Crystalline electric field effects in the electrical resistivity of PrOs$_4$Sb$_{12}$
最近发现的重费米子超导体\PrOsSb{}的电阻率$ρ$的温度$T$和磁场$H$的依赖关系具有与晶体电场（CEF）分裂Pr $^{3+}$ Hund规则多重态相关的特征。这些功能显然是由于磁交换和非球面库仑散射的热填充CEF分裂Pr $^{3+}$能级。零磁场下的$ρ(T)$数据可以通过基于CEF理论对不同磁交换比和非球面库仑散射的计算得到很好的描述，并得到与以前由磁化率、比热和非弹性中子散射测量得到的CEF参数定性一致的CEF参数。计算的$ρ(H)$等温线的$Γ_{3}$基态定性占“圆顶形”的功能，在测量的$ρ(H)$等温线。
2003-03-21 cond-mat.str-el
Crystalline-Electric-Field Effect on the Resistivity of Ce-based Heavy Fermion Systems
采用Nagoya的1/ $N$展开方法研究了Ce基重费米子系统的电阻率行为，其中$N$是f电子的自旋轨道简并度.对辅助粒子进行1/ $N$ -展开，并对每一个1/N阶满足严格的局部约束条件.通过在每个温度下自洽地求解格林函数的耦合戴森方程，可以在整个温度范围内计算物理量。这种1/N-展开方法被认为是提供渐近精确的结果的物理量的行为在低和高能量区域时，它被应用到一个单一的轨道周期性安德森模型（PAM）。在考虑晶体电场分裂的单导带广义PAM模型的基础上，通过将压力的影响参数化为导带电子和f电子之间的杂化参数的变化，计算了电阻率的压力依赖性.本研究的主要结果是，双峰结构的$T$ -依赖的电阻率被示出合并成一个单峰结构随着压力的增加。
2006-06-15 cond-mat.str-el
Field-induced non-Fermi-liquid resistivity of stoichiometric YbAgGe single crystals
通过测量14 T磁场下单晶电阻率ρ随磁场和温度的变化关系，研究了低至70 mK的六方晶系YbAgGe。我们的结果扩展了H-T相图的最低温度为H施加在基面和沿c轴。特别是，几个磁相位的抑制的临界字段被确定。rho（T）的温度依赖性是不寻常的：而在低H下，rho（T）显示温度指数n>=2，我们发现1<=n<1.5，并且rho（T）的温度依赖性在接近和超过每个场方向的最高临界场时强烈增强。对于在基面中施加的H，在高场下，ρ（T）的传统T^2依赖性在10 T以上达到，伴随着剩余电阻率的强烈下降接近饱和。YbAgGe似乎是少数Yb基化学计量系统之一，其中量子临界行为可以由磁场诱导。
2006-02-01 cond-mat.str-el
Temperature dependent electrical resistivity of a single strand of ferromagnetic single crystalline nanowire
在3 K-300 K温度范围内，用四探针法测量了直径为55 nm的单股铁磁镍纳米线的电阻率。所用的金属丝是化学纯的，是高质量的取向单晶样品，其中与温度无关的剩余电阻率主要由表面散射决定。精确的温度依赖性电阻率（$ρ$）的评估，使我们能够确定定量的电子-声子的贡献（其特征在于德拜温度$θ_R$），以及自旋波的贡献，这是显着抑制尺寸减小。
2009-06-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anomalous Hall effect in trigonal Cr$_5$Te$_8$ single crystal
报道了三方晶系Cr $_5$ Te $_8$（tr-Cr $_5$ Te $_8$）单晶的反常霍尔效应（AHE）和输运性质。电阻率以及塞贝克系数显示出在tr-Cr $_5$ Te $_8$的顺磁-铁磁转变处的明显扭结，这也由热容测量证实。异常霍尔电阻率$ρ^A_{xy}$和纵向电阻率$ρ_{xx}$之间的标度行为在低于$T_c$时是线性的。进一步的分析表明，在tr-Cr $_5$ Te $_8$的AHE是由倾斜散射机制，而不是本征或非本征侧跳机制占主导地位。
2018-11-16 cond-mat.str-el
Crystal growth, resistivity and Hall effect of the delafossite metal PtCoO$_2$
我们报告单晶生长的铜铁矿氧化物PtCoO $_2$，和基本的传输测量单晶蚀刻到定义明确的几何形状，使用聚焦离子束技术。室温电阻率为2.1 $μΩ$ cm，霍尔系数与每个Pt存在一个自由电子一致。虽然剩余电阻率比大于50，但在15 K以下电阻率略有上升。还报道了面内磁电阻的角度依赖性。
2015-10-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant nonlinear conduction and thyristor-like negative derivative resistance in BaIrO3 single crystals
采用熔融助熔剂法合成了单斜BaIrO 3单晶样品，测量了样品的磁化强度、电阻率、塞贝克系数和非线性伏安特性。磁化强度在低于180 K的铁磁转变温度TC时迅速增加，在此温度下，电阻率伴随着显示出驼峰型异常，随后在低于30 K时急剧增加。Seebeck系数在TC以下突然增大，在50 K以下呈线性温度依赖关系。该化合物最显著的特征是在30 K以下观察到异常巨大的非线性导电，其中20 A/cm 2的小电流密度显著抑制电阻率的急剧增加，从而诱导金属导电降低到4 K。
2005-09-16 cond-mat.str-el
Non-linear Temperature Dependence of Resistivity in Single Crystalline Ag$_5$Pb$_2$O$_6$
