Electric field control of anomalous Hall effect in CaIrO$_3$/CaMnO$_3$ heterostructure
我们证明了电场对CaIrO $_3$ /CaMnO $_3$异质结构中出现的反常霍尔效应的控制。我们通过调整外延应变来制备电子型和空穴型载流子样品，然后通过双电层门控技术来控制CaIrO $_3$层中的载流子密度。由于费米能的CaIrO $_3$被调谐接近狄拉克线节点，异常霍尔电导率在两个载流子型样品中被放大。这一结果表明，反常的霍尔效应来自于CaIrO $_3$的类狄拉克色散的本征起源。我们认为界面铁磁性引起的能带分裂在狄拉克线节点附近产生了几个能带交叉点。这些点作为Berry曲率的来源，并有助于反常的霍尔效应。
2022-08-04 cond-mat.str-el
Ultrafast separation of photo-doped carriers in Mott antiferromagnets
利用非均匀非平衡动力学平均场论研究了强内场作用下Mott绝缘异质结构中光激发载流子的传播。反铁磁相关性被发现以一种至关重要的方式影响载流子动力学：反铁磁自旋背景可以在超快时间尺度上从光激发载流子中吸收能量，从而实现不同层之间的快速传输以及电子和空穴类载流子的分离，而在顺磁状态下，载流子在强场中变得局部化。电荷自由度和自旋自由度之间的这种相互作用可以用来控制基于具有极性层的Mott绝缘异质结构的器件的功能，例如，用于光伏应用。
2014-03-06 cond-mat.str-el
Interlayer charge transfer from contact electrification in conducting micro and nanoscale thin film heterostructures
Department of Mechanical Engineering, Birla Institute of Technology and Science Pilani, Dubai Campus（比拉理工学院迪拜校区机械工程系）
研究揭示了接触电摩擦引起层间电荷转移在导电微纳米异质结构中对物理性质的影响及新物理行为的产生机制。
2026-01-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Lateral 2D superlattices in GaAs heterostructures with independent control of carrier density and modulation potential
本研究提出一种GaAs-AlGaAs异质结构二维表面超晶格的新型双层器件设计，采用原位栅极实现短周期高迁移率超晶格，可独立宽范围调控载流子密度与调制势幅值，经低温磁输运测量验证工艺损伤小，可实现弱到强的势调制调谐。
2024-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Influence of Coulomb and Phonon Interaction on the Exciton Formation Dynamics in Semiconductor Heterostructures
发展了一种分析半导体异质结构中非相干载流子激子形成动力学的微观理论。载流子库仑和声子相互作用是一致的。一个集群扩展方法被用来系统地截断的层次问题。通过包括所有的相关性，直到四点（即两个粒子）水平，激子的基本费米子结构被完全包括在内。分析表明，激子的形成是一个复杂的过程，库仑相关迅速建立在皮秒的时间尺度，而声子动力学导致真正的激子形成在一个缓慢的纳秒时间尺度。
2002-11-26 cond-mat.str-el
Light-enhanced gating effect at the interface of oxide heterostructure
在半导体材料中，静电门控和光照是广泛使用的刺激，以调整系统的电子特性。在这里，我们显示了一个显着的增强光响应在导电界面的LaVO 3-SrTiO 3下的光和负栅偏压的同时应用，在比较各自的应用。另一方面，当施加正的栅极偏置电压时，LaVO 3-SrTiO 3界面在很大程度上对光照射保持不敏感。我们的X射线衍射仪，拉曼光谱和光电子能谱测量表明，不同的LaAlO 3-SrTiO 3界面，氧空位的迁移是不是增强的光响应的主要机制。相反，我们认为，我们的系统的光响应是内在的，这种内在的机制是一个复杂的相互作用之间的带填充，电场在界面上，强电子相互作用，由于MOTTness的LaVO 3和修改的导电通道宽度。
2020-12-14 cond-mat.str-el
Role of interface hybridization on induced superconductivity in 1T$^\prime$-WTe$_2$ and 2H-NbSe$_2$ heterostructures
该研究利用可调层间杂化的低能模型分析1T′-WTe₂/2H-NbSe₂异质结，发现强杂化下边缘态仍具增强局域态密度与诱导超导性，并给出可兼顾纯净QSHI能隙和拓扑边缘态的新几何结构。
2023-08-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Localized vs. delocalized character of charge carriers in LaAlO3/ SrTiO3 superlattices
