Eliashberg theory of excitonic insulating transition in graphene
足够强的库仑相互作用可以打开激子费米子能隙，从而驱动石墨烯中的半金属-绝缘体转变。本文将费米子能隙方程自洽地耦合到真空极化函数方程中，研究激子跃迁的Eliashberg理论。将费米子能隙引入极化函数中，可以减小粒子-空穴集体激发的屏蔽效应，从而提高库仑相互作用的有效强度。虽然这一过程不会改变临界点，但它导致激子绝缘相的动力学费米子隙的显着增强。Eliashberg理论的有效性是合理的，表明顶点校正抑制在大$N$限制。
2011-04-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Band structure and insulating states driven by the Coulomb interaction in twisted bilayer graphene
我们分析了在魔角附近的扭曲石墨烯双层的相图。我们考虑了长程库仑相互作用的影响，在自洽的Hartree-Fock近似处理，我们研究任意带填充。我们发现了一个丰富的相图，不同的对称性破缺相，虽然tehy不一定显示在费米能隙。静电势对对称性破缺相能带的形状和带隙有重要影响。结果表明，实验上观察到的非超导对称性破缺相是由长程交换相互作用引起的。
2020-04-03 cond-mat.str-el
Correlated insulator in two Coulomb-coupled quantum wires
该研究用玻色化分析两条库仑耦合的无自旋量子线，证明轻掺杂电子—空穴线可因强线间作用形成不可压缩绝缘相，并解释其加热后转变为完美负拖曳相。
2023-12-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Conduction properties of extended defect states in Dirac materials
我们证明了在石墨烯中的线性缺陷附近的局域态的存在。这些状态具有绝缘或导电特性。绝缘态形成一个平坦的能带，而导电态呈现出群速度的减慢，这不是由多体相互作用引起的，而是由界面性质控制的。对于适当的边界条件，导电状态表现出动量谷锁定和保护从背散射效应。这些发现为最近关于石墨烯中相关相起源的讨论做出了贡献。
2019-07-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Non-contact mutual inductance based measurement of an inhomogeneous topological insulating state in Bi2Se3 single crystals with defects
纯拓扑绝缘材料保持了独特的电子状态，包括体绝缘间隙和导电表面状态。在这里，我们使用具有Se空位缺陷的大块Bi 2Se 3单晶作为原型拓扑绝缘体（TI）材料，以探索非磁性无序对TI导电性能的影响。我们采用了一种敏感的，非接触式，互感为基础的技术，用于测量的表面和散装贡献的导电性的TI。我们辨别不同的贡献，通过观察，占主导地位的表面导电产生线性频率依赖的拾取信号，而体电导率引起二次频率依赖。我们还看到了一个代数温度依赖的表面电导率，而激活体电导率。使用上述内容，我们揭示了表面和体积之间的相互作用，在TI的电导率作为温度的函数的贡献。在Bi_2Se_3晶体中，电输运由表面为主转变为体相为主的转变发生在接近70K的温度。该温度范围与我们从活化的体电传输结果得到的结果很好地匹配，该结果显示了在毫电子伏特范围内的活化能标度，δ。的间隙增量是远远小于体带隙Bi2Se3，我们认为这是与TI材料中的缺陷态。为了理解我们的结果，我们提出了一个模型的TI包括一个不均匀的低导电介质（散装），夹在薄的两个高导电片（表面）。非均匀TI状态，我们认为是由硒空位缺陷Bi2Se3，这是负责产生体和表面导电性之间的相互作用。
2019-08-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure-induced insulating state in (La,Sr)CoO$_{3}$
我们研究了压力对导电铁磁体（T $_{C}$ = 157 K）La $_{0.82}$ Sr $_{0.18}$ CoO $_{3}$单晶的电子、磁性和结构性质的影响。与相关系统报道的结果相反，我们发现从导电状态到绝缘状态的转变和T $_{C}$随着压力的增加而减少，而晶格结构保持不变。我们发现，这种不寻常的行为是由钴$^{3+}$离子的自旋状态从磁性中间自旋（t $_{2g}^5$ e $_{g}^{1}$; S = 1）到低自旋（t $_{2g}^6$ e $_{g}^{0}$; S = 0）状态的逐渐变化所驱动的。