我们测量了高导电氧化物Ag_5Pb_2O_6单晶的电阻率、比热和磁化率。面外电阻率和面内电阻率都显示出在从室温到室温的异常宽的温度范围内的T^2依赖性。这种行为既不能用电子相关也不能用高频光学声子的电子-声子散射来解释。此外，一个相变与一个大的抗磁信号被发现在交流磁化率，这强烈建议的超导相低于48 mK的存在。
2004-11-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic magnetization and resistivity of single crystalline RNi1-xBi2+-y (R = La-Nd, Sm, Gd-Dy)
通过测量RNi_（1-x）Bi_（2+）-y（R = La-Nd，Sm，Gd-Dy）单晶的化学计量比和温度依赖的磁化率、磁化强度和电阻率，对RNi_（1-x）Bi_（2+）-y单晶进行了详细的研究。该系列形成部分Ni占位以及可变Bi占位。当R = Ce-Nd，Sm，Gd-Dy时，RNi_（1-x）Bi_（2 +-y）化合物在低温下表现出类局域磁矩行为和有序反铁磁性质。测定了RNi_（1-x）Bi_（2+）-y（R = Ce-Nd，Sm，Gd-Dy）的各向异性和反铁磁有序温度。虽然从这个家庭的晶体样品表现出少数，第二相超导在低温下与Ni-Bi和Bi污染，没有证据表明体超导已被观察到。
2012-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quasi-linear `non-metallic' resistivity in the distorted-kagome metal CrPdAs
University of Toronto（多伦多大学）；McMaster University（麦克马斯特大学）
研究CrPdAs单晶的生长与表征，发现其在低温下表现出准线性非金属电阻率特性，同时揭示了其热容量系数和能带结构特征。
2026-04-13 cond-mat.str-el
Normal-state resistivity anisotropy in underdoped RBa_2Cu_3O_{6+x} crystals
我们揭示了重欠掺杂RBa_2Cu_3 O_{6+x}（R=Tm，Lu）单晶的面外电阻率rho_c的新特征，为两种不同的c轴输运机制提供了证据。我们观察到在温度T_m处向“类金属”（d ρ_c/d T > 0）行为的交叉，其随着掺杂的减少而迅速增加。“类金属”电导率贡献在T < T_m处占主导地位，并提供电阻率各向异性的饱和rho_c / rho_{ab}。发现反铁磁有序阻碍了c轴导电性的“类金属”部分和CuO_2面的完全退耦，这可能是超导电性消失的原因。
1998-11-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Resistivity in the Vicinity of a Van Hove Singularity: Sr$_2$RuO$_4$ Under Uniaxial Pressure
本文报道了非常规超导体Sr $_2$ RuO $_4$在单轴压力下的正常态电阻率和超导转变温度$T_c$的综合研究结果。有强有力的证据表明，除了在$\sim$ 3.5 K下驱动$T_c$通过最大值之外，沿着晶体[100]轴的接近1%的压缩应变$\varepsilon$驱动$γ$费米表面片通过Van Hove奇点，将电阻率的温度依赖性从过渡区上方和下方的$T^2$改变为过渡区内的$T^{1.5}$。这发生在极纯的单晶中其中杂质对电阻率的贡献为$<$ 100 n $Ω$ cm，因此我们的研究还强调了单轴压力作为清洁系统中这类物理学的更一般探针的潜力。
2017-09-19 cond-mat.str-el
Insulating nature of strongly correlated massless Dirac fermions in an organic crystal
通过电阻率测量的有机晶体托管无质量狄拉克费米子与电荷有序不稳定性，我们揭示了狄拉克费米子之间的相互作用对电荷输运的影响。一个低温电阻率上升出现鲁棒无关的压力和增强，而接近电荷有序的临界压力，表明绝缘行为起源于短程库仑相互作用。在电荷有序相中观察到明显消失的能隙，这与非拓扑边缘态的理论预言相一致。
2016-02-23 cond-mat.str-el
Magnetic field dependent variable range hopping behaviour in resistivity at low temperatures in polycrystalline colossal magnetoresistive manganites: evidence of spin polarised tunnelling
已经观察到多晶锰氧化物巨磁阻（CMR）的低温磁电阻行为与单晶有显著不同。多晶样品在远低于铁磁转变温度的温度下显示出大的磁阻，其中单晶的磁阻非常小。这通常归因于多晶样品中晶界处的自旋极化隧穿。在本文中，我们表明存在一个可变范围跳跃行为的电阻率在低温下的多晶CMR样品。在施加磁场的情况下，这种行为逐渐受到抑制。我们讨论了这些结果的意义与自旋极化隧道。
1998-05-19 cond-mat.str-el
Interplay of disorder and spin fluctuations in the resistivity near a quantum critical point
在反铁磁量子临界点（QCP）附近的金属电阻率强烈地受到少量无序的影响。在准经典的处理，我们表明，强烈的各向异性散射由于自旋波动和各向同性杂质散射的相互作用导致一个大的制度，电阻率随T^α，与异常指数，α，1 <= α <= 1.5，取决于无序的量。我认为，这一机制在一定程度上详细解释了在QCP附近的CePd_2Si_2，CeNi_2Ge_2和CeIn_3中观察到的电阻率的异常温度依赖性。
1999-05-14 cond-mat.str-el
