Structure and magnetism of MnGe thin films grown with a nonmagnetic CrSi template
Dalhousie University（达尔豪斯大学）；McMaster University（麦克马斯特大学）；Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2)（加泰罗尼亚纳米科学和纳米技术研究所）
本研究通过非磁性CrSi模板生长超薄MnGe薄膜，揭示其B20结构及低温相变特性。
2026-03-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Study of Growth Properties of InAs Islands on Nucleation Sites Defined by Focused Ion Beam
本工作描述的形态和结晶性能的InAs岛上生长的模板上创建的聚焦离子束（FIB）磷化铟（InP）衬底。在InP（001）表面上形成规则排列的浅孔，作为金属有机物气相外延生长InAs岛的优先成核位置。使用范围从$10^{15}$到$10^{16}$ $Ga^{+}$ / $cm^{2}$的离子剂量，并且岛生长两个亚单层覆盖。我们观察到在FIB产生的空腔的内表面中形成簇，并且表明对于低剂量模板，纳米结构主要是相干的，而用大离子剂量创建的模板导致具有较大岛密度的不相干岛的生长。修改后的岛的生长描述了一个简单的模型的基础上的表面电位和净吸附原子流的空腔。我们观察到，所获得的形态从粗化和聚结机制之间的竞争。
2016-03-15 cond-mat.mtrl-sci
Oxygen Incorporation in the MBE growth of ScxGa1-xN and ScxAl1-xN
采用二次离子质谱（SIMS）技术对分子束外延（MBE）生长的两种含钪氮化物半导体多层异质结构：ScxGa 1-xN/GAN和ScxAl 1-xN/AlN中的碳和氧杂质浓度进行了测定。在富含金属的条件下在具有高达28原子百分比的Sc含量的GaN-SiC模板衬底上生长的ScxGa 1-xN/GAN异质结构中，发现氧浓度低于1 × 1019/cm 3，其增加与钪含量直接相关。在富氮条件下在Sc含量高达26原子百分比的AlN-Al 2 O3模板衬底上生长的ScxAl 1-xN-AlN异质结构中，发现氧浓度在1019至1021/cm 3之间，再次与Sc含量直接相关。增加的氧和碳在钪合金层的沉积期间出现。
2019-12-10 cond-mat.mtrl-sci
Preparation of large-scale ring carbon nanotube networks and a general growth mechanism for carbon nanotubes
采用热化学气相沉积法在多孔阳极氧化铝纳米通道网络模板中首次制备了大规模完全互连的环状碳纳米管（CNT）网络。这种导电碳纳米管网络膜由数十亿个单层纳米管段组成，可以制成厘米级的模板大小，具有均匀的二维环状拓扑结构。这些碳纳米管网络可以由电沉积到模板中的微小Fe/Co催化剂颗粒生长，或者完全不需要额外的金属催化剂。常见的互连环拓扑结构表明了一种双尖端生长机制，其中每个CNT的生长应该通过碳簇的掺入在两端发生，直到它们连接到其他CNT中。通过比较有催化剂颗粒和无催化剂颗粒的碳纳米管网络的不同形貌，我们发现碳团簇的局部浓度对碳纳米管的持续生长起着关键作用。
2006-09-18 cond-mat.mtrl-sci
A Scalable Nanogenerator Based on Self-Poled Piezoelectric Polymer Nanowires with High Energy Conversion Efficiency
基于压电材料的纳米发电机将永远存在的机械振动转化为电能，用于能量自主的无线和电子设备。压电聚合物的纳米线对于以这种方式收集机械能特别有吸引力，因为它们是柔性的、重量轻的并且对小振动敏感。以前的研究只集中在通过静电纺丝生长的纳米线上，但这涉及复杂的设备和$\approx$ 10 kV的高电压，该高电压使纳米线电极化，从而使它们压电。在这里，我们表明，纳米线的聚（偏氟乙烯-三氟乙烯）（P（VDF-TrFE））生长使用一个简单的和具有成本效益的模板润湿技术，可以成功地利用纳米发电机没有极化。包括$\approx$ 10 $^{10}$的典型纳米发电机被示出为响应于低水平振动在5.5 nA下产生3 V的峰值输出电压，所述$^{10}$高度结晶、自极化、对齐的纳米线跨越$\approx$ 2 cm $^2$。我们的模板生长的纳米线所表现出的11%的机械-电气转换效率与先前报道的最佳值相当。因此，我们的工作提供了一种可扩展的方法，为下一代自供电电子产品实现高性能纳米发电机。
2015-05-14 cond-mat.mtrl-sci
