Conducting interfaces between band insulating oxides: the LaGaO3/SrTiO3
我们表明，异质结构的LaGaO 3/SrTiO 3的生长产生了一个高导电界面的形成。我们的样品通过高分辨率电子显微镜进行了仔细分析，以评估其晶体完整性并评估界面的平整度。通过与LaAlO 3/SrTiO 3的载流子密度和方块电阻的比较，发现了它们的超导转变，这为拓宽极性-非极性界面的研究开辟了新的途径，对它们的物理基础提出了一些唯象的约束，并为通过选择合适的极性材料来调整它们的性质以适应未来的应用提供了可能。
2010-10-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Slow quench dynamics of Mott-insulating regions in a trapped Bose gas
我们研究了相互作用强度随时间线性变化的玻色气体中Mott绝缘区的动力学。所考虑的玻色子气体被加载到光晶格中并被限制在抛物线捕获势。涉及两种情况：随着相互作用的增强，超流气体中Mott畴的形成，随着相互作用强度的降低，它们的熔化。在第一种情况下，取决于局部填充，莫特绝缘屏障可以发展并阻碍整个系统的密度和能量传输。在第二种情况下，密度和局部能量调整迅速，而长范围的相关性需要更长的时间来解决。对于这两种情况下，我们考虑的时间演化的各种可观的：本地密度和能量，和它们各自的电流，本地压缩性，本地过剩能量，热量和单粒子散射。这些观测量的演变是使用时间相关的密度矩阵重整化群技术和Gutzwiller近似内完成的时间演化的比较。
2011-11-17 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Field induced conducting state in Mott insulator
电子-电子排斥，一方面，可以导致绑定对，它有很大的有效质量。另一方面也是造成莫特绝缘体。研究了交错磁场对哈伯德模型的影响。我们发现在共振交错场作用下，可以形成一个具有较大能量带宽的束缚对，其能量带宽为哈伯德排斥强度的一半。相应地，系统表现出以下动力学行为：（i）当施加电场时，发生快速束缚对Bloch振荡，同时单个电子被冻结。(ii)当在初始反铁磁Mott绝缘态上施加一个淬灭共振场时，最终态变为双光子导电态，表现为非零的$η$相关器和较大的电荷涨落.我们的研究结果表明，电子-电子关联和调制外场的协同作用可以诱导新的猝灭动力学。
2021-08-27 cond-mat.str-el
Unconventional Fermi surface in an insulating state
绝缘体有多种形式，最近的一个发现是一类拓扑绝缘体，它的导电表面与绝缘体并列。在这里，我们报告了一个不寻常的绝缘状态的观察与电绝缘体，同时产生大量的量子振荡与非常规费米液体的特性。我们提出了量子振荡测量的高纯度单晶的近藤绝缘体SmB6，这揭示了量子振荡频率特性的一个大的三维传导电子费米面类似的金属稀土六硼化物，如PrB6和LaB6的磁矩。量子振荡幅度在低温下强烈增加，出现显着的差异与传统的金属行为。
2015-07-04 cond-mat.str-el
Superconductor-like effects in an AC driven normal Mott-insulating quantum dot array
本文利用解析Keldysh场论方法研究了交流驱动下耗散莫特绝缘体系统的电流响应，该系统是一个普通的量子点阵列。在莫特绝缘体区域深处，非平衡稳态（NESS）响应类似于一个反向分流的约瑟夫森阵列，随着驱动频率Ω的增加，非平衡Mott绝缘体向导体过渡。NESS在导电阶段的抗磁分量是异常的，意味着负电感，这让人联想到具有负相位刚度的约瑟夫森阵列的η-配对阶段。然而，在存在额外的DC场的情况下，超导的签名-夏皮罗步骤-是完全不存在的。我们将这些性质解释为与约瑟夫森系统共享的数相涨落效应，而不是超导性。
2020-12-14 cond-mat.str-el
Conduction properties of extended defect states in Dirac materials
我们证明了在石墨烯中的线性缺陷附近的局域态的存在。这些状态具有绝缘或导电特性。绝缘态形成一个平坦的能带，而导电态呈现出群速度的减慢，这不是由多体相互作用引起的，而是由界面性质控制的。对于适当的边界条件，导电状态表现出动量谷锁定和保护从背散射效应。这些发现为最近关于石墨烯中相关相起源的讨论做出了贡献。
2019-07-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Insulating phases of electrons on a zigzag strip in the orbital magnetic field
