High-pressure study of superconducting and non-superconducting single crystals of the same nominal composition Rb0.8Fe2Se2
两个单晶样品具有相同的标称组成的Rb 0.8Fe2Se2通过略有不同的前体路线在相同的热处理条件下制备的在环境和高压下进行了研究。一个样品被发现超导的Tc为~31 K，没有先前报道的磁导率驼峰，另一个被意外地发现是一个窄隙半导体。虽然高压数据可以理解为掺杂的压力诱导变化，但详细的掺杂对超导性的影响尚未确定。
2011-10-27 cond-mat.supr-con
Single-crystal superconducting nanowires of NbSe$_2$ fabricated by reactive plasma etching
我们提出了单晶NbSe $_2$纳米线的制备和测量。这些纳米线是在NbSe $_2$的可剥离（$\lesssim10\text{ nm}$）薄片上制备的，所述薄片使用结合电子束光刻和反应性等离子体蚀刻的工艺从块状单晶机械剥离。使用Ti/Au制备与纳米线的电接触。我们的技术，克服了以前开发的方法用于制造超导纳米线的几个限制，也允许制备具有所需几何形状的复杂超导纳米结构。首次测量了宽度低至30 nm、横截面积低至270 nm的单个超导单晶纳米线的电流-电压特性$^2$。
2013-12-23 cond-mat.supr-con
Growth and superconducting properties of Cd-doped La(O,F)BiS2 single crystals
采用CsCl/KCl助熔剂生长了Cd掺杂La（O，F）BiS 2单晶。生长的晶体具有板状形状，在发育良好的ab平面中具有约1-2 mm的正方形尺寸。采用单晶X射线衍射和电子探针显微分析技术成功地表征了晶体中的镉掺杂。La（O，F）BiS 2的超导电性随着Cd的掺杂而逐渐被抑制。La（O_（0.54）F_（0.46））（Bi_（0.92）Cd_（0.08））S_2的零电阻超导转变温度为2.3K。Cd的掺杂并没有改变超导各向异性这么多，虽然相当大的抑制Tc。
2017-05-30 cond-mat.supr-con
Single crystal MgB2 with anisotropic superconducting properties
具有高Tc（39 K）的二硼化镁MgB_2超导体的发现提出了一些具有挑战性的问题：这种新的超导体是否类似于高温铜酸盐超导体（HTS）或低温金属超导体;哪种超导机制，声子介导的BCS或空穴超导机制或其他新的奇异机制可以解释这种超导性;以及它的应用前景如何。为了澄清上述问题，迫切需要使用单晶样品的实验。在这里，我们首次成功获得了这种新型MgB 2超导电性的单晶，并对其进行了电阻和磁化强度测量。他们的实验表明，电子和磁性取决于晶体学方向。结果表明，MgB_2单晶超导体具有各向异性的超导特性，为MgB_2单晶超导体的超导机理及其应用研究提供了科学依据。
2001-05-14 cond-mat.supr-con
Flux-free growth of large superconducting crystal of FeSe by traveling-solvent floating-zone technique
本文首次报道了一种基于移动溶剂浮区法生长大尺寸、成分均匀的FeSe超导晶体的无助熔剂生长方法。用这种方法制备的晶体样品的尺寸可达15 × 6 × 2 mm ~ 3，远远大于以前报道的所有尺寸，晶体的主相沿四方晶系（101）面具有单一的择优取向。X射线衍射分析确定主相为超导四元\b{eta} -FeSe。通过交流磁化率和电子输运测量，确定了超导转变温度（TC）为9.4 K。观察到约97%的几乎完美的抗磁屏蔽，表明晶体样品中的体超导性。
2014-10-11 cond-mat.supr-con
Disorder effects on the superconducting properties of BaFe$_{1.8}$Co$_{0.2}$As$_2$ single crystals
超导BaFe $_{1.8}$ Co $_{0.2}$ As $_2$单晶在裂变反应堆中暴露于中子辐照。引入的缺陷降低超导转变温度（约0.3 K）和上临界场各向异性（例如，在22 K下从2.8到2.5），并将临界电流密度提高约3倍。在其他超导材料的类似实验中讨论了这些变化。
2009-07-17 cond-mat.supr-con
Two Superconducting Transitions in Single Crystal La$_{2-x}$Ba$_x$CuO$_4$
我们利用空间分辨输运技术研究了La $_{2-x}$ Ba $_x$ CuO $_4$单晶的超导性质。我们发现一个新的超导转变温度$T_{cs}$与ab平面表面区域，这是相当高的体积$T_c$。该效应在具有强自旋-电荷条纹相关性的电荷载流子掺杂$x$的区域中是显著的，达到$T_{cs}=36$ K或1.64 $T_c$。
2016-12-18 cond-mat.supr-con
Growth and anisotropy evaluation of NbBiCh$_3$ (Ch = S, Se) misfit-layered superconducting single crystals
