Superconductivity Emerging from Excitonic Mott insulator - Theory of Alkaline Doped Fullerene
用变分Monte Carlo方法研究了碱金属掺杂富勒烯$_3$ $initio$哈密顿量的二维投影导出的三轨道模型，其中A=Cs，Rb，K.我们正确地再现了实验的各向同性s波超导周围的$ab$ $initio$参数。随着带宽变窄，过渡到一个绝缘体也被复制，其中轨道对称性被发现是自发打破与激子莫特绝缘体的出现两个轨道和反铁磁绝缘体几乎退化与自旋液体的第三轨道。超导电性是激子熔化的结果。
2017-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Highlighting superconductivity in an insulator
超导体-绝缘体转变是一种有趣的量子现象，它揭示了相序和电荷局域化之间的竞争。微波光谱学为一维约瑟夫森阵列的可控性研究提供了一种新的有前途的方法。
2019-10-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Topological chiral and nematic superconductivity by doping Mott insulators on triangular lattice
非常规拓扑超导（TSC）的机理一直是人们关注的焦点。利用密度矩阵重整化群方法研究了三角晶格上包含自旋手征相互作用的扩展$t$ - $J_χ$模型的量子相图.我们确定了不同类别的超导相，其特征在于非零拓扑陈数$C=1$和$2$，和一个零陈数的行波超导相。TSC状态显示出现从掺杂的磁性绝缘体或手性自旋液体，这为实验发现打开了新的机会。此外，我们进一步分类的$C=2$类的TSC阶段，各向同性和一个连续的TSC阶段，并提出证据的连续量子相变从连续TSC阶段的各向同性TSC和行波阶段。这些结果提供了新的洞察TSC的机制，重点是空穴动力学所发挥的作用，改变自旋背景和驱动器的拓扑相变在掺杂磁性绝缘体后，使TSC的出现在$3\%$周围的空穴掺杂水平。
2022-07-14 cond-mat.str-el
Band and Mott Insulators and Superconductivity in Honeycomb-Lattice Ionic-Hubbard Model
受层状氮化物超导电性的启发，我们利用优化变分蒙特卡罗方法研究了由两个能级偏移的子晶格组成的蜂窝晶格上的离子哈伯德模型.库仑相互作用和能级偏移的参数值，以实现在非掺杂状态下的带绝缘体，进行了评估，和SC状态的载流子掺杂带绝缘体进行了研究。研究发现，在弱掺杂的带绝缘体中，自旋涨落仍然存在，并实现了自旋单重d波SC态。目前的研究结果支持一个非常规的自旋单重SC状态所建议的层状氮化物的实验观察。
2012-10-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in a doped Mott insulator
本文从Kotliar和Liu的d波RVB平均场论出发，提出了一种新的长波低能规范涨落的精确处理方法。其结果是一个理论的无隙费米子准粒子耦合超导相位波动。我们将讨论的物理含义，和BCS配对与相位波动的理论的相似性/差异。
1999-09-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity, correlated insulators, and Wess-Zumino-Witten terms in twisted bilayer graphene
最近对扭曲双层石墨烯的实验表明，高温母态具有无质量的狄拉克费米子和破缺的电子味对称性;超导性和相关绝缘体在较低温度下从这种母态出现。我们提出超导和相关绝缘订单连接的Wess-Zumino-Witten条款，使一个订单的缺陷包含另一个订单的量子和相关绝缘体的skyrmion起伏是一个“机制”的超导性。我们提出了一个全面的列表合理的低温订单，和父母的味道对称性破缺订单。先前表征的扭曲双层石墨烯的能带结构的拓扑性质在该分析中起着重要作用。
2020-12-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Decoupling superconductivity and correlated insulators in twisted bilayer graphene
当双层石墨烯旋转故障的角度$θ\approx 1.1^\circ$，理论预测形成一个平坦的电子带和相关的绝缘，超导和铁磁状态都已观察到部分带填充。超导性与相关绝缘体的接近性表明了这些状态之间的密切关系，这让人想起了通过掺杂莫特绝缘体而产生超导性的铜氧化物。在这里，我们表明，超导性可以出现没有相关的绝缘状态。虽然超导电性和相关绝缘行为在平带条件附近最强，但超导电性在较大的角度失谐下仍然存在。我们的观察结果与“竞争阶段”的图片是一致的，其中绝缘体和超导性来自不同的机制。
2019-12-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Occurrence of superconductivity when the metal-insulator transition is inhibited in $1T$-TaS${_2}$
当Mott金属-绝缘体转变被层状二硫属化物1 T-TaS $_2$中的少量无序抑制时，在T=2.1 K以下出现非均匀超导态，并与几乎相称的电荷密度波共存。通过角分辨光电子能谱学（ARPES），我们发现它是从一个带有强阻尼准粒子的坏金属态产生的。超导电性几乎完全被0.1 T的外部磁场抑制。