理解氧化物层间的导电性、超导性和磁性的本质对于设计采用氧化物异质结构的电子器件具有极其重要的意义。我们证明了共振非弹性X射线散射可以直接探测氧化物异质结构中的载流子。我们的研究外延生长的LaAlO 3/SrTiO 3超晶格明确揭示了本地化和离域Ti 3d载流子的存在。这两种载流子是由界面处的极性不连续引起的氧空位和电子转移引起的。这一结果可以解释报道的理论计算和实验测量的载流子密度值之间的差异LaAlO 3/SrTiO 3异质结构。
2010-11-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Localization of Two-dimensional Electron Gas in LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures
本文报道了用脉冲激光沉积技术在（LaAlO 3）0.3-（Sr 2AlTaO 3）0.7衬底上生长的LaAlO 3/SrTiO 3外延薄膜异质结中的强二维电子气局域化。使用纵向和横向的磁输运测量，我们已经确定，在界面处的无序影响的传导行为，并增加载流子浓度的增长在较低的氧分压的变化，从强本地化的传导在低载流子浓度的金属在较高的载流子浓度，弱本地化的迹象。我们解释这种行为的界面附近的Ti 3D带的不断变化的占领方面，每个具有不同的空间范围和易感性本地化的障碍，以及由于失配应变和点缺陷的载流子限制的差异。
2011-10-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Imaging field-tuned quantum Hall broken-symmetry orders and quantum Hall conducting channel in charge-neutral graphene WSe2 heterostructure
石墨烯中的第零朗道能级（0 LL）已经成为一个平带平台，通过简单地调整磁场的强度和/或方向，可以以前所未有的控制探索不同的多体相。当石墨烯中的OLL被半填充时，预测在高磁场中实现具有不同晶格尺度破缺级的丰富的量子霍尔铁磁（QHFM）相1 - 8，13 -16。在这里，我们报告了一个场调谐的连续量子相变的不同谷排序QHFM的电荷中性石墨烯绝缘二硒化钨（WSe 2）。在半充满的0 LL中，反常的依赖于场的能隙清楚地揭示了相变。通过对相变过程中电子波函数的原子分辨率成像，我们观察到了场调谐的连续变化的谷极化和谷反转的微观特征，这是出乎意料的，超出了目前的理论预测。此外，拓扑量子霍尔导电沟道的石墨烯直接成像时，衬底（WSe 2）引入带弯曲的OLL。
2021-12-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magneto-transport study of top- and back-gated LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ heterostructures
我们报道了顶栅和背栅LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$异质结构的磁输运性质的详细分析。通过扫描顶栅和背栅电压实现了在界面处存在的二维电子液体的磁阻、载流子密度和迁移率的有效调制。分析这些变化相对于载流子密度调谐，我们观察到，背栅强烈修改电子迁移率，而顶栅主要改变载流子密度。自旋-轨道相互作用的演变也遵循作为顶部和背部门控的功能。
2015-05-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Infrared ellipsometry study of the photo-generated charge carriers at the (001) and (110) surfaces of SrTiO$_3$ crystals and the interface of corresponding LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ heterostructures
利用红外椭偏仪和直流电阻测量研究了SrTiO $_3$（STO）单晶的（001）和（110）面以及LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$（LAO/STO）异质结构的相应界面的光掺杂。在裸STO晶体中，我们发现光生载流子在（001）表面附近积累，具有与先前在LAO/STO（001）异质结构中观察到的受限电子相似的深度分布和面载流子浓度。这些光生载流子的大部分在低温下在STO（001）表面处持续存在，即使在UV光再次关闭之后。这些持久的载流子似乎起源于在T* = 105 K时在所谓的反铁畸变转变以下发展的结构域边界处捕获的氧空位。这从STO（110）晶体中DC输运的相应光掺杂研究中是最明显的，对于STO（110）晶体，这些畴界的浓度可以通过施加弱单轴应力来修改。氧空位及其被缺陷捕获也是被限制在LAO/STO（110）异质结构的界面的电子的来源，该界面可能不具有如LAO/STO（001）中的极性不连续性。在前者中，氧空位的捕获和聚集也对载流子迁移率的各向异性具有强烈的影响。我们表明，这种各向异性可以很容易地改变，甚至通过各种手段，如温和的热处理，紫外线照射，甚至弱的单轴应力反转。我们的实验表明，扩展的缺陷，发展在很长的时间内（数周至数月），可以强烈地影响在LAO/STO（110）界面的限制载流子的响应。
