The change of electronic state and crystal structure by post-annealing in superconducting SrFe2(As0.65P0.35)2
研究了退火对SrFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$（$x=0.35$）物理性能的影响。通过退火，超导转变温度（$T_c$）从26 K提高到33 K。X射线衍射结果表明，退火后晶体的$a/c$ -轴变短/变长，氮族元素高度$h_\mathrm{Pn}$变大。这必须与退火引起的$T_c$增强有关。此外，发现后退火降低了$T$ =0 K时的电子比热系数$γ_r$，并将磁场（$H$）依赖性从次线性$γ_r\propto H^{0.7}$改变为$H$ -线性$γ_r\propto H$。这可以归因于带$s_{\pm}$隙的超导体从脏到干净的电子变化。
2013-05-09 cond-mat.supr-con
Evolution of superconductivity by oxygen annealing in FeTe0.8S0.2
氧退火显着提高了超导性能的固态反应FeTe 0.8S0.2，这表明只有一个广泛的发病后，超导转变的合成。在200 \degree C氧退火时，零电阻率出现并达到8.5 K.超导体积分数也从0提高到几乎100%。氧退火压缩了FeTe_（0.8）S_（0.2）的晶格常数，表明FeTe_（0.8）S_（0.2）体超导电性的演化与晶格收缩有关。
2010-03-13 cond-mat.supr-con
Superconducting and Normal State Properties of Neutron Irradiated MgB2
我们已经进行了系统的研究中子辐照的MgB $_2$线段的超导和正常状态的属性作为一个功能的通量和曝光后退火温度和时间的演变。所有使用的能量密度抑制的转变温度，Tc，低于5 K和扩大的单位电池。对于每个退火温度Tc恢复与退火时间和上临界场，Hc2（T=0），大约与Tc的比例。通过合理选择能量密度、退火温度和时间，受损MgB2的Tc几乎可以被调节到5至39 K之间的任何值。对于较高的退火温度和较长的退火时间的恢复Tc往往符合正常状态的电阻率和晶格参数的系统恢复的减少。
2006-03-22 cond-mat.supr-con
The nontrivial effects of annealing on superconducting properties of Nb single crystals
本研究通过磁测量和STM发现，铌单晶真空退火虽抑制氢化物析出，却引入纳米缺陷，导致超导性能恶化，揭示了退火对超导性能的非平凡影响。
2024-03-24 cond-mat.supr-con
Extended superconducting dome of electron-doped cuprates after protect annealing revealed by ARPES
电子掺杂的铜氧化物通常具有比空穴掺杂的铜氧化物更强的反铁磁相和更窄的超导（SC）圆顶。近年来，人们对保护退火法制备的Pr_（1.3-x）La_（0.7）Ce_xCuO_（4-δ）（PLCCO）大块单晶进行了广泛的研究，发现了许多不同于传统退火方法的有趣性质。在这里，我们报告了系统的角度分辨光电子能谱研究PLCCO单晶保护退火后。结果表明，从费米表面积估计的实际电子浓度（nFS）是显着大于Ce浓度x和新的nFS为基础的SC圆顶的PLCCO是更多地延伸到过掺杂侧比x为基础的SC圆顶使用传统的退火方法制备的样品。
2021-01-18 cond-mat.supr-con
Annealing-induced grain coarsening and voltage kinks in superconducting NbRe films
Technische Universität Braunschweig（布伦瑞克工业大学）；Università degli Studi di Salerno（萨莱诺大学）；CNR-SPIN（意大利国家研究委员会自旋电子学研究所）
研究退火对铌铼薄膜超导性和涡流动力学的影响，发现退火后晶粒粗化导致电压尖峰，通过I-V测量揭示了正常域的形成与超导网络的结构。
2026-04-09 cond-mat.supr-con
New Superconducting Phase of Li$_x$(C$_6$H$_{16}$N$_2$)$_y$Fe$_{2-z}$Se$_2$ with $T_\textrm{c}$ = 41 K Obtained through the Post-Annealing