2010-04-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Unconventional superconductivity in a strongly correlated band-insulator without doping
我们提出了一种在强关联系统中实现非常规超导电性（SC）的新途径。在一个简单的模型中的相关带绝缘体（BI）在半填充，我们证明，基于广义的投影波函数方法，SC出现时，电子相互作用和裸带隙都远远大于动能，提供系统有足够的挫折对磁秩序。随着相互作用的调整，SC出现夹在相关的BI，其次是顺磁性金属的一侧，和亚铁磁金属，反铁磁（AF）半金属，和AF莫特绝缘体相的另一侧。
2020-07-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electric Pulse Induced Resistive Switching, Electronic Phase Separation, and Possible Superconductivity in a Mott insulator
金属-绝缘体转变（MIT）是一类有趣的物理现象，包括超导性和巨磁阻（CMR），它们与电阻的急剧变化有关。在过渡金属化合物中，MIT通常与强电子相关性的存在有关，强电子相关性驱动系统进入莫特绝缘体状态。在这些系统中，MIT通常通过电子掺杂或通过施加外部压力来调谐。然而，最近注意到，莫特绝缘体还应该对诸如电场的其它外部扰动敏感。我们在这里报告的第一个实验证据的非易失性电脉冲诱导的绝缘体到金属的过渡和可能的超导性的莫特绝缘体GaTa 4 Se 8。我们的扫描隧道显微镜实验表明，这种非常规的响应系统短电脉冲产生的纳米尺度的电子相分离（EPS）中产生的散装材料。
2009-09-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Emergent Mott Insulators and Possibility of High Tc Superconductivity in Pressurized Molecular Solids, H2S, SiH4, H2 etc
在分子中形成共价键的成对价电子是受限的库珀对关联。高压使固态H2S、SiH 4、H2等分子解离，形成伸展结构。然而，价电子是有弹性的，并继续键合，有时共振。在特定条件下，某些结构可能含有涌现的莫特绝缘体（EMI），并支持超导性和其他相。在加压固体H2S中，我们提出了一个相对狭窄的，近一半填充带的H原子，被困在有序的亚晶格的colorphospores键合的S原子网络。EMI提供高配对能量标度。提出了一个最近提出的固体\hsm（Tc ~ 205 K）、硅烷（Tc ~ 17 K$）和H2等体系的超导电性理论。
2015-07-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in the insulating phase above the field-tuned superconductor-insulator transition in disordered indium oxide films
我们研究了无序氧化铟薄膜的绝缘相，它经历了场调谐的超导体-绝缘体转变。在一个垂直的磁场中的运输测量显示强烈波动的顺序参数的振幅和相位的不同制度，并揭示了广泛的绝缘体强度的样品与不同的障碍，尽管在SIT附近的行为相似。我们表征的绝缘相的强度，并比较它的超导强度。我们发现，即使在高垂直磁场，所有对应该被打破，这表明在高场超导剩余的存在下，薄膜不返回到预期的正常状态。
2005-05-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Metal-Insulator-Metal Transitions, Superconductivity and Magnetism in Graphite
本文综述了高取向热解石墨（HOPG）和单晶Kish石墨样品的磁输运和磁化测量的最新结果。发现了垂直于石墨基面的磁场驱动下的金属-绝缘体和绝缘体-金属相变，并根据相关理论进行了讨论。结果提供了证据，即使在室温下，在HOPG的局部超导畴的存在，以及超导和铁磁关联之间的相互作用。我们还提出了石墨-硫复合材料的超导性发生的实验证据。
2002-09-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity from Flat Dispersion Designed in Doped Mott Insulators
探讨了掺杂莫特绝缘体增强超导不稳定性的途径。借助于对金属-绝缘体相变临界性的认识，提出了晶格结构的几何设计来控制不稳定性。一个指导方针是明确地使费米能级附近的平带色散，而不抑制两个粒子的通道。在一维模型中，数值研究表明，我们的有限范围跳跃的处方实现了自旋能隙和配对优势区的大幅度增强。我们还提出了几个多带系统，其中的配对是由位间库仑排斥驱动的。
1999-11-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory for superconductivity in (Tl,K)Fe$_x$Se$_2$ as a doped Mott insulator
本文从掺杂莫特绝缘体的观点研究了最近发现的（Tl，K）Fe $_x$ Se $_2$化合物的可能超导电性。由于Fe空位的存在，Mott绝缘相在$x=1.5$的母体化合物中被检查为优选的。在Fe位的空位的部分填充引入电子载流子并导致电子掺杂的超导电性。在强耦合极限下，利用双轨道哈伯德模型，我们发现在Hund耦合小的情况下，s波配对更有利，而在Hund耦合大的情况下，d $_{x^2-y^2}$波配对更有利.