我们考虑了在轨道磁场中，两条腿的三角形阶梯上的半满电子。在没有场的双带体系中，电子系统在弱相互作用下保持导电，因为没有四费米子Umklapp项。我们发现，在轨道场的存在下，有一个四费米子Umklapp和它总是相关的排斥相互作用。因此，在这个特殊的阶梯中，轨道磁场和相互作用的组合提供了一种机制，以驱动金属-绝缘体转变已经在弱耦合。我们讨论可能产生的相位C 0 S2和各种C 0 S1和C 0 S 0的属性。
2010-11-17 cond-mat.str-el
Charge-density-wave phases of the generalized t-V model
晶格上费米子的一维扩展t-V模型是一个具有有限程排斥相互作用的模型，它表现出从Luttinger液体导电相到Mott绝缘相的转变。众所周知，通过调整绝缘系统的势能，可以迫使相变进入另一个绝缘相。我们展示了如何在原子极限的低临界密度下构造系统的所有可能的电荷密度波相位。更高的临界密度调查的Fock状态的可能的有限单元格的蛮力分析。
2016-04-27 cond-mat.str-el
Non-contact mutual inductance based measurement of an inhomogeneous topological insulating state in Bi2Se3 single crystals with defects
纯拓扑绝缘材料保持了独特的电子状态，包括体绝缘间隙和导电表面状态。在这里，我们使用具有Se空位缺陷的大块Bi 2Se 3单晶作为原型拓扑绝缘体（TI）材料，以探索非磁性无序对TI导电性能的影响。我们采用了一种敏感的，非接触式，互感为基础的技术，用于测量的表面和散装贡献的导电性的TI。我们辨别不同的贡献，通过观察，占主导地位的表面导电产生线性频率依赖的拾取信号，而体电导率引起二次频率依赖。我们还看到了一个代数温度依赖的表面电导率，而激活体电导率。使用上述内容，我们揭示了表面和体积之间的相互作用，在TI的电导率作为温度的函数的贡献。在Bi_2Se_3晶体中，电输运由表面为主转变为体相为主的转变发生在接近70K的温度。该温度范围与我们从活化的体电传输结果得到的结果很好地匹配，该结果显示了在毫电子伏特范围内的活化能标度，δ。的间隙增量是远远小于体带隙Bi2Se3，我们认为这是与TI材料中的缺陷态。为了理解我们的结果，我们提出了一个模型的TI包括一个不均匀的低导电介质（散装），夹在薄的两个高导电片（表面）。非均匀TI状态，我们认为是由硒空位缺陷Bi2Se3，这是负责产生体和表面导电性之间的相互作用。
2019-08-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fragility of the A-type AF and CE Phases of Manganites: An Exotic Insulator-to-Metal Transition Induced by Quenched Disorder
利用蒙特卡罗模拟和锰氧化物的双eg轨道模型，分析了在t2 g局域自旋和在位能之间的超交换JAF中引入淬火无序时，CE和A型反铁磁绝缘态的稳定性.在消失或小值的电子-（Jahn-Teller）声子耦合，以前暗示的“脆弱性”，这些绝缘状态的详细研究，专注于他们的电荷传输特性。这种脆弱性是在这里发现，以诱导从绝缘体的快速过渡到一个（穷人）的金属状态时，引入的障碍。一个可能的定性解释的铁磁金属相的能量接近的基础上，也在大的无序强度有效的解释性的想法。该方案与先前讨论的绝缘体到金属的过渡在其他上下文中进行了比较。有人认为，这里揭示的效应具有独特的性质，可能会定义一类新的巨型效应在复杂的氧化物。这种特别严重的无序效应在其他材料中也一定存在，在涉及作为非常不同的倾向之间的折衷而出现的相的情况下，就像在铜氧化物中发生的条纹状态一样。
2006-03-07 cond-mat.str-el
Quantum transitions from superfluid to insulating phases in disordered Bose systems
以海森堡$d$维无序无阻挫反铁磁体为例，讨论了$d\ge2$从磁有序（超流）到各种无序诱导绝缘相（玻色玻璃、莫特玻璃等）的量子跃迁.在玻色系统中，我们进行了缩放的考虑，以及讨论的基础上的流体动力学描述的长波长激发和假设的有序部分的系统显示分形特性附近的过渡点。我们建议，标度anadorm的奇异部分的自由能之前建议的玻色玻璃相的过渡也适用于其他过渡，如果淬火无序不产生局部不平衡的亚晶格磁化。我们表明，使用缩放的考虑，$η=2-z$和$β=νd/2$，其中$η$，$β$，和$ν$，是关联函数的临界指数，顺序参数，和相关长度，分别和$z$是动力学临界指数。这些关系在以前的玻色玻璃和莫特玻璃相的分析讨论中被遗漏了。它们特别表明，$z=d/2$用于过渡到莫特玻璃相，并且局域激发态密度显示出超普遍性（即，独立于$d$）在转变附近的行为。仅从标度分析导出，$η$和$β$的上述关系对于向随机单态相的转变也是有效的。