研究了退火后对锂和六亚甲基二胺（HMDA）插层超导体Lix（C6 H 16 N2）yFe 2-zSe 2的晶体结构和超导电性的影响。通过后退火，已经观察到相邻Fe层之间的层间距d的两步减小。结果表明，由于HMDA在FeSe层间可能存在稳定的嵌入倾向，形成了一种不同于原始相的新相Lix（C6 H 16 N2）yFe 2-zSe 2（d= 10.30（2）K，Tc = 41 K）。这一结果支持了FeSe基嵌入超导体中Tc和d之间的domic关系。讨论了后退火过程中Tc随d的减小而增大的原因。
2016-04-12 cond-mat.supr-con
Thermal annealing of sputtered Nb3Sn and V3Si thin films for superconducting radio-frequency cavities
Nb_3Sn和V_3Si薄膜是下一代超导射频（SRF）谐振腔的理想材料。然而，溅射膜在沉积和后退火期间经常遭受化学计量和应变问题。在这项研究中，我们探讨了热退火的结构和化学效应，包括原位和溅射后，在Nb或Cu衬底上DC溅射的不同厚度的Nb 3Sn和V3 Si薄膜，从我们的初步研究[1]延伸。通过在950 °C下退火，我们成功地使具有化学计量和无应变晶粒的Nb衬底上的100 nm薄Nb 3Sn膜再结晶。对于2 μ m厚的膜，我们观察到应变的去除和晶粒尺寸随着温度的升高而略有增加。退火使V_3Si薄膜的结构从不稳定到稳定的相变，而我们观察到显着的Sn损失在2 μ m厚的Nb_3Sn薄膜高温退火后。我们观察到类似的Sn和Si的损失上的薄膜顶部的铜基板在退火过程中，可能是由于Cu-Sn和Cu-Si相的产生和随后的Sn和Si蒸发。这些结果鼓励我们改进我们的工艺以获得用于SRF的高质量溅射膜。
2023-01-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con physics.app-ph
Annealing Effect on Microstructure and Superconductivity of KxFeySe2 Synthesized by an Easy One-step Method
采用一步法合成了高质量的KxFeySe 2超导单晶。进行详细的退火研究，以明确在KxFeySe 2的相形成过程。变温X射线衍射图、背散射电子像和相应的电磁特性的观测结果一致，证明超导元件的良好超导性能与其微观结构密切相关。基于磁通钉扎力标度行为的分析表明，主导钉扎机制是δ（Tc）钉扎，与连接性无关。退火动力学的研究也进行了，这表明，驼峰的温度依赖性电阻（RT）曲线是由金属/超导和半导体/绝缘相之间的竞争引起的。
2014-01-27 cond-mat.supr-con
Effect of high oxygen pressure annealing on superconducting Nd1.85Ce0.15CuO4 thin films by pulsed laser deposition from Cu-enriched targets
我们表明，通过脉冲激光沉积生长的Nd 1.85Ce 0.15CuO 4薄膜的质量可以提高通过使用非化学计量的目标与额外的铜添加到抑制寄生（Nd，Ce）2O3相的形成。这些膜的性质是不太依赖于精确的退火程序相比，从化学计量的目标生长的膜沉积后。在初始真空退火之后，膜生长之后可以进行1巴氧气退火，同时保持超导性质和质量。这使得电子掺杂的铜酸盐与它们的空穴掺杂的对应物能够集成在单个芯片上，以创建例如超导pn结。
2015-07-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Effect of annealing on the physical properties of RuSr2GdCu2O8 sintered samples and a discussion about magnetic measurements performed by SQUID magnetometer
在本文中，我们提出的物理特性的烧结样品制备的RuSr_2GdCu_2O_8与不同的程序。特别是，我们展示了最后一步（在流动氧气中退火一周）如何影响物理性质，以及退火过程如何广泛影响超导行为的可见性。此外，我们分析了在超导转变以下的这种类型的样品上进行的直流磁测量的复杂性和解码它们的可能性。
2002-11-18 cond-mat.supr-con
Growth, Annealing Effects on Superconducting and Magnetic Properties and Anisotropy of FeSe_1-x_Te_x_ (0.5 =< x =< 1) Single Crystals