2011-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Antiferromagnetism and d-wave superconductivity in (doped) Mott insulators: A wave function approach
我们提出了一类波函数，提供了一个统一的描述（掺杂）莫特绝缘体的反铁磁性和d波超导。波函数具有杰斯特罗形式，并且禁止二重占据。在没有空穴的情况下，波函数精确地描述了反铁磁性。在有限掺杂条件下，形成非对角长程序有序，超导序参量具有d波对称性。我们还展示了如何节准粒子和中性自旋激发可以从这个波函数。
2005-02-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Novel Insulator to Metal Transition and Superconductivity in Sr-doped La2CuO4
我们研究了Sr掺杂La_2CuO_4在空穴浓度p =0.07时的电荷动力学。我们观察到一个明确的迹象之间的竞争的两个新的特征集体模式的维格纳晶格秩序建议较早：一个对应于一个Tc =15 K的超导性和其他Tc =30 K。我们的结果自然地解释了最近在极低（1%）Sr掺杂的La_2CuO_4中观察到的金属输运现象，并建立了一种新的绝缘体到金属的转变机制和二维Wigner晶格基态的超导电性。我们认为，超导凝聚体和Wigner晶格序之间的相对相位的波动可以提供一个答案，在c轴电导率，只出现低于Tc的不明模式。
2003-03-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strongly Correlated Superconductivity and Pseudogap Phase near a multi-band Mott Insulator
在Mott跃迁附近，强的电子关联可以增强Cooper配对。这一点在动力学平均场论解的二重轨道简并哈伯德模型与反洪德规则现场交换，有利于本地自旋单态配置。靠近莫特绝缘体（价键绝缘体的局部形式），出现了赝能隙非费米液体金属、超导体和正常金属，与铜氧化物的物理性质惊人地相似。强关联超导态比相应的正常态具有更大的Drude重量。强调了杂质近藤问题的作用。
2004-07-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Suppression of 2D superconductivity by the magnetic field: quantum corrections vs superconductor-insulator transition
本文研究了0.3-30 K温度区间内超导Nd_{2-x} Ce_ xCuO_{4+y}（NdCeCuO）薄膜的磁输运性质。微观理论的量子校正电导率，无论是在库珀和扩散通道，定性地描述了实验的主要特点，包括在高场极限的负磁阻。与场诱导超导体-绝缘体转变（SIT）模型的比较包括和这两种理论方法之间的交叉进行了讨论。
2003-03-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced superconductivity in weak topological insulator BiSe
准二维层状BiSe是一种自然超晶格，由Bi 2Se 3-Bi 2-Bi 2Se 3单元组成，最近被预测为双拓扑绝缘体，同时是弱拓扑绝缘体和拓扑晶体绝缘体。通过结构、输运、光谱测量和密度泛函理论计算，我们证明了BiSe在压力下具有丰富的相图，并出现了Tc ~ 8 K的超导电性。在8 GPa和13 GPa下分别发现了SnSe型能量缠结正交和CsCl型立方结构的连续结构转变，这些结构具有不同的超导特性。我们观察到的弱反定域的磁导性表明，自旋轨道耦合（SOC）在保持非平凡的带拓扑结构的三角相，可能实现二维拓扑超导的重要作用。理论分析表明，SOC通过增加电子-声子耦合强度显著提高了高压立方相的超导Tc。同时出现的Dirac-like表面状态表明立方BiSe作为一个合适的候选人的三维拓扑超导体。
2022-05-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing Orders and Superconductivity in the Doped Mott Insulator on the Shastry-Sutherland Lattice
在几何阻挫晶格上的量子反铁磁体通常允许有许多不寻常的顺磁基态。这些莫特绝缘体掺杂后的命运是一个重要的问题，可能会揭示一些光的高$T_c$铜酸盐的问题。我们采用t-J模型研究了Shastry-Sutherland晶格上掺杂的莫特绝缘体。从玻色子平均场论揭示了不同对称破缺态之间的强竞争。研究发现，在一定的掺杂范围内，存在着具有或不具有交错磁通或二聚化等对称性破缺序的超导相。我们的研究结果将直接关系到SrCu $_2$（BO $_3$）$_2$在未来的材料掺杂。
2003-10-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strong-coupling high-$T_{\rm c}$ superconductivity in doped correlated band insulators
