Investigation of quantum-dimensional structure parameters by X-ray optical, scanning tunneling and transmission electron microscopy
A. G. Touryanski, V. M. Senkov, S. S. Gizha, L. V. Arapkina, V. A. Chapnin, K. V. Chizh, V. P. Kalinushkin, M. S. Storozhevykh, O. V. Uvarov, V. A. Yuryev
本文介绍了双波长X射线反射法在Ge/Si（001）异质结构探测中的应用
Application of the two-wavelength X-ray reflectometry to exploration of Ge/Si(001) hereostructures with dense chains of stacked Ge quantum dots is presented
机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。
继续探索
Tip-gating Effect in Scanning Impedance Microscopy of Nanoelectronic Devices
用扫描门显微镜和扫描阻抗显微镜（SIM）研究了半导体单壁碳纳米管中的电子输运。根据探头电位，SIM可以在侵入性和非侵入性模式下进行。高分辨率成像的缺陷时，探针作为一个本地门，同时作为一个静电探针的本地电位。一类弱缺陷变得可观察，即使它们位于强缺陷附近。讨论了针尖选通扫描阻抗显微镜的成像机理。
Scanning Tunneling Microscope Nanolithography on SrRuO3 Thin Film Surfaces
利用扫描隧道显微镜在室温下对SrRuO 3（SRO）薄膜表面进行了纳米级光刻。刻蚀线的深度随着偏置电压的增加而增加，但增加隧穿电流不会显著改变刻蚀线的深度。由实验数据得到的线宽随偏压的变化关系与基于场致蒸发的理论计算相一致。此外，成功地创建了三个正方形的纳米结构，显示了在SRO薄膜中制造纳米器件的能力。
Scanning probe microscopy imaging of metallic nanocontacts
我们显示了扫描探针显微镜测量控制电迁移周期之间的金属纳米接触。用于减薄工艺的纳米线通过阴影蒸发来制造。使用扫描力显微镜获得的最高分辨率约为3 nm。在前几个电迁移循环期间，形成纳米接触的整体狭缝结构。狭缝首先沿着晶界通过，然后在稍后的阶段在消耗晶粒的过程中垂直地分裂晶粒。我们发现，首先整个导线被加热，然后在变薄过程中，随着狭缝的形成，电流流过几个较小的触点，这需要较少的功率。
Distinction of Nuclear Spin States with the Scanning Tunneling Microscope
我们演示了旋转激发光谱与扫描隧道显微镜的物理吸附氢及其同位素氢氘和氘。观察到的激发能非常接近气相值，并显示出预期的缩放与转动惯量。由于这些能量是分子核自旋状态的特征，我们能够分别识别氢和氘的对位和邻位物种。因此，我们展示了前所未有的空间分辨率的核自旋灵敏度。
Scanning Tunneling Spectroscopy of Ni/W(110): bcc and fcc properties in the second atomic layer
镍岛在高温下生长在W（110）上。用扫描隧道显微镜研究了两层厚的岛。光谱测量表明，纳米大小的区域的岛屿表现出明显不同的表观高度和dI/dV光谱。自旋极化和顺磁能带结构计算表明，这些光谱特征分别是由于Ni膜的fcc（111）和bcc（110）取向所致。
Bulk Cr tips for scanning tunneling microscopy and spin-polarized scanning tunneling microscopy
提出了一种简单、可靠的制备用于扫描隧道显微镜（STM）的体Cr针尖的方法，并研究了其在进行高质量、高分辨率STM和自旋极化STM（SP-STM）方面的潜力。铬提示有序表面上显示原子分辨率。与常规W针尖发生的情况相反，可以常规地观察到Si（111）-7x7重构的剩余原子，这可能是由于针尖顶点的不同电子结构。本文报道了Cr（001）表面的SP-STM测量结果。我们的研究结果表明，这些提示的特殊性质，可以适用于在一些STM实验情况。
Application of scanning mid-IR-laser microscopy for characterization of semiconductor materials for photovoltaics