2005-04-12 cond-mat.str-el
Shallow Coulomb Gap and Weak Level-Level Correlations in a Deeply Insulating Electron System with Interactions
我们考虑一个由无序强定域的二维电子系统。在接近费米能级的能量E处，相互作用在平均隧穿态密度$ν(E)$中产生间隙。我们导出了一组自洽的方程组，用于描述占据态和空态的局域密度。当相互作用被屏蔽的门或温度，T，是足够高的，使库仑间隙是浅的，系统的微扰解产生的相互作用引起的校正$δν(E)$和水平-水平相关器的解析表达式。我们发现，即使与短程相互作用，$δν(E)$表现出奇异的能量依赖在T=0。我们还表明，在高温下，这种能量依赖性是一个普遍的功能的比例$E/T$。关于水平相关性，我们跟踪相关器如何作为水平之间的空间和能量分离的函数而下降。我们还跟踪了相关性如何随着T的增加而消失。我们最值得注意的观察是，对于两个接近的能量，相关器将符号从小距离处的正（吸引）变为大距离处的负（排斥）。
2000-04-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Non-local Coulomb interactions and metal-insulator transition in Ti$_2$O$_3$: a cluster LDA+DMFT approach
我们提出了Ti $_2$ O $_3$金属-绝缘体转变的从头计算量子理论。采用最近发展起来的集团LDA+DMFT方案来描述该化合物的多体特征。对于任何合理的库仑相互作用值，传统的单点DMFT都不能再现低温绝缘相。结果表明，非定域库仑相互作用和Ti-Ti对间强的化学键是Ti $_2$ O $_3$小能隙绝缘基态的起源.
2003-11-13 cond-mat.str-el
Coulomb Correlations and Orbital Polarization in the Metal Insulator Transition of VO_2
VO $_2$的金属金红石相和绝缘单斜相的准粒子谱由局域库仑相互作用控制。在金红石相中，V3dt_2g态之间的小轨道极化导致弱的静态关联，但强的动态关联。在单斜相的大的3d轨道极化所造成的V-V Peierls畸变引起的强静态关联被证明是绝缘行为的主要原因。
2004-10-06 cond-mat.str-el
Interaction created effective flat bands in conducting polymers
对于一般类的导电聚合物与任意大的单位细胞和不同的现场库仑排斥值在不同类型的网站，我证明了在确切的条件下出现的可能性的上部，相互作用产生的“有效”的平带。这最后出现作为伴随着强相互作用能量降低的动能淬火的结果，并导致非饱和铁磁状态。这种有序状态明显不同于已知的平带铁磁性。这是因为它出现在一个系统中没有裸露的平带，需要不均匀的现场库仑排斥值，并拥有非零的相互作用下限出现的有序相。
2014-06-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.soft cond-mat.str-el
Excitonic pairing and insulating transition in two-dimensional semi-Dirac semimetals
足够强的长程库仑相互作用可以在无带隙的狄拉克半金属中诱导激子配对，从而产生有限的能隙并驱动半金属-绝缘体量子相变。这一现象与高能物理中的动力学手征对称性破缺十分相似。在大多数现实的狄拉克半金属中，包括悬浮的石墨烯，库仑相互作用太弱而不能打开激子隙。库仑相互作用在二维半狄拉克半金属中的低能作用比狄拉克半金属更重要，在二维半狄拉克半金属中，费米子谱的一个动量分量是线性的，另一个动量分量是二次的，并且确实导致费米液体理论的崩溃。通过求解Dyson-Schwinger方程，研究了二维半狄拉克半金属中激子能隙的动态产生，并证明了中等强度的库仑相互作用足以诱导激子配对.额外的短程四费米子耦合倾向于促进激子配对。在现有的半狄拉克半金属中，我们发现TiO $_{2}$ /VO $_{2}$纳米结构为实现激子绝缘体提供了一个有希望的候选者。利用重整化群方法分析了半狄拉克费米子在半金属-绝缘体量子临界点处激子序参量的量子临界涨落与无质量半狄拉克费米子的强耦合，揭示了半狄拉克费米子的非费米液体行为.