2023-02-24 cond-mat.str-el
One-dimensional Quantum Wire Formed at the Boundary Between Two Insulating LaAlO3/SrTiO3 Interfaces
我们生长的瓷砖结构的绝缘二维LaAlO 3/SrTiO 3界面组成的交替的一个和三个LaAlO 3晶胞。两块瓷砖之间的边界是导电的。在低温下，该电导表现出作为指示一维沟道的栅极电压的函数的量化步骤。半量子电导的步长是不存在自旋简并的证据。
2014-04-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
New insulating phases of two-dimensional electrons in high Landau levels: observation of sharp thresholds to conduction
最近在高迁移率二维电子系统的高朗道能级中发现的有趣的重入整数量子化霍尔态被发现表现出非常非线性的输运。在小电流下，这些状态反映了最高朗道能级中电子的绝缘行为。然而，在较大的电流，观察到一个不连续的和滞后的过渡到一个导电状态。这些现象，发现只有在非常狭窄的磁场范围内，是暗示的电荷密度波状态的脱钉，但其他的解释也可以构建。
1999-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Effect of Tilted Magnetic Field on the Anomalous H=0 Conducting Phase in High-Mobility Si MOSFETs
磁场对高迁移率硅MOSFET中反常H=0导电相的抑制与磁场与二维电子系统平面之间的夹角无关。在一个足够大的平行场完全淬灭的异常导电相的存在下，该行为是类似的无序GaAs/AlGaAs异质结构：该系统是绝缘的零（垂直）场，并表现出凹入绝缘体-量子霍尔效应-绝缘体转变作为垂直场的函数。结果表明，低T相的抑制只与电子的自旋有关。
1997-09-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Electronic characteristics of ultrathin SrRuO$_3$ films and their relationship with the metal$-$insulator transition
已知SrRuO $_3$（SRO）膜在其厚度接近四个晶胞时表现出绝缘行为。我们采用电子能量$-$损失（EEL）光谱探测绝缘和导电SRO的空间分辨的电子结构，将它们与金属$-$绝缘体转变（MIT）。重要的是，中间层的绝缘膜的金属SRO表现出不同的功能。此外，EEL近边光谱邻近的SrTiO $_3$（STO）衬底或覆盖层是非常相似的STO。基于密度泛函理论的$-$位投影态密度部分反映了这些层的光谱特征。这些结果可能提供重要的信息STO的可能影响的电子状态的STO。
2017-12-14 cond-mat.str-el
Superconducting transition at 38 K in insulating-overdoped La2CuO4-La1.64Sr0.36CuO4 superlattices: Evidence for interface electronic redistribution from resonant soft x-ray scattering
我们利用共振软X射线散射（RSXS）对绝缘的La_2CuO_4（LCO）和过掺杂的La_{2-x} Sr_{x} CuO_4（LSCO）超晶格中的空穴分布进行了定量研究。尽管它的非超导成分，这种结构是超导的，T_{c} =38 K。我们发现，导电空穴重新分配电子从LSCO到LCO层。LCO层被发现是最佳掺杂的，这表明它们是超导性的主要驱动因素。我们的研究结果表明RSXS的效用，从氧化物界面的结构效应分离电子。
2009-02-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Softening of the insulating phase near Tc for the photo-induced insulator-to-metal phase transition in vanadium dioxide