采用CsCl/KCl助熔剂首次成功地生长了NbBiCh $_3$（Ch = S，Se）错配层状超导单晶。所获得的晶体具有平行于c-平面的良好发育的习性，典型的宽度为1-2 mm，厚度为10-40 μ m。由Nb 0.9 Bi 1.2 S3的标称组成获得的NbBiS $_3$单晶的零电阻率超导转变温度为0.31 K，由化学计量组成（NbBiSe $_3$）生长的NbBiSe $_3$单晶的零电阻率超导转变温度值为2.3 K。电阻率和磁化率在约3 K时急剧下降，表明NbBiSe $_3$可能具有超导转变温度。生长的NbBiS $_3$和NbBiSe $_3$单晶的正常态各向异性值分别为2.2-2.4和1.5-1.6。
2020-08-21 cond-mat.supr-con
High-pressure growth of fluorine-free SmFeAsO$_{1-x}$ superconducting single crystals
用自熔法在3.3 GPa和1350-1450 $^\circ$ C温度下生长了无氟掺杂的SmFeAsO $_{1-x}$超导单晶。获得横向尺寸为几个~ 150 $μ$ μ m的板状单晶。单晶在53.5K左右发生超导转变，转变宽度仅为0.5K。同步辐射X射线衍射图案和高角度环形暗场扫描透射电子显微镜图像指向具有良好定义的层状四元结构的晶体的高质量。用电子探针X射线微区分析法测定了晶体的化学组成。
2008-11-12 cond-mat.supr-con
Growth and characterization of R(O,F)BiS2 (R = La, Ce, Pr, Nd) superconducting single crystals
用CsCl/KCl助熔剂生长了不同F浓度的R（O，F）BiS 2（R：La，Ce，Pr，Nd）超导单晶。所获得的1-2 mm尺寸的单晶具有板状形状并且可沿ab平面分裂。晶体结构为四方晶系，空间群为P4/nmm（#129）。生长的单晶在3-5 K左右表现出超导性。超导转变温度随R元素离子半径的减小而升高。根据有效质量模型，R（O，F）BiS_2单晶的超导各向异性为30-60，而Ce（O，F）BiS_2单晶的超导各向异性为13-21。Pr（O，F）BiS_2单晶在平行于ab面的磁场作用下的c轴输运测量揭示了由约瑟夫森涡旋流引起的“锁定”状态。此外，Ce（O，F）BiS 2单晶在5-7 K的温度范围内表现出磁有序性，在低于约3 K的温度下，磁有序性显然与超导性共存。
2015-11-01 cond-mat.supr-con
In-plane and transverse superconducting fluctuation diamagnetism in the presence of charge-density waves in 2H-NbSe2 single crystals
测量了2 H-NbSe_2单晶超导转变以上的涨落抗磁性。这种化合物的中等单轴各向异性，以及一些实验改进，允许测量两个主要结晶方向的超导波动效应。这些结果表明，FD上的非局部电动力学效应是高度各向异性的，他们也放弃了可能的贡献FD来自电荷密度波（CDW）出现低于$Tcdw > Tc在2 H-NbSe 2，在协议的唯象估计。
2007-04-19 cond-mat.supr-con
Fluorine solubility and superconducting properties of Sm(O,F)BiS$_2$ single crystals
用KI-KCl助熔剂生长了不同名义氟含量的Sm（O，F）BiS_2超导单晶。F在Sm（O，F）BiS 2单晶中O位的固溶极限约小于20at%。Sm（O，F）BiS 2单晶的F浓度几乎不受名义F含量的控制。这表明存在本征稳定相。在5 K左右显示出超导性。零电阻率的超导转变温度随着标称F含量的增加而增加，在O位小于70原子%的范围内，尽管F浓度和c轴晶格常数相似。
2021-06-18 cond-mat.supr-con
Isotropic superconducting state and high critical currents in Fe1+yTe1-xSx single crystals
本文报道了Fe_{1+y} Te_{1-x} S_{x}的单晶生长和超导性质的研究。在所有铁基超导体中，我们证明了最小的上临界场各向异性，γ = H_{c2} ^{//c}/ H_{c2} ^{//a}，对于Fe_{1.09} Te_{0.89} S_{0.11}，在T=0.65 T_{C}时γ值达到1.05，同时仍然保持大的上临界场值。
2009-07-21 cond-mat.supr-con
Structural Analysis and Superconducting Properties of F-Substituted NdOBiS2 Single Crystals
用CsCl/KCl助熔剂生长了掺F的NdOBiS_2超导单晶。这是BiS 2基超导体单晶生长的第一个例子。所获得的单晶具有尺寸为1-2 mm的板状形状和发育良好的ab平面。通过单晶X射线衍射分析确定生长的晶体的晶体结构为四氢呋喃空间群P4/nmm（#129），其中a = 3.996（3）A和c = 13.464（6）A。生长的晶体的化学式约为Nd 0.98（0.06）O 0.7（0.1）F 0.3（0.1）Bi 0.98（0.04）S2，并且通过电子探针微量分析在生长的晶体中未检测到Cs、K和Cl。生长的晶体具有约5 K的临界温度。由有效质量模型和上临界场估算出单晶的超导各向异性约为30。