2017-02-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Theoretical study of insulating mechanism in multi-orbital Hubbard models with a large spin-orbit coupling: Slater versus Mott scenario in Sr$_2$IrO$_4$
为了研究5-$d$过渡金属氧化物Sr $_2$ IrO $_4$的绝缘机制，我们研究了正方晶格上具有大自旋轨道耦合的三轨道哈伯德模型的基态性质.利用变分Monte Carlo方法，我们发现，随着库仑相互作用的增加，出现在每个位置一个空穴的基态相图中的绝缘态从弱关联到强关联的反铁磁（AF）态变化。这种交叉的特征在于AF绝缘状态的不同能量增益机制，即，从相互作用能驱动的Slater型绝缘体到带能驱动的Mott型绝缘体，其中库仑相互作用增加。我们的计算表明，Sr $_2$ IrO $_4$是一个“适度相关”AF绝缘体位于Slater型和Mott型绝缘体之间的中间耦合区。
2014-04-15 cond-mat.str-el
Origin of the insulating state in honeycomb iridates and rhodates
在自旋-轨道驱动的绝缘铱酸盐（如Na 2 IrO 3和Li 2 IrO 3）的新兴领域中，一个亟待解决的问题是，所观察到的绝缘态是否应该被归类为来自半填充相对论性j_eff=1/2能带的Mott-Hubbard绝缘体，或者被归类为带绝缘体，其中带隙是由自旋-轨道相互作用或库仑关联辅助的。这两种解释之间的区别在于，只有对于前者，强自旋-轨道耦合（λ>~ W，其中W是带宽）是必不可少的。我们合成了等结构、等电子的Li_2RhO_3，并报道了它的电阻率和磁化率。值得注意的是，它显示出绝缘行为以及波动的有效S=1/2时刻，类似于Na 2 IrO 3和Li 2 IrO 3，尽管在Rh 4+（4d 5）中自旋轨道耦合大大降低。我们发现，这种行为具有非相对论性的单电子起源（虽然库仑相关有助于打开间隙），并可以追溯到准分子轨道的形成，类似于那些在Na 2 IrO 3。
2014-01-30 cond-mat.str-el
Onset of an Insulating Zero-Plateau Quantum Hall State in Graphene
我们分析了强磁场中出现在未掺杂石墨烯中的零平台量子霍尔态的耗散电导。在这种状态下的电荷输运被假定为由磁畴壁进行，该磁畴壁由由于相互作用而形成的相反自旋的两个反向传播边缘状态的杂交形成。由此产生的非手性边缘模式是参数K的Luttinger液体，其在低于临界值K_c \approx 1/2时进入带隙的理想导电状态。该系统中的背散射涉及自旋翻转，使得与局部磁矩的相互作用经由“手性近藤效应“产生有限电阻率R_{xx}。在有限温度T下，当K在阈值K_{MI}上调谐时，R_{xx}（T）表现出从金属到绝缘行为的交叉。对于T->0，在中间区域K_{MI} <K<K_c中的R_{xx}是有限的，但随着K接近K_c而发散.这个模型为最近的实验提供了一个自然的解释。
2009-05-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Tuning electron correlation in magic-angle twisted bilayer graphene using Coulomb screening
控制相互作用强度的能力对于研究从相关费米子系统中出现的量子现象至关重要。例如，同位素效应说明了电子-声子耦合对超导电性的影响，为BCS理论提供了重要的实验支持。在这项工作中，我们报告了一种新的器件几何形状，其中魔角扭曲双层石墨烯（tBLG）被放置在靠近Bernal双层石墨烯（BLG）由3 nm厚的屏障隔开。使用来自Bernal双层的电荷屏蔽，可以连续地调谐扭转双层内的电子-电子库仑相互作用的强度。输运测量表明，调谐库仑屏蔽对绝缘态和超导态有相反的影响：由于库仑相互作用被屏蔽削弱，绝缘态变得不那么健壮，而超导性的稳定性增强。我们的结果表明，能够直接探测库仑相互作用在魔角扭曲双层石墨烯中的作用。最重要的是，库仑屏蔽效应指向电子-声子耦合作为魔角扭曲双层石墨烯中库珀对形成的主导机制，因此具有超导性。
2020-07-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott transition in multi-orbital systems
局域库仑相互作用驱动的金属-绝缘体相变是凝聚态物理中最有趣的现象之一。它们存在于各种各样的过渡金属化合物中。这些强相关材料中的大多数由源自电子d壳层的价带组成，其中轨道内和轨道间库仑相互作用同等重要，并且其中晶体结构将价带分成窄子带和宽子带。一个基本的问题是，这些系统是否表现出一个共同的莫特过渡，这意味着所有的子带是金属或绝缘，或连续的轨道相关的过渡，这意味着一个共存区域与金属和绝缘行为存在于不同的子带。利用动力学平均场论，我们表明，轨道间库仑相互作用导致一个单一的莫特转变。然而，子带表现出或多或少的强相关的激发光谱中的金属相和不同的带隙中的绝缘相。