扫描中红外激光显微镜以前被证明是表征不同半导体晶体的有效工具。现在，该技术已成功地应用于研究CZ SixGe 1-x --一种有前途的光致发光材料--和太阳能电池用多晶硅。此外，这种技术被证明是适当的成像抛光引起的缺陷，以及这样的巨大的缺陷，如“针孔”。此外，以前无法解释的“异常”（立方功率）的依赖性的信号的扫描中红外激光显微镜在光束诱导的光散射模式上获得的机械抛光样品的光激发功率现在已被归因于过剩的载流子散射带电的线性缺陷，可能位错线。本文的结论是，扫描中红外激光显微镜可作为现代光化学材料缺陷研究的一种非常有效的工具。
Negative Differential Resistance in the Scanning Tunneling Spectroscopy of Organic molecules
扫描隧道光谱（STS）测量的分子纳米结构的电导-电压谱通常被认为反映了分子的局域态密度。这排除了观察到负微分电阻（NDR）的可能性。本文报道了在扫描隧道显微镜（STM）中用铂探针测量4-p-三联苯硫醇分子在金基底上自组装单层膜（SAM）的电流-电压（I-V）特性，观察到NDR。我们认为，NDR产生于窄的结构，在尖端顶点原子的局部态密度，并表明，取决于整个系统的静电势分布，可以观察到在一个或两个偏置方向的NDR。
Reversible hydrogenation and band gap opening of graphene and graphite surfaces probed by scanning tunneling spectroscopy
通过扫描隧道显微镜和光谱研究了氢化对石墨烯和石墨表面形貌和电子性质的影响。使用Ar/H2等离子体对表面进行化学改性。分析数千个扫描隧道光谱测量，我们确定石墨/石墨烯表面上的氢化学吸附在费米能级附近平均打开0.4 eV的能带隙。我们发现，虽然等离子体处理以不可逆的方式改变了表面形貌，但电子性质的变化可以通过适度的热退火来逆转，并且样品可以再次氢化，从而在第二次氢化后产生类似的，但略有降低的半导体行为。
Topographic and electronic contrast of the graphene moiré on Ir(111) probed by scanning tunneling microscopy and non-contact atomic force microscopy
由于石墨烯和下面的金属表面之间的晶格失配，在过渡金属表面上生长的外延石墨烯通常表现出莫尔图案。我们使用扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）实验来探测Ir（111）表面上石墨烯莫尔条纹的电子和形貌对比度。虽然STM形貌的影响，接近费米能量和本地隧道势垒高度的状态的局部密度，AFM是能够产生的“真正的”表面形貌，一旦从尖端和衬底之间的范德华力（VDW）相互作用所产生的背景力被考虑在内。我们观察到35 $\pm$ 10 μ m的莫尔条纹，其中石墨烯-Ir（111）距离在石墨烯蜂窝位于下面的铱原子顶部的区域中最小，而在fcc或hcp三重中空位点上较大。
Atomic-scale patterning of hydrogen terminated Ge(001) by scanning tunneling microscopy
在本文中，我们展示了原子级光刻的氢终止锗（001。光刻图案是通过在超高真空中使用扫描隧道显微镜针尖从吸附在干净的原子级平坦Ge（001）表面上的H抗蚀剂层选择性地解吸氢原子而获得的。研究了针尖-样品偏压对光刻工艺的影响。通过改变尖端到样本的偏差，可以实现特征尺寸从200纳米到1.8纳米的光刻图案。这些结果开辟了一个扫描探针光刻方法的可能性，以制造未来的原子级器件的锗。
Honeycomb lattice of graphite probed by scanning tunneling microscopy with a carbon nanotube tip
碳纳米管（CNT）针尖是通过化学气相沉积在蚀刻钨丝的顶点处制造的，并用于扫描隧道显微镜。在T=79 K时，用CNT针尖分辨STM图像中的石墨蜂窝晶格。源自CNT的p轨道的优异空间分辨率是STM图像中石墨蜂窝晶格的图像的原因。CNT尖端对于晶格常数小的样品的成像是有用的，并且由于其具有尖锐的p轨道的优越空间分辨率，可以获得具有轨道排序的样品中的轨道信息。
Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy of Semimetallic ErAs Nanostructures Embedded in GaAs
第一次通过截面扫描隧道显微镜（XSTM）和光谱（XSTS）的生长和原子/电子结构的分子束外延（MBE）生长的ErAs纳米颗粒和纳米棒嵌入在GaAs矩阵检查。截面能够询问内部结构，并且非常适合于研究嵌入的纳米结构。嵌入式铒砷纳米结构生长的早期阶段，通过这些技术进行检查，并与以前的横截面TEM工作进行比较。还进行了ErAs纳米颗粒和纳米棒的Tunneling光谱I（V），表明这两种纳米结构都是半金属的。
3D nanostructuring of La0.7Sr0.3MnO3 thin film surfaces by scanning tunnelling microscopy