NC-AFM and XPS Investigation of Single-crystal Surfaces Supporting Cobalt (III) Oxide Nanostructures Grown by a Photochemical Method
本论文的工作包括广泛的非接触原子力显微镜（NC-AFM）表征清洁的金属氧化物（YSZ（100）/（111）和MgO（100））和石墨（HOPG）支持作为模板的新型，光化学诱导成核的钴氧化物纳米结构，特别是钴（III）氧化物。还通过X射线光电子能谱学（XPS）研究了纳米结构支撑表面，以验证支撑的钴氧化物的性质并证实表面形貌和相NC-AFM数据。Co2 O3纳米结构的异质外延生长被证明表现出基于支撑表面的结构的各种不同的生长模式。在此基础上，选择了从非极性到极性和原子级平坦到高度缺陷和反应性的单晶支撑表面，再次产生了许多可以通过高性能表面科学技术探测的基底-纳米结构相互作用。
2017-11-15 cond-mat.mtrl-sci
Strain distribution in GaN/AlN superlattices grown on AlN/sapphire templates: comparison of X-ray diffraction and photoluminescence studies
本研究通过X射线衍射、光致发光和透射电子显微镜技术，系统研究了GaN/AlN超晶格中应变随阱/势垒厚度的变化规律，发现应变随厚度增加而减小，并利用密度泛函理论成功解释了量子限制斯塔克效应导致的发光峰能量降低。
2025-03-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dependence of the Mn sticking coefficient on Ga-rich, N-rich, and Ga/N-flux-free conditions in GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Cornell University（康奈尔大学）；Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（柏林莱布尼茨联合会保罗·德鲁德固态电子学研究所）
研究探讨了Ga/N流量条件对GaN中Mn掺杂程度的影响，发现N-rich条件下Mn掺杂最高，Ga-rich条件下最低，无flux条件下处于中间水平。
2026-03-04 cond-mat.mtrl-sci
Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN
本研究探究GaN衬底切斜对InGaN塑性弛豫的影响，发现衬底错切方向会调控失配位错分布，引发各向异性应变与层倾斜，且部分弛豫InGaN存在三斜形变，需改进XRD分析以避免误判弛豫状态。
2024-09-16 cond-mat.mtrl-sci
Growth-related formation mechanism of I$_3$-type basal stacking fault in epitaxially grown hexagonal Ge-2H
Ge的六方晶相2H最近成为中红外范围内有前途的直接带隙半导体，为IV族半导体（Ge和SiGe）的附加光电功能提供了新的前景。这种六方（2H）Ge相的受控合成是一个挑战，可以通过使用纤锌矿GaAs纳米线作为模板来克服。然而，取决于生长条件，在亚稳态2H结构中形成I $_3$型的不寻常的基底堆垛层错（BSF）。这种核/壳异质结构的生长原位观察，并通过环境透射电子显微镜使用化学气相沉积的实时。这些观察提供了Ge-2H外延层的阶跃流动生长的直接证据，并揭示了I $_3$-BSF在不稳定生长过程中与生长相关的形成。动态研究了它们的形成条件。通过这些原位观察，我们可以提出一个方案的成核的I $_3$型BSF的可能是有效的任何亚稳的六方2H或纤锌矿结构生长在m-平面衬底上。确定条件，以避免其形成的SiGe-2H的完美结晶合成。
2022-01-06 cond-mat.mtrl-sci
Raman scattering studies of the lateral Mn distribution in MBE-grown Ga1-xMnxN epilayers
最近在非常薄的单相Ga 1-xMnxN稀磁层的兴趣增加了对精确的、非破坏性的和相对快速的表征方法的需求，其中关键问题是宏观横向Mn分布和Mn浓度x的绝对值。报道了用分子束外延技术在GAN宝石衬底上生长的高质量Ga_（1-x）Mn_xN薄膜的共振增强紫外拉曼散射研究。UV激发的主要优点是将光穿透深度限制在近100纳米，消除了来自GAN缓冲层的信号。在这种条件下，我们确定的1 LO声子频率对x的依赖性，这使得它的横向分布在整个表面的样品的精细映射。我们的拉曼扫描清楚地证实了Mn原子在整个层中的大量横向分布，其相对于其中心是径向的。从建立的分布在两个故意选择的层的最有效的Mn原子掺入外延GAN的最佳生长温度的幅度已被证实。它示出的1 LO线的宽度和它的能量的组合提供了评估的研究层的结晶质量。