用坩埚下降法生长了FeSe_（1-x）Te_x_（0.5=<x=<1）单晶。x=0.5-0.9的单晶在真空中400 ℃退火100小时后，表现出体超导性。本文研究了FeSe_（1-x）Te_x（x=0.6）单晶的电阻率和上临界场H_c_2_的各向异性。结果表明，面内电阻率Rho_ab_与金属温度有关，而面外电阻率Rho_c_在100 K附近有一个很宽的最大值。在290 K和超导转变温度Tc以上，电阻率比Rho_ab_/Rho_c_分别为44和70。各向异性参数，gamma= H_c2_^para^/H_c2_^perp^（para和perp分别表示平行和垂直于ab平面的场方向），估计为2.7，略低于T_c。
2010-04-07 cond-mat.supr-con
Inhomogeneous superconductivity induced by interstitial Fe deintercalation in oxidizing-agent-annealed and HNO3-treated Fe1+y(Te1-xSex)
本文系统地研究了退火对铁硫属化合物Fe_（1 +y）（Te_（1-x）Sex）超导电性的影响。用于退火的气氛包括O2、N2、I2蒸气、空气和真空。我们观察到在O2、I2和空气中退火可以增强欠掺杂样品的超导电性，这与文献报道的结果一致。有趣的是，我们发现在N2中退火也会导致超导性增强，类似于O2，I2和空气的退火效果。然而，真空退火并不增强超导性，这表明在O2-，N2-，I2-和空气退火的样品中增强的超导性不是由于改善的均匀性。此外，我们用硝酸处理了欠掺杂的样品，发现它也能增强超导性。这些结果的分析支持的论点，超导电性增强，无论是由退火或硝酸处理，起源于间隙Fe的变化。在氧化剂中退火或硝酸处理可以减少间隙Fe，这对超导配对是有害的。我们还发现，尽管N_2、O_2和空气退火的样品表现出很强的超导抗磁性，某些样品的超导抗磁性达到-4pichi ~1（chi，dc磁化率），但它们的实际超导体积分数很低，在0.09 < x < 0.3时为10%~ 30%，表明即使在退火样品中，超导抑制仍然很明显。强抗磁性与超导对非超导相的屏蔽效应有关。我们还建立了退火样品的相图，并与生长样品的相图进行了比较。讨论了退火对磁性和超导电性之间相互作用的影响。
2012-11-06 cond-mat.supr-con
Heat treatment effects on the superconducting properties of Ag-doped SrKFeAs compound
多晶Sr 0.6K 0.4Fe 2As 2的超导性能受到Ag掺杂的强烈影响（Supercond. Sci. 23（2010）025027）。Ag的掺杂主要是由Ag的扩散控制的，因此退火工艺是获得高质量Ag掺杂Sr0.6K0.4Fe2As2的关键因素之一。本文研究了一步固相反应法制备Ag掺杂Sr0.6K0.4Fe2As2块材的最佳退火条件。结果表明，退火温度对超导性能有很大的影响，特别是对临界电流密度Jc的影响。结果表明，较高的热处理温度（~ 900 ℃）有利于Ag的扩散，减少聚集在一起的杂质相，改善晶粒的连通性。相反，低温烧结对于Ag掺杂的样品是适得其反的。这些结果清楚地表明，在约900 ℃下退火是获得高Jc Ag掺杂样品所必需的。
2010-04-15 cond-mat.supr-con
Annealing-enhanced spin-orbit effects in non-centrosymmetric superconducting NbRe films
Technische Universität Braunschweig（布伦瑞克工业大学）；Istituto di Struttura della Materia of the National Research Council（国家研究委员会物质结构研究所）；Università degli Studi di Salerno（萨莱诺大学）；CNR-SPIN（意大利国家研究委员会自旋物理研究所）
研究热退火对非中心对称超导 NbRe 薄膜超导和正常态磁输运性质的影响，通过 WHH 框架和 Kawabata 模型分析，发现退火增强了自旋轨道介导的量子输运，放大了电子响应，为保护超导态提供关键机制。
2026-07-23 cond-mat.supr-con
High critical current densities in superconducting MgB2 thin films
在Al 2 O3（0001）和MgO（100）衬底上制备了MgB 2超导薄膜。硼薄膜的沉积通过电子束蒸发，然后与镁的后退火工艺。研究了合适的后退火工艺条件，以制备出性能良好的MgB 2超导薄膜。X射线衍射分析表明，在我们的薄膜中，MgB_2相是随机取向生长的。用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）观察了表面形貌。用输运法测得15 K时MgB 2/Al 2 O3薄膜的临界电流密度（Jc）约为10^7 A/cm^2，超导转变温度（Tc）约为39 K。
2001-04-12 cond-mat.supr-con
Stoichiometry and defect superstructures in epitaxial FeSe films on SrTiO3
