结的载流子输运尚未完全理解。在这里，Gr/SiC，Gr/GaAs和Gr/Si肖特基结在反向偏压下的温度依赖的电流-电压测量进行了研究。随着反向偏压的增加，势垒高度的减少，观察到所有的结，这表明电场增强的电子发射。对反向电流的场依赖性的进一步分析表明，虽然Gr/SiC肖特基结中的载流子输运遵循Poole-Frenkel机制，但Gr/Si和Gr/GaAs结中的载流子输运偏离了Poole-Frankel机制和肖特基机制，特别是在低温和低场下。
2015-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial Growth of Boron Carbide on 4H-SiC
本文提出两步CVD法在4H-SiC上外延生长单晶碳化硼，先硼化再高温沉积，获得台阶流形貌的单晶薄膜，并揭示了非晶层转化及瞬态SiB x /Si微晶的生长机制。
2023-10-26 cond-mat.mtrl-sci
Electronic structure of graphite/6H-SiC interfaces
本文研究了6 H-SiC {0001}与石墨界面的电子结构。在n型和p型6 H-SiC（0001）上观察到的肖特基势垒分别为Phi_b，n^Si= 0.3 ± 0.1eV和Phi_b，p^Si=2.7 ± 0.1eV。在n型6 H-SiC（000-1）上，我们发现Phi_b，n^C=1.3 ± 0.1eV。这些障碍的金属/SiC接触的电性能的影响进行了讨论。
2006-10-09 cond-mat.mtrl-sci
Two-dimensional Indium Oxide at the Epitaxial Graphene/SiC Interface: Synthesis, Structure, Properties, and Devices
本研究通过外延石墨烯/SiC界面插层合成新型单层2D电介质InO₂，调控其厚度并解释单层优先形成机制，发现其带隙特性，验证其使EG/n-SiC结转变为高性能肖特基结，为2D电介质家族添新成员并展现器件应用潜力。
2025-11-10 cond-mat.mtrl-sci
Controlling the Schottky barrier at MoS2|metal contacts by inserting a BN monolayer
制作与二维半导体MoS 2的金属接触而不产生肖特基势垒是一个挑战。使用密度泛函计算，我们表明，虽然肖特基势垒的电子服从肖特基-莫特规则的高功函数（$\gtrsim 4.7$ eV）的金属，费米能级被钉扎在0.1-0.3 eV以下的导带边缘的低功函数金属的二硫化钼，由于金属-二硫化钼相互作用。在金属和MoS 2之间插入氮化硼（BN）单层破坏了这种相互作用，并恢复了MoS 2的电子结构。此外，BN层使Co和Ni的金属功函数降低了$\sim 2$ eV，并且能够使费米能级与MoS 2导带对齐。通过吸附单个BN层的表面改性是实现肖特基势垒高度消失的实用方法。
2015-01-09 cond-mat.mtrl-sci
Schottky-diode design for the world's leading telecommunication
肖特基二极管，BN/GAN层状复合材料接触到块体铝，理论上是合理的，以收集X波段以上的无线能量。根据我们的第一原理计算，GAN层的插入显着影响层状复合材料的光学性质。研究了BN/GAN层状复合材料的相对介电常数随层间距的变化规律，最佳介电常数为3.1。此外，我们设计了另一个肖特基二极管通过纳米结构。我们的第一性原理计算表明，氮化硼单层的相对介电常数可以最小化到1.5，只有当它被沉积在铝单层。很难找到介电常数接近1的半导体，这可能会将Al/BN基整流天线的截止频率推向高频带5G网络。
2021-01-28 cond-mat.mtrl-sci
First principles modeling of group-III acceptors and their potential lifetime-limiting effects in n-type 4H-SiC
University of Aveiro（阿威罗大学）
利用杂化密度泛函方法研究4H-SiC中硼和铝受主的电子结构，发现B_Si具有大俘获截面导致n型材料寿命退化，并预测B_C存在新的施主跃迁。
2026-10-07 cond-mat.mtrl-sci
Direct observation of the leakage current in epitaxial diamond Schottky barrier devices by conductive-probe atomic force microscopy and Raman imaging
利用导电探针原子力显微镜（CP-AFM）和共焦显微拉曼/光致发光（PL）成像分析技术，对几种垂直型金刚石肖特基器件的高漏电流来源进行了研究。在样品表面的几个不同区域中，已经确定了局部电阻相对于其紧密周围强烈降低（5-6个数量级下降）的局部区域。同样的局部区域，也称为电热点，揭示了一个轻微约束的金刚石晶格和三个主要的拉曼波段在低波数区（590，914和1040 cm-1）。后面这些带通常被分配到涉及硼杂质及其可能的络合物的振动模式，这些络合物可以作为载流子的陷阱。在热点进行的局部电流-电压测量指出，陷阱填充限制（TFL）电流作为主要的导电机制，有利于在肖特基器件的漏电流。