本文利用团簇动力学平均场理论研究双层Hubbard模型，发现掺杂关联能带绝缘体可实现强耦合高温s±超导，并揭示了电子-空穴口袋二分现象及超导驱动机制的掺杂依赖关系。
2025-06-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mechanism of the insulator-to-metal transition and superconductivity in the spin liquid candidate NaYbSe$_2$ under pressure
最近报道了量子自旋液体候选物NaYbSe $_2$在压力下表现出Mott转变。在高压金属相中观察到了超导性，这就提出了关于它与低压量子自旋液体基态的关系的问题。本文将密度泛函理论和动力学平均场理论相结合，探讨了高压下绝缘体-金属转变和超导性的基本机制，并建立了高压下电子相的全貌。我们的研究结果表明，NaYbSe $_2$是一个电荷转移绝缘体在环境压力。然而，当压力增加时，系统首先进入半金属状态，伴随着与共存的局域Yb- $4f$矩的非相干近藤散射，然后变成重费米子金属。在这两者之间，可能存在一个离域量子临界点，该临界点是导致观察到的具有线性$T$电阻率的非费米液体区域的原因。因此，绝缘体到金属的转变是一个两阶段的过程。超导性出现在重费米子相与良好嵌套的Yb-4 $f$费米表面，表明自旋波动可能在库珀配对中发挥作用。因此，NaYbSe $_2$可能是第三种Yb基重费米子超导体，其$T_c$比大多数重费米子超导体都“高”$T_c$。
2021-08-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High Temperature Superconductivity in the 2D t-J Model at Metal-Insulator Transition: Variational Mean Field Results
首次采用传统的Hartree-Fock平均场论研究了全二维t-J模型。到目前为止，所有其他非平凡平均场方法修改哈密顿或违反双重占用约束。与传统的平均场论不同，这些方法不给出t-J模型的变分结果。的平均场相图的t-J模型预测增强的超导性之间的交叉绝缘相在低掺杂和金属相在中等掺杂。这种行为与高温超导体的行为非常相似，因此该模型有望提供一个很好的描述。在平均场近似下，t-J模型被描述为自相互作用的无自旋费米子在具有螺旋反铁磁序的背景晶格上跳跃。这种相互作用是有吸引力的，高温超导性来自绝缘体到金属交叉处的窄带宽。
1998-06-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced superconductivity in Eu$_{0.5}$Ca$_{0.5}$Fe$_2$As$_2$ : FeAs-based superconductivity hidden by antiferromagnetism of Eu sublattice
为了阐明EuFe_2As_2中被Eu ~（2+）的反铁磁性所掩盖的超导电性，我们在高压下研究了Ca取代的Eu_0.5Ca_0.5Fe_2As_2。在常压下，样品在TSDW = 191 K时出现自旋密度波（SDW）转变，在TN = 4 K时出现反铁磁有序，但在2 K以下没有超导性的证据。Ca的取代当然会削弱反铁磁性。随着压力的增加，TSDW向低温移动，变得更加不清晰。在1.27 GPa以上，在Tc = 20 K附近观察到零电阻率的压力诱导超导。在2.14GPa时，Tc达到最大值24 K，超导转变最剧烈。超导电性的出现的这些特征定性地类似于在AFe_2As_2（A = Ba，Ca）中观察到的那些。
2009-11-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in an organic insulator at very high magnetic fields
本文研究了有机导体$λ$ -（BETS）$_2$ FeCl $_4$的场致超导态。在4 K以下，随着面内磁场的增加，观察到反铁磁绝缘体、金属和最终超导（FISC）基态。FISC状态在18和41 T之间存活，并且可以根据Jaccarino-Peter效应来解释，其中外部磁场{ \em补偿}对齐的Fe $^{3+}$离子的交换场。我们进一步论证了Fe的$^{3+}$矩对于稳定所得到的单重态、二维超导态是必不可少的
2001-03-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Topological Chiral Superconductivity from Doping Correlated Charge Transfer Insulator with Orbital Magnetism
Great Bay Institute for Advanced Study, Great Bay University（大湾区先进科技学院）；Great Bay University（大湾区大学）；Hefei National Research Center for Physical Sciences at the Microscale and School of Physical Sciences, University of Science and Technology of China（中国科学院微观尺度物理科学国家研究中心及中国科学技术大学物理科学学院）