利用光泵太赫兹探测光谱研究了二氧化钒薄膜中光致绝缘体-金属（IM）跃迁的近阈值行为。在接近Tc时，观察到驱动IM转变所需的注量减少，这与由于金属体积分数增加（低于逾渗极限）而导致的绝缘状态软化一致。这种相共存促进了均匀金属导电相的生长，随后通过光激发过热。一个简单的动力学模型，使用Bruggeman有效介质理论描述所观察到的初始条件的敏感性。
2007-10-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of Spin Correlations on Multi-orbital Metal-Insulator Transitions and Suppression of Orbital Selective Mott Transitions
利用Kotliar-Ruckenstein从玻色子方法研究了自旋关联对双轨道哈伯德模型中金属-绝缘体跃迁的影响.在非对称半填充情况下，随着库仑关联的增加，两个轨道同时从导电态过渡到绝缘态，并伴随着顺磁（PM）-反铁磁（AFM）转变.在PM条件下发现的轨道选择性Mott跃迁在很宽的相关范围内被完全抑制，尽管它可能存在于远离半填充的系统中。在绝缘状态下，系统从中间相关区的部分极化自旋能隙相过渡到强相关区的几乎全极化Mott绝缘相。这些结果表明自旋对准粒子谱的调制在多轨道关联系统中带来了更丰富、更有趣的MIT情节。
2011-05-25 cond-mat.str-el
Electric pulse induced electronic patchwork in the Mott insulator GaTa$_{4}$Se$_{8}$
继最近发现的绝缘体到金属的转变由电场诱导的GaTa $_{4}$ Se $_{8}$，我们进行了详细的扫描隧道显微镜/光谱研究的原始（绝缘）和过渡（导电）晶体的这种窄间隙莫特绝缘体。光谱图表明，原始样品是空间均匀的绝缘体，而过渡样品揭示了在纳米尺度上的复杂的电子图案，由金属和超绝缘补丁沉浸在原始绝缘矩阵。令人惊讶的是，这两种补丁都伴随着强烈的局部地形膨胀，从而证明了在这种金属-绝缘体过渡中涉及的强电子-晶格耦合。最后，利用一个强大的电场产生的STM隧道结，我们证明了可能性，即使在室温下，局部的金属-绝缘体转变。
2013-04-29 cond-mat.str-el
Alkali specific effects in superconducting fullerides: the observation of a high temperature insulating phase in Na_2CsC_60
电子自旋共振（ESR）和光学反射率的测量结果表明，在300 K以上，当系统从低温简立方结构转变为高温{ \it fcc}结构时，Na_2CsC_（60）发生了金属-绝缘体转变。考虑到其他明显同构的富勒烯化合物（如K_3C_60）的金属特性，非导电电子态尤其出人意料。在Na_2CsC_（60）中出现这一相，说明在描述碱掺杂富勒烯的电子性质时，碱的特殊效应是不可忽略的。我们讨论了绝缘态的起源以及我们的结果与观察到的Na_2AC_60富勒烯的超导转变温度的异常的相关性。
2000-02-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interaction induced Fermi-surface renormalization in the $t_1{-}t_2$ Hubbard model close to the Mott-Hubbard transition
利用一种成熟的变分Monte Carlo方法，包括距离依赖的Jastrow因子和回流关联，研究了一维半满$t_1{-}t_2$哈伯德模型中相互作用驱动的Mott-Hubbard跃迁的性质.我们提出的数据的磁性能的演变跨越莫特-哈伯德过渡和相称的绝缘状态中的无公度过渡。通过对重整化激发谱的分析，我们发现在绝缘态下，费米面在Mott-Hubbard跃迁处重整化为完美的嵌套，而在进入导电态时，费米面发生了一级重组。
2010-05-11 cond-mat.str-el
Interaction-Driven Filling-Induced Metal-Insulator Transitions in 2D Moiré Lattices
使用一个现实的扭曲WSe $_2 $材料的能带结构，我们开发了一个理论的相互作用驱动的相关绝缘体导电金属过渡通过调整的填充因子周围相称分数填充的莫尔晶胞在二维蜂窝晶格，专注于占主导地位的半填充莫特绝缘状态，它存在于长距离和短距离的相互作用。我们发现金属状态稍微远离半填充，最近已经观察到的实验。我们讨论的稳定性和所产生的绝缘和金属相的磁性能，并评论他们的实验签名。我们还讨论了在有理分数填充下相关绝缘体态的性质。
2021-08-24 cond-mat.str-el