Crystallographic disorder and electron scattering on structural two-level systems in ZrAs1.4Se0.5
采用化学气相输运法生长了ZrAs1.4Se0.5（PbFCl型结构）单晶。虽然它们的热力学和输运性质对于普通金属是典型的，但电阻率在低温下表现出浅的最小值。施加强磁场不会影响该异常。ZrAs_（1.4）Se_（0.5）电阻率的极小值来源于导电电子与结构二能级系统的相互作用。从X-射线衍射和电子探针研究中推断的As-Se亚结构中的显着的无序。
2005-04-19 cond-mat.str-el
Characterization of YbNi$_4$(P$_{1-{\it x}}$As$_{\it x}$)$_2$, $x = 0, 0.2$ single crystals grown by Czochralski method
研究了用提拉法从悬浮熔体中生长的YbNi $_4$ P $_2$大单晶。新的样品有利于电阻率的绝对值的测定。制备非磁性参考LuNi $_4$ P $_2$的相纯多晶样品，并测量电阻率。此外，我们还生长了As取代化合物YbNi $_4$（P $_{1-{\it x}}$ As $_{\it x}$）$_2$，$x = 0.2$的单晶，并研究了As分布的均匀性。
2016-12-02 cond-mat.str-el
The distinct in-plane resistivity anisotropy in the nematic states of detwinned NaFeAs and FeTe single crystals: evidences for Hund's rule metal
用Montgomery方法研究了铁基超导体的两种去孪晶母体化合物NaFeAs和FeTe的面内电阻率各向异性。对于NaFeAs，在反铁磁（AFM）方向的电阻率小于在铁磁（FM）方向，类似于之前在BaFe 2As 2中观察到的。而对于FeTe，AFM方向的电阻率大于FM方向的电阻率。我们发现这两种相反的电阻率各向异性行为可以归因于强的Hund规则耦合效应：当铁磷属化合物处于巡游区时，Hund规则耦合导致电子结构的强烈重构和向列性; FeTe处于局部区域，其中Hund规则耦合使得沿FM方向的跳跃比沿AFM方向的跳跃更容易，类似于在某些锰氧化物中观察到的巨大磁阻。
2012-10-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic magnetization, specific heat and resistivity of RFe2Ge2 single crystals
我们用Sn助熔剂作溶剂生长了R = Y的RFe_2Ge_2单晶和10个镧系元素（Pr，Nd，Sm，Gd-Tm，Lu）。该方法产生干净、高质量的晶体片，如分别在3-12 μ Ohm cm和20-90范围内的残余折射率和RRR值所证明的。晶体也几乎没有磁性杂质或第二相，允许研究每种化合物的固有各向异性磁性行为。用X射线衍射、温度和磁场依赖的磁化强度、比热和电阻率进行表征。非常强的各向异性所产生的CEF效应，观察到所有的磁性稀土，除Gd。反铁磁有序发生在16.5 K（Nd）和1.1 K（Ho）之间的温度，大致规模与德热内因子的重稀土。对于某些构件，还存在与磁结构的变化相关联的较低温度转变。Tm没有命令下降到0.4 K，似乎是一个范Vleck顺磁体。对于低于70 kOe的场，所有有序度高于2 K的成员在2 K时均表现出变磁转变。计算出的每个稀土原子的有效磁矩与预期的R^3+自由离子值接近，但Sm在顺磁状态下表现出反常行为。这个系列中的非磁性成员（Y，Lu）的特征是具有异常大的电子比热系数（γ ~ 60 mJ/mol K^2）和与温度无关的磁化率项（chi_0 ~ 0.003 emu/mol），这表明费米表面的态密度相对较大。
2003-05-08 cond-mat.str-el
Metastable Resistivity States and Conductivity Fluctuations in Low-doped La$_{1-x}$Ca$_{x}$MnO$_3$ Manganite Single Crystals
本文研究了直流偏置La_{0.82} Ca_{0.18} MnO_{3}单晶在低温下施加电压脉冲所形成的不同亚稳电阻率状态下的电导噪声。在所有调查的电阻率状态下测得的噪声是1/f型的，其强度在高温和低直流偏置规模的偏置的平方。在液氮温度下，对于超过阈值的欠偏压，噪声的行为偏离上述准平衡调制噪声，并且以非单调的方式依赖于所施加的偏压。非平衡1/f噪声的偏置范围与电导随偏置电压线性增加的范围一致。这一特点是由于一个广泛的连续性的状态，使间接非弹性隧穿本征隧道结。非平衡噪声归因于间接的本征隧穿机制，而电阻率在亚稳态中的变化归因于由所采用的脉冲程序产生的微裂纹引入的载流子的能量景观的变化
2012-11-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Drastic annealing effects in transport properties of single crystals of the YbNi2B2C heavy fermion system
我们报告的温度依赖的电阻率，比热，磁化率和热电功率的测量重费米子系统YbNi 2B 2C，生长和退火单晶。我们的研究结果表明，在生长的晶体和晶体之间的温度依赖的电阻率和热电功率进行了最佳（150小时，950 ℃）退火的显着变化，而热力学性质：（C_P（T）和chi（T））几乎保持不变。我们解释这些结果的局部近藤温度与配体紊乱的一小部分（~ 1%）的Yb网站的重新分配。
2002-06-21 cond-mat.str-el
Resistivity of a $2d$ quantum critical metal
Himachal Pradesh University（喜马偕尔邦大学）；Physical Research Laboratory（物理研究实验室）