2003-06-12 cond-mat.str-el
Coulomb Gap in a Doped Semiconductor near the Metal-Insulator Transition: Tunneling Experiment and Scaling Ansatz
利用电子隧穿实验研究了金属-绝缘体转变（MIT）临界密度附近掺硼硅单晶单粒子态密度（DOS）的库仑关联效应。在低能量下，DOS测量区分MIT两侧密度为10 - 15%的绝缘和金属样品。然而，在更高的能量下，绝缘体和金属的DOS表现出共同的行为，大致随着能量的平方根而增加。所观察到的DOS的特性可以被理解为使用经典的库仑相互作用的治疗结合了一个唯象的标度的ananimals来描述的长度尺度依赖的介电常数的MIT接近从绝缘侧。
2014-11-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
NaFe$_{0.56}$Cu$_{0.44}$As: A pnictide insulating phase induced by on-site Coulomb interaction
在铁磷族化合物的研究中，一个关键的问题是它们的坏金属态是否与磁有序绝缘相紧密相连。最近发现，在低温下，重掺Cu的NaFe $_{1-x}$ Cu $_x$ As（$x > 0.3$）铁磷属元素化物是一种具有长程反铁磁有序的绝缘体，类似于铜酸盐的母体化合物，但不同于其它铁磷属元素化物。利用角分辨光电子能谱，我们测定了NaFe $_{1-x}$ Cu $_x$ As（$x = 0.44$）的动量分辨电子结构，确定了其基态为窄禁带绝缘体。结合密度泛函理论（DFT）和DFT+U计算，我们的分析表明，在位库仑（Hubbard）和Hund耦合能在化学势带隙的形成中起着至关重要的作用.我们提出，在有限的温度下，电荷载流子从Cu-As-like价带热激发到导带，这是Fe $3d$ -like字符。随着温度的升高，导带中的电子数增加，Fe位间的跳跃能增加，最终导致$T > T_\mathrm{N}$处的长程反铁磁有序被破坏.我们的研究为研究铁磷属化合物中Mott绝缘体转变为坏金属相并最终形成超导态的电子结构演化提供了基础。
2016-07-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Insulating nature of strongly correlated massless Dirac fermions in an organic crystal
通过电阻率测量的有机晶体托管无质量狄拉克费米子与电荷有序不稳定性，我们揭示了狄拉克费米子之间的相互作用对电荷输运的影响。一个低温电阻率上升出现鲁棒无关的压力和增强，而接近电荷有序的临界压力，表明绝缘行为起源于短程库仑相互作用。在电荷有序相中观察到明显消失的能隙，这与非拓扑边缘态的理论预言相一致。
2016-02-23 cond-mat.str-el
Observation of gapless collective charge fluctuations in an Anderson insulating state
Pusan National University（釜山国立大学）；Changwon National University（昌原国立大学）；Pohang University of Science and Technology（韩国科学技术院）
本研究通过NMR/NQR和热容测量，揭示了在安德森绝缘态中无能隙的集体电荷涨落现象，为理解许多体局域化提供了新证据。
2025-08-10 cond-mat.str-el
Strength of effective Coulomb interactions in graphene and graphite
为了从第一性原理得到石墨烯及相关材料的有效多体模型，我们计算了部分屏蔽的频率相关库仑相互作用。在石墨烯中，有效的现场（哈伯德）相互作用是U_00 = 9.3 eV，非常接近将导电石墨烯与绝缘相分离的临界值，强调了非局部库仑项的重要性。最近邻库仑相互作用强度计算为U_01 = 5.5 eV。在长波长范围内，我们发现石墨的有效本底介电常数ε= 2.5，与实验非常一致。
2011-06-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Insulating phases of electrons on a zigzag strip in the orbital magnetic field
我们考虑了在轨道磁场中，两条腿的三角形阶梯上的半满电子。在没有场的双带体系中，电子系统在弱相互作用下保持导电，因为没有四费米子Umklapp项。我们发现，在轨道场的存在下，有一个四费米子Umklapp和它总是相关的排斥相互作用。因此，在这个特殊的阶梯中，轨道磁场和相互作用的组合提供了一种机制，以驱动金属-绝缘体转变已经在弱耦合。我们讨论可能产生的相位C 0 S2和各种C 0 S1和C 0 S 0的属性。