Conducting phase in the two-dimensional disordered Hubbard model
研究了二维无序哈伯德模型的电导率和自旋磁化率随温度的变化。使用量子蒙特卡罗方法计算电流-电流相关函数表明，电子之间的排斥可以显着提高电导率，并在低温下改变$dσ/dT$的符号从积极的（绝缘行为）到消极的（导电行为）。这一结果表明，金属相的可能性，并因此金属-绝缘体过渡，在一个二维的微观模型包含相互作用和无序。金属相是具有局部矩的非费米液体，如从$χ(T)$的类居里温度依赖性推导出的。
1999-10-21 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Strongly correlated fermions after a quantum quench
利用自适应含时密度矩阵重整化群方法，研究了一维晶格上强关联无自旋费米子在相互作用强度突变后的时间演化.对于某些参数值，两个不同的初始状态（例如，金属的和绝缘的），导致在弛豫之后变得不可区分的可观察量。我们发现，由此产生的准定态是非热的。这一结果适用于系统的可积和不可积变体。
2007-05-30 cond-mat.other cond-mat.str-el
Electrostatics of Edge States of Quantum Hall Systems with Constrictions: Metal--Insulator Transition Tuned by External Gates
本文讨论了Roddaro等人[1]最近的实验中报道的在整数体填充时具有点收缩的量子霍尔（QH）系统中由外部门调谐的金属-绝缘体跃迁的性质。我们在这里特别关注的绝缘行为-在高栅电压下引起的背散射增强现象。这里进行的QH系统与分裂门的静电计算表明，意见是不是一个结果的interedge附近的点接触的相互作用。我们将背散射增强的现象归因于整数边缘分裂成导电和绝缘条纹，这使得在点接触处发生分数带电准粒子的更相关的背散射过程。对于实验中使用的参数值，我们发现导电通道被绝缘条隔开很远，并且它们的存在显着改变了边缘的低能动力学。沟道间杂质散射不会强烈影响隧穿指数，因为它们被发现是无关的过程在低能量。在点接触处的后向散射指数不受通道间库仑相互作用的影响，因为所有通道具有相同的传播手性。
2007-01-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Onset of an Insulating Zero-Plateau Quantum Hall State in Graphene
我们分析了强磁场中出现在未掺杂石墨烯中的零平台量子霍尔态的耗散电导。在这种状态下的电荷输运被假定为由磁畴壁进行，该磁畴壁由由于相互作用而形成的相反自旋的两个反向传播边缘状态的杂交形成。由此产生的非手性边缘模式是参数K的Luttinger液体，其在低于临界值K_c \approx 1/2时进入带隙的理想导电状态。该系统中的背散射涉及自旋翻转，使得与局部磁矩的相互作用经由“手性近藤效应“产生有限电阻率R_{xx}。在有限温度T下，当K在阈值K_{MI}上调谐时，R_{xx}（T）表现出从金属到绝缘行为的交叉。对于T->0，在中间区域K_{MI} <K<K_c中的R_{xx}是有限的，但随着K接近K_c而发散.这个模型为最近的实验提供了一个自然的解释。
2009-05-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Interplay between conducting and magnetic systems in the antiferromagnetic organic superconductor $κ$-(BETS)$_2$FeBr$_4$
本文研究了分子电荷转移盐$κ$ -（BETS）$_2$ FeBr $_4$的有机给体层提供的传导电子系统和绝缘层中局域的磁性系统的相互影响。结果表明，除了高场重入超导态外，两个系统之间的相互作用对低场超导性也起着重要的作用。正常态载流子与磁系统的耦合反映在磁量子振荡中，并且可以基于振荡的角度相关拍频行为来评估。另一方面，传导电子对磁系统的影响，通过压力引起的材料磁相图的变化来揭示。
2016-08-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum anomalous Hall domains in a Quenched Topological Mott Insulator
本研究针对拓扑莫特绝缘相关的相互作用无自旋二次能带接触模型，通过含时Hartree-Fock模拟探究相互作用淬冷后的演化过程，发现系统会形成带手性边界电流的量子反常霍尔畴结构。