利用扫描隧道显微镜对La0.7Sr0.3MnO3薄膜进行了纳米尺度的三维表面修饰。据证明，有明确定义的偏置电压和扫描速度的组合，允许受控的表面结构。可以获得尺寸低至1.5 nm的横向结构。此外，可以以半个单位晶胞的精度可再现地控制蚀刻深度，使得能够设计3D表面结构和通过蚀刻控制La0.7Sr0.3MnO3的表面终止。
Detection of the spin character of Fe(001) surface states by scanning tunneling microscopy: A theoretical proposal
我们考虑了Fe（001）表面的磁性结构，并从理论上研究了自旋极化针尖扫描隧道光谱（SP-STM）。我们发现，少数自旋表面态诱导的隧道微分电导，这在很大程度上取决于在SP-STM针尖相对于在Fe（001）表面的易磁化轴的磁化方向的强烈的偏压依赖性。我们建议利用这种效应来确定Fe（001）表面态的自旋特征。这种技术也可以应用于其他磁性表面的表面状态进行观察。
Characterization of nanometer-sized, mechanically exfoliated graphene on the H-passivated Si(100) surface using scanning tunnelling microscopy
我们已经开发了一种通过将石墨机械剥离到Si（100）-2x1：H表面上来沉积具有2-10 nm的最小横向尺寸的石墨烯单层和双层的方法。纳米尺寸单层石墨烯的室温、超高真空（UHV）隧道光谱测量揭示了尺寸相关的能隙范围为0.1-1 eV。此外，石墨烯层的数量可以直接从扫描隧道显微镜（STM）的形貌轮廓确定。这一原子学研究为探索纳米石墨烯的电子结构提供了实验基础，有助于石墨烯基纳米电子学的发展。
Elucidating the photoresponse of ultrathin MoS2 field-effect transistors by scanning photocurrent microscopy
利用扫描光电流显微镜研究了少层二硫化钼场效应晶体管的本征光响应机理。我们将局部增强的光电流归因于MoS 2/Au界面处的光激发载流子的能带弯曲辅助分离。几层二硫化钼晶体管的波长依赖性光电流定性地遵循二硫化钼的光吸收光谱，提供带间光激发的直接证据。在不同的外部电场和载流子浓度的时间和光谱分辨光电流测量建立漂移扩散电流占主导地位的偏置下的设备中的光电电流。
Observation of zigzag and armchair edges of graphite using scanning tunneling microscopy and spectroscopy
环境和超高真空（UHV）扫描隧道显微镜（STM）/扫描隧道光谱（STS）观测揭示了石墨的结构相关的边缘状态的存在。在超高真空下，在Fermi能级附近（局域态密度（LDOS）峰值VS = 30 mV），观察到（SQRT（3）× SQRT（3））R30超晶格和氢化锯齿边（扶手椅边）的亮斑，表明锯齿边是产生边缘态的原因，尽管在空气中制备的锯齿边和扶手椅边没有明显区别。然而，即使在氢化的扶手椅边缘中，也在缺陷点处观察到亮点，在缺陷点处，扶手椅边缘中产生部分锯齿形边缘。
Complementary two dimensional carrier profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy
本文利用扫描扩散电阻显微镜和扫描电容显微镜，以约5纳米的高分辨率对4H-SiC功率MOSFET的元胞进行二维载流子分布成像，并可视化载流子浓度波动。
Visualizing quantum phenomena at complex oxide interfaces: an atomic view from scanning transmission electron microscopy
复杂氧化物界面是凝聚态物理和材料科学的研究热点之一。在过去的十年中，像差校正扫描透射电子显微镜和光谱学已被证明是非常宝贵的可视化和理解新兴的量子现象在接口。本文综述了近年来电子显微镜在界面探测方面的研究进展。具体来说，我们讨论了几个重要的挑战，电子显微镜，以提高我们对界面现象的理解，从变温，磁性，电子能量损失谱分析，电子对称性和缺陷探测的角度。
Fast determination of thickness through scanning moiré fringe in scanning transmission electron microscopy
样品厚度是透射电子显微镜（TEM）成像中的一个重要参数，用于解释图像对比度和理解性能与微观结构之间的关系。在这项研究中，我们介绍了一种基于扫描莫尔条纹（SMF）的扫描透射电子显微镜（STEM）模式下确定厚度的方法。使用聚焦系列SMF成像可以在中等放大率下原位确定样品厚度，在很大程度上避免了光束损伤和污染。该方法为TEM成像中厚度的确定提供了一种快速方便的方法，特别适用于金属有机框架等束敏感材料。