2013-09-25 cond-mat.supr-con
Fluctuation diamagnetism around the superconducting transition in a cuprate crystal with a reduced Meissner fraction
超导转变周围的磁化强度被测量在Tl $_{0.5}$ Pb $_{0.5}$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_7$晶体中，该晶体受到其有效超导体积分数的相当大的减少（$\sim$ 55%）的影响，但仍然具有相对尖锐的低场迈斯纳转变，该行为可能归因于结构不均匀性的存在。考虑到迈斯纳分数中的这些不均匀性，观察到的抗磁性仍然可以用传统的带有库珀对和涡旋涨落的金兹伯格-朗道方法来解释，始终在超导跃迁之上和之下。
2008-02-26 cond-mat.supr-con
Observation of anisotropic diamagnetism above the superconducting transition in iron-pnictide Ba_(1-x)K_xFe2As2 single crystals due to thermodynamic fluctuations
对高质量Ba_（1-x）K_xFe_2As_2单晶进行了高分辨磁化强度测量，确定了热激活库珀对在超导转变以上引起的抗磁性。这些数据，获得与磁场施加沿和横向晶体ab层，实验表明，铁磷属元素化物的超导转变可以解释在一个唯象的水平上的高斯金兹伯格-朗道三维各向异性超导体的方法。
2011-03-25 cond-mat.supr-con
Superconducting phase diagram of Sb and Se substitution in CeOBiS2 single crystals
本研究通过CsCl/KCl助熔剂成功生长Sb和Se取代的CeOBiS2单晶，系统探究了取代对超导性的影响，绘制了0.3 K以上的超导相图，并揭示了超导与非超导之间的非线性边界。
2024-04-23 cond-mat.supr-con
Superconducting Transition and Phase Diagram of Single Crystal MgB2
由磁化强度、磁输运和第一单晶比热测量确定了MgB_2的超导相图。确定了零温面内相干长度为8nm。超导各向异性从Tc附近的2左右增加到22 K时的4.5以上。对H||临界电流中的显著峰值效应出现在上临界场。表面超导态的证据是H||这可能解释了各向异性的报告值的广泛传播。
2002-03-27 cond-mat.supr-con
Growth and angular dependent resistivity of Nb2Pd0.73S5.7 superconducting single crystals fiber
本文报道了用慢冷固相反应法生长Nb_2 Pd_（0.73）S_（5.7）超导单晶光纤。超导转变温度（Tc ~ 6.5K）由磁化强度和输运测量确定。本文对用常规方法（取两个超导参数之比）和标度法测定超导各向异性进行了比较研究。在Ginzburg-Landau理论框架内定义的标度方法被应用于角相关电阻率测量以估计各向异性。发现来自缩放方法的接近Tc的Γ值为~ 2.5，与常规方法（~2.2）相比略高。此外，各向异性随温度的变化表明它是一种多带超导体。
2015-07-09 cond-mat.supr-con
Charge Density Wave and Superconducting Properties in Single Crystals of Lu5Ir4Si10
我们在高质量的Lu_5Ir_4Si_（10）单晶上测量了从2K到900K的电阻率。在电荷密度波（CDW）的起始处发现了明显的热滞后，证明了转变的一阶性质。当化合物中含有钽时，CDW被破坏，超导临界温度提高。最后，我们提出了比热和磁穿透深度在迈斯纳状态。我们表明，超导性质是非常接近的弱耦合BCS超导体。
2013-01-12 cond-mat.supr-con
Growth of superconducting single-crystalline (Lu, Ca)Ba2Cu3O7-d whiskers
用掺Te法成功地生长了单晶（Lu，Ca）Ba_2Cu_3O_（7-d）（Lu（Ca）_（123））晶须。Lu（Ca）123晶须的X-射线衍射图显示对应于REBa_2Cu_3O_（7-d）相（RE =稀土元素）的尖锐（0.01）峰。输运测量表明，在83 K时，在所获得的晶须发生超导转变。
2008-11-06 cond-mat.supr-con
Thin-film-like high temperature superconducting $\mathrm{Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+}}{_x}$ single crystal by mechanical exfoliation