2019-11-07 cond-mat.mtrl-sci
Ni cluster embedded (111)NiO layers grown on (0001)GaN films using pulsed laser deposition technique
本文利用脉冲激光沉积在GaN上制备嵌入Ni团簇的NiO外延层，发现团簇结构、磁学性质及易磁化轴方向随生长温度变化，并揭示其源于各向异性竞争，展示了该材料在GaN自旋电子学中的应用潜力。
2023-08-14 cond-mat.mtrl-sci
Room-Temperature Anomalous Hall Effect in Graphene in Interfacial Magnetic Proximity with EuO Grown by Topotactic Reduction
通过拓扑还原在石墨烯上生长EuO薄层，实现界面磁邻近诱导的自旋极化，在室温下观察到反常霍尔效应，归因于高应变稳定的磁极化子。
2023-09-02 cond-mat.mtrl-sci
Metal-organic chemical vapor deposition of MgGeN2 films on GaN and sapphire
本研究通过MOCVD在GaN和蓝宝石衬底上成功生长MgGeN2薄膜，系统表征了其组成、形貌、结晶性、厚度、带隙及光学性质，为光电子和电力电子应用奠定基础。
2025-02-25 cond-mat.mtrl-sci
Growth-induced trade-off between polarity, electrical isolation, and structural quality in AlN grown on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（柏林莱布尼茨研究联合体保罗·德鲁德固体电子学研究所）；Institute of Physics of Materials and CEITEC IPM, Czech Academy of Sciences（捷克科学院材料物理与CEITEC IPM研究所）；School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University（康奈尔大学电气与计算机工程学院）
该研究探究等离子体辅助分子束外延生长AlN/Si时衬底温度与Al通量对极性、电隔离性、结构质量的影响，发现三者存在生长诱导的权衡，优化参数后获特定性能的N极性AlN/Si，为相关模板优化提供指导。
2026-10-15 cond-mat.mtrl-sci
Identification of triangular-shaped defects often appeared in hard-sphere crystals grown on a square pattern under gravity by Monte Carlo simulations
在本文中，我们已经成功地识别了三角形缺陷结构与堆垛层错四面体。这些结构通常出现在重力下以正方形图案生长的硬球（HS）晶体中。到目前为止，我们已经在重力作用下对HS晶体进行了蒙特卡罗模拟。在正方形模板的情况下，没有看到以前在平坦壁上生长的HS晶体中观察到的单个堆垛层错。相反，在$xz$ -和$yz$ -投影中具有三角形外观的缺陷结构是可感知的。我们已经通过逐层查看确定了它们。这些结构被沿着面心立方（fcc）的堆垛层错包围{111}。此外，我们看到孤立的空位和空位-间隙对，我们发现八面体结构被沿着fcc {111}的堆垛层错包围。
2014-06-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft physics.chem-ph
Template engineering of Co-doped BaFe2As2 single-crystal thin films
了解新的超导体需要高质量的外延薄膜来探索固有的电磁特性，控制晶界和应变效应，并评估设备的应用。到目前为止，铁磷族元素化物薄膜的超导性能似乎受到不完美的外延生长和超导相的不良连通性的影响。在这里，我们报告了使用在各种钙钛矿衬底上生长的（001）SrTiO 3和BaTiO 3的单晶中间层的新型模板工程，其能够实现具有高转变温度的Co掺杂BaFe 2As 2的真正外延膜（零电阻率Tc = 21.5K）、小的转变宽度（Δ Tc = 1.3K）、4.5MA/cm ~ 2（4.2K，自场）的优异的Jc和强的c轴磁通钉扎。实施SrTiO 3或BaTiO 3模板以匹配Ba-122中的碱土金属层与模板中的碱土金属-氧层，为在多功能单晶衬底上外延生长磷属铁族化合物开辟了新的途径。除了超导体之外，它还通过匹配模板和薄膜覆盖层之间的界面层，为在各种衬底上生长异质外延金属间化合物提供了框架。