2025-05-21 cond-mat.str-el quant-ph
Phase Diagram and Quench Dynamics in a Spinful Interacting Kitaev Chain
我们考虑一个精确可解的相互作用的自旋Kitaev链，这是一个推广的Mattis-Nam模型。最近邻的二聚化相互作用有利于产生不相交的分子，从而使量子相变为绝缘相。的相位的特征在于静态和动态的磁化强度和自旋单重态的相关性，通过使用精确的解决方案。该模型被证明是完全可解的边界相互作用的存在下，这是起源于一个自旋单态超导配对和磁场。我们利用精确的解决方案，调查由于在边界处淬火的平衡动力学。在最近邻磁对和自旋单重态对中，扰动的传播表现出不同速度的长时间弹道行为。
2019-12-03 cond-mat.str-el quant-ph
Lectures on insulating and conducting quantum spin liquids
Department of Physics, Harvard University（哈佛大学物理系）；Center for Computational Quantum Physics, Flatiron Institute（Flatiron研究所计算量子物理中心）；The Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics（阿卜杜斯·萨拉姆理论物理国际中心）
本文回顾了分数量子自旋液体掺杂形成的FL*态如何解决铜氧化物中赝能隙金属的Yamaji效应和d波超导体的各向异性准粒子速度这两个难题。
2026-07-02 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Poly-MTO, {(CH_3)_{0.92} Re O_3}_\infty, a Conducting Two-Dimensional Organometallic Oxide
聚合甲基三氧合铼，{（CH_{3}）_{0.92} ReO_{3} }_{ \infty }（poly-MTO），是一类新的有机金属杂化物的第一个成员，它在二维（2D）中采用了经典钙钛矿的结构模式和物理性质。我们演示了如何聚-MTO的电子结构可以通过插入有机供体分子，如四硫富瓦烯（TTF）或双-（亚乙基二硫代）-四硫富瓦烯（BEDT-TTF），并通过无机受体SbF $_3$定制。供体分子的整合导致聚-MTO的更绝缘的行为，而SbF $_3$插入不引起电阻率的任何显著变化。纯聚-MTO的电阻率数据是非常好地描述了一个二维电子系统。在38 K以下，观察到与掺杂铜酸盐中发现的类似的不寻常的电阻率行为：电阻率在低于2 K时转变为$\sqrt{T}$依赖性之前，最初大约以$ρ\sim$（$(1/T$）的形式增加。作为一种解释，我们建议从纯粹的二维电荷载流子扩散的\{ReO $_2$ \} $_{\infty}$平面在高温下的三维扩散在低温下的无序增强的电子-电子相互作用的情况下（Altshuler-Aronov校正）的交叉。此外，线性正磁阻被发现在绝缘制度，这是由于在一些Re原子，正式采用$5d^1$电子配置的巡回电子的空间本地化。X射线衍射，IR和ESR研究，温度依赖的磁化强度和比热测量在各种磁场中表明，聚-MTO的电子结构可以安全地近似为一个纯粹的二维导体。
2005-12-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A quench-cooling procedure compared with the gate-protocol for aging experiments in the Electron-Glass
安德森绝缘氧化铟薄膜激发远离平衡表现出各种记忆效应，包括老化。最近已经证明，在这个系统中使用两个不同的实验方案的全面老化。第一种（栅极协议）采用MOSFET结构，并涉及两个栅极电压之间的切换。在不同的程序中，系统经受非欧姆纵向场F持续等待时间tw，并且在场切换回到其线性响应值之后监测G的弛豫。在本文中，我们描述了另一个协议，涉及测量的系统，已被“老化”在一些低温TL的持续时间tw后，它是淬火冷却从高温TH的响应。与之前的方案一样，该过程导致完全老化行为。指出了淬火冷却方案的优点和不足。老化实验的结果的基础上更好地控制，门协议进行了不同的系统进行了比较和讨论
2006-10-31 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Evidence of topological Kondo insulating state in MoTe2/WSe2 moiré bilayers
本文在MoTe2/WSe2莫尔双层中实验证实了二维拓扑近藤绝缘态，通过构建近藤耦合的Mott绝缘体与巡游能带，观察到低温绝缘体体态与螺旋边缘态，为莫尔材料中可调拓扑近藤物理研究开辟了新途径。