Exploring leakage in dielectric films via automated experiment in scanning probe microscopy
利用扫描探针显微镜（SPM）的自动化实验研究了电介质薄膜中的电子传导路径。在这里，我们使用大视场扫描来识别局部导电点的位置，并开发SPM工作流程，以更高的空间分辨率探测它们的动态行为，作为时间，电压和扫描过程的函数，以自动化的方式。使用这种方法，我们观察的可变行为的导电点在20 nm厚的铁电Hf0.54Zr0.48O2膜，导电点消失，并在连续扫描过程中重新出现。在扫描过程中还会出现新的导电点。自动化的工作流程是通用的，可以集成到广泛的显微镜技术，包括SPM，电子显微镜，光学显微镜和化学成像。
High resolution scanning tunnelling microscopy and extended x-ray-absorption fine structure study of the (533) silicide structure on Cu(001)
利用低能电子衍射（LEED）、扫描隧道显微镜（STM）和X射线吸收光谱（XAS）技术，研究了Si在Cu（001）单晶衬底上的第一步吸附过程。对于低覆盖率（~ 0.5 ML）和在100°C退火后，STM图像和LEED图案揭示了有序准相称超结构的形成。从XAS数据的定量分析，我们提取的Si-Cu距离和详细的局部原子排列的结构。
Scanning capacitance microscopy using a relaxation oscillator
我们已经进行了扫描电容显微镜使用弛豫振荡器。精确校准表明灵敏度为0.05 pF。金属结构的表面形貌，如机加工槽和硬币，可以很容易地获得在恒定高度（非接触）或攻丝（接触）模式。空间分辨率已达到亚50 $μ$ m。
Phase imaging in scanning transmission electron microscopy using bright-field balanced divergency method
本文提出一种基于明场平衡发散法的扫描透射电子显微镜相位成像机制，利用不同散射角度透射盘的互补强度变化，实现从原子分辨率到纳米尺度的高效、稳健相位成像，并成功用于FeGe磁相表征。
Scanning Thermal Microscopy in Air and Vacuum: A Comparison
通过比较空气与真空环境下的扫描热显微镜测量，发现空气中的信号强度更大且更稳定，但边缘分辨率较低，这归因于空气中的热传导、对流及水弯月面效应。
Influence of resonant tunneling on the imaging of atomic defects on InAs(110) surfaces by low-temperature scanning tunneling microscopy
我们用低温扫描隧道显微镜（STM）研究了重掺杂半导体杂质半导体InAs晶体的表面。晶体沿（110）面原位裂开。除了原子级平坦的区域，我们还观察到两种主要类型的原子级缺陷，可以确定为S掺杂剂原子和作为空位，分别。的STM图像的杂质的强偏压依赖性可以解释在共振隧穿通过本地化的状态是存在于附近的杂质。
Ultraviolet light emission from Si in a scanning tunneling microscope
用扫描隧道显微镜与Si（100）和（111）晶片接触，观察到紫外和可见光辐射。这种发光依赖于硅中热电子的存在，这些热电子在n型和p型样品上的正偏压下通过从尖端的注入提供，或者在p型样品上的负偏压下通过齐纳隧道提供。测量的光谱揭示了直接光学跃迁在硅体的贡献。所需的空穴远低于价带边缘从尖端注入或通过俄歇过程产生。
Surface Relaxations, Current Enhancements, and Absolute Distances in High Resolution Scanning Tunneling Microscopy
我们已经进行了迄今为止最真实的模拟扫描隧道显微镜的操作。涵盖了从隧道到实际表面接触的探针-样品距离。我们同时计算力，原子位移和隧穿电流，允许与实验值进行定量比较。一个距离政权以下的探头变得不稳定的确定。结果表明，由于表面上和探针尖端的大原子位移，实际距离与以前的估计有很大不同。
Correcting nonlinear drift distortion of scanning probe microscopy from image pairs with orthogonal scan directions
探针相对于样品的不希望的运动是扫描探针显微镜中普遍存在的问题，导致实验图像中的线性和非线性伪影。我们已经设计了一个程序来纠正这些文物，通过使用正交扫描对对齐每个测量线沿慢扫描方向。我们证明了我们的算法在合成和实验数据的准确性，并提供了我们的方法的实施。