该研究采用s-d哈密顿量与RPA方法计算二维铁磁金属顺磁相电阻率，发现量子临界点附近二维电阻率标度为T^(4/3)，结果与SCR理论一致。
2019-02-16 cond-mat.str-el
Magnetic-history-dependent nanostructural and resistivity changes in Pr0.5Ca0.5Mn0.98Cr0.02O3
研究表明，无论是在电子显微镜的“自磁场（H = 2 T）”下还是在2 T的外加磁场下，Pr 0.5Ca 0.5Mn 0.98 Cr 0.02 O3的纳米结构和电阻率都对样品是零场冷却（ZFC）还是场冷却（FC）敏感。H = 2 T时的FC电阻率低于140 K以下的ZFC值。FC微晶的碳轨道调制矢量的平均值（q = 0.44）低于ZFC微晶的碳轨道调制矢量的平均值（q = 0.48），FC微晶表现出许多缺陷，如位错、位错和区域，与ZFC微晶相比，FC微晶的超结构丧失。
2000-10-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Superzone gap formation and low lying crystal electric field levels in PrPd$_2$Ge$_2$ single crystal
通过测量PrPd $_2$ Ge $_2$单晶的磁化强度、磁化率、电阻率和热容，研究了其磁晶各向异性。PrPd $_2$ Ge $_2$以熟知的ThCr $_2$ Si $_2$-型四元结构结晶。反铁磁有序度为5.1~K，易磁化轴为[001]轴.当电流沿[001]方向通过时，从电阻率测量观察到超区间隙形成。对磁化率、磁化强度和热容测量的晶体电场（CEF）分析证实了具有相对低的总体CEF能级分裂的双重基态。由于CEF能级交叉，CEF能级间距和高场塞曼分裂变得相当，并导致34 T的变磁转变。
2017-02-01 cond-mat.str-el
Critical drag as a mechanism for resistivity
具有守恒电荷的量子多体系统的直流电阻率可以是零（意味着它支持无耗散电流）或非零。精确的零电阻率与防止电流衰减的守恒定律有关。在本文中，我们仔细研究了这种情况可能发生的情况。我们发现，电阻率为零需要连续的平移对称性，或具有某种“混合异常”的电荷的内部对称性。(The对称性可以是与不可破环或更高维激发的出现相关联的广义全局对称性。然而，即使其中之一是满意的，我们表明，仍然有一种机制，以获得非零电阻率，通过临界波动驱动的保守量的磁化率到无穷大，我们称之为“临界阻力”这种机制。因此，临界阻力是电阻率的一种机制，与传统机制不同，它与对称性的破坏无关。此外，我们认为，一个新兴的对称性，具有适当的混合异常与电荷，实际上是一个不可避免的后果，在系统的压缩晶格平移对称。因此，临界阻力似乎是在这样的系统中获得非零电阻率的唯一方法（除了通过不相关的扰动打破涌现对称性，在重整化群固定点消失）。最后，我们提出了一个非常简单和具体的模型-“量子Lifshitz模型”-说明了临界阻力机制以及其他考虑的文件。
2022-03-30 cond-mat.str-el
Magnetic-field induced resistivity minimum with in-plane linear magnetoresistance of the Fermi liquid in SrTiO3-x single crystals
本文报道了SrTiO_（3-x）单晶中低温费米液体的新型磁输运性质。经典的限制占主导地位的磁输运性质的磁场垂直于样品表面，因此出现一个磁场感生电阻率最小值。而在垂直于电流方向的平面磁场下，从小磁场（<0.5T）开始，出现线性磁阻效应。横向磁共振的大的各向异性揭示了由于SrTiO 3-x单晶从表面到内部的大的氧空位浓度梯度引起的强的表面层间散射。此外，我们的线性磁电阻很可能是由于氧空位和氧空位团簇的不均匀性引起的，这为Abrikosov [A. A. Abrikosov，Phys.Rev.B58，2788（1998）]。
2012-04-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropy in the thermal hysteresis of resistivity and charge density wave nature of single crystal SrFeO3-delta: X-ray absorption and photoemission studies
利用变温X射线吸收和价带光电子能谱（VB-PES）研究了高质量SrFeO 3-{delta}（{delta}~0.19）单晶的局域电子和原子结构，探讨了在b面和c轴靠近热滞区（接近磁化率最大温度Tm~78 K）的电阻率各向异性的起源。本文中的所有实验在升温和冷却过程期间进行。Fe L3，2边X射线线性二色性结果表明，在从室温冷却到转变温度以下的过程中，未占据的Fe 3d eg态保持在持续的面外3d 3z 2-r 2轨道上。相反，在低于转变温度的升温过程中，它们从3d3z2-r2转变为面内3dx2-y2轨道。最近邻（NN）Fe-O键长也表现出各向异性行为在ab平面和沿c轴低于Tm。各向异性的NN Fe-O键长和Debye-Waller因子分别在升温和降温过程中稳定了面内Fe 3dx 2-y2和面外3d3z2-r2轨道。另外，VB-PES研究进一步证实了在低温下在ab面和沿c轴方向上都有相对带隙打开，为SrFeO_3-{delta}（{delta}~0.19）单晶的电荷密度波性质提供了明确的证据。
2017-03-02 cond-mat.str-el
Two-dimensional electron gas at the interface of the ferroelectric-antiferromagnetic heterostructure Ba_0.8Sr_0.2TiO_3/LaMnO_3
