Point-Contact spectroscopy on electron-doped Sr$_{0.88}$La$_{0.12}$CuO$_2$ thin films
本文报道了在$_{0.88}$ CuO $_2$薄膜上点接触的光谱。除了一个明确的证据超导能隙，我们讨论的起源的具体功能，如电阻峰值的间隙电压和发生的两个步骤的电阻下降。
2012-07-19 cond-mat.supr-con
Potassium-doped BaFe2As2 superconducting thin films with a transition temperature of 40 K
本文报道了用非原位脉冲激光沉积技术在Al_2O_3（0001）和LaAlO_3（001）衬底上生长以空穴为主要载流子的掺钾BaFe_2As_2薄膜。测得的Tc为40和39 K的Al 2 O3和LaAlO 3上生长的薄膜，分别和抗磁性表明，薄膜具有良好的体超导性能低于36和30 K，分别。两种薄膜的X-射线衍射图表明，一个优选的c-轴取向，无论LaAlO 3和Al 2 O3的基板结构。零温下的上临界场约为155 T.
2010-04-27 cond-mat.supr-con
Superconductivity in Epitaxial Thin Films of Co-Doped SrFe2As2 with Bilayered FeAs Structures and their Magnetic Anisotropy
采用脉冲激光沉积法在（La，Sr）（Al，Ta）O3（001）混合钙钛矿单晶衬底上生长了Co掺杂的SrFe 2As 2超导外延薄膜。在600 ℃下生长的外延膜和（001）取向膜在~ 20 K下都表现出超导转变。当H平行于c轴时，在9 T的磁场（H）下，外延膜的零电阻状态在9 K下得以维持，而当H平行于a轴时，它们在高达10 K的更高温度下得以维持。这是第一次演示的超导薄膜的FeAs基新的超导体。
2008-09-03 cond-mat.supr-con
Atomically-flat, chemically-stable, superconducting epitaxial thin film of iron-based superconductor, cobalt-doped BaFe$_2$As$_2$
最近报道了诸如Co掺杂的SrFe $_2$ As $_2$（SrFe $_2$ As $_2$：Co）的Fe基超导体的外延生长，但是由于它们具有粗糙的表面并且通过与环境大气中的水蒸气的反应而分解，因此对于器件应用而言仍然具有不足的性能。本文报道了在700 ℃下生长的Co掺杂BaFe $_2$ As $_2$外延膜的超导转变起始温度为20 K。该转变比在SrFe $_2$ As $_2$：Co膜上观察到的转变更尖锐，这将源于它们改进的结晶度。这些薄膜还具有原子级平坦的表面，具有台阶和露台结构，并表现出抗水蒸气暴露的化学稳定性。
2009-07-03 cond-mat.supr-con
Critical factor for epitaxial growth of cobalt-doped BaFe2As2 films by pulsed laser deposition
采用四种不同波长的脉冲激光沉积法在（La，Sr）（Al，Ta）O3单晶衬底上异质外延生长了掺钴BaFe 2As 2薄膜，并研究了激发波长和脉冲能量对薄膜生长的影响。利用X射线衍射摇摆曲线的倾斜角和扭曲角，定量分析了各薄膜的结晶度。我们发现最佳沉积速率与激光波长无关，且可以通过脉冲能量进行调节。在最佳脉冲能量下生长的高质量膜（即，最佳沉积速率）表现出高于1 MA/cm 2的高临界电流密度，而与激光波长无关。
2014-05-02 cond-mat.supr-con
Unusual pressure effects on the superconductivity of indirectly electron-doped (Ba1-xLax)Fe2As2 epitaxial films
对间接电子掺杂的122型（Ba_（1-x）Lax）Fe_2As_2外延膜施加外压，使超导临界温度（Tc）提高到30.3K。与其它族化合物不同的是，不仅在欠掺杂区，而且在最佳掺杂区和过掺杂区，Tc都得到了提高。超导转变宽度的变窄和载流子密度的增加同时发生在整个掺杂区，除了在重度过掺杂的限制。该特性是122型铁系超导体AFe 2As 2（A = Ba、Sr、Ca）中的通过气相外延的非平衡生长使La的掺杂稳定化的（Ba 1-xLax）Fe 2As 2所特有的，仅在该（Ba 1-xLax）Fe 2As 2中观察到。