Intrinsic Inhomogeneities in Manganite Thin Films Investigated with Scanning Tunneling Spectroscopy
La0.7Sr0.3MnO3在MgO上的薄膜表现出金属-绝缘体转变和巨磁电阻效应。这种过渡的形状可以解释为内在的空间不均匀性，这引起了在亚微米尺度的导电和绝缘域的域结构。然后，这些域经历渗透转变。通过扫描隧道光谱测量的隧穿电导和隧穿间隙被用来区分和可视化这些领域。
Application of Scanning Mid-IR-Laser Microscopy for Characterization of Semiconductor Materials for Photovoltaics
扫描中红外激光显微镜以前被证明是表征不同半导体晶体的有效工具。目前该技术已成功地应用于CZ Si $_x$ Ge $_{1-x}$ --一种很有前途的光致发光材料--和太阳能电池用多晶硅的研究。
Single atom extraction by scanning tunneling microscope tip-crash and nanoscale surface engineering
利用扫描隧道显微镜针尖碰撞技术，在5K温度下研究了Ag（111）表面原子从衬底中的抽运机制。当镀银针尖在低隧穿偏压下浸入衬底时，单个原子分散在表面上。定量分析表明，由针尖碰撞提供的机械能主导原子提取过程。这个过程的应用证明了通过构建量子结构，使用提取的原子的基础上。
Scanning tunneling microscopy and kinetic Monte Carlo investigation of Cesium superlattices on Ag(111)
用低温扫描隧道显微镜对铯在Ag（111）表面的吸附结构进行了表征。在低覆盖率下，个别Cs原子的原子分辨率偶尔会在梯田上的六边形有序吸附物膜的区域中受到抑制。靠近台阶边缘的Cs原子沿台阶边缘方向呈现为细长的突起。在较高的覆盖率，原子分辨六方晶格的Cs超结构观察。动力学蒙特卡罗模拟模型观察到的吸附质结构的定性水平。
Simulation of Scanning Near-Field Optical Microscopy Spectra of 1D Plasmonic Graphene Junctions
我们提出了数值模拟的散射型扫描近场光学显微镜（s-SNOM）的一维等离子体石墨烯结。模拟的s-SNOM谱进行了全面的分析，为三种类型的结。我们发现条件时，从S-SNOM测量的等离子体反射系数的传统解释不适用。我们的研究结果适用于其他导电的二维材料，并提供了一个全面的了解s-SNOM技术探测局部输运性质的二维材料。
Probing topological quantum matter with scanning tunnelling microscopy
对物质拓扑相的研究正朝着强相互作用系统的方向发展，包括磁体和超导体，其中奇异效应来自几何、相关性和拓扑之间的量子级相互作用。在过去的十多年中，扫描隧道显微镜以其前所未有的空间分辨率、高精度的电子探测和磁性可调谐性，成为探测和发现新出现的拓扑物质的有力工具。扫描隧道显微镜可用于探测各种拓扑现象，以及从其他技术的补充结果。我们讨论了一些这些证明的原理方法应用于探头拓扑结构，特别注意可调矢量磁场，这是一个相对较新的方向，最近的焦点下进行的研究。然后，我们预计未来的可能性，原子分辨率隧道方法提供新的见解拓扑物质。
Multichannel scanning probe microscopy and spectroscopy of graphene moire structures
金属上的石墨烯莫尔结构，因为它们表现出长（莫尔）和短（原子）尺度有序结构，是扫描探针方法应用的理想系统。在这里，我们提出了复杂的研究石墨烯/Ir（111）系统的三维扫描隧道和原子力显微镜/光谱以及开尔文探针力显微镜。所有结果清楚地表明，莫尔条纹和原子尺度对比度的变化作为偏置电压以及扫描探针和样品之间的距离的函数，允许在金属上的石墨烯层的成像中区分地形和电子贡献。所提出的结果是伴随着国家的最先进的密度泛函理论计算证明理论和实验数据之间的良好协议。
Laser Scanning Microscopy of HTS Films and Devices
介绍了激光扫描显微镜（LSM）作为一种空间分辨的高温材料和器件测试方法的性能。作者所获得的早期结果进行了简要回顾。最后介绍了LSM的一些新的应用，包括高温超导体射频模式响应的成像，高温超导体单晶超导特性的探测，双光束激光扫描显微镜的研制等。LSM成像证实了高温超导材料电阻率的相滑移线机制的存在。
Insights into radiation damage from atomic resolution scanning transmission electron microscopy imaging of mono-layer CuPcCl$_{16}$ films on graphene
