c-Axis longitudinal magnetoresistance of the electron-doped superconductor Pr1.85Ce0.15CuO4
我们报告的c轴电阻率和纵向磁阻测量超导Pr1.85Ce0.15CuO4单晶。在13 K <T<32 K的温度范围内，在磁场Hc ~ 2以上观察到负磁阻效应。我们的研究表明，这种负磁阻是由超导波动引起的。在较低温度下（T<13 K），观察到不同的磁电阻行为和电阻率的上升，其原因尚不清楚。
2006-11-07 cond-mat.supr-con
Longitudinal magnetoresistance in Co-doped BaFe2As2 and LiFeAs single crystals: Interplay between spin fluctuations and charge transport in iron-pnictides
测量了不同Ba（Fe_（1-x）Co_x）_2As_2单晶和LiFeAs的纵向面内磁电阻（LMR）。对于所有这些化合物，我们发现顺磁相的LMR都是负的，其大小随H^2的增加而增加。我们表明，这种负LMR可以很容易地解释在抑制自旋波动的磁场。在Co掺杂的样品中，发现LMR系数的绝对值随顺磁相中的掺杂含量而减小。在巡游近反铁磁费米液体模型中分析其T依赖性，证明LMR随Co含量的增加呈现出T变化的质的变化。后者发生在反铁磁基态被抑制的最佳掺杂。对LiFeAs中测得的负LMR的相同类型的分析表明，这种化合物处于磁性的边缘。
2013-07-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fourfold oscillations and anomalous magnetic irreversibility of magnetoresistance in the non-metallic regime of Pr1.85Ce0.15CuO4
利用磁阻测量作为外加磁场及其应用方向的函数，我们提出了尖锐的角度依赖的磁阻振荡的电子掺杂铜氧化物在其低温非金属制度。磁阻测量中的不可逆性的存在以及对于不同的面内磁场取向的场依赖性的相关强各向异性表明磁畴对于确定电子性质起重要作用。这些域可能与先前报道的空穴掺杂铜酸盐中的条纹相有关。
2003-09-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High magnetic field evolution of the in-plane angular magnetoresistance of electron-doped Sr1-xLaxCuO2 in the normal state
本文研究了欠掺杂Sr1-xLaxCuO2正常态面内角磁阻随高磁场的变化，发现二重与四重振荡的演化及π/4相移，并将其归因于CuO2平面中的反铁磁性。
2023-04-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Microscopic theory of the magnetoresistance of disordered superconducting films
对无序超导薄膜的实验表明，在无序超导薄膜中存在几个数量级的磁电阻峰。从无序负U哈伯德模型出发，我们采用包含热涨落的从头计算方法来计算电阻，并完全再现了实验现象。微观电流和局部电势的地图使我们能够精确定位磁阻峰值的来源--导电的薄弱环节从峰值的低场一侧的正常变化到高场一侧的超导。最后，我们制定了一个简单的一维模型，以证明如何小超导区域将作为薄弱环节，在这样一个无序的薄膜。
2011-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance scaling, disorder, `hot spots' and the origin of $T$-linear resistivity in BaFe$_2$(As$_{1-x}$P$_x$)$_2$
测量了欠掺杂（x = 0.19）和最佳掺杂（x=0.31）~BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$的线性磁电阻随磁场和温度的变化。我们分析的数据的基础上的轨道模型中存在的强各向异性准粒子谱和散射时间，由于反铁磁性。的磁阻是占主导地位的费米表面称为“热点”的反铁磁激发诱导一个大的准粒子散射率的小区域的属性。导出了近似的温度-磁场标度关系，并与实验数据相一致。我们认为，这些结果链接的起源，线性温度电阻率的热点所产生的反铁磁临界点，和磁阻测量提供了一种途径来量化这种联系。
2020-07-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
K and Mn co-doped BaCd2As2: a hexagonal structured bulk diluted magnetic semiconductor with large magnetoresistance