2013-10-11 cond-mat.supr-con
Superconducting Properties and Phase Diagram of Indirectly Electron-Doped (Sr1-xLax)Fe2As2 Epitaxial Films Grown by Pulsed Laser Deposition
通过外延薄膜生长形成非平衡相（Sr_（1-x）Lax）Fe_2As_2。由此产生的薄膜出现超导性以及抑制与磁性和结构相变相关的电阻率异常。最大临界温度为20.8 K，与直接电子掺杂的Sr（Fe 1-xCox）2As 2的临界温度基本相同。其电子相图与Sr（Fe_（1-x）Co_x）_2As_2的电子相图非常相似，表明电子掺杂位置的不同并不影响122型SrFe_2As_2的超导性能。
2013-02-02 cond-mat.supr-con
Advantage on Superconductivity of Heavily Boron-Doped (111) Diamond Films
在高硼掺杂浓度为8.4E21cm-3（4.7atomic%）的同质外延（111）金刚石薄膜上实现了目前金刚石中最高的超导转变温度Tc（onset）为11.4K，Tc（offset）为7.4K。在相同的硼浓度下，（111）金刚石薄膜的Tc值比（100）金刚石薄膜的Tc值高一倍以上。掺硼（111）金刚石的Tc随着硼含量的增加而增加，直到最大掺入浓度，并且与使用McMillan方程估计的值一致。（111）金刚石膜的有利Tc是由于较高的载流子浓度超过其硼浓度。
2005-03-12 cond-mat.supr-con
Superconductivity at 48 K of heavily hydrogen-doped SmFeAsO epitaxial films grown by topotactic chemical reaction using CaH2
报道了在MgO单晶衬底上生长的掺氢SmFeAsO外延薄膜在48 K下的高临界温度（Tc）超导性。其关键工艺是脉冲激光沉积生长非掺杂SmFeAsO外延薄膜，然后在真空石英玻璃安瓿气氛下，用CaH 2粉末进行拓扑化学反应。基于我们已经开发的这种沉积后热退火处理，在SmFeAs（O 1-xHx）中实现了最大氢浓度x = ~0.35。无序氢取代O网站的实验直接证实了原子尺度的微观结构观察。磁化强度的测量验证了高Tc的超导性在薄膜中的体的性质。该方法将成为制备各种高质量氢氧化物外延薄膜的有效而通用的方法。
2019-10-03 cond-mat.supr-con
Nodal Order Parameter in Electron-Doped Superconducting Films Pr(2-x)Ce(x)CuO(4-y) (x=0.13, 0.15 and 0.17)
报道了电子掺杂超导体Pr{2-x}Ce{x}CuO{4-y}薄膜在三种掺杂水平（x = 0.13，0.15和0.17）下的伦敦穿透深度λ {ab}（T）。测量到0.35 K进行了使用隧道二极管振荡器与激励场施加垂直和平行的导电平面。对于所有样品和两个磁场方向，λ {ab}（T）都表现出幂律行为，这意味着超导能隙具有节点。
2003-04-12 cond-mat.supr-con
Evidence for a Nodeless Gap from the Superfluid Density of Optimally Doped Pr_{1.855}Ce_{0.145}CuO_{4-y} Films
我们测量了五种最佳掺杂的Pr_{1.855} Ce_{0.145} CuO_{4-y}薄膜在1.6 K \leq T \leq T_c \sim 24 K时ab平面磁穿透深度λ（T）。低的折射率、高的超流密度n_s（T）\propto λ^{-2}（T）、高的T_c和小的过渡宽度是可再现的，并且指示优良的膜质量。对于所有五种薄膜，在低T下λ^{-2}（T）/λ^{-2}（0）都符合指数温度关系，带隙Δ min为0.85 k_B T_c。这种行为与无节点能隙一致，与d波超导不相容。
2002-05-07 cond-mat.supr-con