利用低温扫描隧道显微镜研究了不同退火条件下SrTiO 3（001）衬底上外延FeSe薄膜的化学计量比和缺陷。低温退火与过量供应的Se导致Fe空位和超结构的形成，伴随着在FeSe膜的超导（金属）到绝缘体的转变。而高温退火则可以消除Fe空位和超结构，从而恢复单层FeSe薄膜的高温超导相。我们还观察到多层FeSe在低温退火过程中，这是揭示与铁空位的形成和吸附原子迁移。我们的研究结果文件非常特殊的作用，薄膜化学计量，并帮助解开几个争议的单层FeSe薄膜的性能。
2020-07-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Pressure Effects on Superconducting Properties of the BiS2-Based Superconductor Bi2(O,F)S2
通过高压电阻率测量和高压退火两种方法研究了最近发现的BiS 2基超导体Bi 2（O，F）S2（Tc = 5.1K）的压力效应。这两种方法对Bi_2（O，F）S_2超导性能的影响是显著不同的，虽然在这两种方法中，流体静压是通过双砧型装置施加到样品上的。在高压电阻率测量中，Tc以-1.2KGPa-1的速率线性下降。与此相反，最佳掺杂样品在2GPa和470°C下高压退火后，尽管晶格参数发生了显著变化，但Tc仍保持在5.1K。此外，在高压退火后，在无氟的Bi 2 OS 2中观察到超导性。这些结果表明，高压退火将导致对层状化合物的物理性能的独特影响。
2015-08-07 cond-mat.supr-con
Influence ScN protective thin layer on the superconducting properties of ultrathin NbN films
本研究首次探究ScN保护层对反应磁控沉积NbN薄膜超导性能的影响，经富氧高温退火实验证实，ScN层在450℃退火时仍能保护NbN层结构不受显著影响，且提升其抗腐蚀能力。
2024-05-13 cond-mat.supr-con
Control of magnetic, non-magnetic and superconducting states in annealed Ca(Fe$_{1-x}$Co$_{x}$)$_{2}$As$_{2}$
我们已经使用FeAs熔剂生长了Co取代的CaFe_2As_2单晶样品，并系统地研究了退火/淬火温度对这些样品的物理性能的影响。尽管生长态样品（从960 ℃淬火）在冷却时都进入塌陷的四方相，但350 ℃和800 ℃之间的退火/淬火温度也可用于将系统调谐到低温反铁磁/正交或超导状态。转变温度与退火/淬火温度（T-T $_{anneal}$）相图随Co浓度的变化表明，通过取代Co，反铁磁/正交相线和塌缩的四方相线被分离，体超导性被揭示出来.我们建立了一个三维相图与Co浓度和退火/淬火温度作为两个独立的控制参数。在环境压力下，对于适度的x和T $_{anneal}$值，Ca（Fe 1-xCox）2As 2系统提供了与Fe基超导体相关的显著低温状态的容易的访问：反铁磁/正交，超导，和非磁性/塌陷的四元晶系。
2012-04-24 cond-mat.supr-con
Growth of superconducting MgB2 thin films
这是迄今为止对MgB_2超导薄膜的首次综述。
2002-03-18 cond-mat.supr-con
Evolution of tetragonal phase in the FeSe wire fabricated by a novel chemical-transformation PIT process
采用化学相变PIT工艺制备了FeSe超导线材。退火温度与相变有明显的相关性。高于500^{ \circ }C的退火产生从六方相到四方相的线芯转变。在1000^{ \circ }C退火时，六方相完全转变为四方相.随着退火温度的升高，超导性能显著提高，并伴随着四方相的演变。
2011-06-20 cond-mat.supr-con
In-situ Investigation of the Phase Formation and Superconductivity in V$_3$Si Thin Films at High Temperatures
本研究结合中子反射、化学模拟、XRD与TEM，原位揭示V$_3$Si薄膜在650–800 °C退火中的相演化及其对超导性能的影响，并指出优化时间与温度可避免富硅相、获得高质量薄膜。
2024-12-05 cond-mat.supr-con
Tuning the superconducting state in the magnetic MoSr2YCu2O8 materials