研究了外延铁电Ba $_{0.8}$ Sr $_{0.2}$ TiO $_3$薄膜覆盖不同晶向的LaMnO $_3$单晶异质结构的电阻率随温度的变化关系。异质结构得到的结果进行了比较与单晶LaMnO $_3$的电阻率没有膜。结果表明，当极化轴垂直于晶体表面时，薄膜的电阻率显著降低，在低于~160 K时发生绝缘体-金属转变。对BaTiO $_3$ /LaMnO $_3$异质结构的结构和电子性质进行了从头计算.过渡到2D电子气在界面处示出。
2017-10-19 cond-mat.str-el
ab-plane resistivity and possible charge stripe ordering in strongly underdoped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ single crystals
我们用交流范德堡技术测量了4.2 ~ 300 K之间低Sr含量La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$单晶（x=0.052 $÷$ 0.075）的ab面电阻率。正如Ichikawa等人最近提出的，从温度T $_{\mathrm{ch}}$开始偏离$ρ_{\mathrm{ab}}(T)$曲线的线性可以解释为由于预形成的电荷带的波动逐渐减慢。相反，条纹向更有序相的电子跃迁可能是$T_{\mathrm{c}}$上方超导样品的$ρ_{\mathrm{ab}}(T)$中存在的一些非常尖锐的异常的原因。
1999-12-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum-critical resistivity of strange metals in a magnetic field
几种金属化合物如铜酸盐、重费米子、Fe-硫族化物和磷族化物、扭曲双层石墨烯和WSe $_2$的量子临界波动区域中的电阻率在温度$T$以及磁场$H$中是线性的。描述回路电流涨落的时间反演奇极性矢量场${\bf Ω}$的激发对费米子的散射，已被证明在铜氧化物中具有线性电阻率和其他反常性质。将这一理论推广到外加磁场中。示出了磁场在场${\bf Ω}$中产生与$H_z$成比例的涡旋，该分量正交于导电平面。费米子从涡旋的弹性散射给出了在$H_z$中线性的电阻率。预测$H_z$电阻率的线性系数随临界状态下费米液体磁化率$\propto \ln(\frac{ω_c}{T})$的变化而变化。与实验定量比较。
2022-05-19 cond-mat.str-el
Electrical resistivity of the Ti4O7 Magneli phase under high pressure
我们已经测量了电阻率作为温度和压力的函数的Ti4O7孪晶使用不同的接触配置。超过4kbar的压力抑制了双极化子的局域化，并允许研究双极化子相的电导下降到低温。当压力P > 40 kbar时，双极化子的形成转变被抑制，电阻率几乎与压力无关。我们观察到了各向异性传导。当电流平行于主轴注入时，具有相互作用的载流子效应的金属传导是主要的。超导状态没有得到下降到1.2 K，虽然量子临界点附近的证据被注意到。当电流注入方向不平行于晶体的主轴时，我们得到了低温下电阻率的对数发散。在这种情况下，我们的结果可以解释的框架中的相互作用的载流子（极化子或双极化子）散射的二能级系统的高压制度。
2003-10-02 cond-mat.str-el
Peculiar behavior of the electrical resistivity of MnSi at the ferromagnetic phase transition
在常压和高压下测量了MnSi单晶铁磁相变线上的电阻率。电阻率温度系数的尖峰表征了转变线。这些数据的分析表明，在压力~0.35 GPa，这些峰具有精细的结构，揭示了在峰上方~ 0.5 K处的肩部。在压力高于~ 0.35GPa时，这种结构消失，这是一个征兆，这一点以前被确定为三临界点
2006-06-13 cond-mat.str-el
Resistivity of a non-Galilean--invariant Fermi Liquid near Pomeranchuk Quantum Criticality
分析了金属在波梅兰丘克量子相变（QPT）附近电子-电子相互作用对电阻率的影响。我们表明，Umklapp过程是不有效的QPT附近，必须考虑相互作用和无序获得有限的和T依赖的电阻率。通过功率计数，在Z=3 QPT附近，在低T下对剩余电阻率的校正标度为Δ T ^{（D+2）/3}。然而，我们表明，A=0的简单连接，凸费米面在2D中，由于隐藏的可积性的电子运动。我们认为，在一个两带（s-d）模型中，A >0，并提出这个模型作为所观察到的T^{（D+2）/3}行为的解释。
2011-03-08 cond-mat.str-el
Evolution of Anisotropic In-plane Resistivity with doping level in Ca$_{1-x}$Na$_x$Fe$_2$As$_2$ Single Crystals
我们测量了欠掺杂Ca $_{1-x}$ Na $_x$ Fe $_2$ As $_2$单晶的面内电阻率各向异性。各向异性（由$ρ_{\rm b} - ρ_{\rm a}$表示）出现在远高于磁转变温度$T_{\rm N}$的温度以下，为正（$ρ_{\rm b} - ρ_{\rm a} > 0$），如$x\leq$ 0.14。随着掺杂水平增加到$x$ = 0.19，在冷却时观察到$ρ_{\rm b}$和$ρ_{\rm a}$之间的交叉，其中$ρ_{\rm b} - ρ_{\rm a} < 0$在低温下深入磁有序状态，而$ρ_{\rm b} - ρ_{\rm a}> 0$在高温下。随后，空穴浓度的进一步增加导致在整个温度范围内的负各向异性$ρ_{\rm b} - ρ_{\rm a} < 0$。这些结果表明，磁有序态下电阻率的各向异性行为强烈依赖于不同机制贡献的竞争，两种机制贡献的竞争导致了面内电阻率各向异性随掺杂水平的复杂演化.