在K和Mn共掺杂的BaCd_2As_2系统中发现了一种体相稀磁半导体。与最近报道的四元ThCr_2Si_2结构的II-II-V基（Ba，K）（Zn，Mn）_2As_2不同，Ba_（1-y）KyCd_（2-x）Mn_xAs_2系统具有六方CaAl_2Si_2型结构，Cd_2As_2层形成蜂窝状网络。锰浓度达到其x？0.4.磁化强度测试表明，样品在居里温度高达16 K时发生铁磁转变.六方结构的Ba_（1-y）KyCd_（2-x）Mn_xAs_（2-x）具有小于10 Oe的低矫顽场和约-70%的大磁阻，是一种很有希望的自旋操纵材料。
2013-11-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the resistivity at low temperatures in electron-doped cuprate superconductors
我们测量了一组氧含量可控的低掺杂PrCeCuO（x=0.12）薄膜的磁阻随温度和磁场的变化。这使我们能够接近超导圆顶的边缘，在掺杂不足的一侧。薄层电阻随着氧含量的增加而增加，而超导转变温度稳定地下降到零。在施加各种磁场以抑制超导性时，我们发现当温度降低时，薄层电阻增加。它在很低的温度下饱和。这些结果，以及磁电阻，不能描述在零温度的二维超导体到绝缘体的转变，也不是一个简单的近藤效应由于散射的自旋在氧化铜平面的上下文中。我们推测，由于接近反铁磁相的磁性液滴诱导。这导致负磁阻和电阻率的上升。
2010-08-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous scattering in superconducting indium-doped tin telluride
电阻率，霍尔效应，磁阻，磁化率和热容量测量的结果与组成Sn $_{.988-x}$在$_x$ Te其中$0 \leq x \leq 8.4 %$，随着基于透射电子显微镜的微观结构分析的铟掺杂碲化锡单晶。对于小的铟浓度，$x \leq 0.9 %$的材料不超导高于0.3 K，和传输特性是一致的简单的金属行为。对于$x \geq 2.7 %$，材料表现出反常的低温散射，对于$x \geq 6.1 %$，在接近2 K的临界温度下观察到体超导性。中等铟浓度$2.7% \leq x \leq 3.8%$在0.7 K以上不表现出体超导性。磁化率数据表明没有磁性杂质，而磁电阻数据是不一致的本地化效应，导致的结论是，铟掺杂的SnTe是一个候选人的电荷近藤系统，类似于铊掺杂的PbTe。
2010-09-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Is La1.85Y0.15CuO4 an oxygen-doped cuprate superconductor?
本文报道了在不同氧气氛下用脉冲激光沉积法制备的T '相La_（1.85）Y_（0.15）CuO（LYCO）薄膜的电阻率、霍尔效应、能斯特效应和磁电阻的测量结果。我们的研究结果表明，在LYCO的超导电性起源于氧掺杂莫特类绝缘体，而不是从弱相关，半填充带金属如前所述。
2006-10-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the temperature scaling behaviour of the linear magnetoresistance observed in high-temperature superconductors
调用的电荷载流子密度的变化的分析模型被用来产生磁阻曲线，几乎无法区分从复杂的数值模型所产生的。这表明，尽管无序是导致线性磁阻的关键，但由此产生的磁阻的形式对无序的细节不敏感。结合温度（$T$）的零场电阻率的依赖性，现实水平的障碍被证明是足以解释的线性磁阻和字段$T$电阻缩放高温磷属元素化物和铜氧化物超导体中观察到的。因此，尽管$T$ -线性零场电阻是高温超导体“奇异金属”状态的明确标志，但它们的线性磁阻及其缩放不太可能如此。
2020-07-01 cond-mat.supr-con
Fluctuation-Exchange Study of Antiferromagnetism in Electron-Doped Cuprate Superconductors with Disorder
在哈伯德模型的基础上，我们将涨落交换（FLEX）方法推广到研究电子掺杂铜氧化物超导体中反铁磁（AF）相的性质。此外，通过将散射的影响，由于无序掺杂原子的FLEX形式主义，我们的数值计算结果表明，反铁磁转变温度，由于自旋涨落的赝能隙的起始温度，费米面附近的单个粒子的谱密度，以及在AF相的交错磁化作为电子掺杂的函数可以一致地解释实验测量。
2006-05-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Stripes Disorder and Correlation lengths in doped antiferromagnets