2010-11-17 cond-mat.str-el
Coulomb Engineering of two-dimensional Mott materials
本文提出通过调控介电环境来工程化二维Mott材料中的库仑相互作用，利用多体计算展示Hubbard带位置的eV级变化及绝缘体-金属转变，并讨论实验实现条件。
2022-10-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic Ground State in Bilayer Graphene with Realistic Coulomb Interactions
在低温下，在干净的双层石墨烯样品中已经通过实验观察到绝缘和导电电子行为，并且在半填充和没有磁场的情况下，对相互作用的基态的性质仍然没有共识。理论上，对于弱相互作用强度，已经预测了绝缘基态的几种可能性。然而，最近对具有短程相互作用的电荷中性双层石墨烯的哈伯德模型的重整化群计算表明，低能狄拉克费米子的出现将稳定弱相互作用的金属相。使用非微扰投影量子蒙特卡罗，我们计算的基态双层石墨烯使用一个现实的模型库仑相互作用，包括短程和长程的贡献。我们发现，需要一个有限的关键现场相互作用间隙双层石墨烯，从而证实了哈伯德模型的预期，即使在一个长程库仑势的存在下，与我们的理论重整化群分析。此外，我们还发现，临界现场相互作用所需的金属基态不稳定的层间耦合的增加而减少。
2019-03-14 cond-mat.str-el
Quantum critical phenomena of the excitonic insulating transition in two dimensions
研究了二维狄拉克半金属与激子绝缘体之间相变的量子临界性。即使系统具有半金属基态，只要系统接近激子绝缘跃迁，在有限温度和/或有限能量下也存在可观察到的激子配对效应。为了确定量子临界行为，我们考虑了三个潜在的重要相互作用，包括狄拉克费米子和激子序参量波动之间的Yukawa耦合，长程库仑相互作用，和无序散射。我们采用重整化群技术来研究这些相互作用如何影响量子临界性以及它们之间如何相互影响。我们首先研究了Yukawa耦合在清洁极限，并表明，它会引起典型的非费米液体行为。在系统中加入随机标量势，总是会使这种非费米液体变成可压缩的扩散金属。相比之下，非费米液体的行为被随机矢量势进一步增强，但几乎不受随机质量。简化库仑相互作用可能会定性地改变结果。特别地，对于弱的随机标量势，非费米液态受到库仑相互作用的保护，并且只有当随机标量势变得足够强时，它才成为扩散金属。当随机矢量势或随机质量与Yukawa耦合和库仑相互作用共存时，系统是稳定的非费米液态，前者费米子速度趋于常数，后者则奇异重整化.这些量子临界现象可以通过测量可观测的量来探测。
2018-09-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electron-electron and spin-orbit interactions in armchair graphene ribbons
利用狄拉克哈密顿量研究了内禀自旋轨道相互作用和库仑相互作用对有限宽度石墨烯扶手椅带低能性质的影响。结果表明，金属状态存在的内在的自旋-轨道相互作用的存在下，作为自旋过滤的边缘状态，与石墨烯平面预测的绝缘行为。由于中性带中的库仑相互作用，电荷间隙打开，其消失为$Δ\sim 1/W $，具有无间隙的自旋扇区。弱的内禀自旋轨道相互作用不改变绝缘行为。给出了宽度相关能隙和各种关联函数的显式表达式。
2007-10-29 cond-mat.str-el
Nearly Insulating Strongly Correlated Systems: Gossamer Superconductors and Metals
最近提出了一种新的描述超导铜氧化物的唯象哈密顿量，其中通过部分Gutzwiller投影引入了关联和在位库仑排斥。这个Gossamer哈密顿量有一个确切的基态和不同的t-J和哈伯德哈密顿量在拥有强大的吸引力之间的相互作用负责库珀配对的d-波通道的电子。这是对具有强在位电子排斥的超导体的一个可靠描述。超导隧道间隙保持完整，尽管现场排斥。在半填充状态下，具有强排斥力的Gossamer超导体的光致发射强度和超流密度受到抑制，并且不稳定地趋向于反铁磁绝缘体，并具有初始的Mott-Hubbard能隙。Gossamer技术可以应用于金属的基态，因此可能作为一个恰当的描述强关联金属。当库仑关联在接近半填充时，这种游丝金属相，就像游丝超导相一样，变得很难与绝缘体区分开来。金属态和超导态都经历了一个量子相变到反铁磁绝缘体，因为增加了现场库仑排斥。在Gossamer模型中，我们通过完全投射出双重占有，在半满时达到临界点。这样的临界点可能是安德森共振价键态。
