Thin film of a topological insulator as a spin Hall insulator
利用Kubo公式研究了拓扑绝缘体薄膜表面态的自旋电导。膜的不同面之间的杂化在狄拉克点处打开了一个间隙。我们发现，在带隙区自旋电导率仍然是有限的。在带隙附近的无带隙区，自旋电导率增强。这些发现使得拓扑绝缘体薄膜成为自旋电子学应用的有前途的材料。
2020-12-30 cond-mat.mes-hall
Ultrafast carrier dynamics in thin-films of the topological insulator Bi2Se3
瞬态反射率测量的薄膜，从6到40 nm的厚度范围内，的拓扑绝缘体Bi 2 Se 3的载流子弛豫时间上的膜厚度显示出很强的依赖性。对于较厚的膜，弛豫动力学与体相Bi2Se3的弛豫动力学相似，其中体绝缘相的贡献大于表面金属相的贡献。载流子弛豫时间随着膜厚度的减小而缩短，达到与贵金属相当的值。这种效应可能是由于狄拉克锥态在相对表面的最薄的膜的杂交。
2013-09-06 cond-mat.mes-hall
Classical Heisenberg Hamiltonian Solution of Oriented Spinel Ferrimagnetic Thin Films
求解了取向尖晶石薄、厚立方铁氧体的经典海森堡哈密顿量。复杂立方晶胞的偶极矩阵可简化为简单立方晶胞的偶极矩阵形式。本研究仅限于高度取向的铁氧体薄膜。研究了镍铁氧体薄膜的总能量随角度和层数的变化规律。研究了N=5和1000的镍铁氧体薄膜的能量随应力感生各向异性的变化。当N大于400时，磁矩比为1.86的薄膜易于取向为90 °。
2007-04-19 cond-mat.mes-hall
Broadband ferromagnetic resonance characterization of GaMnAs thin films
利用宽带网络分析仪铁磁共振（FMR）研究了低温下GaMnAs薄膜的旋进磁化动力学。FMR频率的特征在于作为在面内场角和场振幅的函数。利用扩展的Kittel模型，导出了FMR色散的饱和磁化强度和各向异性等磁性薄膜参数。分析了退火对FMR行为和薄膜磁参数的影响。
2013-08-06 cond-mat.mes-hall
A universal platform for magnetostriction measurements in thin films
我们提出了一个通用的纳米力学传感平台的研究磁致伸缩薄膜。它是基于一个双箝位氮化硅纳米梁谐振器覆盖一个薄的磁致伸缩膜。通过施加的磁场改变膜平面内的磁化方向产生磁致伸缩应力，从而改变纳米梁的谐振频率。例如通过光学干涉测量法对所产生的共振频率偏移的测量允许定量地确定薄膜的磁致伸缩常数。我们用这种方法测定了10nm厚的多晶钴薄膜的磁致伸缩常数，结果与文献值吻合得很好。所提出的技术可特别用于各种（导电和绝缘）薄膜中的磁致伸缩的精确测量，所述薄膜可通过例如电子束沉积、热蒸发或溅射来沉积。
2015-09-02 cond-mat.mes-hall
Interaction of Gold Nanoparticles in Barium Titanate Thin Films
研究了一种控制氧化物薄膜材料晶粒尺寸的新方法。当沉积在预沉积金的（111）取向的硬晶SrTiO 3衬底上时，过氧化氢BaTiO 3显示出有趣的晶粒结构。固体氧化物薄膜外延生长图案化的种子层，并显示相对于直接沉积在SrTiO 3上的薄膜的晶粒尺寸的变化。
2010-04-01 cond-mat.mes-hall
Thermal phonon boundary scattering in anisotropic thin films
固体薄膜中热声子的边界散射通常使用Fuchs-Sondheimer理论进行分析，该理论提供了一个简单的方程来计算热导率随薄膜厚度的变化。然而，这个广泛使用的方程不适用于像石墨这样的高度各向异性的固体，因为它假设声子色散是各向同性的。在这里，我们推导出一个概括的Fuchs-Sondheimer方程的固体与任意色散关系，并检查其预测石墨。我们发现，各向同性方程大大高估了边界散射，发生在薄石墨薄膜由于高度各向异性的群速度，石墨可以保持其高的面内热导率，即使在薄膜厚度小至10纳米。
2015-08-03 cond-mat.mes-hall
Optimization of p+-ZnTe layer for Back Contacts of ZnTe Thin Film Solar Cells
研究了脉冲激光沉积（PLD）法生长在p-GaAs衬底上的ZnTe基异质结二极管的性能。
2016-05-20 cond-mat.mes-hall
Investigation of Magnetic Domain Structure in Bi0.7Dy0.3FeO3 thin films integrated with ZnO film
本文从宏观上研究了沉积在ZnO上的多铁性Bi_（1-x）Dy_xFeO_3（BDFO）的磁畴结构。在室温下通过饱和磁滞回线和铁电磁滞回线观察磁性。通过在样品和MFM针尖之间施加偏压，使用多模原子力显微镜验证了耦合行为和磁性转变。采用ZnO靶材，在Si p型导电（0.0001 ~ 0005 Ω cm）衬底上，通过介质溅射法制备了300 nm的ZnO薄膜。采用PLD（Pulsed Laser Deposition）技术在Si/ZnO衬底上制备了300 nm的BDFO薄膜。结果表明，室温下，BDFO薄膜与ZnO薄膜结合后呈现铁磁有序与铁电有序共存的特点，且具有明显的耦合效应。BDFO薄膜与ZnO压电薄膜的集成显示了在MEMS应用以及存储器件和强历史依赖系统中的潜力。