发现MoSr 2 YCu 2 O 8材料的性质随着由烧结和退火条件确定的氧浓度而系统地改变。在16 K下对制备的样品进行了反铁磁有序化（AFM）研究。磁性特征与Mo ~（5+）亚晶格有关。在氧气氛下退火诱导超导性（SC）在Cu-O平面，和TC和屏蔽分数值得到强烈依赖于氧浓度。在1030 ℃下在环境氧气氛下退火asp材料产生18 K的TC，而在650 ℃下在92 atm下进一步退火。使TC变为32 K。AFM有序，通过有效解耦的子系统与SC状态共存，不受SC状态的存在或不存在的影响。在所研究的所有样品中，TN < TC。这种行为类似于大多数金属间磁超导体，但与TN > TC的同构RuSr 2GdCu 2 O 8系统形成鲜明对比。
2003-08-05 cond-mat.supr-con
Growth and Properties of Superconducting MgB2 Thin Films
本文综述了近30个月来超导MgB_2的薄膜生长和结制备的研究进展，包括MgB_2的化学和物理性质的简要总结。
2004-02-12 cond-mat.supr-con
Superconducting MgB2 thin films nano-bridges for cryo-electronic application
采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了前驱体MgB 2薄膜。讨论了非原位退火工艺对MgB 2超导薄膜粗糙度的影响。通过优化MgB前驱体薄膜的真空退火工艺，得到了表面粗糙度小于10 nm，临界温度Tcon = 31 K，相变宽度DTc小于1 K的光滑超导MgB 2薄膜。利用光学光刻和聚焦离子束光刻技术制备了基于超导MgB 2薄膜的纳米桥。在50 nm宽的带材上测得的临界电流密度jc（4.2 K）为7.3 × 10 6 A/cm 2，并且没有检测到超导性能的显著损失。电阻与温度和临界电流与温度特性的测量，这些结构上使用标准的DC四探针测量。
2007-05-29 cond-mat.supr-con
Superconducting properties of nanocrystalline MgB$_2$ thin films made by an in situ annealing process
研究了脉冲激光沉积原位退火制备的$_2$薄膜的结构和超导性能。横截面透射电子显微镜揭示了具有非常小的晶粒尺寸的织构化MgO和MgB $_2$的纳米晶混合物。零电阻转变温度（$T_{c0}$）为34 K，零场临界电流密度（$J_c$）为$1.3 \times 10^6$ A/cm $^2$。的不可逆性领域是$\sim$ 8 T在低温下，虽然观察到严重的钉扎不稳定性。这些块状超导特性表明原位沉积工艺可以成为MgB $_2$约瑟夫森结技术的可行候选者。
2001-05-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Transformation of in-plane $ρ(T)$ in $YBa_{2}Cu_{3}O_{7-δ}$ at fixed oxygen content
本文揭示了在具有相同$T_{c}$的不同YBCO单晶或薄膜样品中经常观察到的正常态电阻率的大小和温度依赖性变化的原因。我们研究了$YBa_{2}Cu_{3}O_{7-δ}$薄膜的电阻率与温度的关系，7- $δ= 6.95$和6.90，这是在氩气中进行退火在400-420 K（$120-140^{o}C$）。退火前，这些薄膜表现出非线性的$ρ_{ab}(T)$，与平坦低于230 K，类似的$ρ_{b}(T)$和$ρ_{ab}(T)$观察到的非孪晶和孪晶YBCO晶体，分别。对于所有的膜，退火引起电阻率的增加和$ρ_{ab}(T)$从非线性依赖性向更线性依赖性（更少平坦化）的转变。在具有7- $δ= 6.90$的膜中，电阻率的增加也与$T_{c}$的增加相关。我们提出的模型，提供了一个解释这些现象的热激活重新分配的残余O（5）氧在链层的YBCO。$ρ_{ab}(t,T)$的实验数据，其中t是退火时间，和数值计算之间的良好协议。
2003-05-07 cond-mat.supr-con
Generation of Teraherz Oscillations by Thin Superconducting Film in Fluctuation Regime
在含时Ginzburg-Landau理论的框架下，导出了超导薄膜在任意电场中高于和低于临界温度的电导率的显式解析表达式。证实了在略低于临界温度时，只要电场足够小，超导薄膜的微分电导率就会变为负值。如果超导膜与谐振器适当地耦合，则该事实可能导致电磁振荡的产生。它们的最大频率与超导转变的临界温度成正比。所得结果可促进基于高温超导薄膜的太赫兹发电机的发展。
2019-01-28 cond-mat.supr-con
Removal of excess iron by annealing processes and emergence of bulk superconductivity in sulfur-substituted FeTe