2009-10-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Erbium doped yttrium oxide thin films grown by chemical vapour deposition for quantum technologies
研究通过化学气相沉积在不同基底上生长铒掺杂氧化钇薄膜，发现基底影响薄膜形态与结晶取向，且Er3+离子在各样品中均表现出可比的可见与红外发射特征，为光量子技术可扩展器件集成提供了新途径。
2024-11-15 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Thin film growth of a topological crystal insulator SnTe on the CdTe (111) surface by molecular beam epitaxy
我们报道了在CdTe模板上的SnTe（111）层的分子束外延生长，该模板是通过在GaAs（111）A衬底上沉积SnTe（111）层而不是传统上用作衬底的BaF $_2$来制造的。通过优化SnTe和CdTe层的生长温度，我们可以获得仅在（111）取向上生长的单相的SnTe层，并且与在BaF $_2$上生长的层相比，从平坦区域的延伸和平坦度的角度来看，其表面形貌得到了很大的改善。在这种最佳的生长条件下，我们也实现了10 $^{17}$ cm $^{-3}$的顺序在4 K，有史以来最低的值SnTe薄膜没有额外的掺杂的空穴密度。在这种优化的SnTe层的磁阻测量中，我们观察到特征负磁导率，这是由于在拓扑表面状态的二维输运的弱反局域化效应。
2016-05-07 cond-mat.mtrl-sci
Two-step growth of (In,Ga)N pseudo-substrates on GaN templates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（柏林莱布尼茨研究联合体保罗·德鲁德固态电子学研究所）
研究通过等离子体辅助分子束外延在GaN模板上两步生长(In,Ga)N伪衬底，引入两步方案，第一步产生粗糙中间表面，最终表面光滑，上层成分均匀，面内晶格常数约3.26Å，该方法无需复杂外部处理，具可扩展性和经济性。
2026-07-20 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Scalable and Tunable In-Plane Ge/Si(001) Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy
该研究提出一种低温分子束外延方法，在预图案化衬底上生长位置可控、高空穴迁移率的面内锗纳米线，为可扩展纳米电子学和多量子比特芯片制造提供了可靠平台。
2025-06-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Persistent Topological Surface State at the Interface of Bi2Se3 Film Grown on Patterned Graphene
我们采用石墨烯作为可图案化的模板来保护拓扑绝缘体（TI）薄膜的本征表面态不受环境影响。在这里，我们发现石墨烯提供了高质量的界面，因此可以在载流子密度高于~10^19 cm-3的金属Bi 2Se 3膜的界面处观察到与拓扑表面态相关的Shubnikov de Haas（SdH）振荡。我们的原位X射线衍射研究表明，Bi 2Se 3薄膜外延生长在一个五重层的方式从底层没有任何结构变形的界面应变。磁输运测量（包括源自多个电导通道的SdH振荡）表明，迁移率高达约0.5 m^2/Vs的拓扑表面态与下面的石墨烯保持完整，没有退化。考虑到石墨烯在任意绝缘衬底上预图案化，可以利用基于TI的微电子设计。因此，我们的研究提供了一个前进的一步，观察拓扑表面状态在界面上没有退化，通过调整TI和石墨烯之间的界面到一个可测量的电流设备应用。
2014-09-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Lattice parameters of Sc$_{\boldsymbol{\mathsf{x}}}$Al$_{\boldsymbol{\mathsf{1-x}}}$N layers grown on GaN(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
本研究利用高分辨率X射线衍射测定了GaN上生长的Sc$_{x}$Al$_{1-x}$N层晶格参数，发现面内参数随Sc含量线性增加而面外参数恒定，且Sc含量约0.09时与GaN晶格匹配，实现了最高二维电子气密度与迁移率。
2023-02-14 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Germanene: a novel two-dimensional Germanium allotrope akin to Graphene and Silicene