2015-03-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin Coated Multilayered Cupric Oxide Thin Films and their structural properties
采用溶胶-凝胶旋涂技术在1500 rpm、2200 rpm和2400 rpm下合成CuO薄膜30秒，随后在150-550°C下退火1小时。制备了3层和5层CuO薄膜。利用XRD、FTIR和偏光显微镜对这些薄膜进行表征。XRD和FTIR分析证实了在350 °C以上退火的薄膜中CuO相的结晶，并且观察到相应的微晶尺寸随着退火温度的增加而增加。对CuO薄膜的X射线衍射图的（111）和（112）峰采用Scherrer公式。由峰值数据可知，随着退火温度从350 ℃升高到500 ℃，平均晶粒尺寸从0.801增加到55.20。
2016-07-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Metallicity in Ultra-Thin Oxygen-Deficient SrTiO$_3$ Thin Films
我们报道了在（001）SrTiO $_3$或DyScO $_3$缓冲的（001）SrTiO $_3$衬底上相干应变时，在缺氧SrTiO $_3$的薄膜中观察到的金属行为。这些膜在2 K下具有高达2 $\times10^{22}$ cm $^{-3}$的载流子浓度和高达19，000 cm $^2$ /V·s的迁移率。在我们的SrTiO $_{3-δ}$薄膜中存在非导电层，该非导电层在具有较低载流子浓度的薄膜中较大。该非导电层可以归因于由于费米能级钉扎电势而引起的表面耗尽层。在SrTiO $_3$和$_3$薄膜之间插入DyScO $_3$缓冲层对薄膜的耗尽宽度、输运和结构特性没有很大影响。
2016-06-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Bi(111) thin film with insulating interior but metallic surfaces
测量了分子束外延Bi/BaF_2（111）薄膜的电导随薄膜厚度（4-540 nm）和温度（5-300 K）的变化。与作为原型半金属的大块Bi不同，发现高达90 nm的Bi薄膜在内部是绝缘的，但在表面上是金属的。这一结果不仅明确地解决了长期以来关于Bi薄膜中存在半金属-半导体转变的争论，而且为长期以来困惑的Bi薄膜电阻率的温度依赖性提供了一个直观的解释，这可能在自旋电子学中有一些潜在的应用。
2012-01-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Atmospheric oxygen in Mn doped GaAs/GaAs(0 0 1) thin films grown by molecular beam epitaxy
采用分子束外延技术在高、低衬底温度下生长了Mn掺杂GaAs薄膜。利用俄歇电子能谱结合离子刻蚀技术测量了薄膜中元素浓度的深度分布。Mn浓度是较高的表面附近，然后随着深度在高衬底温度下生长的薄膜。当使用低衬底温度生长膜时，Mn浓度分布更加均匀。出乎意料地发现在低衬底温度生长的薄膜中存在高水平的氧。
2015-02-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Josephson effect in thin films: the role of vortex excitations
该文件包含一个错误的Eqs。(14)（15）已被作者撤回。
2007-08-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Structural and magnetic properties of E-Fe_{1-x}Co_xSi thin films deposited via pulsed laser deposition
本文报道了在Si（111）衬底上脉冲激光沉积制备多晶Fe_（1-x）Cox-Si薄膜的方法及其表征。X射线衍射，透射电子显微镜和原子力显微镜显示膜是致密的，非常光滑的，并且具有立方B20晶体结构的单相。铁磁性与显着的磁滞被发现为所有的薄膜，包括名义上纯FeSi薄膜在体FeSi的顺磁性非常弱的对比。对于Fe 1-xCoxSi，这意味着从体的螺旋磁性到薄膜的铁磁性的变化。这些铁磁薄膜是有前途的磁硅化物/硅系统的极化电流的生产，操纵和检测。
2009-06-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Robustness of topologically protected surface states in layering of Bi2Te3 thin films
已知块体Bi 2Te 3是拓扑绝缘体。本文采用包含自旋轨道耦合的密度泛函理论研究了Bi_2Te_3（111）薄膜的表面态。我们构造了一种方法来明确地识别薄膜拓扑绝缘体的表面态。应用这种方法的一个到六个五重层的Bi2Te3，我们发现，表面状态的拓扑性质与膜的厚度保持稳健，并且三个或更多的五重层的膜具有拓扑非平凡的或保护的表面状态，与最近的实验一致。