采用机械剥离法制备了典型厚度为20-200 nm的薄膜状高温超导Bi_2Sr_2CaCu_2 O_（8 +x）单晶（TSB）。TSB具有优异的超导电性，可通过范德华力牢固地粘附在衬底上。TSB在高温超导器件的制造中有重要的应用。用TSB制作了本征约瑟夫森结。一个非常有趣的发现是，TSB可以精确地遵循衬底的拓扑结构，使得有可能通过使用衬底模板来制造具有人工结构的超导器件，例如，台阶边缘约瑟夫森结。
2010-12-03 cond-mat.supr-con
Robust intrinsic electronic superconducting phases in underdoped La_{2-x}Sr_xCuO4 single crystals
我们测量了La_（2-x）Sr_xCuO_4单晶在不同磁场中的超导临界温度（Tc）和抗磁化率。我们观察到一个从表观Tc相到本征Tc 1 = 15 K或Tc 2 = 30 K相的场诱导演化，其特征在于与二维电子晶格的“魔术”空穴浓度相当。的本征超导相的起始Tc保持稳健高达H = 5特斯拉。我们认为，在“魔术”掺杂浓度的本征超导相是高温超导的原始电子相。
2006-10-31 cond-mat.supr-con
Effects of post-annealing and cobalt co-doping on superconducting properties of (Ca,Pr)Fe2As2 single crystals
为了阐明（Ca，RE）Fe_2As_2体系反常超导电性的起源，采用FeAs助熔剂法生长了Pr掺杂和Pr，Co共掺杂的CaFe_2As_2单晶。这些样品在Tc 1 = 25~42 K，Tc 2 < 16 K时表现出两步超导转变，表明（Ca，RE）Fe_2As_2体系具有两个超导组分。在不同温度下对这些晶体在真空石英安瓿中进行的后退火显示，在约400°C下的后退火增加了所有样品的c轴长度。这表明，生长的晶体具有一定程度的应变，其通过在~400°C下的后退火而释放。通过后退火，超导性能也发生了显着变化。在400°C退火后，部分共掺杂样品表现出大的超导体积分数，对应于Tc 2以下的完全抗磁性，在低场2 K下的高Jc值为104~105 Acm-2，表明（Ca，RE）Fe 2As 2相在Tc 2以下发生了体超导电性。相反，超导体的体积分数高于Tc 2总是很小，这表明在该系统中观察到的40 K级超导性起源于晶体中的局部超导性。
2014-07-24 cond-mat.supr-con
Mixed state properties of superconducting MgB2 single crystals
我们报告的磁矩在超导MgB 2单晶的测量。我们发现μ_0 H_{c2} ^c（0）= 3.2 T，μ_0 H_{c2} ^{ab}（0）= 14.5 T，γ= 4.6，μ_0 H_c（0）= 0.28 T，且κ（T_c）= 4.7。标准的Ginzburg-Landau和London模型的关系导致一个一致的数据集，并表明MgB 2是一个干净的极限超导体的中间耦合强度与非常明显的各向异性效应。
2002-04-09 cond-mat.supr-con
The low-frequency response in the surface superconducting state of ZrB$_{12}$ single crystal}
观察到$_{12}$单晶对交流电场（频率40 - 2500 Hz）的大的非线性响应。交流波形的直接测量和精确的数值解的Ginzburg-Landau方程，以及唯象弛豫方程，允许表面超导态动力学的研究。结果表明，低频响应是由交流场作用下的亚稳超导态之间的跃迁定义的。松弛速率，确定这种过渡动力学，被发现。
2004-10-14 cond-mat.supr-con
Emergence of superconducting gap features in Bi2Sr2CaCu2O8+delta single crystals from intrinsic c-axis interlayer tunneling
静态和动态输运测量的堆栈的本征约瑟夫森结的Bi2Sr2CaCu2O8+ δ单晶，接近最佳掺杂。动态电导的零偏最小值与正常态赝能隙一致。在Tc处，临界电流与新特征同时发展，所述新特征与超导密度态中已经确定的能量处的间隙一致。热展宽的缺乏和小尺度的功能迫使我们得出结论，在超导和正常状态的高度相干层间隧穿。
1998-09-24 cond-mat.supr-con
Magnetoresistance peculiarities and magnetization of materials with two kinds of superconducting inclusions
本文研究了含有两种不同材料超导夹杂物的晶体的低温性质。在包裹体尺寸远小于磁场的相干长度/穿透深度的近似下，发展了含有两种不同材料的球形超导包裹体晶体的磁电阻理论，并计算了晶体的磁化强度。
2014-05-21 cond-mat.supr-con
Electric and magnetic characterization of NbSe2 single crystals: anisotropic superconducting fluctuations above Tc