迄今为止，单层有机晶体的原子分辨图像只能用扫描探针方法获得。一方面，它们通常在大块材料的表面上制备，这是无法通过（扫描）透射电子显微镜获得的。另一方面，单层有机晶体的临界电子剂量的数量级低于散装晶体，使（扫描）透射电子显微镜表征非常具有挑战性。在这项工作中，我们提出了一个原子分辨的研究单层CuPcCl \textsubscript{16}晶体下的电子束的动力学，以及通过低剂量电子显微镜获得的未损坏的分子的图像。结果显示了这种材料的2D层中的动力学和辐射损伤机制，补充了早期研究中对大块晶体的发现。此外，能够对未受损的分子晶体进行成像，可以表征由2D材料和有机分子组成的新复合材料。
A Fast Image Simulation Algorithm for Scanning Transmission Electron Microscopy
使用现有的模拟算法，以原子分辨率对具有现实尺寸的样品进行扫描透射电子显微镜的图像模拟可能需要非常大的计算时间。我们提出了一种新的算法命名为PRISM，结合了两个最常用的算法，布洛赫波和多切片方法的功能。PRISM使用傅立叶插值因子$f$，其对于原子分辨率模拟具有典型值4-20。我们表明，在许多情况下，PRISM可以提供一个加速，规模与$f^4$相比，多切片模拟，精度损失可以忽略不计。我们通过对无定形碳基底上的结晶纳米颗粒进行大规模扫描透射电子显微镜图像模拟来证明这种方法的有用性。
Local and Reversible Change of the Reconstruction on Ge(001) Surface between c(4x2) and p(2x2) by Scanning Tunneling Microscopy
在80 K下，通过控制扫描隧道显微镜（STM）的偏压，Ge（001）表面的重构在c（4x 2）和p（2x2）之间局部可逆地变化。当样品偏置电压V_b =<-0.7V时，它是c（4 × 2）。当V_b =< 0.6V时，这种结构仍能保持。当V_b大于0.8V时，结构变为p（2x2）。在V_b >=-0.6V的条件下，这种结构得以保持。观察到的局部变化的重建与滞后归因于非弹性散射过程中的电场下STM-尖的电子隧穿。
Near-Field Scanning Microwave Microscopy: Measuring Local Microwave Properties and Electric Field Distributions
我们描述了近场微波显微镜的微波器件的长度尺度远小于用于成像的波长。我们的显微镜可以在两种可能的配置中操作，允许对材料特性或局部电场进行定量研究。
Scanning Tunneling Microscopy Study of Square Manganese Tetramers on Mn3N2 (001)
利用分子束外延和扫描隧道显微镜研究了反铁磁Mn_3N_2（001）在MgO（001）衬底上的生长。这些图像显示了平滑的梯田和原子台阶。在一些梯田上，可以看到一个独特的和新的重建，解决作为正方形锰四聚体在c（4x 2）结构安排。四聚体重构的两个结构域彼此旋转90 $^\circ$。提出了一个模型，这个正方形Mn四聚体重建，其中的Mn原子的四聚体层属于Mn层在表面的MnN-MnN-Mn堆叠序列。
Nanothermal Characterization of Amorphous and Crystalline Phases in Chalcogenide Thin Films with Scanning Thermal Microscopy
硫系相变材料（PCM）中非晶相和晶相的热性能对非易失性随机存取存储器的器件性能起着关键作用。利用扫描热显微镜（SThM）研究了激光脉冲GeTe和Ge2Sb2Te5薄膜中非晶相和晶相的纳米形貌。通过执行SThM测量和应用定量物理模型的两个膜厚度，PCM和SThM探针之间的PCM热导率和热边界电导独立估计为每个化学计量的非晶相和结晶相。
Forescattered electron imaging of nanoparticles in a scanning electron microscopy
在这项研究中，我们已经使用了一个Zr-Nb合金含有定义明确的纳米析出物作为模型材料，在其中研究成像对比度反转（原子序数或衍射对比度）观察到的forescattered电子成像系统，ARGUSTM，在扫描电子显微镜（SEM）成像时，薄箔的传输几何形状。这项研究是基于蒙特卡罗模拟和分析的显微照片实验获得不同的成像条件下。基于这些结果，提出了提高原子序数或衍射对比度的成像条件。从ARGUSTM扫描电镜成像系统获得的数据也进行了比较，从标准的透射电子显微镜和扫描透射电子显微镜成像相同的材料的结果。这些结果证明了ARGUSTM系统研究纳米尺度材料微观结构的能力。