本研究通过盐酸刻蚀和真空退火处理硫取代FeTe，去除多余铁并显著提升其超导性质量，证实了体超导性的出现，为相关铁基化合物实现体超导性提供了重要途径。
2025-02-14 cond-mat.supr-con
Morphology of Superconducting FeSe thin films deposited by co-sputtering and MBE
用射频溅射和分子束外延（MBE）方法从两种元素源沉积了可能是非常规的超导体β-FeSe。在MgO（100）和YAlO 3（010）衬底上沿（001）取向生长了超导薄膜。研究了样品的形貌，并将其与β-FeSe薄膜的超导性能直接相关。分子束外延生长的薄膜显示出微裂纹和约100 nm的粗糙度。相比之下，溅射沉积的超导薄膜显示出几乎没有沉淀物的光滑表面。在这两种情况下的电阻超导转变与临界温度高达8.5 K进行了观察。然而，溅射沉积膜的光滑度对于未来的表面依赖性研究至关重要。
2015-05-11 cond-mat.supr-con
Magnetically Induced Metallic Phase in Superconducting Tantalum Films
研究了均匀无序超导钽薄膜在磁场中的电子输运性质。薄膜表现出三种不同的运输制度，在零温度极限，我们确定为超导，金属和绝缘相。金属相是出乎意料的。这种金属相的传输特性被发现是类似的MoGe薄膜和高迁移率稀释二维电子或空穴限制在半导体界面或晶体管的几何形状。
2006-01-20 cond-mat.supr-con
Tunneling into thin superconducting films: interface-induced quasiparticle lifetime reduction
对生长在普通金属钨衬底上的超导镧薄膜的扫描隧道谱测量表明，其相干峰有极大的展宽。所观察到的加宽对应于在隧穿过程中非常短的类电子准粒子寿命。考虑到不同的弛豫过程的一个彻底的分析表明，占主导地位的机制是一个有效的准粒子弛豫之间的超导薄膜和衬底的界面。这个过程是一般相关的扫描隧道光谱研究薄超导薄膜，并使薄膜厚度的测量通过光谱方法。
2016-04-13 cond-mat.supr-con
Superconducting magnesium diboride films on Silicon with Tc0 about 24K grown via vacuum annealing from stoichiometric precursors
采用脉冲激光沉积技术，以化学计量比的MgB 2为靶材，在Si衬底上成功地制备了Tc为0 ~ 24 K、相变温度为1 K的MgB 2超导薄膜。与以前的报道相反，在630度和2 × 10 ^（-4）Ar/4%H2的背景下进行退火，而不需要Mg蒸气或Mg盖层。这种超导MgB 2膜在硅上的集成因此可以证明能够在超导体-半导体器件应用中实现。通过扫描电子显微镜（SEM）的表面形貌和横截面轮廓的图像表明，薄膜具有均匀的表面形貌和厚度。能量色散谱（EDS）显示这些薄膜被氧气污染，氧气来自生长环境或样品暴露于空气中。氧污染可以解释那些原位退火膜的低Tc，而使用Si作为衬底与其他衬底相比不会导致Tc降低。
2001-03-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Effect of annealing on the magnetic and superconducting properties of single-crystalline UCoGe
新的铁磁超导体UCoGe的单晶已经生长。生长的样品的质量可以显着提高通过热处理程序，这增加了剩余电阻比（RRR）从~5 ~30。磁化强度和电阻率测量表明，退火后的样品具有明显的铁磁转变，居里温度Tc为2.8K。0.06 μ B的有序矩沿正交c轴定向。在电阻转变温度T_s = 0.65K以下发现超导性。
2009-06-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nanosecond Laser Annealing: impact on superconducting Silicon on Insulator epilayers
本研究通过纳秒激光退火制备超导绝缘体上硅外延层，发现退火能量和次数调控超导临界温度至0.5K，并揭示超导/非超导双层结构，为超导硅大规模集成奠定基础。
2024-06-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Growth of superconducting MgB2 thin films via postannealing techniques