对于掺杂反铁磁体中的条纹，我们发现自旋和电荷相关长度之比$ξ_{s}/ξ_{c}$为确定系统中的主要无序形式提供了一个清晰的判据。如果条纹无序由拓扑缺陷控制，则$ξ_{s}/ξ_{c}\lesssim 1$。相反，如果条纹相关性主要由非拓扑弹性形变（即，布拉格-格拉斯（Bragg-Glass）型无序），则期望$1<ξ_{s}/ξ_{c}\lesssim 4$。因此，观察到$(LaNd)_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$中的$ξ_{s}/ξ_{c}\approx 4$和$La_{2/3}Sr_{1/3}NiO_{4}$中的$ξ_{s}/ξ_{c}\approx 3$总是意味着条纹处于布拉格玻璃型状态，并且拓扑缺陷比通常假设的要小得多。预期的光谱特性进行了讨论。因此，我们建立了任何理论分析的实验观察到的玻璃态在这些材料的基础。
2000-07-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
In-plane anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic Ba(Fe$_{1-x}$Co$_x$)$_2$As$_2$, (Ba$_{1-x}$K$_x$)Fe$_2$As$_2$ and Ba(Fe$_{1-x}$Ru$_x$)$_2$As$_2$
利用Kubo-Greenwood方法计算了电子掺杂Ba（FePDMATHABMM Co $_x$）$_2$ As $_2$、空穴掺杂（$_{1-x}$ K $_x$）FePDMATHABMO As $_2$和电子掺杂Ba（$_{1-x}$ Ru $_x$）$_2$ As $_2$在反铁磁态下的电阻率各向异性，以阐明这一重要现象的起源.在不考虑杂质态跨越几个单胞或温度引起的自旋涨落的情况下，计算结果与实验符合得很好。由此可以得出结论，在低温下的电阻率各向异性主要是由面内各向异性磁阻。然而，占频带色散相对于$k_z$是强制性的解释结果，显示的铁pnictides的电子结构的三维字符的重要性。此外，它表明，电阻率各向异性的违反直觉的迹象是没有基本属性，而只是一个各向异性能带结构的特点。
2016-08-29 cond-mat.supr-con
$π$/4 phase shift in the angular magnetoresistance of infinite layer nickelates
本文通过磁电阻测量发现无限层镍酸盐中具有四重对称性的角度依赖磁电阻振荡，其$π/4$相移随掺杂或磁场变化，表明存在静态或准静态反铁磁序，与电子掺杂铜氧化物行为相似。
2025-03-25 cond-mat.supr-con
Spin reorientation and in-plane magnetoresistance of lightly doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} in magnetic fields up to 55 T
在高达55 T的磁场中，在Néel状态（x = 0.01）和自旋玻璃状态（x = 0.03）下，使用高质量非孪晶单晶，在轻掺杂的La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}中测量面内电阻率中的磁阻（MR）。在这两种情况下，观察到一个大的负MR出现时，建立磁秩序。当x = 0.01时，发现当从自旋易磁化轴（b轴）施加磁场时，在20 T附近，磁电阻表明一步转变为高场弱铁磁态，这意味着该材料的Néel态不存在自旋翻转转变;这与先前的报道相反，但是鉴于最近在该系统中发现的特殊的面内磁化率各向异性，这是自然的。在自旋玻璃态，我们观察到，大（高达\sim 20%）的负MR饱和在40 T左右，和这个MR被发现是基本上各向同性时，磁场在ab平面内旋转。我们的数据表明，大的负MR是固有的LSCO在磁有序状态，其中弱铁磁（WF）的时刻变得很好地定义;我们讨论了观察到的MR本质上是由于在Néel状态和自旋玻璃态的WF时刻朝向磁场方向的重新取向。
2004-08-27 cond-mat.supr-con
Fully Band Resolved Scattering Rate in MgB2 Revealed by Nonlinear Hall Effect and Magnetoresistance Measurements
我们已经测量了正常状态下的温度依赖性的霍尔效应和磁阻在外延MgB 2薄膜与可变的障碍，其特征在于由剩余电阻比RRR范围从4.0到33.3。洁净样品的霍尔效应和磁电阻具有很强的非线性，并且随着无序度的增加或温度的升高而逐渐减小。通过对基于Boltzmann方程和从头计算的四带系统的理论模型进行拟合，我们首次得到了这四个带在不同温度和无序度下的散射率。我们的方法提供了一种独特的方式来获得这些重要的参数在多频带系统。
2008-08-13 cond-mat.supr-con
Disorder-dependent superconducting pairing symmetry in doped graphene
该研究采用行列式量子蒙特卡罗方法，探究掺杂石墨烯中二维蜂窝晶格Hubbard模型的超导序对键无序的响应，发现高电子密度下无序增强可使配对从$d+id$波主导转为扩展$s$波主导，低电子密度下强无序则无两种配对，为理解掺杂材料超导行为提供参考。
2024-08-14 cond-mat.supr-con