2017-02-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrically-induced phase transition in $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$: Indications for high-mobility hot charge carriers
二维有机导体$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$在$T_{\rm CO}=135$ K下由于电荷有序化而经历金属-绝缘体转变。我们已经进行了时间分辨的调查，其电子性质，以探索场和温度依赖的动力学。在一定的阈值电场下，系统从低导通状态切换到高导通状态，并伴随着负微分电阻。我们的随时间变化的红外研究表明，接近$T_{\rm CO}$的强电场推动晶体进入金属状态，光学性质类似于$T>T_{\rm CO}$。然而，在$T=80$ K下，很好地进入绝缘状态，光谱响应证明了完全不同的电子诱导高导电状态。应用热电子的两态模型解释了具有高迁移率的载流子激发的观察结果。它们类似于Dirac-like电荷载流子，具有在$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$中发现的高压电子带的线性色散。大量的数值模拟定量再现了我们的实验结果的所有细节。
2016-06-02 cond-mat.str-el
First-principles quantum corrections for carrier correlations in double-layer two-dimensional heterostructures
我们提出了系统的从头计算的载流子的相关性的相邻层的二维材料中存在的带电杂质和应变无序电位使用单层和双层石墨烯的例子。对于第一次，我们的分析产生明确的第一性原理量子修正的托马斯-费米密度的相互作用的二维系统所描述的轨道自由密度泛函理论。具体来说，使用密度势泛函理论，我们发现，量子修正准经典的费米子-费米近似必须考虑到即使是异质结构的介观尺寸。为了使无序诱导的电子和空穴的水坑在两层的平均载流子密度为零时反相关，应变势的强度必须超过杂质势的强度至少10倍，对于较小的杂质密度，这个数字会增加。此外，我们的研究结果表明，量子校正有更大的影响比交换的水坑相关，他们是必要的，正确预测实验观察到的高斯能量分布在电荷中性。
2019-06-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mapping the Spatial Distribution of Charge Carriers in LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures
在复杂的绝缘氧化物之间的界面处，可能会出现具有有趣性质的新相，例如LaAlO 3/SrTiO 3系统中报道的金属态。虽然这种状态已经被预测和报道局限于界面，但一些作品表明更广泛的空间延伸，从而质疑其起源。在这里，我们提供了第一次直接测定该系统的载流子密度分布，通过电阻分布图收集在横截面LaAlO 3/SrTiO 3样品与导电尖端原子力显微镜（CT-AFM）。我们发现，取决于特定的生长协议，高迁移率电子气的空间延伸可以从数百微米到SrTiO 3到几个纳米旁边的LaAlO 3/SrTiO 3界面。我们的研究结果强调了CT-AFM作为一种新的工具来表征复杂的氧化物界面的潜力，并为我们提供了一个明确的和决定性的方式来调和在这个系统中的实验数据的身体。
2008-03-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Detecting Exciton Condensation through Charge Transport in Semiconductor Heterostructures
Technical University of Munich（慕尼黑工业大学）；Munich Center for Quantum Science and Technology (MCQST)（慕尼黑量子科学与技术中心）
提出利用掺杂载流子的电荷输运探测过渡金属硫族化物异质结构中的激子凝聚，发现电阻率降低和霍尔电阻率符号反转等独特实验特征。
2026-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Anomalous Magnetoresistance by Breaking Ice Rule in Bi2Ir2O7/Dy2Ti2O7 Heterostructure
虽然几何受抑量子磁体以各种奇异的自旋态而闻名，这些自旋态对理解涌现现象以及实现革命性的量子技术具有极大的兴趣，但它们中的大多数必然是良好的绝缘体，难以与依赖于移动载流子的现代电路集成。将涨落和受抑时刻的激发转化为电子响应的巨大挑战是找到引入载流子的方法，这些载流子与局域自旋相互作用而不破坏自旋态。在这里，我们表明，通过设计一个Bi 2 Ir 2 O 7/Dy 2 Ti 2 O 7异质结构，在绝缘Dy 2 Ti 2 O 7的自旋冰规则的打破可以导致在Bi 2 Ir 2 O 7导电层，可以检测到异常磁阻的电荷响应。这些结果展示了一种新颖可行的界面方法，用于电子探测绝缘磁体中的奇异自旋态，为受抑量子磁体的金属化奠定了蓝图。