首先详细介绍了NbSe_2单晶的电学和磁学特性。然后，一些初步的测量波动抗磁性（FD）以上的转变温度Tc。该化合物的中等单轴各向异性使我们能够观察到磁场H在两个主要晶体学取向上的涨落效应。由表征得到的超导参数表明，根据Ginzburg-Landau（GL）理论对FD进行可靠的分析是可能的。
2006-09-18 cond-mat.supr-con
Paramagnetic Meissner Effect in Superconducting Single Crystals of Ba_{1-x}K_xBiO_3
用Quantum-Design公司的磁强计在Ba_{1-x} K_xBiO_3超导单晶中观察到了场冷磁化率中的顺磁迈斯纳效应（PME）。PME与铜酸盐和Nb超导体中观察到的相似。对于Ba_{0.63} K_{0.37} BiO_3晶体，在750 Oe以下的磁场下，在冷却过程中观察到了PME，而在纯荷电超导磁体中没有观察到PME。PME存在于具有俘获磁通的超导体中，可能由剩余场、T_c附近温度的不均匀性和钾浓度的不均匀性引起。
2002-10-30 cond-mat.supr-con
Crystal structure instability of FeSe grains: Formation of non-superconducting phase at the grain surface
我们研究了不同晶粒尺寸的FeSe多晶样品的磁化强度和晶体结构。对于具有大晶粒的样品，观察到大的磁临界电流密度Jc。对于具有小晶粒的样品，没有观察到超导信号;相反，观察到磁化滞后，这不是超导的结果。在具有小晶粒的样品的X射线衍射图案中，观察到宽的附加峰，对应于在FeSe晶粒表面处形成非超导（单斜）Fe-Se相。在晶粒表面的晶体结构的不稳定性将是迄今为止所研究的Fe-硫属化物多晶线的低超导性能的原因。
2016-04-04 cond-mat.supr-con
57-Fe Mossbauer study of magnetic ordering in superconducting K_0.85Fe_1.83Se_2.09 single crystals
本文用~（57）Fe穆斯堡尔谱研究了K_（0.85）Fe_（1.83）Se_（2.09）超导单晶在10 ~ 550 K之间的磁有序。尽管在T_（sc）~ 30 K以下是超导的，但在远低于T_（sc）到其Néel温度T_N = 532 +/-2K之间，铁亚晶格K_0.85Fe_（1.83）Se_（2.09）明显地表现出磁序。铁矩垂直于单晶片排列，即平行于晶体c轴。的顺序崩溃迅速高于500 K和伴随的顺磁成分的增长表明，磁过渡可能是一阶的，这可以解释不寻常的温度依赖性在最近的中子衍射研究报告。
2011-03-01 cond-mat.supr-con
Vortex quasi-crystals in mesoscopic superconducting samples
在超流体和超导体中，原子和分子物质的相与涡旋物质的相之间似乎存在着一一对应的关系。晶体、液体和玻璃已经在实验中观察到，在这两个Arachial和VM。在这里，我们提出了一个涡旋准晶体状态，可以稳定由于边界和表面能的特殊形状和尺寸的样品的影响。对于有限尺寸的五边形样品，随着样品尺寸的减小，涡旋晶体和涡旋准晶之间的相变是磁场和温度的函数。
2007-03-15 cond-mat.supr-con
Effect of Fe excess on structural, magnetic and superconducting properties of single-crystalline Fe(1+x)Te(1-y)Se(y)
Fe（1+x）Te（1-y）Se（y）单晶在控制Fe过量和Se掺杂的情况下生长，并且晶体结构已经针对各种成分被细化。作为结构参数的函数的磁性和超导性质的系统调查显示，该材料可以被驱动到各种基态，这取决于掺杂和结构修改。我们的研究结果表明，额外的Fe位，Fe 2，增强自旋局域化的占领。通过减少过量的Fe，反铁磁有序被削弱，超导基态是有利的。我们发现，Fe过量和Se掺杂协同决定的材料的性能和改进的三维相图提出。
2010-01-26 cond-mat.supr-con
Superconducting critical current of a single Cu2O4-plane in Bi2Sr2CaCu2O8+x single crystal
通过将电流馈入蚀刻到$\mathrm{Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+x}}$（BSCCO）单晶表面的台面的最顶部$\mathrm{Cu_2O_4}$ -层，我们从台面的电流-电压特性的急剧上升或中断测量其超导临界值。由此，我们估计在4.5 K下单个$\mathrm{Cu_2O_4}$平面的薄片临界电流密度为$\sim$ \ 0.3-0.7 A/cm，对应于$2-5\ \mathrm{MA/cm^2}$的体电流密度。这些数值是BSCCO单晶、薄膜和带材测量的最大值之一。
2004-12-17 cond-mat.supr-con
Quenching Dependence on Superconductivity in the Synthesizing Process of Single Crystals of Rb$_x$Fe$_{2-y}$Se$_2$