Simultaneously imaging of dielectric properties and topography in a PbTiO_3 crystal by near-field scanning microwave microscopy
我们使用近场扫描微波显微镜同时成像的介电常数，损耗角正切，和形貌的PbTiO_3晶体。利用这种方法，我们研究了周期畴几何结构中的局部介电常数和损耗角正切对测量的谐振频率和品质因数的影响。我们还进行了理论计算，结果与实验数据吻合得很好，揭示了介电常数的各向异性本质。
First-principles study on scanning tunneling microscopy images of hydrogen-terminated Si(110) surfaces
利用第一性原理计算研究了氢封端Si（110）表面的扫描隧道显微镜图像。结果表明，计算得到的满态像和局域态密度与最近的实验结果是一致的，空态像与满态像有明显的不同.为了阐明这种差异的起源，我们详细研究了影响图像的局域态密度，发现表面硅原子的成键和反键态在很大程度上影响了填充态和空态图像之间的差异。
PICTS: A Novel Deep Reinforcement Learning Approach for Dynamic P-I Control in Scanning Probe Microscopy
针对扫描探针显微镜的动态P-I控制问题，提出新型并行集成控制与训练系统PICTS，通过深度强化学习实现控制策略的实时动态调整，为该技术的控制优化提供新方法。
Magnon diffuse scattering in scanning transmission electron microscopy
我们提出了一个理论和模拟的热漫散射由于激发的磁振子在扫描透射电子显微镜。计算表明，磁振子可以呈现原子的对比度时，检测到的电子能量损失谱使用原子大小的电子束。结果表明，体心立方铁在300 K时的磁振子漫散射强度比原子振动引起的热漫散射强度弱4个数量级。在声子和磁振子分散不重叠的能量范围内，单色扫描透射电子显微镜配备直接电子探测器的光谱预计将解决磁振子光谱签名。
Low-dimensional NbO structures on the Nb(110) surface: scanning tunneling microscopy, electron spectroscopy and diffraction
用X射线光电子能谱学、X射线衍射（XPS，XPD）和扫描隧道显微镜（STM）研究了Nb（110）表面的NbOx结构。结果表明，铌原子有序形成一个二维超结构与铌原子链之间的间距相等。Nb3d-和O1s-能级的化学位移表明，氧化物层对应于一氧化铌NbO和大部分的化学吸附态的氧是本地化的表面上。提出了NbO在Nb（110）表面上的准有序结构模型。
Electronic Band Structure Mapping of Nanotube Transistors by Scanning Photocurrent Microscopy
报道了碳纳米管场效应晶体管（CNFET）在不同输运状态下的空间分辨光电流测量结果。它表明，在不同的偏置条件下测量的光电流提供访问的电子能带结构的纳米管通道的轮廓。将器件转换为n型或p型状态的曲线进行比较，清楚地证明了环境中化学掺杂的影响。此外，我们表明，扫描光电流显微镜构成了一个有效的和简便的技术，定量测定在这样的设备中的肖特基势垒高度。
Analysis of Scanning Tunneling Spectroscopy Experiments from First Principles: the Test Case of C60 Adsorbed on Au(111)
我们报告了吸附在金表面上的巴克富勒烯的电导性质的第一性原理测定，并将其与最近的扫描隧道显微镜/光谱学（STM/S）实验[J.Chem.Phys.116，832（2002）]进行了比较。我们的程序有两个吸引人的功能，能够阐明微妙的方面STM/S的结果，而不诉诸特设配件或近似，并提供一个完整的描述所涉及的现象时，尖端接近吸附物。
Measuring many-body effects in carbon nanotubes with a scanning tunneling microscope
结合扫描隧道光谱和纳米管束中的光吸收，局部测量了碳纳米管中的电子-电子相互作用和激子。最大的间隙推导出在束的顶部的测量被发现是有关的内在准粒子的间隙。从光学跃迁的差异，我们推导出激子的结合能为0.4 eV的间隙和0.7 eV的第二范霍夫奇点。这为单壁碳纳米管上衬底诱导能隙重整化提供了第一个实验证据。
Impact of elasticity on the piezoresponse of adjacent ferroelectric domains investigated by scanning force microscopy
由于弹性，晶体的机械变形发生在与其厚度相当的长度尺度上。这通过向多畴铁电晶体施加均匀电场来例示：当一个畴扩展时，相邻的畴收缩，导致在畴边界处的箝位。因此，使用大面积顶部电极的厚晶体中的微米级域图案的压电机械驱动的表面微扰被大幅抑制，几乎无法通过压电响应力显微镜访问。