High Critical Current Density 4 MA/cm2 in Co-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films Grown on (La, Sr)(Al, Ta)O3 Substrates without Buffer Layers
采用脉冲激光沉积法在（La，Sr）（Al，Ta）O3衬底上直接生长Co掺杂BaFe 2As 2（BaFe 2As 2：Co）外延薄膜，在4K下获得了4 MA/cm 2的高临界电流密度Jc。使用高纯度的靶材和改善薄膜的均匀性是获得高Jc的关键因素。改进后的BaFe_2As_2：Co外延薄膜几乎不含Fe杂质，结晶度高（晶粒倾斜角δ ω = 0.5 °，扭转角δ fai = 0.5 °），超导转变宽度为1.1K。据认为，这些改进导致增强的超导性能可比的单晶。
2010-05-12 cond-mat.supr-con
Josephson junction in cobalt-doped BaFe2As2 epitaxial thin films on (La, Sr)(Al, Ta)O3 bicrystal substrates
在[001]-倾斜（La，Sr）（Al，Ta）O3双晶衬底上，用掺钴BaFe_2As_2外延薄膜制备了约瑟夫森结。在17 K温度范围内，宽10 m、横跨30 °倾斜双晶晶界的微桥（BGB桥）表现出类似于连续分流结（RSJ）的电流-电压特性，并且临界电流被磁场显著抑制.没有BGB的微桥没有表现出RSJ样行为，并且它们的临界电流密度比BGB桥大20倍，证实BGB桥显示出源自弱连接BGB的约瑟夫森效应。
2010-04-11 cond-mat.supr-con
Observation of the Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition in Boron-doped diamond films
通过电流-电压和电阻测量研究了重掺硼纳米金刚石薄膜中Berezinskiii-Kosterlitz-BKT相变的发生。我们观察到一个强大的BKT过渡的纳米金刚石薄膜具有较小的晶粒尺寸，以及与涡旋钉扎相关的传输功能。通过分析电阻温度曲线确定的涡核能量被发现是反相关的BKT转变温度。还观察到，较高的BKT温度与来自活化的运输区域的增加的涡旋-反涡旋结合能有关。此外，磁场诱导的超导体绝缘体转变显示了电荷玻璃态的可能性。颗粒度的结果，如本地化和涡旋钉扎可以导致可调的BKT温度和强烈影响的场致绝缘状态。
2017-06-07 cond-mat.supr-con
Hall resistivity correlations in disordered electron-doped Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$ films
研究了电子掺杂Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜在反铁磁（AF）-超导（SC）相变附近和具有不同无序度（$δ$）的电阻率张量随混合态磁场的变化关系$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $[ρ_{xx}(B)]^β$. $β$从$x$ = 0.14时的1.2 $\pm$ 0.2降低到$x$ = 0.15时的0.6 $\pm$ 0.1，这表明在从欠掺杂到最佳掺杂区域的过渡处，在外部磁场中从各向异性$s$波到$d$波配对对称性的变化的证据。混合态中涡旋运动的幂律依赖性的特性可以与层状电子掺杂超导体中的非化学计量无序的某些特征相联系。
2016-11-23 cond-mat.supr-con
Electronically driven superconductor insulator transition in electrostatically doped La$_{2}$CuO$_{4+δ}$ thin films
本文用双电层晶体系统地研究了臭氧辅助分子束外延$_{2}$薄膜的超导体到绝缘体的转变。我们已经证实了高结晶质量的铜酸盐薄膜，并证明了电子双层技术的适用性，以连续变化的电荷密度在一个系统中，否则其特征在于通过存在的可折叠间隙。的运输和磁运输的结果突出的作用，电子-电子相互作用的过渡机制，由于莫特绝缘状态的接近。
2012-10-28 cond-mat.supr-con
Penetration depth of electron-doped-infinite-layer Sr$_{0.88}$La$_{0.12}$CuO$_{2+x}$ thin films