本文研究了退火温度在700 ~ 950 ℃范围内、退火时间在30 ~ 120 min范围内对MgB_2薄膜超导电性的影响。我们获得了质量最好的MgB 2薄膜，其转变温度为39 K，临界电流密度为~ 10^7 A/cm^2。利用扫描电子显微镜，我们还研究了薄膜的生长机制。在较高温度下退火的样品显示出较大的晶粒尺寸，沿c轴择优取向的良好排列的晶体结构，和光滑的表面形貌。然而，较长的退火时间阻止晶粒的排列，降低了超导电性，表明衬底和MgB 2膜之间的强烈的界面反应。
2002-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Structural and transport properties of epitaxial NaxCoO2 thin films
研究了在（0001）蓝宝石衬底上外延生长的NaxCoO_2薄膜的结构和输运性质。薄膜是c轴取向的，并且与从[10 1 0]蓝宝石旋转30度的[10 1 0] NaxCoO2面内对准。在退火过程中不同的Na蒸气压导致不同的Na浓度的薄膜，表现出不同的输运性质。
2005-05-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Properties of Nb3Sn films fabricated by magnetron sputtering from a single target
采用磁控溅射方法，在蓝宝石和细晶Nb衬底上制备了Nb 3Sn超导薄膜。研究了在800-1000 °C退火24 h后薄膜的结构、形貌和超导性能。在1000 °C下退火1、12和24小时，检查退火时间的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线能谱仪和拉曼光谱仪对薄膜的性能进行了表征。直流超导性能的薄膜的特点是由一个四点探针测量到低温温度。使用7.4 GHz的射频加载Nb腔，在6-23 K的温度范围内测量薄膜的RF表面电阻。蓝宝石衬底上沉积的Nb 3Sn薄膜的超导临界温度为17.21 K，经800 °C退火24 h后，超导临界温度提高到17.83 K。对于在1000 °C下退火的膜，表面Sn含量在12 h的退火时间下降低至~ 11.3%，并且在24 h的退火时间下降低至~ 4.1%。薄膜的拉曼光谱证实了退火后的微结构演变。Nb基Nb 3Sn薄膜的射频超导临界温度为16.02 K，经800 °C退火24 h后，该临界温度提高到17.44 K。
2020-07-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con physics.app-ph
Nanogranular MgB2 thin films on SiC buffered Si substrates prepared by in-situ method
采用电子束连续蒸发B-Mg双层膜并原位退火的方法在SiC缓冲的Si衬底上制备了MgB 2薄膜。SiC缓冲层的应用使得最大退火温度为830 ℃。透射电子显微镜分析证实了纳米颗粒状MgB 2膜的生长和膜表面处Mg 2Si化合物的存在。薄膜厚度为150-200 nm，最大零电阻临界温度TC_0大于37 K，临界电流密度J_C在11 K时为106 A/cm ~ 2。
2005-07-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Effect of layer thickness on structural, morphological and superconducting properties of Nb$_3$Sn films fabricated by multilayer sequential sputtering
通过控制Sn的原子浓度，可以制备出Nb_3Sn超导薄膜。多层连续溅射Nb和Sn薄膜，然后高温退火被认为是一种方法来制备Nb3Sn薄膜，其中沉积的薄膜的Sn成分可以通过交替的Nb和Sn层的厚度来控制。本文报道了在蓝宝石衬底上多层连续溅射Nb和Sn薄膜，然后在950 °C退火3 h制备的Nb3Sn薄膜的结构、形貌和超导性能。我们研究了Nb和Sn层厚度以及Nb：Sn比对Nb_3Sn薄膜性能的影响。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和X射线能谱仪（EDS）对薄膜的晶体结构、表面形貌、表面形貌和薄膜成分进行了表征。结果表明，由于在退火过程中的蒸发，Sn从表面损失。制备了临界温度高达17.93 K的Nb3Sn超导薄膜。
2020-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con physics.app-ph
Anomalous skin effect study of superconducting film
以铌（Nb）为例，研究了不同平均自由程的超导射频（SRF）薄膜内部的场分布。计算了不同衬底、不同膜厚的洁净Nb膜的表面电阻。我们还研究了一种特殊结构的多层超导薄膜，称为超导体-绝缘体-超导体（SIS）结构。