本文通过微扰分析、精确对角化和密度矩阵重整化群模拟，研究含轨道磁性的掺杂强关联电荷转移绝缘体，揭示了其产生具有p+ip对称性的拓扑手性超导电性的实空间机制。
2026-10-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mixed-pairing superconductivity in 5d Mott insulators with antisymmetric exchange
本文研究了掺Sr $_2$ IrO $_4$的$5d$莫特绝缘体中超导相的可能存在。利用平均场方法，观察到一种混合的单重态-三重态超导电性，$d + p$，这是由于准自旋轨道耦合引起的反对称交换。我们对带几何的计算表明，由于超导能隙的节结构，可能存在拓扑保护的边缘态。这些边缘模式是自旋极化的，并出现为零能量的平带，支持对称性保护的马约拉纳状态，验证了评估的缠绕数和$\mathbb{Z}_2$拓扑不变量。最后，讨论了利用准粒子干涉（QPI）技术观测这些边缘态和确定超导能隙对称性的可能实验途径。
2017-05-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Re-entrant p-wave superconductivity in a Chern Dartboard Insulator
University of Illinois at Urbana-Champaign（伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校）
本研究提出两带超导体精确理论，应用于陈省身飞镖板绝缘体，发现HK相互作用可诱导超导并导致绝缘体-超导体-绝缘体再入相变，归因于HK相互作用与轨道间配对的融合。
2026-10-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced superconductivity in topological insulator Ge2Bi2Te5 and the evolution with Mn doping
Anhui University（安徽大学）；Renmin University of China（中国人民大学）；ShanghaiTech University（上海科技大学）；Beijing University of Posts and Telecommunications（北京邮电大学）
本研究通过高压诱导Ge2Bi2Te5中出现超导性，并揭示Mn掺杂对其超导性和磁性竞争的影响。
2026-01-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced superconductivity in kagome single crystal Pd3P2S8
Kagome晶格为探索关联电子的不寻常量子态提供了独特的机会。在这里，我们报告的观察超导性的可果美单晶Pd 3 P2 S8时，半导体到金属的转变是由压力驱动。高压电阻测量表明，金属化和超导性同时观察到约11 GPa。随着压力的增加，超导临界温度Tc从2.6 K单调增加到~52 GPa时的最大值7.7 K。有趣的是，当压力完全释放时，超导性仍然存在。同步辐射XRD和Raman实验一致地证明，超导性的出现伴随着非晶化，并且在减压时超导性的保持性可以归因于非晶化的不可逆性。
2022-03-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped triangular Mott insulators: the roles of parent spin backgrounds and charge kinetic energy
本研究通过密度矩阵重整化群计算，探究掺杂三角晶格Mott绝缘体中超导实现的前提，发现电荷动能与跳跃符号组合对超导等多种相的稳定起关键作用，且该作用与t₂/t₁比值相关。
2023-10-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity by Sr Intercalation in Layered Topological Insulator Bi2Se3
发现Sr嵌入拓扑绝缘体Bi 2 Se 3的范德华键合层之间可诱导超导性，其最大Tc为2.9 K。对最佳掺杂样品Sr_（0.1）Bi_（2Se）_3单晶的输运测量表明，在沿样品c轴方向外加磁场时，样品的各向异性较弱（1.5），上临界场Hc_2（0）为2.1T。Ginzburg-Landau相干长度为Xi-ab = 15.3 μ m和Xi_c = 10.2 μ m。低临界场和零温穿透深度λ（0）分别估计为0.35 mT和1550 nm。霍尔和塞贝克的测量结果证实了电子传导的优势，并且在10 K时载流子浓度出奇地低（n = 1.85 x 10^19 cm-3），这表明可能存在非常规的超导性。
2015-05-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrostatic Tuning of the Superconductor-Insulator Transition in Two Dimensions