用交流磁化率测量法测量了氧还原法制备的不同掺杂的$_{0.88}$ CuO $_{2+x}$薄膜的面内穿透深度。对于较高的掺杂样品，超流密度偏离强烈的s波行为，这表明，与其他电子掺杂的铜酸盐类似，从节孔口袋，或费米表面上的小间隙，如各向异性的s波序参量的贡献。超流密度的低值可能是由于强掺杂引起的无序，使我们样品的超导转变处于相位波动状态。
2010-09-24 cond-mat.supr-con
One-dimensional pinning behavior in Co-doped BaFe2As2 thin films
角分辨输运测量结果表明，平面缺陷占主导地位的磁通钉扎在调查的Co掺杂BaFe2As2薄膜。对于任何给定的磁场和温度，临界电流仅取决于晶体学c轴和所施加的磁场之间的角度，而不取决于电流和磁场之间的角度。因此，临界电流仅受洛伦兹力的面内分量的限制，但与面外分量无关，面外分量完全由平面缺陷施加的钉扎力平衡。这种一维钉扎行为与层状超导体中的本征钉扎表现出相似性和差异性。
2014-01-29 cond-mat.supr-con
Charging effects and anomalous resistive features of superconducting boron doped diamond films
重掺硼纳米金刚石薄膜在超导转变温度以下的异常电阻峰可能在开关器件中具有潜在的应用，但确切的起源仍在研究中。我们建立了一个温度依赖性的电阻相类似于已报道的约瑟夫森结阵列和其他颗粒超导体的Berezinskiii-Kosterlitz-无（BKT）转变的电荷决斗已被观察到。在临界磁场以下，非线性磁电阻具有温度依赖的峰值特征。在低于所确定的BKT临界点的温度下，电流电压扫描中明显的温度依赖性滞后与电荷缺陷的钉扎有关。结果表明，这些集体功能暗示电荷和反电荷类似物之间的电荷-BKT过渡。
2019-06-04 cond-mat.supr-con
Biaxially textured cobalt-doped BaFe2As2 films with high critical current density over 1 MA/cm2 on MgO-buffered metal-tape flexible substrates
采用离子束辅助沉积技术在柔性金属衬底上制备了具有双轴织构的MgO基底层的掺钴BaFe 2As 2（BaFe 2As 2：Co）薄膜，获得了大于1 MA/cm 2的高临界电流密度（Jc）。BaFe_2As_2：Co薄膜的面内晶体取向差（Δ fai_BaFe_2As_2：Co）约为3 °，而MgO基底层的取向差（Δ fai_MgO = 7.3 °）则大一倍。在2K时，BaFe_2As_2：Co薄膜具有高达3.5MA/cm ~ 2的自场。这些值与MgO单晶相当，并且是迄今报道的铁磷属元素化物超导带材和线材中最高的Jc。高的内场Jc表明存在c轴相关的涡旋钉扎中心。
2011-06-20 cond-mat.supr-con
Emergent anisotropic three-phase order in critically doped superconducting diamond films
The Pennsylvania State University（宾夕法尼亚州立大学）；Argonne National Laboratory（阿贡国家实验室）；University of Chicago（芝加哥大学）
通过研究临界掺杂单晶超导重硼掺杂金刚石薄膜的电输运特性，发现其内在电子颗粒超导性，揭示了电子关联导致的三相各向异性磁阻及自发横向电压现象，为理解该量子材料的超导机制提供新视角。
2025-06-11 cond-mat.supr-con
Superconductivity in Sulfur-Doped Amorphous Carbon Films
根据我们以前的研究在非晶碳（aC）为基础的系统的超导性，我们已经制备了薄的复合aC-W薄膜，使用电子束诱导沉积。薄膜在5 K以上没有表现出任何超导性的迹象。然而，局部的，非超导性，超导性出现在Tc = 34.4 K后，用硫在250 ℃处理24小时。磁化曲线中的超导特征比我们以前的结果尖锐得多，屏蔽分数增加了大约一个数量级。我们的数据表明，配对和本地化的超导发生在aC-S区域，而相位相干性，辅助W夹杂物，增强相比，我们以前的样品，但仍然没有达到实现全球相位相干性和超导电性的程度。
2013-01-23 cond-mat.supr-con