2021-03-19 cond-mat.supr-con physics.acc-ph
Effects of Annealing under Tellurium Vapor for Fe$_{1.03}$Te$_{0.8}$Se$_{0.2}$ Single Crystals
在这项研究中，在碲蒸气下退火的影响进行了研究Fe $_{1.03}$ Te $_{0.8}$ Se $_{0.2}$单晶。生长的晶体不是超导的。在400 $^\circ$ C碲蒸气中退火250 h后，在150 K以下显示出金属电阻率温度依赖性，并在13 K处出现明显的超导转变。样品在低温下也显示出完全的磁屏蔽效应。超导电性的改善归因于通过退火去除了不可避免地结合在所生长的晶体中的过量Fe。
2012-12-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal Annealing and Radiation Effects on Structural and Electrical Properties of NbN/GaN Superconductor/Semiconductor Junction
本研究探讨了高温退火与伽马辐射对 GaN 上生长的 NbN 薄膜结构与超导性能的影响，发现 950 °C 退火会降低 Tc，而 5 Mrad 辐射影响极小，证明其在强辐射环境量子器件中的应用潜力。
2025-05-28 cond-mat.supr-con quant-ph
Thermal annealing enhancement of Josephson critical currents in ferromagnetic CoFeB
Co 40 Fe 40 B20（CoFeB）合金的电学和结构性能可通过热退火来调节。这是优化CoFeB基自旋电子器件的关键，其中利用了有利的低磁性、高自旋极化和可控的磁晶各向异性。到目前为止，还没有基于CoFeB的超导器件的报道。在这里，我们报告Nb/CoFeB/Nb约瑟夫森器件，并证明了热退火后，由于增加的CoFeB的结构有序的临界电流的增强高达700%。结果表明CoFeB是一种很有前途的超导自旋电子器件材料。
2021-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Phase Formation and Thermal Stability of Superconducting Platinum Silicide Thin Films on Silicon
Brookhaven National Laboratory（布鲁海文国家实验室）
研究铂硅化物薄膜在硅上的相形成、微观结构和界面质量，发现600°C快速热处理可形成纯相PtSi，且界面粗糙化源于Pt2Si到PtSi的转化步骤，建立了稳健的制备窗口。
2026-06-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Possibility of a zero-temperature metallic phase in granular two-band superconducting films
本文用变分法研究了电阻分流约瑟夫森结阵列模型下双带颗粒超导薄膜中的超导体-绝缘体转变。结果表明，在超导相和绝缘相之间可能存在一个零温金属相，这是在正常的单带颗粒超导膜中所不存在的。在某些脏的磷属元素化物超导膜中可以观察到金属相。
2011-12-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Paraconductivity and magnetoconductivity approaches to superconducting fluctuations in La1.6-xNd0.4SrxCuO4 films
本文用介导率和磁导率方法分析了c轴取向La_（1.6-x）Nd_（0.4）Sr_xCuO_4薄膜的超导涨落。
2006-02-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Signature of Cooper Pairs in the Non-Superconducting Phases of Amorphous Superconducting Tantalum Films
本文研究了非晶Ta超导薄膜中的磁场或无序诱导的绝缘相和金属相。随着磁场的增加，绝缘相的非线性输运的演化呈现出非单调的行为。我们认为，这一观察可能是一个证据的存在，本地化的库珀对在绝缘相。由于金属相介入了Ta薄膜的超导态和绝缘态，这一结果进一步揭示了金属基态中也存在库珀对。
2015-02-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