2014-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum criticality in Yb(Rh0.97Co0.03)2Si2 probed by low-temperature resistivity
利用电阻率和磁阻效应研究了Yb（Rh0.97Co0.03）2Si 2的量子临界性。Co的部分取代导致了预期的稳定的磁性根据Yb系统的化学压力的应用。然而，近藤击穿的签名保持在相同的位置，在温度-磁场相图相比，化学计量的YbRh 2Si 2。因此，近藤击穿位于反铁磁相内。这些结果很好地符合化学压力下的全局相图[1]。
2009-07-24 cond-mat.str-el
Suppression of the antiferromagnetic metallic state in the pressurized MnBi2Te4 single crystal
MnBi_2 Te_4作为第一个本征反铁磁拓扑绝缘体，近年来引起了人们极大的研究兴趣。在TN = 24 K时，它经历了一个长程AF序，并伴随着金属电阻率的尖点状异常。在这里，我们研究了静水压力的影响，其电输运性质高达12.5 GPa，通过使用立方体砧室装置。我们发现由电阻率异常确定的TN首先随压力略有增加，然后减小，直到在~7 GPa时完全消失。有趣的是，它的电阻率rho（T）逐渐增加的压力，并从金属的激活行为的AF秩序被抑制。从霍尔电阻率测量，我们确认，n型载流子占主导地位的传输特性和载流子密度的压力上升。此外，自旋翻转到倾斜AF态的临界磁场Hc 1在0 GPa时约为3.3 T，在1和3 GPa时分别增加到约5 T和7.5 T.高压XRD证明在高达12.8 GPa下没有结构转变。基于霍尔电阻率结果和第一性原理计算，我们提出了层内直接AF相互作用被压力加强，AF和FM相互作用之间的竞争不仅阻止了长程磁有序，而且通过增强高压下的磁涨落促进了载流子局域化。
2019-07-03 cond-mat.str-el
Electronic Properties of BaPtP with a Noncentrosymmetric Cubic Crystal Structure
我们报告的合成，电子性质，和电子结构的LaIrSi型BaPtP与非中心对称的立方晶体结构。多晶样品的电阻率和热容数据表明BaPtP是一种金属，这进一步得到了第一性原理计算的支持。BaPtP的多晶样品由于超导转变而在0.2K以下显示出零电阻率。第一性原理计算结果表明，BaPtP在费米能级附近的自旋劈裂较大。这些结果表明，BaPtP可能表现出有趣的物理性质所造成的Pt原子中的5d电子的强自旋轨道耦合。
2019-11-06 cond-mat.str-el
Role of vertex corrections in the $T$-linear resistivity at the Kondo breakdown quantum critical point
近藤击穿方案已被要求允许$T$ -线性电阻率附近的近藤击穿量子临界点，其中两个基石是动力学指数$z = 3$量子临界性的杂化波动在三维和无关的顶点校正运输由于本地化电子的存在。我们重新讨论电输运系数的顶点修正问题。假设两种玻色子自由度（杂化激发和规范涨落）处于平衡状态，导出了两种费米子（传导电子和自旋子）的耦合量子Boltzmann方程.我们揭示了顶点校正发挥了一定的作用，将$T$ -线性行为改变为三维的$T^{5/3}$。然而，$T^{5/3}$制度原来是狭窄的，和$T$ -线性电阻率仍然是预期在大多数温度范围内的近藤击穿量子临界点，尽管存在的顶点校正。我们证明我们的评估，表明霍尔系数是不重整化保持费米液体值在近藤击穿量子临界点。
2011-06-30 cond-mat.str-el
Hydrostatic pressure study of single-crystalline UNi0.5Sb2
我们研究了反铁磁化合物UNi_（0.5）Sb_2（TN ~ 161 K）的单晶，测量了室温下的磁化率（chi）、比热（Cp）和电阻率（rho），以及在1.9 ~ 300 K温度范围内，在20 kbar的静水压力下的电阻率。电阻率的热系数（drho/dT）从TN以下的正急剧变化到TN以上的负，反映了有序相中自旋无序散射的损失。两个小功能的rho与T数据中心附近的40和85 K的温度相关以及磁化率的功能，并与文献中的其他数据一致。这些特征在温度上是相当滞后的，即，加热和冷却循环之间的差分别约为10和6 K。压力的作用是以约0.76 K/kbar的速率升高TN，同时在较低温度下逐渐抑制rho对T的小特征的幅度，并增加热滞后。
2007-09-29 cond-mat.str-el
Anisotropic transport and magnetic properties, and magnetic-field tuned states of CeZn11 single crystals
我们提出了详细的温度和磁场相关的数据从磁化强度，电阻率，热容，霍尔电阻率和热电功率测量CeZn 11单晶上进行。化合物在$\sim$ 2 K下具有反铁磁性.零场电阻率和TEP数据显示了具有晶体电场分裂和可能的相关近藤晶格效应的Ce基金属间化合物的特征。我们构造了沿[110]易磁化方向施加的磁场的T-H相图，表明将T_N抑制到0.4 K以下所需的磁场在45-47.5 kOe的范围内。rho（T）数据的线性行为，H|| [110]，仅在0.46 K<T<1.96 K的H=45 kOe下观察到，随后在有限的场范围内观察到朗道-费米液体状态，47.5 kOe< H<60 kOe。从我们的数据分析，它似乎是CeZn 11是一个弱到中等相关的本地矩化合物，相当小的近藤温度。CeZn 11的热电和输运性质主要由CEF效应控制。由于我们的单晶质量非常高，CeZn 11及其非磁性类似物LaZn 11都存在量子振荡。