Hall resistivity correlations in disordered electron-doped Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$ films
研究了电子掺杂Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜在反铁磁（AF）-超导（SC）相变附近和具有不同无序度（$δ$）的电阻率张量随混合态磁场的变化关系$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $[ρ_{xx}(B)]^β$. $β$从$x$ = 0.14时的1.2 $\pm$ 0.2降低到$x$ = 0.15时的0.6 $\pm$ 0.1，这表明在从欠掺杂到最佳掺杂区域的过渡处，在外部磁场中从各向异性$s$波到$d$波配对对称性的变化的证据。混合态中涡旋运动的幂律依赖性的特性可以与层状电子掺杂超导体中的非化学计量无序的某些特征相联系。
2016-11-23 cond-mat.supr-con
Charge disorder and variations of $T_c$ in Zn-doped cuprate superconductors
系统地研究了铜酸盐中的杂质掺杂（如Zn原子）以提供关于赝能隙相的重要信息，因为该过程基本上减少了$T_c$而没有影响$T^*$。尽管有许多重要的结果和进展，这些超导体的正常相位仍然是一个很大的争论的主题。我们发现，所观察到的Zn掺杂的数据可以通过构建纳米级颗粒超导体，其电阻率的转变是通过约瑟夫森耦合实现的，这也提供了一个简单的解释的赝能隙相再现。
2014-08-18 cond-mat.supr-con
Probing the electron-phonon coupling in MgB2 through magnetoresistance measurements in neutron irradiated thin films
我们报告的磁阻（MR）测量MgB 2和相应的从头计算的完整帐户，我们建议，这种组合可以是一个有用的工具，探测电子-声子耦合。我们得到了很好的定量协议之间的高场测量中子辐照外延薄膜和计算内布洛赫-玻尔兹曼输运理论在很宽的范围内的磁场（0-28 T）和温度（40-300 K），并作为一个功能的字段取向。实验观察到的面内和面外MR之间的交叉作为无序或温度的函数被很好地再现，表明与声子的无序和相互作用强烈影响s-载流子的散射率。
2007-06-25 cond-mat.supr-con
Isotropic Quenched Disorder Triggers a Robust Nematic State in Electron-Doped Pnictides
通过应用于具有晶格自由度的三轨道（$xz$，$yz$，$xy$）自旋费米子模型的计算技术，研究了电子掺杂磷属元素化物的相图随温度、电子密度和各向同性淬火无序强度的变化.在实验中，化学掺杂引入无序，但在理论研究中，电子掺杂和随机定位的掺杂剂之间的关系及其相关的淬火无序很难解决。在本出版物中，计算技术的使用使我们能够独立地研究电子掺杂的影响，由全球化学势和杂质无序随机选择的网站。令人惊讶的是，我们的蒙特卡罗模拟表明，与掺杂的Néel $T_N$和结构的$T_S$转变温度的快速还原，以及伴随的稳定的一个强大的双稳态，主要是由铁取代引入的面内各向同性无序相关的磁稀释控制。在所研究的掺杂范围内，由电子掺杂产生的费米面的变化对两个临界温度的影响都很小。
2015-05-31 cond-mat.supr-con
Quantum criticality and multiple crossing points in the magnetoresistance of thin TiN-films
我们测量了TiN薄膜的$R(T,B)$，它非常接近于无序驱动的超导体-绝缘体转变，但在零场和低温下仍然是超导的。在磁场中，我们发现在三个不同的温度区域中，在磁场$B_{cX}$处出现三个明显的磁阻等温线交叉点。$R(T,B)$中的每个交叉点对应于$R(T,B_{cX})$中的平台。我们系统地研究了这些交叉点附近的无序诱导的超导体/绝缘体转变的演变，确定最有希望的候选人的量子相变，并提供估计的两个临界指数$z$和$ν$。
2020-09-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Influence of structural disorder on low-temperature behavior of penetration depth in electron-doped high-T_C thin films
为了探讨结构无序对电子掺杂高T_C超导体磁穿透深度低温行为的影响，对高质量的Pr_{1.85} Ce_{0.15} CuO_4（PCCO）和Sm_{1.85} Ce_{0.15} CuO_4（SCCO）薄膜进行了比较研究。所获得的结果证实了d-波配对机制，在这两个样品中，在最低温度下的杂质散射（这是更明显的不均匀SCCO膜），大大修改。提取的杂质散射率的值与我们的样品的质量有关，并且发现在具有较低T_C的不均匀膜中要高得多。
2007-01-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