2021-12-23 cond-mat.str-el
Microscopic model for the ferroelectric field effect in oxide heterostructures
为了研究含铁电组分的氧化物异质结构，引入了一个描述铁电场效应的微观模型哈密顿量。长程库仑相互作用被纳入作为一个静电势，解决自洽连同电荷分布。一个通用的双交换系统被用作导电沟道，外延连接到铁电栅极。所观察到的铁电屏蔽效应，即界面附近的电荷积累/耗尽，示出驱动界面相变，引起强大的磁电响应和双极电阻开关，定性与以前的密度泛函理论计算。该模型可以很容易地适应其他材料通过修改的导电通道的哈密顿量，它是有用的模拟铁电场效应器件，特别是那些涉及强相关的电子元件从头算技术是很难应用。
2011-09-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Decoupling carrier concentration and electron-phonon coupling in oxide heterostructures observed with resonant inelastic x-ray scattering
本文报道了用共振非弹性X射线散射方法在$n$ SrIrO $_3$ / $m$ SrTiO $_3$超薄超晶格中观察到的多声子卫星特征。随着$n$和$m$值的变化，能量损失谱显示出声子卫星相对强度的系统演化。使用封闭形式的解决方案的横截面，我们提取的变化，在电子-声子耦合强度作为$n$和$m$的函数。结合到SrTiO $_3$层中的可忽略的载流子掺杂，这些结果表明，电子-声子耦合的调谐可以有效地与掺杂解耦。这项工作展示了一种可行的方法来提取超晶格中的电子-声子耦合，并揭示了一种潜在的路线，用于调整这种耦合，这往往是与超导性的SrTiO $_3$为基础的系统。
2018-10-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Carrier driven antiferromagnetism and exchange-bias in SrRuO3/CaRuO3 heterostructures
氧化物异质结构表现出丰富多样的磁性和输运性质，这些性质是由于在界面处的接触而产生的。这可能导致与所涉及材料的整体性质非常不同的令人惊讶的效果。我们报告的磁性双层SrRuO3，一个众所周知的铁磁体，和CaRuO3，这是名义上的顺磁体。我们发现有趣的功能，是一致的CaRuO3开发的双重磁性字符，既有净力矩，以及反铁磁秩序。我们认为，有序SrRuO3层诱导的CaRuO3的传导电子中的波动的极化曲线，类似于弗里德尔振荡的机制。在低温下，这种振荡的极化是继承了刚性的本地时刻CaRuO3，导致一个强大的交换偏置。我们提出从头算模拟支持这一观点。我们的研究结果表明了一种新的有序化机制，并揭示了CaRuO3的磁性。
2018-02-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el quant-ph
Critical thickness for ferromagnetism in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures
在LaAlO 3（LAO）和SrTiO 3（STO）的异质结构中，观察到了两种不同形式的磁性[1-7]，这些磁性可能[8，9]或可能不是[10]由界面载流子引起，这些载流子在电子重构中从LAO迁移到界面[11]。我们在一系列不同LAO厚度的n型样本中对磁场景观[5]进行成像。我们发现铁磁补丁只出现在临界厚度以上，类似于电导率[12]。因此，我们得出结论，界面重构是必要的磁性的形成。我们没有观察到铁磁性与栅极电压的变化，并检测到铁磁性在非导电的p型样品，表明在界面上的载流子不需要巡回产生磁性。铁磁性出现在孤立的补丁，其密度变化很大的样品之间的事实强烈表明，无序或局部应变诱导磁性的人口的界面载流子。
2012-01-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Oxide 2D electron gases as a route for high carrier densities on (001) Si
氧化物异质结界面处形成的二维电子气由于其独特的物理性质和潜在的应用前景而引起人们的广泛兴趣。在常规半导体上生长这种异质结构具有将其功能与半导体器件技术集成的潜力。我们通过在硅上生长$GdTiO_3-SrTiO_3$在传统半导体上演示了2DEG。结构分析证实了异质结的外延生长与突变的界面和高度的结晶度。传输测量表明，传导是一个界面效应，与$\sim 9\times 10^{13} \; cm^{-2}$电子每个接口。良好的协议被证明之间的电子行为的结构生长在Si和氧化物衬底上，验证了这种方法的鲁棒性之间的桥梁实验室规模的样品，一个可扩展的，技术相关的材料系统。
2015-05-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Huge hole injection in tungsten dichalcogenide heterostructures without electric gating: a DFT study