以金（111）表面为衬底，用分子束外延法原位生长了原子厚度的二维有序多相薄膜。它的生长与银（111）模板上硅烯层的形成有很强的相似性。在扫描隧道显微镜中观察到的形成大域的相之一显示出清晰的、几乎平坦的蜂窝状结构。得益于全面的同步辐射核能级光谱测量和先进的密度泛函理论计算，我们可以将其识别为$\sqrt{3}$ x $\sqrt{3}$ R（30°）锗烯层，与$\sqrt{7}$ x $\sqrt{7}$ R（19.1°）Au（111）超晶胞重合，从而提出了石墨烯的新型合成锗基表亲诞生的第一个令人信服的证据。
2014-06-10 cond-mat.mtrl-sci
$\mathrm{La}_{\mathrm{1-}x} \mathrm{Mn}_{\mathrm{1-}y} \mathrm{O}_{\mathrm{1\pm}δ}$ buffer layers on inclined substrate deposited MgO templates for coated conductors
基于离子束辅助MgO沉积模板的大多数商业高温超导涂层导体使用$\mathrm{LaMnO_3}$（LMO）膜作为终止缓冲层。相比之下，基于倾斜衬底沉积（ISD）-MgO技术的涂覆导体仍然以同质外延（homoepi）-MgO作为盖层来生产。在这项工作中，我们报告的沉积LMO缓冲层ISD-MgO/homoepi-MgO的电子束物理气相沉积。系统地研究了织构LMO薄膜的生长参数，并根据随后沉积的$\mathrm{DyBa_2Cu_3O}_{\mathrm{7-}δ}$（DyBCO）超导薄膜的临界电流密度（$J_\mathrm{c}$）优化了织构LMO薄膜的性能。LMO膜的生长速率高达$4\,\mathrm{Å/s}$。尽管形成的非化学计量的LMO膜含有$59\,\%$的La，单相膜，在衬底温度低于$775^{\circ}\mathrm{C}$和氧分压高达$4\times10^{-4}\,\mathrm{mbar}$，由于一个大的均匀性区域朝向La。发现沉积在LMO上的DyBCO膜的$J_\mathrm{c}$值在从$50\,\mathrm{nm}$到$450\,\mathrm{nm}$的范围内与LMO厚度无关。LMO上的DyBCO薄膜在零外加电场下达到$77\,\mathrm{K}$时的$J_\mathrm{c}=0.83\,\mathrm{MA/cm^2}$。该值高达$30\,\%$，…
2020-12-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Atomic layer deposition of ZnS nanotubes
我们报告了在低至75 $^{\circ}$ C的温度下通过原子层沉积（ALD）将具有可变的、精确可调的壁厚和管直径的高纵横比（$\gtrsim300$）硫化锌纳米管生长到高度有序的阳极氧化铝模板孔中。采用各种表征技术来获得合成样品的组成、形态和晶体结构的信息。除了实际应用外，ALD生长的管可以被设想为研究某类尺寸依赖的量子和经典现象的模型系统。
2009-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Carrier transport and electrical bandgaps in epitaxial CrN layers
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（柏林保罗·德鲁德固态电子学研究所，莱布尼茨柏林研究联盟协会）；Leibniz-Institut für Kristallzüchtung（莱布尼茨晶体生长研究所）
研究了CrN层的载流子输运与电学能隙，发现其具有n型半导体行为及两个激活能相关的导电机制。
2025-11-25 cond-mat.mtrl-sci
Orientation disparity in GaN/graphene/$m$-sapphire: control-based re-examination of thru-hole epitaxy
Kyung Hee University（庆熙大学）；Institute for Basic Science (IBS)（基础科学研究院）；Sungkyunkwan University (SKKU)（成均馆大学）
研究通过对比不同基板处理方式下GaN生长取向，发现基板预处理比掩模连续性更主导取向，且通过孔成核机制独立于取向。
2025-12-20 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Fabrication of (In,Ga)N pseudo-substrates by a three-step growth protocol without ex-situ processing
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（保罗·德鲁德固体电子学研究所，柏林研究联合体莱布尼茨协会）