利用电场效应在非晶铋绝缘超薄膜中诱导出超导性。电子-电子相互作用的屏蔽被发现以与超导电性的趋势相关的方式随着电子浓度而增加。这并不排除态密度的增加在超导性的发展中是重要的。超导体-绝缘体转变似乎属于三维XY模型的普适类。
2005-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped symmetric mass generation insulator: a quantum Monte-Carlo study
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）；Department of Physics, University of California, San Diego（加州大学圣地亚哥分校物理系）
本研究通过量子蒙特卡洛模拟揭示了掺杂对称质量生成绝缘体中强电子关联驱动的超导性形成机制，发现排斥性Hubbard相互作用显著增强超导有序度。
2026-01-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity of 2.2 K under Pressure in Helimagnet CrAs
我们报告的helimagnet铬的压力下的电阻率测量。在室温下T_N ~ 265 K的螺旋磁转变在P_c ~ 0.7 GPa的临界压力以上被完全抑制，在~2.2 K零电阻下观察到超导性，其存在于超过3 GPa的宽压力范围内。上临界场H_{c2}和电阻率系数A均向P_c方向增加，表明CrAs的超导电性是由螺旋磁相附近电子关联增强引起的。
2014-08-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Broad Band Mott Localization is all you need for Hot Superconductivity: Atom Mott Insulator Theory for Cu-Pb Apatite
本研究提出宽带 Mott 局域化机制，通过识别 Cu-Pb 磷灰石中的原子 Mott 绝缘体子系统并利用 Josephson 耦合，解释了热超导现象，为在矿物中探索超导性提供了新途径。
2023-08-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Origin of the Superconductivity in β'-(BEDT-TTF)_2ICl_2 under High Pressure and β-(BEDT-TTF)_2X at Ambient Pressure
本文对谷口等人发现的在高静水压下Tc=14.2K时的γ ′-（BEDT-TTF）_2ICl_2的超导电性进行了理论研究。这是有机超导体中的最高记录。其电子结构可用各向异性三角晶格哈伯德模型来描述。在目前的工作中，我们研究这个有效的模型，使用波动交换（FLEX）近似。在所得到的相图中，具有d_{x^2-y^2}类对称性的超导电性是在反铁磁绝缘相旁边实现的，这是由压力驱动的1D-2D维度交叉的结果。测得的最大Tc为16- 18 K。此外，β-（BEDT-TTF）_2X的超导电性也在同样的框架下得到了理解。
2003-04-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Signatures of pressure induced superconductivity in insulating Bi2212
我们已经进行了几个高压电阻实验Bi_（1.98）Sr_（2.06）Y_（0.68）Cu_（2 O_8），高Tc Bi_（2212）系列氧化铜超导体的绝缘母体化合物。我们发现一个电阻异常，在低温下的低迷，在20-40千巴的范围内施加压力的发病。通过电阻和磁阻测量，我们确定这种异常的感应超导性的签名。对更高压力的抵抗使Tc降低，最大值为10 K。较高的压力测量值对压力环境的流体静力学表现出很强的敏感性。我们做了比较，现在无处不在的铁砷化物的压力诱导超导性。
2010-02-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous Floquet Chiral Topological Superconductivity in a Topological Insulator Sandwich Structure
我们证明了Floquet手征拓扑超导性在磁性拓扑绝缘体-超导体三明治结构的约瑟夫森结中自然产生。约瑟夫森相位调制与施加的偏置电压在整个结驱动系统到反常Floquet手征拓扑超导体托管手征马约拉纳边缘模式的准能谱，与散装Floquet带进行零陈数。偏置电压作为一个调谐参数，使新的动力学拓扑量子相变驱动系统到无数的异国情调的马约拉纳携带Floquet拓扑超导相。我们的理论建立了一个新的范式实现Floquet手征拓扑超导性的固态系统，这应该是实验上直接访问。
2020-12-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The Absence of Superconductivity in Single Phase CaFe2As2 under Hydrostatic Pressure