2003-12-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interaction Protected Topological Insulators with Time Reversal Symmetry
研究了二维时间反演拓扑绝缘体（TI）边缘的Anderson定域.对于非相互作用的情况，拓扑保护根据$\mathbb{Z}_2$分类起作用，分别导致奇数和偶数填充物的导电和绝缘相。在排斥相互作用的存在下，相图显着改变。我们表明，足够强的相互作用的零温度固定点的TI进行，包括情况下，甚至填充。我们计算各种填充和类型的障碍的导电相的边界。
2015-09-01 cond-mat.str-el
Realization of a Wigner-Mott insulator in 6R-TaS$_2$ superconductor
Beijing National Center for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所（北京凝聚态物理国家研究中心））；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）；Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）；Department of Physics, Boston College（波士顿学院物理系）
在6R-TaS₂超导体中通过扫描隧道显微镜观测到Wigner-Mott绝缘态，揭示了库仑相互作用驱动的电荷有序与Mott局域化机制。
2026-02-05 cond-mat.str-el
Nearly frozen Coulomb Liquids
我们表明，非常长的距离排斥相互作用的广义库仑形式$V(R)\sim R^{-α}$，与$α<d$（$d$ -维数），通常会引入非常强的挫折，导致在极端脆弱的电荷有序状态。然后，\textquotedbl{}几乎冻结的\textquotedbl{}液体在高于（非常低的）熔化温度$T_{c}$的宽动态范围内存活，熔化温度与$α$成比例。这种\textquotedbl{}赝隙\textquotedbl{}相的特征在于不寻常的绝缘样，但非常弱的温度依赖性运输，类似于某些低载流子密度系统中的实验结果。
2011-09-19 cond-mat.str-el
Conducting phase in the two-dimensional disordered Hubbard model
研究了二维无序哈伯德模型的电导率和自旋磁化率随温度的变化。使用量子蒙特卡罗方法计算电流-电流相关函数表明，电子之间的排斥可以显着提高电导率，并在低温下改变$dσ/dT$的符号从积极的（绝缘行为）到消极的（导电行为）。这一结果表明，金属相的可能性，并因此金属-绝缘体过渡，在一个二维的微观模型包含相互作用和无序。金属相是具有局部矩的非费米液体，如从$χ(T)$的类居里温度依赖性推导出的。
1999-10-21 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Mott physics in $2p$ electron dioxygenyl magnet : O$_{2}$$M$F$_{6}$ ($M$=Sb, Pt)
采用第一性原理电子结构能带方法研究了由两个强关联电子组成单元O $_{2}^{+}$和$M$ F $_{6}^{-}$八面体组成的O $_{2}$ $M$ F $_{6}$（$M$ =Sb，Pt）的电子结构和磁性.对于O $_{2}$ SbF $_{6}$，作为O $_{2}$ PtF $_{6}$的参考系，我们证明了O（2 $p$）电子的库仑关联驱动Mott绝缘态.对于O $_{2}$ PtF $_{6}$，我们证明了Mott绝缘态是由O（2 $p$）和Pt（5 $d$）电子的库仑关联和Pt（5 $d$）态的自旋轨道（SO）相互作用共同作用引起的. SO相互作用在形成O $_{2}$ PtF $_{6}$的Mott绝缘态中的作用类似于Sr $_{2}$ IrO $_{4}$的情况，Sr $_{2}$ IrO $_{4}$是具有J $_{eff}=1/2$的SO诱导Mott系统的原型。
2011-03-01 cond-mat.str-el
Measurements of the Complex Conductivity of NbxSi1-x Alloys on the Insulating Side of the Metal-Insulator Transition
我们在绝缘区对非晶Nb_x Si_{1-x}样品进行了温度和频率相关的输运测量。我们发现一个温度依赖性的直流电导率与可变范围跳跃在库仑玻璃一致。毫米波频率范围内的频率相关响应可以用指数略小于1的表达式$sigma(omega) \propto (-\imath omega)^alpha$来描述。我们的交流结果与现有的跳跃输运理论不一致。
2002-07-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Power law Kohn anomaly in undoped graphene induced by Coulomb interactions