通过三步生长协议无需后续处理制备高铟含量的(In,Ga)N伪衬底，提升应变松弛度和发光性能，适用于高效红发射器件
2025-12-17 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Role of polarity in the growth of cubic GaN within silicon inverted pyramids
Simon Fraser University（西蒙菲莎大学）；Hyperlume（海普卢姆）
通过OMVPE在硅倒金字塔模板上选择性生长GaN，发现极性导致四重对称模板中立方GaN的对称性降为二重，并观察到两种极性反转界面结构，为微LED等小器件中避免极性反转界面提供了指导。
2026-07-01 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Rock-salt ScN(113) layers grown on AlN$(11\bar{2}2)$ by plasma-assisted molecular beam epitaxy
本研究利用等离子体辅助分子束外延在 AlN 模板上制备纯岩盐 ScN(113) 层，阐明其孪晶取向关系、发光与输运性质。
2025-06-11 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Spatially resolved investigation of strain and composition variations in (In,Ga)N/GaN epilayers
通过空间积分X射线衍射和阴极发光（CL）光谱以及空间分辨CL和能量色散X射线分析，研究了在GAN模板上通过金属有机化学气相沉积生长的400 nm厚（In，Ga）N层的应变状态和成分. CL研究证实了应变弛豫过程，并伴随着（In，Ga）N层表面铟含量的增加，这被称为成分拉动效应。此外，我们确定的应变底部，无应变的顶部，和逐渐放松的中间区域的（In，Ga）N层。除了沿生长方向的铟含量的增加，应变弛豫导致朝向表面的铟分布的横向变化的增强。
2013-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
NiSi$_2$ as seed layer for epitaxial growth of NiAl and Cr on Si(001)
本文提出 NiSi$_2$ 作为 Si(001) 上金属外延生长的种子层，验证了其对 NiAl 和 Cr 的模板作用，使 Cr 从多晶转为单晶，为半导体工业外延材料生长提供新途径。
2025-09-11 cond-mat.mtrl-sci
Stabilization of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Epitaxial Films via Monolayer Reconstruction Driven by Interfacial Redox Reaction
本文揭示了通过界面氧化还原反应驱动的单层重构机制，可在单胞厚度的La0.67Sr0.33MnO3缓冲层上稳定外延生长亚稳铁电Hf0.5Zr0.5O2薄膜，为探索金属氧化物功能性亚稳相提供了新思路。
2023-07-11 cond-mat.mtrl-sci
Stoichiometric Epitaxial Strontium Titanate Thin Films on Silicon by High-Temperature Sr Segregation
Imec；Department of Materials Engineering (MTM), KU Leuven（荷语鲁汶大学材料工程系）；Physics Department, Jean Monnet University（圣艾蒂安让·穆内大学物理系）；Department of Information Technology (INTEC), Photonics Research Group, Ghent University（根特大学信息与科技学院光子学研究组）
研究通过后退火处理富Sr的SrTiO3/Si(001)外延薄膜，利用两种Sr偏析机制去除过量Sr，实现化学计量比钙钛矿层，提高晶体质量。
2026-06-08 cond-mat.mtrl-sci
Buffer-layer-controlled Nickeline vs Zinc-Blende/Wurtzite-type MnTe growths on c-plane Al2O3 substrates
该研究通过不同缓冲层和温度在c面Al2O3上选择性制备NC与ZB-WZ型MnTe，并结合原子分辨电镜揭示晶格匹配并非决定外延择优相的唯一关键因素。
2024-01-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