Non-s wave superconductivity in boron-doped nanodiamond films with 0-π Josephson junction array
颗粒材料的超导输运特性受其微观结构的影响很大。我们发现，在重掺硼金刚石薄膜（HBDDF）薄膜中，一些尖锐的输运功能可以通过施加磁场和控制有限的偏置电流来操纵。我们证明了从脏金属的超导状态，通过绝缘峰产生在一个非常低的电流或磁场区域和特别明显的负磁阻与周期性振荡功能的电导率交叉。电流-电压特性显示出Berezinskiii-Kosterlitz-无阻（BKT）相变的特征，证实了最近观察到的HBDDF的二维结构。零偏压电导峰可以归因于在金刚石纳米晶体的晶界处形成的Andreev束缚态。通过金刚石异质结构中具有非s波序参量的超导转变的概念，可以定性地解释这组观测结果。
2017-10-14 cond-mat.supr-con
Terahertz conductivity spectroscopy of Co-doped BaFe$_2$As$_2$ Thin Film
研究了Co掺杂BaFe $_2$ As $_2$外延薄膜在THz波段的复电导率谱。在正常状态下，复电导率表现出Drude型的频率依赖性，而在超导状态下，复电导率的频率依赖性变为典型的超导材料的频率依赖性。我们估计了绝对零度下的磁穿透深度为710 nm，超导能隙能量为2.8 meV，这被认为是在M点附近的电子型费米面处打开的超导能隙。我们成功地利用电磁方法获得了铁基超导体的低能基元激发，而无需调用Kramers-Kronig变换。
2010-05-26 cond-mat.supr-con
Properties of the electron-doped infinite-layer superconductor Sr$_{1-x}$La$_{x}$CuO$_{2}$ epitaxially grown by pulsed laser deposition
用脉冲激光沉积法生长了电子掺杂的无限层铜氧化物超导体$_{1-x}$ CuO $_2$（SLCO）和掺杂的$x \approx 0.15$.（001）取向的KTaO $_3$和SrTiO $_3$单晶用作衬底。在SrTiO $_3$的情况下，在SLCO之前沉积BaTiO $_3$薄膜，用作向SLCO膜提供拉伸应变的缓冲层。为了诱导超导性，在还原条件下对所生长的膜进行退火，这将在下文中详细描述。通过反射高能电子衍射、原子力显微镜、X射线衍射、卢瑟福背散射光谱和温度低至$T = 4.2\,$ K的电输运测量对薄膜进行了表征。我们详细讨论了不同的工艺参数对最终薄膜性能的影响。
2011-12-20 cond-mat.supr-con
In-situ fabrication of cobalt-doped SrFe2As2 thin films by using pulsed laser deposition with excimer laser
铁基层状超导体具有极高的超导转变温度和上临界场，尽管是铁磁材料基础，但它为超导电子学开辟了前景。然而，由于难以制造高质量的薄膜，超导电子学的成功受到限制。报道了用波长为248 nm的KrF准分子激光器和富砷（As）相靶原位脉冲激光沉积技术生长高质量c轴取向的Co掺杂SrFe_2As_2体超导电性薄膜。的温度和磁场的依赖性的磁化强度显示强抗磁性和运输临界电流密度具有优越的Jc-H性能的报告。这些结果为铁基超导体的实际应用提供了必要的信息。
2009-07-24 cond-mat.supr-con
Strong vortex pinning in Co-doped BaFe2As2 single crystal thin films
本文报道了在不同SrTiO_3模板厚度的SrTiO_3/（La，Sr）（Al，Ta）O_3上生长的Co掺杂BaFe_2As_2薄膜的Jc随场和角度的变化。薄膜的Jc与单晶的Jc相当，在H/Hirr ~ 0.5时，最大钉扎力Fp（0.6Tc）> 5GN/m3，表明在高场下强涡旋钉扎有效。由于强相关的c轴钉扎，沿c轴的场的Jc超过H//ab平面的Jc，反转了Hc 2各向异性的预期。高分辨电子显微镜（HRTEM）显示，强的涡旋钉扎是由于高密度的纳米尺寸的柱状缺陷。
2010-02-27 cond-mat.supr-con