How to reveal metastable skyrmionic spin structures by spin-polarized scanning tunneling microscopy
我们预测的亚稳态skyrmionic自旋结构的发生，如反skyrmions和高阶skyrmions在超薄过渡金属薄膜的表面使用蒙特卡罗模拟的基础上参数化的自旋哈密顿量从密度泛函理论计算。我们表明，这样的自旋结构将出现在自旋极化扫描隧道显微镜（SP-STM）图像具有类似的对比度。skyrmions和antiskyrmions显示一个圆形的平面外磁化提示和两个叶片的蝴蝶对比度平面内提示。通过旋转尖端磁化方向可以实现明确的区分，而不需要磁化的所有分量的信息。
Proximity Scanning Transmission Electron Microscopy/Spectroscopy
在这里，提出了一种新的显微镜方法，使用能量低于20 eV的电子束成像和表征非常薄的样品，如少层材料，有机分子和纳米或亚纳米分辨率的纳米结构。显微镜技术通过邻近（或近场）效应实现高分辨率，如扫描隧道显微镜（STM），同时它还允许检测透射电子用于成像和光谱学，如扫描透射电子显微镜（STEM）。这种近距离透射电子显微镜（PSTEM）不需要任何透镜来聚焦电子束。它还允许详细表征低能电子与材料的相互作用。PSTEM可以以非常类似于扫描隧道显微镜的方式操作，其提供样品表面的几何和电子结构的高分辨率成像。此外，它允许基于检测到的透射电子信号对样品的内部结构进行成像和表征。PSTEM包括一系列光谱学，解决材料中低能电子的传输和散射问题。因此，可以从测量中提取丰富的信息。PSTEM为研究薄材料提供了一种全新而强大的方法。这种方法有可能揭示新的薄材料分析方法和新的物理现象。
Inelastic electron tunneling in 2H-Ta$_x$Nb$_{1-x}$Se$_2$ evidenced by scanning tunneling spectroscopy
本文报道了用低温扫描隧道显微镜测量的2 H-Ta $_x$ Nb $_{1-x}$ Se $_2$（$x=0\sim 0.1$）单晶的隧道谱。在长时间难以理解的突出的间隙状特征被发现伴随着一些“间隙”精细结构。通过研究二阶导数光谱及其温度和磁场依赖性，我们能够证明非弹性电子隧穿是这些特征的起源，并获得了原子尺度下2 H-Ta $_x$ Nb $_{1-x}$ Se $_2$的Eliashberg函数，为研究相关过渡金属二硫属化物的局域Eliashberg函数和声子谱提供了一种潜在的方法.
The study of intrinsic defect state of FeSe with scanning tunneling microscopy
我们应用高分辨扫描隧道显微镜研究了体材料FeSe的本征缺陷态。利用扫描隧道谱分析了薄膜中的四种本征缺陷：I型哑铃缺陷、II型哑铃缺陷、顶层Se空位缺陷和内层Se位缺陷。从特征的抑郁症和增强的状态密度测量在一个大的能量范围内，I型哑铃和II型哑铃被确定为Fe空位和Se $_\mathrm{Fe}$缺陷，分别。通过光谱分析确定了顶层Se空位和可能的内层Se位空位。缺陷的测定进行了比较，并在很大程度上证实了在环形暗场扫描透射电子显微镜测量的剥离FeSe。在我们的实验中，缺陷态的详细映射为将来与复杂的理论计算进行比较奠定了基础。
How scanning probe microscopy can be supported by Artificial Intelligence and quantum computing
本文探讨了利用人工智能、机器学习与量子计算支持扫描探针显微镜测量，以提升实验自动化、样品区域搜索及结构-性能关系分析效率与准确性，并指出局限与未来研究方向。
Fast Scanning Probe Microscopy via Machine Learning: Non-rectangular scans with compressed sensing and Gaussian process optimization
通过机器学习实现的快速扫描探针显微镜允许揭示广泛的纳米级时间分辨物理学。然而，这种功能成像的例子很少。在这里，使用piezoresponse力显微镜（PFM）作为一个模型的应用程序，我们证明了一个因素的5.8改善成像速率使用稀疏螺旋扫描与压缩传感和高斯处理重建相结合。据发现，即使是非常稀疏的扫描提供强重建与高斯处理重建的误差小于6%。此外，我们分析了每次重建迭代与每种重建技术相关的误差，发现误差在大约15次迭代之后是相似的，而在初始迭代时，高斯处理优于压缩感知。这项研究突出了重建技术的能力时，应用于稀疏数据，特别是稀疏螺旋PFM扫描，扫描探针和电子显微镜的广泛应用。
扫码添加微信好友，提出您的宝贵建议 👇
💡 备注请填写：网站反馈
发表机构由 AI 从论文文本抽取，如发现错误，欢迎反馈修正建议。