2025-07-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Imaging field-tuned quantum Hall broken-symmetry orders and quantum Hall conducting channel in charge-neutral graphene WSe2 heterostructure
石墨烯中的第零朗道能级（0 LL）已经成为一个平带平台，通过简单地调整磁场的强度和/或方向，可以以前所未有的控制探索不同的多体相。当石墨烯中的OLL被半填充时，预测在高磁场中实现具有不同晶格尺度破缺级的丰富的量子霍尔铁磁（QHFM）相1 - 8，13 -16。在这里，我们报告了一个场调谐的连续量子相变的不同谷排序QHFM的电荷中性石墨烯绝缘二硒化钨（WSe 2）。在半充满的0 LL中，反常的依赖于场的能隙清楚地揭示了相变。通过对相变过程中电子波函数的原子分辨率成像，我们观察到了场调谐的连续变化的谷极化和谷反转的微观特征，这是出乎意料的，超出了目前的理论预测。此外，拓扑量子霍尔导电沟道的石墨烯直接成像时，衬底（WSe 2）引入带弯曲的OLL。
2021-12-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Energy drag in particle-hole symmetric systems as a quantum quench
两个仅通过相互作用耦合的导电量子系统可以表现出库仑阻力现象，其中通过一层的电流可以拉动另一层的电流。然而，在具有粒子-空穴对称性的系统中--例如，半填充的哈伯德模型或狄拉克点附近的石墨烯--库仑拖曳效应在相互作用中消失到主导顺序。它的热类似物，即一层中的热流拉动另一层中的热流，不会消失，并且确实是粒子-空穴对称系统中阻力的主要形式。通过研究量子淬火，我们表明，热阻力，不像电荷阻力，显示非费米的黄金法则增长在短时间内由于对数散射奇异性通用的一维。利用哈伯德模型的可积性，我们得到了弱相互作用的猝灭的长时间极限。最后，我们评论在高维系统中的热阻力效应。
2019-12-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electron transfer and ionic displacements at the origin of the 2D electron gas at the LAO/STO interface: Direct measurements with atomic-column spatial resolution
两种带隙绝缘体LaAlO_3和SrTiO_3之间的界面具有高导电性的发现引起了氧化物电子学领域的极大兴趣。LAlO 3/SrTiO 3界面可以使用电场进行调谐，并从超导状态切换到绝缘状态。绝缘背景中的导电路径可以用原子力显微镜的尖端施加电压来写入，为新一代纳米电子器件的发展创造了巨大的希望。然而，在LaAlO 3/SrTiO 3界面导电性的机制仍然难以捉摸。基于本征电荷转移（电子重构）的理论解释受到基于点缺陷的替代描述的强烈挑战。在这项工作中，由于现代像差校正的电子探针与原子尺度的空间分辨率，界面电荷和原子位移起源的电场内的系统可以同时测量，产生前所未有的实验证据，有利于一个内在的电子重建。
2012-06-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-Kondo insulating transitions and transport in one dimension
我们研究了可能发生在一维近藤晶格中的两种不同的金属绝缘跃迁。首先，我们展示了如何掺杂纯近藤晶格模型在强耦合极限，结果在Pokrovsky-Talapov转变。这产生了一个导电状态的电荷磁化率发散的掺杂，这似乎与数值数据。其次，在弱耦合区，由于后向近藤散射的重正化，近藤绝缘跃迁出现。在这里，近藤效应和电子-电子相互作用之间的相互作用引起了显着的现象，在高温离域（弹道）制度的运输。对于排斥相互作用，作为一个完美的签名近藤本地化，电导率被发现随温度单调下降。当相互作用变得有吸引力时，电子（Luttinger型）液体中的自旋波动突然降低。后者是本地化的磁性杂质比排斥的对应物，因此，在德鲁德重量和电导率的最大值出现在近藤绝缘相的入口处的一个大的跳跃。这些可以被看作是s波超导性的残余，产生了足够的吸引力的相互作用。在单杂质模型的运输比较也进行了。最后讨论了随机分布磁缺陷的情况，以及在介观环持续电流中的应用。
2000-06-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