DC superconducting quantum interference devices fabricated using bicrystal grain boundary junctions in Co-doped BaFe2As2 epitaxial films
在（La，Sr）（Al，Ta）O3双晶衬底上，用Co掺杂BaFe_2As_2外延薄膜制备了直流超导量子干涉器件（dc-SQUID）。18 x 8微米^2 SQUID环的电感估计为13 pH，包含两个3微米宽的晶界结。电压-通量特性明显呈现出周期性调制，在14 K时Δ V = 1.4微伏，而dc-SQUID的本征通量噪声在20 Hz以上为7.8 x 10^-5 fa 10/Hz ^[1/2]。较高的磁通噪声主要归因于双晶晶界的超导-正常金属-超导结性质导致的较小的电压调制深度。
2010-07-05 cond-mat.supr-con
Large Microwave Inductance of Granular Boron-Doped Diamond Superconducting Films
掺硼金刚石颗粒薄膜具有超导电性，其最佳临界温度为Tc = 7.2K。在这里，我们报告的测量复杂的表面阻抗的掺硼金刚石薄膜在微波频率范围内使用的谐振技术。实验测得的电感值与从材料的正常状态薄层电阻获得的估计值吻合良好。磁穿透深度的温度依赖性是一致的，一个完全带隙的s波超导体。掺硼金刚石薄膜应该在需要高动力学电感的地方找到应用，例如微波动力学电感探测器和量子阻抗器件。
2021-06-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Transition from a mixed to a pure d-wave symmetry in superconducting optimally doped YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-x}$ thin films under applied fields
在垂直于$CuO_2$面、平行于薄膜表面的磁场作用下，沿（110）取向的$_2$薄膜的节结方向隧穿，探测了节结准粒子的朗道能级.在最佳掺杂的薄膜和在低温下，有限的能量节点状态清楚地观察到薄膜薄于伦敦的穿透深度。在一个明确定义的温度以上，序参量恢复到纯\emph{d}波对称。
2007-04-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Disorder-induced linear magnetoresistance in Sr-doped Bi2Se3 thin films
Sr掺杂的Bi_2Se_3薄膜是一种潜在的拓扑超导材料。在低磁场下，不同掺杂浓度x的SrxBi 2Se 3薄膜的磁电阻（MR）主要由弱反局域化（WAL）所控制，而原来占主导地位的经典MR几乎被完全抑制.相反，所有样品的MR已被观察到占主导地位的线性磁阻（LMR）在高磁场。LMR与载流子迁移率呈线性关系，可以用Parish-Littlewood模型成功地解释。这表明，LMR起源于由Sr掺杂原子在掺杂Bi_2Se_3薄膜中引起的迁移率波动。
2022-02-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Influence of oxygen reduction on the structural and electronic properties of electron-doped Sr1-xLaxCuO2 thin films
采用射频反应溅射法在KTaO 3和DyScO 3衬底上外延生长了单相c轴取向e掺杂Sr 1-xLaxCuO 2薄膜。生长的薄膜由于氧过剩而绝缘，氧还原是观察超导性所必需的。为了达到超导性，采用了两种不同的方法。一方面，在两种类型的基板上沉积的一系列薄膜上进行原位还原过程。另一方面，异位还原程序上依次进行沉积在DyScO 3上的单个膜。氧还原对薄膜的结构和电子性质的影响的研究提出和讨论。
2008-11-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Irreversibility line and low-field grain-boundary pinning in electron-doped superconducting thin films