Centre of New Technologies University of Warsaw（华沙大学新技术中心）
研究通过密度泛函理论，将化学电容器概念扩展到范德华异质结构，筛选出XeF2和KrF2作为合适受体，计算出相应异质结构中的空穴浓度，证明稀有气体氟化物可为TMD异质结构载流子密度非接触工程提供有效途径。
2026-07-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Conducting LaAlO3/SrTiO3 heterointerfaces on atomically flat substrates prepared by deionized-water
我们研究了最近开发的原子级平坦SrTiO 3（STO）衬底的水浸出方法如何影响LaAlO 3（LAO）和STO异质界面的输运性质。在相同的生长条件下，采用脉冲激光沉积法在两种不同的STO衬底上制备了LAO外延薄膜，这两种衬底分别采用水浸法和缓冲氢氟酸（BHF）腐蚀法制备。的结构，运输，和光学性质的LAO/STO异质结构上生长的水浸衬底上生长的样品BHF蚀刻基板上显示出相同的高品质。这些结果表明，水浸法可以用来生长复杂的氧化物异质结构与原子定义良好的异质界面没有安全问题。
2016-04-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Photo-induced stabilization and enhancement of the ferroelectric polarization in Ba$_{0.1}$Sr$_{0.9}$TiO$_{3}$/La$_{0.7}$Ca(Sr)$_{0.3}$MnO$_{3}$ thin film heterostructures
凝聚态物理的一个新兴领域是利用多层异质结构来增强复合氧化物的铁电性。在这里，我们表明，光泵浦载流子跨越铁电（FE）绝缘体和铁磁金属薄膜之间的界面可以显着提高FE极化。光诱导的FE状态在低温下保持稳定超过一天。这通过光激发载流子屏蔽内部电场而发生，导致更大、更稳定的偏振态，其可适用于诸如数据和能量存储的领域中的应用。
2012-12-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Flat bands and long range Coulomb interactions: conducting or insulating?
无色散（平）电子带的电导特性进行了研究。由于载流子的“笼状”，这些能带通常在部分填充时是绝缘的，至少在非相互作用水平上是绝缘的。考虑到具体的例子$\mathcal{T}_3$ -晶格，我们研究长程库仑相互作用。一个非平凡的依赖于平带填充的电导率，表现出无穷多个零。在这些零点附近，电导率随载流子密度线性上升。在相邻的电导率为零之间的密度的一半，强烈增强的电导率预测，伴随着固-固相变。
2014-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Photoluminescence investigations of 2D hole Landau levels in p-type single Al_{x}Ga_{1-x}As/GaAs heterostructures
研究了垂直磁场作用下p型单Al_{1-x} Ga_{x} As/GaAs异质结中二维空穴的能量结构。光致发光测量与低密度的激发功率揭示丰富的光谱包含自由和束缚载流子跃迁。将实验结果与用新的数值方法计算的价电子带朗道能级能量进行了比较，两者吻合较好。在自由载流子复合的能量范围内观察到的额外的线归因于激子跃迁。我们还考虑了多体效应在光致发光光谱中的作用。
2002-11-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Carrier-controlled ferromagnetism in SrTiO3
研究了均匀La掺杂SrTiO_3薄膜和GdTiO_3/SrTiO_3异质结构的磁输运和超导性质。GdTiO 3/SrTiO 3界面在SrTiO 3-侧的界面上表现出高密度的二维电子气，而对于SrTiO 3膜，载流子由掺杂剂原子提供。这两种类型的样品在低温下表现出铁磁性，证明了在磁阻的滞后。对于均匀掺杂的SrTiO 3薄膜，居里温度被发现增加掺杂和超导共存的高密度侧的超导圆顶的载流子浓度。GdTiO 3/SrTiO 3异质结构的居里温度与SrTiO 3量子阱的厚度成比例。结果被用来构建一个稳定图的铁磁和超导相的SrTiO 3。
2012-08-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Destabilization of the 2D conducting phase by an in-plane magnetic field
我们提出了一个机制，最近报道的不稳定的平面内磁场的导电相的低密度电子在2D。我们将基于记忆函数的自洽方法应用于全自旋极化电子系统。这同时考虑了无序和交换相关效应。我们发现，自旋极化显着有利于本地化，因为交换相关的增强。一个关键的结果是，完全自旋极化系统的导电相被显着抑制。取决于载流子密度，稳定完全自旋极化状态所需的面内磁场位于0.1<H<1 T的范围内。我们确定了非极化和全极化系统的金属-绝缘体相图，并估计了临界磁场对载流子密度的依赖关系。