最近的高压研究发现，超导电性可以在非常低的压力下在母体砷化铁化合物CaFe2As2中实现，尽管在液体介质和气体介质测量之间转变的锐度和温度的细节有所不同。为了更好地理解这个问题，我们使用氦气作为压力介质对CaFe2As2进行了高压磁化率和输运研究。在我们的流体静力学条件下，向低温正交相和坍缩的四方相的转变的特征仍然异常尖锐，并且没有发现体超导性的特征。我们的研究结果表明，相分离和超导电性的CaFe_2As_2引起的非流体静力学条件与冻结的液体介质。
2009-01-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure dependence of superconductivity in doped two-leg ladder cuprates
在动能驱动的超导机制下，研究了压力对掺杂双腿梯形铜氧化物超导性的影响。结果表明，在低压区，掺杂双柱梯形铜氧化物超导体的超导转变温度随压力的增加而增加，在最佳压力区达到最大值，然后在过压区降低.超导转变温度的压力依赖性的半球形状与超导能隙参数的纵向部分的压力依赖性的半球形状相似，表明掺杂的双腿梯形铜氧化物的超导性主要是通过沿腿的配对关联的发展而产生的。
2007-02-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Short commentary on comparing previous claim of RT superconductivity with the data of arXiv:1807.08572, "Evidence for Superconductivity at Ambient Temperature and Pressure in Nanostructures"
我简要地提到了之前在Ag基氧化物材料中室温超导性的声明（arXiv：0905.3524），并将其结果与最近在arXiv：1807.08572中关于室温超导性的声明进行了比较。在这两种情况下，观察到的电过渡到低电阻状态和抗磁性。银是两种索赔中的共同成分。这是否意味着银掌握着RT超导性的关键，或者，丢失的场冷数据（在两份报告中）暗示了超导性以外的其他物理现象。
2018-08-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strain enhancement of superconductivity in CePd2Si2 under pressure
我们报告的电阻率和量热测量两个单晶体的CePd2Si2加压到7.4 GPa。在压力单元中诱导的弱单轴应力表明物理学对各向异性的敏感性。沿c轴施加的应力将整个相图扩展到更高的压力，并增强了磁不稳定性周围出现的超导相，最高超导温度Tc增加了40%，压力范围增加了一倍。量热测量证明了超导体的体性质。
2002-02-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity up to 29 K in SrFe2As2 and BaFe2As2 at high pressures
本文报道了SrFe_2As_2和BaFe_2As_2在高压下的超导电性。SrFe2As2的超导转变温度高达27 K，BaFe2As2的超导转变温度高达29 K，这使得它们成为迄今为止发现的最高压力诱导超导材料。
2008-11-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Solitons in the Crossover between Band Insulator and Mott Insulator: Application to TTF-Chloranil under Pressure
基于相位哈密顿量，发现一维带状绝缘体与莫特绝缘体的交叉区存在两种类型的孤子。这两个孤子都有分数电荷，但自旋不同，分别为零和1/2。所得结果与Kanoda等对TTF-四氯对苯醌加压实验结果一致。
2015-11-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mott Insulators, No-Double-Occupancy, and Non-Abelian Superconductivity
SU（4）动力学对称性表明，反铁磁性和d波超导的最小对称性描述不存在双占据约束。这意味着铜酸盐的最大掺杂分数为1/4，并提供了对预测的SO（5）模型的微观批评。我们认为SU（4）超导体是一类我们称之为非阿贝尔超导体的化合物的代表。我们进一步认为，非阿贝尔超导体可能存在SU（4）对称性，因此铜类动力学，但没有d波杂化。
2003-09-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con nucl-th
Pressure-induced Superconductivity in Zintl Topological Insulator SrIn2As2
本研究通过ARPES实验证实SrIn2As2为强拓扑绝缘体，并发现压力可诱导其出现超导电性，为拓扑与超导关系提供关键见解。
2023-07-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Disappearance and Survival of Superconductivity in FeSe under High Pressure