通过使用Rb $_2$ Se的起始材料作为Rb源，制备Rb插层FeSe化合物Rb $_x$ Fe $_{2-y}$ Se $_2$的超导单晶。通过改变淬火过程中的冷却速率，系统地控制了超导性能和表面微结构。样品中较高的冷却速率提供了较高的超导转变温度，具有高度连接的超导网状表面结构。极慢的冷却过程导致了超导畴之间的完全隔离。
2017-08-03 cond-mat.supr-con
Anisotropic magnetism, resistivity, London penetration depth and magneto-optical imaging of superconducting K0.80Fe1.76Se2 single crystals
K0.80Fe1.76Se2.02的单晶从三元溶液中悬浮生长。我们表明，虽然晶体形成时，冷却近化学计量熔体，晶体实际上是生长出一个三元溶液，保持液体至少850 ℃。我们研究了它们的化学成分，各向异性磁化率和电阻率，比热，热电功率，伦敦穿透深度和磁通穿透通过磁光成像。虽然样品在低温下似乎是均匀超导的，但在Tc ~ 30 K附近似乎有一个加宽的转变范围，这可能与化学计量的小变化有关。
2011-03-02 cond-mat.supr-con
First single crystal growth and structural analysis of superconducting layered bismuth oxyselenide; La(O,F)BiSe2
用CsCl助熔剂法首次成功地生长了La（O，F）BiSe_2单晶。X射线单晶结构分析表明，La（O，F）BiSe 2晶体属P4/nmm空间群（晶格参数a = 4.1408（2）<$，c = 14.1096（6）<$）。该结构由BiSe 2和LaO交替层组成。磁化率和电阻率的测量表明，超导转变在3.6 K，这是高于生长的La（O，F）BiS 2。结构分析表明La（O，F）BiSe_2是一种潜在的高温超导体。
2014-06-03 cond-mat.supr-con
Electronic and Superconducting Properties of Some FeSe-based Single Crystals and Films Grown Hydrothermally
本文简要地回顾了我们近年来对FeSe和分子嵌入（Li，Fe）OHFeSe超导体系的研究，着重于单晶和薄膜中超导性与正常态电子性质之间联系的实验观察。这些样品成功地合成了我们最近开发的软化学水热法，这也简要介绍。特别是在Mn掺杂的高Tc（Li，Fe）OHFeSe薄膜中，实现了超导临界电流密度的大幅提高，这对超导的实际应用具有重要的意义。
2020-09-12 cond-mat.supr-con
Direct Observation of Microstructures on Superconducting Single Crystals of K$_x$Fe$_{2-y}$Se$_2$
钾插层FeSe已被报道为超导转变温度（$T_{\rm c}$ 's）为30-48 K的超导体。然而，目前还没有明确的答案，以确定之间的关系，表面形貌，组成比例和其晶体结构。这份报告直接揭示了这三个特性之间的对应关系，在单晶体与$T_{\rm c}$开始约44 K，使用微取样技术。晶体表面上的岛状部分清楚地具有具有完全FeSe层的K $_x$ Fe $_2$ Se $_2$结构，其与K $_2$ Fe $_4$ Se $_5$相结合形成。这导致出现44 K的$T_{\rm c}$起始。
2017-01-05 cond-mat.supr-con
Superconducting quantum interference phenomenon in Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ single crystals
研制了基于Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu_2 O $_{8+δ}$高$T_c$超导体本征约瑟夫森结的可操作的dc-SQUID。新颖的平面内回路布局和开发的原位端点检测方法允许精确控制SQUID中的结数。观察到超导电流作为通过SQUID环的磁通量的函数的明显的周期性调制。这是Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu_2 O $_{8+δ}$单晶中量子干涉现象的明确证据。
2005-08-16 cond-mat.supr-con
Probing superconducting energy gap from infrared spectroscopy on a Ba$_{0.6}$K$_{0.4}$Fe$_2$As$_2$ single crystal with T$_c$=37 K
对超导Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$单晶进行了光谱测量，T $_c$ =37 K。在T $_c$以下的远红外反射谱中清楚地观察到超导能隙的形成。的间隙振幅匹配以及在不同的费米表面上的角度分辨的光电子能谱实验中观察到的两个不同的超导间隙。我们确定了在10 K下的穿透深度的绝对值为$λ\simeq2000 Å$。谱权分析表明，Ferrell-Glover-Timkham求和规则在低能量标度，小于6 $Δ$满足。
2008-07-07 cond-mat.supr-con