2013-04-24 cond-mat.str-el
Colossal electroresistance in ferromagnetic insulating state of single crystal Nd$_0.7$Pb$_0.3$MnO$_3$
在锰氧化物的铁磁绝缘（FMI）态中观察到了巨大的电阻（CER）。值得注意的是，FMI状态下的CER发生在没有磁阻（MR）的情况下。在铁磁绝缘状态下，测量了Nd $_0.7$ Pb $_0.3$ MnO $_3$（NPMO 30）单晶锰氧化物的电阻率（ER）和电流感生电阻率反转。样品具有顺磁到铁磁（居里）的转变温度，Tc = 150 K，并且在T <~ 130 K的温度下实现铁磁绝缘状态。由电阻率（$ρ$）对电流密度（j）的强非线性依赖性引起的巨大电阻在铁磁绝缘状态下达到大值（$\approx 100%$）。在高电流密度下，电阻率的这种非线性行为的严重性随着温度的降低而逐渐增强，最终导致温度<~ 25 K时的负微分电阻率（NDR，d $ρ$ /dj < 0）。然而，伴随着ER的积累，即使在H = 7 T的磁场中，MR也会塌陷到一个小值（< 20%）。这表明，在锰氧化物的铁磁绝缘相中，引起ER和MR的机制有效地解耦。我们建立了铁磁绝缘相的行为不同于铁磁金属（FMM）相以及电荷有序绝缘（COI）相，这是锰氧化物中两种常见的基态相。
2007-01-05 cond-mat.str-el
Resistivity measurements unveil microscopic properties of CrAs
我们报告的电阻率测量的CrAs单晶在很宽的温度范围内，具体的目的是评估的适用性的布洛赫-Gruneisen公式的电子-声子电阻率。我们发现，电阻在Tc=4.2 K时达到一个剩余值，并且它的温度依赖性不能仅用合适的布洛赫-格鲁内森公式在整个温度范围内拟合，即使我们能够计算出一个定义良好的传输德拜温度。所观察到的温度依赖的电阻率似乎表明非声子介导的超导配对，支持磁波动机制作为超导耦合的可能胶水。
2018-12-24 cond-mat.str-el
Linear resistivity and Sachdev-Ye-Kitaev (SYK) spin liquid behavior in a quantum critical metal with spin-$1/2$ fermions
电阻率与温度呈线性关系的“奇异金属”$T$低至低- $T$一直是凝聚态物理中的一个长期难题。在这里，我们考虑一个巡游自旋- $1/2$费米子通过在位Hubbard相互作用和随机无限程自旋-自旋相互作用相互作用的模型。我们表明，与自旋玻璃相的电荷波动的熔融相关的量子临界点显示非费米液体行为，与本地自旋动力学的Sachdev-Ye-Kitaev家庭的模型相同。这将先前在$SU(M)$对称模型的大- $M$极限中建立的量子自旋液体动力学扩展到具有物理$SU(2)$自旋- $1/2$电子的模型。值得注意的是，量子临界区还具有与$T$线性散射率相关的普朗克线性$T$电阻率和与边缘费米液体现象一致的电子自能的频率依赖性。
2020-02-17 cond-mat.str-el
Quasi-quartet crystal electric field ground state in a tetragonal CeAg$_2$Ge$_2$ single crystal
本文首次采用助熔剂法成功地生长了CeAg $_2$ Ge $_2$单晶，并通过测量其电阻率、磁化率和比热容研究了其各向异性的物理性质。我们发现CeAg $_2$ Ge $_2$在$T_{\rm N}$ = 4.6 K时发生反铁磁转变。电阻率和磁化率数据显示出很强的各向异性磁性。对于饱和磁化强度为1.6 $μ_{\rm B}$ /Ce的$H \parallel$ [100]，在$T$ = 2 K时测量的磁化强度在$H_{\rm m1}$ = 31 kOe和$H_{\rm m2}$ = 44.7 kOe时显示出两个变磁跃迁。反磁化率数据的晶体电场（CEF）分析揭示了CeAg $_2$ Ge $_2$的基态和第一激发态是紧密间隔的，表明准四重态基态。比热数据进一步支持存在紧密间隔的能级。
2007-04-02 cond-mat.str-el
Low Temperature Transport and Specific Heat Studies of Nd_{1-x}Pb_{x}MnO_{3} Single Crystals
本文研究了Nd_{1-x} Pb_{x} MnO_{3}单晶（0.15 <x0.5）在低温区的电输运和比热性质。在铁磁绝缘（FMI）相的电阻率x < 0.3具有激活的字符。的激活间隙Δ的依赖性的掺杂x已被确定，并确定为x_{c} ~ 0.33的临界浓度为零温金属-绝缘体转变。对于x=0.42的金属样品，在低温电阻率中发现了传统的电子-电子（e-e）散射项T^{2}，尽管发现这种锰氧化物的Kadowaki-Woods比正常金属大得多。对于x=0.5的金属样品，在x= 0.5时观察到电阻率最小值。这种效应归因于弱局域化，并且可以用无序三维电子系统的负T^{1/2}弱局域化对电阻率的贡献来描述。比热数据已被拟合的贡献，从自由电子（伽马），自旋激发（beta_{3/2}），晶格和Schottky有关的稀土磁性的Nd离子的异常。γ值大于正常金属，这是由于涉及Nd的磁有序效应。此外，Schottky样的异常出现扩大和减弱，这表明在Nd-网站的不均匀的分子场。