测量了电子掺杂Pr_{1.85} Ce_{0.15} CuO_4（PCCO）和Sm_{1.85} Ce_{0.15} CuO_4（SCCO）颗粒状薄膜的交流磁化率随温度和磁场强度的变化。根据我们的薄膜的均匀性水平，两种不同类型的不可逆性线（IL）定义为晶间损耗峰温度在磁化率的虚部已被发现。所获得的结果通过考虑低场晶界钉扎的临界态模型来描述。提取的钉扎力密度在更多的颗粒SCCO膜原来是四倍大于他们的同行在颗粒少PCCO膜。
2007-01-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Epitaxial growth and transport properties of Nb-doped SrTiO$_{3}$ thin films
采用脉冲激光沉积法在（001）SrTiO $_{3}$衬底上制备了Nb掺杂SrTiO $_{3}$外延薄膜。发现高衬底温度（$>1000^{\circ}{C}$）对于实现二维生长是必要的。原子力显微镜显示具有3.9微米$ $台阶的原子级平坦表面。该膜显示出金属行为，剩余电阻率比在10和100之间，并且具有10 $^{-4}$ $Ω$ cm量级的低剩余电阻率。在0.3 K，观察到一个尖锐的超导转变，达到零电阻。
2005-08-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Experimental search for anisotropic flux flow resistivity in the a-b plane of optimally doped epitaxial thin films of YBCO
本文报道了最佳掺杂和外延的YBCO薄膜在a-b平面上沿结点和反结点方向的输运测量结果。在T_c附近和T_c以下的低偏置磁电阻测量表明，沿节点和反节点方向的磁通流电阻率随磁场的变化是不可区分的。这一结果表明，在我们的测量的实验误差，没有对应的磁通钉扎性能之间的YBCO和d波性质的序参量。
2005-08-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Possible signatures of mixed-parity superconductivity in doped polar SrTiO3 films
同时具有破缺的空间反转对称性和自旋轨道相互作用的超导体表现出自旋单线态和三重态配对的混合。在这里，我们报告的电子掺杂，应变SrTiO 3薄膜的超导性能的测量。这些薄膜具有增强的超导转变温度，并且先前显示在变成超导之前经历向极性相的转变。我们发现，一些电影显示出一个不寻常的超导状态，如平面临界场，高于顺磁和轨道对破坏限制的签名。此外，非互易运输，这反映了奇数与偶数配对相互作用的比例，观察。总之，这些特性表明，这些薄膜提供了一个可调的平台，非常规超导性的调查。
2020-03-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Influence of structural disorder on low-temperature behavior of penetration depth in electron-doped high-T_C thin films
为了探讨结构无序对电子掺杂高T_C超导体磁穿透深度低温行为的影响，对高质量的Pr_{1.85} Ce_{0.15} CuO_4（PCCO）和Sm_{1.85} Ce_{0.15} CuO_4（SCCO）薄膜进行了比较研究。所获得的结果证实了d-波配对机制，在这两个样品中，在最低温度下的杂质散射（这是更明显的不均匀SCCO膜），大大修改。提取的杂质散射率的值与我们的样品的质量有关，并且发现在具有较低T_C的不均匀膜中要高得多。
2007-01-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Electric--field effect on electron-doped infinite-layer Sr$_{0.88}$La$_{0.12}$CuO$_{2+x}$ thin films
我们已经使用的电场效应调制欠掺杂的Sr $_{0.88}$ La $_{0.12}$ CuO $_{2+x}$薄膜的表面的电阻率，允许相反的修改的电子和空穴密度在CuO $_2$平面，一个原始的情况相对于传统的化学掺杂在电子掺杂材料。当霍尔效应表明空穴带的贡献较大时，电场对正常态电阻率的影响主要由电子决定，载流子从空穴转移到电子时，超导转变温度升高。