声子色散一般显示非解析点，称为科恩异常，由于电子-声子相互作用。我们分析了这种现象的带边界声子在未掺杂的石墨烯。当考虑耦合常数为$β$的电子-电子相互作用时，可以观察到电子处于临界相的行为：声子色散和寿命随$β$相关指数的幂律行为。对这种特征的观察将允许实验获得电子态的临界性质，并将提供其接近激子绝缘相的测量。
2012-02-14 cond-mat.str-el
Band insulator to Mott insulator transition in a bilayer Hubbard model
用集团动力学平均场论研究了双层膜中半满排斥哈伯德模型的基态相图。对于弱到中间值的库仑排斥$U$，该系统经历了一个过渡，从莫特绝缘相的金属相，然后到带绝缘相的层间跳跃增加。在强耦合的情况下，该模型表现出直接交叉从莫特绝缘相带绝缘相。这些结果是强大的相对于存在或不存在的磁性秩序。
2007-03-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Lectures on insulating and conducting quantum spin liquids
Department of Physics, Harvard University（哈佛大学物理系）；Center for Computational Quantum Physics, Flatiron Institute（Flatiron研究所计算量子物理中心）；The Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics（阿卜杜斯·萨拉姆理论物理国际中心）
本文回顾了分数量子自旋液体掺杂形成的FL*态如何解决铜氧化物中赝能隙金属的Yamaji效应和d波超导体的各向异性准粒子速度这两个难题。
2026-07-02 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The quantum Coulomb glass within the Hartree-Fock approximation
我们研究了电子-电子相互作用对无序材料电子性质的影响。特别是，我们考虑了金属-绝缘体过渡的绝缘侧，其中屏蔽击穿，电子-电子相互作用保持长程。这些调查是基于量子库仑玻璃，无序绝缘体的经典库仑玻璃模型的推广。通过Hartree-Fock近似解耦库仑相互作用并精确对角化剩余的局域化问题，研究了量子库仑玻璃。我们研究了库仑能隙在接近金属-绝缘体相变时的态密度行为，并研究了相互作用对电子局域化的影响。我们发现，相互作用导致在费米能级的本地化的增强。
1997-04-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
The influence of Coulomb Correlations and Spin-Orbit Coupling in the electronic structure of double perovskites Sr$_2$XOsO$_6$ (X$=$Sc, Mg)
我们利用基于密度泛函理论和动力学平均场理论的从头计算方法研究了最近发现的双钙钛矿结构Sr $_2$ XOsO $_6$（X $=$ Sc，Mg）的反铁磁绝缘态，阐明了电子关联和自旋轨道耦合之间的相互作用. Sr $_2$ XOsO $_6$（X $=$ Sc，Mg）的结构细节诱导了增强局域电子关联的带变窄效应。Sr $_2$ ScOsO $_6$中Os的半满$5d^3$轨道属于磁有序关联区，自旋-轨道耦合对其影响很小。Sr $_2$ MgOsO $_6$中Os的电子构型$5d^2$对电子相关性的响应不同，在相同的电子相互作用强度下，促进比Sr $_2$ ScOsO $_6$更少的局域态。我们发现，列入自旋轨道耦合驱动器的Sr $_2$ MgOsO $_6$绝缘行为，并促进了大的趋势，在形成轨道磁化反平行的自旋矩。AFM态的形成与Sr $_2$ XOsO $_6$（X $=$ Sc，Mg）顺磁溶液中相关Hubbard带的证据有关。
2016-11-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrodynamics of a Coulomb Glass in n-type Silicon
本文报道了非补偿n型硅电导率随频率变化的实部和虚部的光学测量结果。实验是在量子极限，$ \hbarω> k_{B}T$，在金属-绝缘体转变（MIT）的绝缘侧上的宽掺杂范围内完成的。所观察到的低能量线性频率依赖性显示出与库仑玻璃理论一致的特性，但实部和虚部的相对大小存在差异。在较高的能量，我们观察到一个交叉的二次频率依赖性，比预期的更尖锐，在整个掺杂剂范围。的浓度依赖性给出的证据表明，库仑相互作用能是相关的能量尺度，确定这种交叉。
2002-10-21 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