1998-12-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Absence of halfmetallicity in defect-free Cr, Mn-delta-doped Digital Magnetic Heterostructures
我们提出了一个组合的密度泛函和多体计算的无缺陷的数字铁磁异质结构的电子和磁性的掺杂GaAs与Cr和Mn。虽然局域密度近似/（+U）预测在这些无缺陷的δ掺杂异质结构的半金属性，我们证明了本地多体相关捕获的动态平均场理论诱导内的少数自旋通道非准粒子状态以上$E_F$。由于这些多体态的存在，半金属带隙被封闭，载流子的自旋极化显著降低。费米能级以下的少数自旋最高价态被发现本地化的GaAs层被认为是独立的电子相关的类型。因此，我们的研究结果证实了这些δ掺杂异质结构中载流子的限制，具有遵循与磁化不同的温度依赖性的自旋极化。我们认为，极化热电子光致发光实验可能会带来的证据，存在于少数自旋通道和他们的有限温度行为的多体状态。
2011-02-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunable metal-insulator transition in double-layer graphene heterostructures
我们报道了一个双层电子系统，它由两个紧密间隔但电隔离的石墨烯单层夹在氮化硼中制成。对于大的载流子密度在一个层，相邻层不再表现出最小的金属导电性在中性点，其电阻率在低温下发散。这种发散可以通过磁场或通过降低相邻层中的载流子密度来抑制。我们认为，所观察到的本地化是内在的中性石墨烯与通用的障碍，如果金属电子空穴水坑被筛选出来。
2011-12-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Influence of substrate charge on electron transport in narrow conducting channel
在0.6-1.5 K温度范围内，研究了液氦表面准一维非均匀导电通道中的电子输运。不均匀性是通过给其上形成导电通道的衬底充电而产生的。已经确定，在某些衬底电荷下，电子电导率实际上不依赖于温度。所得到的结果解释了本地化的载流子和创建的电子极化子。
2007-05-04 cond-mat.other cond-mat.str-el
Effect of Tilted Magnetic Field on the Anomalous H=0 Conducting Phase in High-Mobility Si MOSFETs
磁场对高迁移率硅MOSFET中反常H=0导电相的抑制与磁场与二维电子系统平面之间的夹角无关。在一个足够大的平行场完全淬灭的异常导电相的存在下，该行为是类似的无序GaAs/AlGaAs异质结构：该系统是绝缘的零（垂直）场，并表现出凹入绝缘体-量子霍尔效应-绝缘体转变作为垂直场的函数。结果表明，低T相的抑制只与电子的自旋有关。
1997-09-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
High stability 2D electron gases formed in Si3N4/Al//KTaO3 heterostructures: synthesis and in-depth interfacial characterization
本研究在Si3N4/Al//KTaO3异质结中实现了高稳定二维电子气，通过改变Al层厚度调节载流子密度与迁移率，并利用多种谱学技术揭示Al层氧化引发的氧耗尽区对电子散射及系统性能的影响。
2024-09-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Modulation of Quantum Transport in Complex Oxide Heterostructures with Proton Implantation
本文提出利用质子注入作为精确工具调控SrTiO3基异质结构的界面输运，揭示了低通量下电荷掺杂主导和高通量下无序散射主导的非单调演化，为界面量子态的可控工程提供了新范式。
2025-11-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Patterning of two-dimensional electron systems in SrTiO3 based heterostructures using a CeO2 template
在SrTiO 3基氧化物异质结构的界面处发现的二维电子系统通常显示各向异性电输运，其起源目前正在争论中。为了表征沿特定晶体方向的运输，我们开发了一种基于非晶CeO 2模板层的硬掩模图案化程序。该技术允许通过传统的紫外光刻法制备良好定义的微桥，与标准技术如离子或湿化学蚀刻相比，不会引起界面电导的任何退化。图案化方案的详细描述和成功生产的微桥的基础上非晶Al 2 O3-SrTiO 3异质结构的证明。在T < 30 K时观察到了明显的各向异性输运，这主要与异质结构中载流子的杂质/缺陷散射有关。
2016-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