Growth and structural characterization of large superconducting crystals of La$_{2-x}$Ca$_{1+x}$Cu$_2$O$_{6}$
生长了La $_{2-x}$ Ca $_{1+x}$ Cu $_2$ O $_{6}$（La-Ca-2126）与$x=0.10$和0.15的大晶体，并通过高压氧退火转化为块体超导体。超导转变温度$T_c$高达55 K，通过空气中的后退火可以提高到60 K。在这里，我们提出了这些晶体的结构和磁性特征，使用中子散射和μ子自旋旋转技术。虽然生长的，非超导晶体是单相的，我们发现，超导晶体包含3个阶段，形成沿$c$轴堆叠的相干域：占主导地位的La-Ca-2126相，非常薄（1.5晶胞）的La $_2$ CuO $_4$的共生体，和反铁磁La $_8$ Cu $_8$ O $_{20}$相。我们建议，后者相的形成和偏析增加的钙浓度的La-Ca-2126，从而提供空穴掺杂，支持超导性。
2017-11-20 cond-mat.supr-con
Two-component uniform spin susceptibility in superconducting HgBa$_{2}$CuO$_{4+δ}$ single crystals determined with $^{63}$Cu and $^{199}$Hg NMR
$^{63}$铜和$^{199}$汞NMR位移的最佳和欠掺杂的HgBa $_{2}$ CuO $_{4+δ}$单晶的报告，和温度依赖性决定了均匀的自旋磁化率的两个组件的描述。与NMR位移中的赝能隙现象相关联的第一分量在室温下已经降低，并且随着温度降低而继续下降，而在转变温度到超导状态时没有急剧变化。第二个分量在超导转变温度以上与温度无关，在超导转变温度以下迅速消失，它随掺杂而增加，是在两个核上测得的总自旋磁化率的重要部分。
2012-01-20 cond-mat.supr-con
Optical studies of charge dynamics in the optimally-doped Bi2212 and the non-superconducting cobaltate single crystals
对散射率随频率变化的分析揭示了高T_c铜氧化物的超导能隙和赝能隙的特征。这些特征可以在温度相关的光谱函数W（ω）中识别，使用实验明确的方法从最佳掺杂的Bi 2212的光学数据反演，该方法示出了光谱函数中的最大值和最小值的行为。
2001-04-11 cond-mat.supr-con
Superconducting Gap, Pseudogap and Their Relationship Investigated by Break-junction Tunneling Spectroscopy on $Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+δ}$ Single Crystals
本文用断裂结技术研究了$Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+δ}$单晶的温度和掺杂相关隧穿谱。结果提供了直接的证据表明，赝能隙持续到重过掺杂制度，可能在整个掺杂范围的超导相。由电导的峰-峰确定的间隙值$Δ_{p-p}$随着$T$在临界温度升高而呈现跳跃式增加。随着掺杂量的增加，跃迁幅度、赝能隙打开温度和超导能隙减小。低于$T_c$的$Δ_{p-p}$可以自然地看作是两个竞争级的矢量和：BCS类超导能隙和剩余赝能隙。
2001-07-26 cond-mat.supr-con
Specific heat jump at the superconducting transition temperature in Ba(Fe(1-x)Cox)2As2 and Ba(Fe(1-x)Nix)2As2 single crystals
本文详细测量了Ba（Fe（1-x）Cox）2As 2和Ba（Fe（1-x）Nix）2As 2单晶在超导转变附近的热容。在超导转变温度（Tc）下的比热跃变Δ Cp/Tc在这些系列中变化约10倍。这项工作中的Δ Cp/T$与Tc的关系数据（以及Ba（Fe0.939Co0.061）2As 2、（Ba0.55K0.45）Fe 2As 2和（Ba0.6K0.4）Fe 2As 2的文献数据）可以很好地标度到一个双对数图，Δ Cp/Tc在两个数量级以上，Tc在大约一个数量级以上，得到Δ Cp/Tc ~ Tc ^[2]。
2009-05-18 cond-mat.supr-con
Concerning the superconducting gap symmetry in YBa2Cu3O7-δ, YBa2Cu4O8, and La2-xSrxCuO4 determined from muon spin rotation in mixed states of crystals and powders