2014-04-05 cond-mat.mtrl-sci
Rectification at Graphene-Semiconductor Interfaces: Zero-Gap Semiconductor Based Diodes
使用电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）测量，我们报告了与在一个原子厚的零间隙半导体（石墨烯）和传统半导体的界面处形成肖特基势垒相关的不寻常的物理和有前途的技术应用。当化学气相沉积的石墨烯被转移到n型Si、GaAs、4 H-SiC和GAN半导体衬底上时，存在强烈的范德华吸引力，伴随着跨界面的电荷转移和整流（肖特基）势垒的形成。结合键极化理论的背景下的肖特基-莫特模型的热电子发射理论提供了一个令人惊讶的良好的描述的电性能。由于石墨烯的机械稳定性、其抗扩散性、其在高温下的鲁棒性以及其所展示的包含多个功能的能力，应用于诸如在正向偏压中由于石墨烯上存在吸收物而对肖特基势垒高度的变化具有指数灵敏度的传感器或肖特基势垒是其整体组件的模拟器件是有希望的。
2012-03-23 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial Growth of a Single-Crystal Hybridized Boron Nitride and Graphene layer on a Wide-Band Gap Semiconductor
二维（2D）材料的垂直和横向异质结构为2D材料的物理和应用的开创性研究铺平了道路。通过化学气相沉积（CVD）在单晶金属或金属箔上制备了混杂的六方氮化硼（h-BN）和石墨烯横向结构（异质2D结构）。然而，一旦在金属上制造，h-BN/石墨烯横向结构就需要用于器件应用的附加转移过程，如对于在金属箔上生长的CVD石墨烯所报道的。在这里，我们证明了单晶h-BN/石墨烯横向结构可以在宽禁带半导体SiC（0001）上外延生长。首先，在850 oC下，使用环硼氮烷分子在Si封端的SiC衬底上生长了具有与块状SiC相同取向的单晶h-BN层。其次，当在真空中加热到1150 ℃以上时，h-BN层被部分去除，随后被石墨烯域取代。有趣的是，这些石墨烯域具有与h-BN层相同的取向，从而在整个样品区域上产生单晶h-BN/石墨烯横向结构。对于高于1600 ℃的温度，单晶h-BN层完全被单晶石墨烯层取代。利用低能电子衍射、角分辨光电子能谱和扫描隧道显微镜分别研究了h-BN/石墨烯横向结构的晶体结构、电子能带结构和原子结构。在宽禁带半导体衬底上制造的h-BN/石墨烯横向结构可以直接应用于器件，而无需进一步的转移过程，如对于SiC衬底上的外延石墨烯所报道的。
2015-06-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
First-principles computation of boron-nitride-based ultrathin UV-C light emitting diodes
短波长紫外线（UV-C）可以使任何细菌的DNA失活，包括多重耐药细菌和病毒，如COVID-19。基于二维（2D）材料的UV-C发光二极管可以潜在地集成到任意表面中以允许无阴影的表面消毒。在这项工作中，我们进行了一系列的第一性原理计算，以确定基于六方氮化硼（hBN）的发光二极管的核心组件。电子和空穴被预测限制在多量子阱（MQW）通过结合hBN层与不同的堆叠顺序。各种p-和n-掺杂的候选人hBN进行评估，并确定了相对的p-和n-型金属接触与低肖特基势垒高度。研究结果总结在一个具体的UV-C LED结构的建议。
2020-10-18 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Stabilisation of hBN/SiC Heterostructures with Vacancies and Transition-Metal Atoms
本研究通过密度泛函理论提出hBN/SiC双层异质结，发现硼空位可使层间作用从弱范德华耦合转为强共价键，结合过渡金属吸附研究制定表面反应性设计准则，经机器学习辅助分子动力学验证其有限温度下的稳定性，为原子级精确过渡金属功能化提供通用平台。
2025-10-28 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Stacking order effects on the energetic stability and electronic properties of $n$-doped graphene/h-BN van der Waals heterostructures on SiC(0001)