2010-05-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Defect induced magnetism and super spin glass state in reactive ion beam deposited nano structured AlN thin films
报道了用反应离子束溅射法在氮等离子体中沉积的无掺杂氮化铝薄膜中的缺陷感生磁性。在不同的温度下在硅衬底上沉积了薄膜。使用室温光致发光测量，在薄膜中的缺陷的存在已被验证。由于薄膜的纳米晶性质，已经观察到超磁基态。随着晶粒密度的增加，观察到了从超顺磁到超自旋玻璃态的转变。详细的磁化强度测量以及交流磁化率测量已被用来确定在这些AlN薄膜的基态。
2017-06-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Scanning Tunneling Microscope Nanolithography on SrRuO3 Thin Film Surfaces
利用扫描隧道显微镜在室温下对SrRuO 3（SRO）薄膜表面进行了纳米级光刻。刻蚀线的深度随着偏置电压的增加而增加，但增加隧穿电流不会显著改变刻蚀线的深度。由实验数据得到的线宽随偏压的变化关系与基于场致蒸发的理论计算相一致。此外，成功地创建了三个正方形的纳米结构，显示了在SRO薄膜中制造纳米器件的能力。
2009-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
On the geometry of magnetic Skyrmions on thin films
我们研究了最近推出的“临界耦合”模型的磁性Skyrmions，推广到薄膜与弯曲的几何形状。该模型敏锐地感觉到在三维空间中的膜的外部几何形状。我们发现精确的球形，锥形和圆柱形薄膜的Skyrmion解决方案。圆柱形薄膜上的轴对称解用“真空”之间的扭结隧穿来描述。对于一般致密薄膜上的模型，证明了能量最小多Skyrmion解的存在性，并构造了这些解的（分解）模空间.
2020-07-02 cond-mat.mes-hall math-ph math.MP
Origin of Perpendicular Magnetic Anisotropy in Yttrium Iron Garnet Thin Films Grown on Si (100)
报道了用脉冲激光沉积技术制备的钇铁石榴石（YIG）薄膜的磁性。在Si（100）衬底上沉积厚度为15 - 50 nm的薄膜。通过铁磁共振谱研究了磁性表征。垂直磁易轴达到50 nm的厚度。我们观察到，垂直各向异性值减少，增加膜厚度。垂直磁各向异性（PMA）的起源归因于YIG薄膜中的织构和晶格畸变。我们期望在硅衬底上垂直磁化的钇铁石榴石薄膜为更便宜和兼容的制造工艺铺平了道路。
2021-07-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Structural and optical properties of cobalt slanted columnar thin films conformally coated with graphene by chemical vapor deposition
采用掠射角沉积法制备了倾斜的钴雕刻柱状薄膜，随后采用低温化学气相沉积工艺涂覆石墨烯。石墨烯沉积过程保留了雕刻薄膜的形状和几何形状，这通过扫描电子显微镜证实。根据拉曼光谱结果，石墨烯涂层为两到三个单层厚，并且具有高缺陷浓度。在雕刻的薄膜内的石墨烯覆盖率由使用广义各向异性Bruggeman有效介质近似的广义光谱椭圆偏振法确定。石墨烯覆盖率以及薄膜的结构参数与电子显微镜和拉曼观察结果非常一致，并表明石墨烯涂层是保形的。
2013-12-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Epitaxial Ba2IrO4 thin-films grown on SrTiO3 substrates by pulsed laser deposition
用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（001）衬底上外延生长了Ba 2 IrO 4（BIO）薄膜，并通过直流输运和光谱实验研究了其电子结构。我们已经观察到，BIO薄膜是绝缘的，但接近的金属绝缘体过渡边界的显着较小的运输和光学带隙能量比它的姐妹化合物，Sr2IrO4。此外，BIO薄膜具有增强的电子带宽和电子相关能。我们的研究结果表明，生物薄膜具有很大的潜力，实现有趣的物理性能预测层状铱酸盐。
2014-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fabrication of surface-patterned ZnO thin films using sol-gel methods and nanoimprint lithography
采用直接压印法在ZnO溶胶上制备了表面图案化的ZnO薄膜。聚合物基ZnO溶胶沉积在各种基底上用于纳米压印光刻，并在热固化纳米压印过程中转化为表面图案化的ZnO凝胶膜。最后，通过随后的退火的图案化的ZnO凝胶膜，得到结晶的ZnO薄膜。光学特性表明，ZnO薄膜的表面图案化可以导致透射率的增强。利用溶胶-凝胶技术和纳米压印技术相结合的方法，可以通过各种简单的有序模板制备出具有不同图案的大尺寸ZnO薄膜。
2011-08-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