通过金刚石对顶砧测量直流磁化强度，研究了FeSe在高压下的超导电性。我们成功地观察到，当Ar（甘油）作为传压介质时，在$\sim$ 7 GPa（$\sim$ 5 GPa）以上，由于非超导的正I型\hspace{-1pt} I相的出现，超导电性消失。与此相反，已经发现，当片晶单晶样品的厚度（$t$）减小时，超导性甚至在高于7 GPa的压力下仍然存在。超导性在7 GPa以上的存活率与先前通过使用立方砧装置在流体静压下的观察一致，这表明通过减少$t$来改善压力的流体静压。还推断，邻位I \hspace{-1pt} I相的出现是由于沿[001]方向的单轴应力。
2021-06-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced superconductivity in single crystal CaFe2As2
我们报道了CaFe_2As_2单晶的压力诱导超导性。在大气压下，这种材料在低于170 K时是反铁磁的，但在0.69 GPa的外加压力下变成超导的，转变温度Tc超过10 K。外加磁场对Tc的抑制率为-0.7 K/T，外推零温上临界场为10- 14 T。
2008-07-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced suppression of charge density wave and emergence of Superconductivity in 1T-VSe2
通过研究1 T-VSe_2单晶在高压下的电阻和磁电阻行为，报道了电荷密度波（CDW）序的压力演化和超导电性的出现.随着准静水压力的增加，CDW有序度随有序化温度的升高而增强，在12 GPa下，有序化温度可达240 K。随着压力的进一步增加，由CDW有序引起的电阻反常现象得到了极大的抑制，在~15 GPa时出现了超导现象，超导的起始温度为临界温度（Tc）~ 4 K。发现Tc的压力依赖性可以忽略不计，不同于在等结构层状二硒化物超导体中看到的显著增加或圆顶形状。高压磁电阻和霍尔测量结果表明，在6 GPa和12 GPa下，费米表面改性导致了电子结构的连续变化。从所观察到的负磁阻在这个压力范围内和共存的CDW和SC阶段的情况下，我们提出，层内自旋波动可以发挥作用，在高压阶段的超导性的出现。
2019-08-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pseudogap and superconductivity in two-dimensional doped charge-transfer insulators
高温超导性出现在CuO $_2$平面后，掺杂的莫特绝缘体。为了确定莫特物理加上短程关联的影响，我们解决了三带氧化铜模型中的电荷转移制度使用细胞动力学平均场论与连续时间量子蒙特卡罗作为杂质求解器。我们报告的正常和超导相图的掺杂，相互作用强度和温度的函数。在空穴掺杂的电荷转移绝缘体，赝隙和相关的金属之间的相边界由一阶过渡线在有限的掺杂结束在一个临界点，在一个带模型。在端点之外，相边界继续作为Widom交叉线，热力学量在交叉线上达到峰值。这种相界决定了配对机制的变化，是掺杂莫特绝缘体特有的一种涌现现象，与许多微观细节无关。更广泛的影响进行了讨论。
2016-07-02 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Skyrme insulators: insulators at the brink of superconductivity
目前的超流理论是基于拓扑保护的量子化循环的相干量子态的想法。当这种拓扑保护不存在时，如在$^3$ He-A的情况下，相干量子态不再支持持续超流。在这里，我们认为，在超导体的拓扑保护的损失引起绝缘基态。我们特别引入Skyrme绝缘体的概念来描述由复矢量序参量携带的超流拓扑失效所导致的相干介电态。我们应用这个想法的情况下，钐$_6$，认为观察到的抗磁性费米表面内的绝缘体可以理解的Skyrme绝缘体。我们的理论使我们能够理解的线性比热的钐$_6$在中性马约拉纳费米海，并导致我们预测，在低场阶高斯，钐6将开发一个迈斯纳效应。
2017-05-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Insulator-metal transition and topological superconductivity in UTe2 from a first-principles calculation
我们从理论上研究了最近发现的奇宇称自旋三重态超导体UTe $_2$的超导电性。对这种化合物的理论研究面临困难，因为第一性原理计算预测了一种绝缘的电子状态，与超导不稳定性不相容。为了克服这个问题，我们考虑电子相关效应的GGA $+U$方法和库仑相互作用的绝缘体-金属过渡。利用得到的费米面作为$U$的函数，我们阐明了可能的超导态的拓扑性质。费米面公式的三维绕组数和三个二维$\mathbb{Z}_2$号码表明拓扑超导性在一个中间$U$的所有奇宇称对对称的$Immm$空间群。分析了超导能隙节点的对称性和拓扑结构，预测了UTe $_2$的带隙结构。拓扑保护的低能量激发被突出，并提出了实验体和表面探针连接费米表面和配对对称性。在此基础上，我们还讨论了磁场下的多超导相，这是最近的实验暗示。
2019-11-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