研究了由具有不同电子特性的堆叠二维材料制成的异质结构在创建多功能器件中的潜力。石墨烯（G）和六方氮化硼（h-BN）范德华（vdW）体系已经被广泛研究，包括最近关于在石墨烯/SiC（0001）模板上合成h-BN的研究。这些研究表明，h-BN封装可以发生除了VDW外延。本文对SiC（0001）衬底上具有碳缓冲层的G/h-BN异质结构进行了理论研究。结果显示，单层石墨烯下方的h-BN封装具有能量偏好：双层系统中的G/h-BN/SiC和三层系统中的G/h-BN/G/SiC。电子结构计算表明，石墨烯的线性能带色散在双层体系中得到保持，但由于石墨烯的电子掺杂水平不同，狄拉克点位于不同的能量位置。在三层系统中，石墨烯的掺杂水平也取决于堆叠顺序。G/h-BN/G/SiC的电子能带结构在费米能级以下具有两个能量不同的狄拉克点。较不稳定的系统如G/G/h-BN/和h-BN/G/G/SiC在费米能级附近显示抛物线带。基于C-1 s核心能级位移（CLS）和碳K边X射线吸收近边光谱（XANES）的模拟进行了额外的结构表征，以帮助这些石墨烯/h-BN vdW系统中的未来实验光谱。
2023-03-14 cond-mat.mtrl-sci
Silicon carbide diodes for neutron detection
在过去的二十年里，我们帮助寻找一种能够检测裂变同位素发射的中子的He 3替代技术。这一需求源于核弹头筛查或防止放射性材料非法贩运等应用。半导体探测器是较强的竞争者之一，特别是那些基于碳化硅等宽带隙材料的探测器。我们回顾了SiC基中子探测器的工作原理，以及与材料性能，器件制造和测试相关的几个问题。本文总结了E-SiCure项目，共同资助的北约SPS计划内进行的实验和理论工作。在这些成就中，我们成功地开发了基于肖特基势垒的探测器，并确定了SiC有源区中的主要载流子寿命限制缺陷，这些缺陷要么已经存在于原始设备中，要么在暴露于辐射场时引入。描述了中子探测的物理过程。材料特性以及相关的外延生长和器件制造的问题得到解决。在生长的材料中存在的缺陷，以及由电离辐射引入的缺陷的报告。最后，我们描述了几个实验中进行的约瑟夫斯特凡研究所TRIGA马克II反应堆（卢布尔雅那，斯洛文尼亚），一组SiC为基础的中子探测器进行了测试，其中一些配备了热中子转换层。我们发现，尽管存在很大的改进空间，肖特基势垒二极管的基础上，最先进的4 H-SiC的气体为基础的和半导体探测器的灵敏度提供的差距正在缩小。
2020-10-30 cond-mat.mtrl-sci physics.ins-det
Morphological and electrical properties of Nickel based Ohmic contacts formed by laser annealing process on n-type 4H-SiC
本文研究了激光退火形成的SiC功率二极管镍基背面欧姆接触的形貌和电学性能。在重掺杂110 μ m4H-SiC基片机械研磨后的背面溅射了100 nm厚的Ni薄膜。然后，为了实现欧姆行为，用波长为310 nm、能量密度为4.7 J/cm 2和脉冲持续时间为160 ns的UV受激准分子激光照射金属膜。通过不同的技术手段分析样品的形态和结构特性。纳米尺度的导电原子力显微镜（C-AFM）的电分析允许相关的退火金属膜的形态与它们的局部电性能。研究了激光退火制备的接触的欧姆行为，并与标准快速热退火（RTA）工艺进行了比较。最后，将其集成到650V SiC肖特基二极管的制作中。
2019-06-07 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Degradiation of $β$-Ga$_2$O$_3$ Schottky barrier diode under swift heavy ion irradiation
研究了快重离子（2096 MeV Ta离子）辐照$β$ -Ga $_2$ O $_3$肖特基势垒二极管（SBD）器件的电学特性和微结构。结果表明，$β$ $_2$ O $_3$ SBD器件辐照后，器件的导通电压Von、导通电阻Ron、理想因子n和反向漏电流密度Jr均发生了可靠性下降。此外，漂移层的载流子浓度显著降低，并且计算的载流子去除率为5*106 - 1.3*107 cm-1。在整个$β$ O $_3$基质中目视观察到由快速重离子诱导的潜在径迹。此外，晶体结构的轨道是完全非晶化。Ta离子轰击引起的潜径迹是导致载流子迁移率和载流子浓度下降的原因。最终，这些缺陷导致器件的电特性劣化。通过比较载流子去除率，$β$ $_2$ O $_3$ SBD器件比SiC和GAN器件对快重离子辐照更敏感。
2021-03-25 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
N-VSi-related center in non-irradiated 6H SiC nanostructure
我们提出了第一个发现的空位相关的中心确定的电子自旋共振（ESR）和电检测（ED）ESR方法在未经辐照的6 H-SiC纳米结构。这种平面6 H-SiC纳米结构代表了由n型6 H-SiC（0001）晶片表面上重掺杂硼的δ势垒限制的超窄p型量子阱。通过测量δ势垒高频产生下6 H SiC纳米结构的唯一磁阻的EDESR方法似乎允许识别硅空位中心以及自旋状态S=1的三重态中心。ESR（X波段）方法揭示了相同的三重态中心，其特征在于零场分裂常数D和各向异性g因子的较大值。超精细（HF）线的ESR和EDESR光谱起源于HF与14 N核的相互作用，使我们能够将这个三重态中心的N-VSi缺陷。