用μ子自旋旋转（μ+SR）方法测量了YBa_2Cu_3 O_7-δ（δ { \approx } 0.05）、YBa_2Cu_4 O_8和La_（2-x）Sr_xCuO_4（x ~ 0.15-0.17）超导混合态的局域磁场σ的平方根二阶矩，并对它们的超导能隙对称性进行了比较分析。对于取向晶体，它示出的σ对温度T和施加的场H的异常依赖性，作为测量和提取的a-和b-轴分量，归因于磁通钉扎和混乱，模糊了超导穿透深度的内在特征。来自定向晶体数据的随机平均值与相应的非定向粉末明显不同，这是由于高质量晶体中钉扎的影响较弱。钉扎扰动的相关指标，如σ的非单调H依赖性，不可重现的数据和表观转变温度的强H依赖性也是显而易见的。强的内禀钉扎抑制了σ的c轴分量的热异常，这反映了YBa 2Cu 3 O 7-δ和YBa 2Cu 4 O 8中的无节点能隙对称性。对于YBa 2Cu 3 O 7-δ，晶体（a-b分量，经脱钉校正）和粉末数据都反映了无节能隙（然而，对于晶体YBa 2Cu 4 O 8和La1.83Sr0.17CuO4，a-b对称性仍未解决）。讨论了晶体数据的多重能隙解释和节点能隙解释中所包含的信息，以及体μ+SR和表面灵敏测量之间观察到的差异。
2012-01-31 cond-mat.supr-con
Superconducting anisotropy and evidence for intrinsic pinning in single crystalline MgB$_2$
通过测量单晶的磁矩，研究了金属高$T_c$超导体MgB $_2$的超导各向异性$γ_c = (m_c / m_{ab})^{1/2}$.在10 K时，各向异性$γ_c$对外加磁场不敏感.我们得到了各向异性参数$γ_c = 4.31 \pm 0.14$。当磁场平行于硼层施加时，扭矩曲线显示出尖锐的磁滞峰。这来自于本征钉扎，是硼层中超导性发生的实验证据。
2002-05-01 cond-mat.supr-con
Superconducting FeSe1-xTex Single Crystals Grown by Optical Zone-Melting Technique
采用光学区熔法成功地生长了FeSe_（1-x）Tex单晶。实际组成为0.4 < x < 1.0的晶体都显示出高结晶度，没有相分离。直观观察局部加热熔体的能力，以及图像炉的易用性和控制，使这种方法成为获得高质量FeSe 1-xTex晶体的有前途和时间效率的方法。结果表明，适当的热处理可以有效地消除Se和Te原子在晶格中的不均匀分布，使超导转变宽度减小到2K左右，表明晶体是均匀的。
2009-08-20 cond-mat.supr-con
Superconducting properties of single-crystalline A_{x}Fe_{2-y}Se_{2} (A=Rb, K) studied using muon spin spectroscopy
本文报道用μ子自旋弛豫或转动（\muSR）技术研究A_{x} Fe_{2-y} Se_{2}（A = Rb，K）单晶的超导性质。在低温下，接近90%的样品体积表现出大磁矩磁序，这阻碍了\muSR对其超导性质的研究。另一方面，约10%的样品体积保持顺磁性，并清楚地显示出超导响应。在单s波带隙情况下，分析了超导载流子密度随温度的变化关系。当A = Rb和K时，零温区的面内磁穿透深度λ ab（0）分别为258（2）和225（2）nm，超导带隙Δ（0）分别为7.7（2）和6.3（2）meV。讨论了超导电性和磁性的微观共存和/或相分离。
2012-03-05 cond-mat.supr-con
Surface Contribution to the Superconducting Properties of MgB2 Single Crystals
我们展示了直接的证据，可能的表面超导性小，形状良好的MgB2单晶。在H < 1.6 Hc2^c的范围内的输运测量，其中Hc2^c是c轴的体上临界场，显示出非欧姆和强烈的角相关电阻率。H与选定的晶体表面，运输和比热测量相同的晶体，和使用聚焦离子束的晶体表面的物理雕刻的对齐的研究都支持的结论。类似的，虽然不太明显的结果获得的领域在基面。
2003-07-17 cond-mat.supr-con
Superconducting properties of novel BiSe$_{2}$-based layered LaO$_{1-x}$F$_{x}$BiSe$_{2}$ single crystals
用助熔剂法生长出典型尺寸为2 $\times$ 4 $\times$ 0. 2 mm的掺F LaOBiSe $_{2}$超导单晶，并研究了其超导性能。氟掺杂有效地提高了超导转变温度和屏蔽体积分数。LaO $_{0.48}$ F $_{0.52}$ BiSe $_{1.93}$多晶样品在3.7 K下呈现零电阻率，高于LaO $_{0.5}$ F $_{0.5}$ BiSe $_{2}$多晶样品（2.4 K）的零电阻率。体超导性是由一个明确的比热跳在相关的温度。样品表现出很强的各向异性，由上临界场和有效质量模型估算出各向异性参数约为30
2014-07-23 cond-mat.supr-con
Effects of equivalent composition on superconducting properties of high-entropy REOBiS$_2$ (RE = La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd) single crystals
本研究通过助熔剂法生长高熵REOBiS$_2$单晶，发现RE元素的等价与非等价构型显著影响其超导各向异性等性质，为调节超导转变温度提供了新方法。
2023-04-11 cond-mat.supr-con