2011-07-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Intrinsic electron-doping in nominal "non-doped" superconducting (La,Y)$_2$CuO$_4$ thin films grown by dc magnetron sputtering
采用直流磁控溅射和真空原位退火的方法成功地制备了超导标称“非掺杂”$La_{1.85}Y_{0.15}CuO_4$（LYCO）薄膜。在具有高纯C轴取向T '型结构的LYCO薄膜中，最佳的$T_{C0}$超过13 K。在正常状态下，T '-LYCO薄膜的电阻率与温度的准二次关系、负霍耳系数以及氧含量的影响与典型的Ce掺杂T'-214铜氧化物十分相似，表明T '-LYCO具有n型铜氧化物的电子掺杂性质，而不是以前提出的能带超导体。载流子被认为是由缺氧引起的。
2006-11-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High-field Hall resistivity and magnetoresistance in electron-doped Pr_2-xCe_xCuO_{4-δ}
我们报道了电子掺杂Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$薄膜在高达58 T的磁场中的电阻率和霍尔效应测量结果。与空穴掺杂的铜氧化物相比，我们发现在最佳掺杂和过掺杂的薄膜中，霍尔电阻率在高场下具有令人惊讶的非线性磁场依赖性。我们还观察到一个交叉从二次线性场依赖性的正磁阻过掺杂薄膜。自旋密度波诱导的费米面重构模型可以定性地解释霍尔效应和磁电阻效应。
2007-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance and Hall effect in e-doped superconducting SrLaCuO thin films
我们用射频溅射法在x = 0.12的KTaO 3衬底上外延生长了c轴取向的SrxLa 1-xCuO 2薄膜。用原位氧还原法制备了一系列Tc（R=0）高达26 K的超导薄膜。这些样品的ab平面中的传输测量已经进行。我们报告的原始结果的温度依赖性的霍尔效应和各向异性磁电阻（T > Tc）。我们讨论了上临界场和各向异性的大小，霍尔效应，它提出了两种类型的载体，正常状态的磁阻，负平行磁场，自旋散射的可能签名的存在指示的符号的变化。这些属性进行比较的空穴掺杂的铜酸盐，如BiSr（La）CuO具有可比的Tc。
2008-11-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Onset of the Meissner effect at 65 K in FeSe thin film grown on Nb doped SrTiO3 substrate
本文报道了用分子束外延技术在掺Nb的SrTiO_3衬底上生长的FeSe薄膜的迈斯纳效应。双线圈互感测量清楚地表明，在65 K，这是一致的间隙开口温度由以前的角分辨光电子能谱结果确定的抗磁屏蔽的发病。外加磁场使超导转变在起始温度附近展宽，这是准二维超导体的典型行为。我们的结果提供了直接的证据，表明在Nb掺杂的SrTiO 3衬底上生长的FeSe薄膜具有65 K的起始温度，这是迄今为止发现的所有铁基超导体中最高的。
2015-07-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic and optical properties of La-doped Sr$_3$Ir$_2$O$_7$ epitaxial thin-films
研究了拉伸应变（Sr $_{1-x}$ La $_x$）$_3$ Ir $_2$ O $_7$（x = 0，0.025，0.05）外延薄膜的结构、输运和光学性质。虽然高T $_c$超导理论预测的系统中，我们已经观察到，所有的样品保持绝缘与有限的光学能隙和莫特可变范围跳跃特性的运输。横截面扫描透射电子显微镜表明，结构缺陷，如堆垛层错出现在这个系统。La掺杂Sr $_3$ Ir $_2$ O $_7$薄膜的绝缘行为可能是由于La的无序诱导局域化和无效电子掺杂引起的，这揭示了铱酸盐外延薄膜与体单晶之间的有趣差异。
2018-02-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