2013-08-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High Mobility WSe2 p- and n-Type Field Effect Transistors Contacted by Highly Doped Graphene for Low-Resistance Contacts
我们报告了具有六方氮化硼钝化沟道和离子液体（IL）栅控石墨烯接触的n型和p型WSe 2场效应晶体管的制造。我们的输运测量揭示了本征沟道特性，包括在接近量子电导e2/h的特征电导率下的金属-绝缘体转变，在170 K下>107的高ON/OFF比，以及在160 K下约200 cm 2 V-1 s-1的大电子和空穴迁移率。将温度降低到77 K将电子的迁移率提高到~330 cm 2 V-1 s-1，将空穴的迁移率提高到~270 cm 2 V-1 s-1。我们将我们观察电子和空穴通道中的固有声子限制传导的能力归因于使用IL门控的通道和石墨烯接触电极之间的肖特基势垒的急剧减少。我们通过研究由单个石墨烯/WSe 2肖特基结组成的肖特基二极管来阐明这一过程。我们的研究结果表明，利用化学或静电高度掺杂的石墨烯的多功能，灵活和透明的低电阻欧姆接触到广泛的准二维半导体的可能性。关键词：MoS 2，WSe 2，场效应晶体管，石墨烯，肖特基势垒，离子液体栅
2014-05-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Impact of stacking faults and domain boundaries on the electronic transport in cubic silicon carbide probed by conductive atomic force microscopy
尽管其对于能量高效功率转换的巨大承诺，但是硅上的立方碳化硅（3C-SiC）的电子质量目前受到异质外延材料中存在的各种扩展缺陷的限制。然而，不同的缺陷对电子运输的具体作用仍在争论之中。在这项工作中，在3C-SiC/Si上的肖特基接触的宏观和纳米尺度的表征进行，以阐明反相界（APB）和堆叠故障（SF）的影响，这些设备的正向和反向的电流-电压特性。通过导电原子力显微镜（CAFM）对3C-SiC的电流分布直接显示了APB作为反向偏置泄漏的主要缺陷的作用，而APB和SF都被示出在正向极化下作为优先电流路径工作。这两种缺陷之间的明显差异也证实了电子输运模拟的一个正面到背面接触的SF和APB。这些实验和模拟结果提供了不同类型的扩展缺陷对基于3C-SiC/Si的垂直或准垂直器件中的电输运所起的作用的图片，并且可以作为通过缺陷工程来改善材料质量的指导。
2020-01-16 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Cubic BeB$_2$: A metastable $p$-type conductive material from first principles
立方BeB₂通过第一性原理研究发现其具有高空穴浓度和迁移率，是高效p型导电材料的候选，同时在退化掺杂下表现出低温超导性。
2025-09-29 cond-mat.mtrl-sci
Nuclearity of Copper Clusters on hBN/SiC Heterostructure Modulates Molecular Adsorption
Aalto University（阿尔托大学）；European Laboratory for Learning and Intelligent Systems (ELLIS) Institute Finland（欧洲学习与智能系统实验室芬兰研究所）；University of Eastern Finland（芬兰东部大学）；HUN-REN Wigner Research Centre for Physics（匈牙利研究与教育网络维格纳物理研究中心）；Budapest University of Technology and Economics（布达佩斯技术与经济大学）；Loughborough University（拉夫堡大学）
本研究通过DFT结合MLMD模拟，揭示hBN/SiC异质结构硼空位处Cu团簇的核数调控其稳定性、电子结构及气体吸附活性，为2D异质结构的金属功能化提供设计准则。
2026-08-27 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Titanium additions to MgB2 conductors
报道了一系列的掺杂实验的MgB 2导体，已合成使用掺杂的硼纤维制备的化学气相沉积（CVD）方法。由CVD制备的光纤制备的未掺杂的MgB 2样品在5 K的低场下始终给出500，000 A/cm ^2范围内的临界电流密度Jc。当磁场增加到3 T时，这些值下降约100倍。对于重钛掺杂的硼纤维，其中的B/Ti比是相当的1，有一个实质性的抑制Tc，超导体积分数，和Jc值。然而，如果将B中含有少量Ti的样品沉积在碳涂层SiC衬底上，并在1100 ℃下反应15分钟，则Tc仅被抑制几度开尔文，并且发现对于4-10微米厚的超导层，临界电流密度约为2-5 x 10^6 A/cm ^2。这些材料在25 K和1.3 T下的Jc值超过10，000 A/cm ^2。
2003-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