2008-04-22 cond-mat.str-el
Kondo effect in CeX$_{c}$ (X$_{c}$=S, Se, Te) studied by electrical resistivity under high pressure
我们已经测量了电阻率的铈monochalcogenices，CeS，CeSe和CeTe，在高压下高达8 GPa。反铁磁有序温度$T_{N}$、晶场分裂和近藤效应的$\ln T$异常的压力依赖性已被研究，以覆盖从低压下的磁有序区到高压下的费米液体区的整个区域。$T_{N}$最初随着压力的增加而增加，并在高压下开始减少，如从Doniach图所预期的。同时，$\ln T$在电阻率中的行为增强，表明压力增强了近藤效应。CeX $_{c}$的特征还在于，晶场分裂以$-12.2$ K/GPa的常见速率迅速减小。这导致$f$态简并度的增加和近藤效应的进一步增强。结果表明，$f$态的压力相关简并度是理解$T_{N}$、近藤效应、磁电阻和电阻率温度相关峰结构的压力相关性的关键因素.
2015-12-21 cond-mat.str-el
Resistivity studies under hydrostatic pressure on a low-resistance variant of the quasi-2D organic superconductor kappa-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br: quest for intrinsic scattering contributions
本文对kappa-（BEDT-TTF）_2Cu[N（CN）_2]Br超导体的低阻和高阻变体进行了电阻率测量。虽然HR样品是按照标准程序合成的，但LR晶体是稍微修改合成路线的结果。根据它们的剩余折射率和剩余电阻率比，LR晶体具有明显的优良品质。He气体压力被用来研究流体静压力对两种变体的不同输运机制的影响。这些比较研究的主要结果是：（i）非弹性散射贡献的重要部分，它导致标准HR晶体在90 K附近的反常rho（T）最大值，是样品相关的，即本质上是外在的，（ii）rho（T）在T* 约为100 K时的突变。40 K时从T > T* 时的强温度依赖性行为到T < T* 时的仅弱T依赖性rho（T）的变化不受这种散射贡献的影响，因此标志着一种独立的性质，最有可能是二级相变，（iii）两种变体都揭示了rho（T）在低温下与Δ T^2的依赖性成比例，即对于T_c < T < T_0，尽管具有强样本相关系数A和由T_0测量的T^2行为的上限。后一个结果与由相干费米液体激发产生的T^2依赖性不一致。
2004-07-19 cond-mat.str-el
Resistivity near a nematic quantum critical point: Impact of acoustic phonons
我们重新审视的二维电子系统的电阻率调谐到一个量子临界点（QCP）的问题，专注于非平凡的影响耦合的声学声子。由于电子序序参量与晶格应变场之间不可避免的线性耦合，在该问题中出现了由声子介导的长程相互作用。通过求解半经典玻尔兹曼方程中存在的杂质散射和量子涨落，我们确定的电阻率的温度依赖性作为coherent QCP接近。线弹性耦合的主要作用之一是平滑电子非平衡分布函数，使其接近简单的余弦角依赖性，即使在杂质散射不太强。我们发现，在低于由线弹性耦合设置的温度标度的温度下，电阻率显示出费米液体的$T^2$行为特征。这与无晶格量子临界点预期的$T^{4/3}$低温行为相反。更重要的是，我们表明，有效的电阻率指数$α_\text{eff}(T)$在$ρ(T)-ρ_0\sim T^{α_\text{eff}(T)}$显示出显着的温度依赖性，这意味着一个非线性QCP一般不能由一个简单的电阻率指数。我们讨论了我们的结果的实验数据的解释，特别是在超导体FeSe $_{1-x}$ S $_x$的影响。
2019-09-04 cond-mat.str-el
Scaling Behavior of Angular Dependent Resistivity in CeCoIn$_5$: Possible Evidence for d-Wave Density Waves
在温度为$T \le 20$ K，磁场为$H$ 14 T的条件下，测量了CeCoIn $_5$单晶非费米液相区的面内角相关电阻率ADR。在电阻率显示T线性依赖性的低场区域中识别出两种标度行为，其由临界角$θ_{c}$分开，该临界角由CeCoIn $_5$的各向异性确定;即，ADR仅取决于$θ_c$下方（上方）的垂直（平行）场分量。ADR的这些标度行为和其他显著特征与d波密度波一致。
2006-09-21 cond-mat.str-el
Quantum oscillations and high carrier mobility in the delafossite PdCoO$_2$
我们目前的德哈斯-范阿尔芬和电阻率数据的铜铁矿PdCoO 2单晶。在295 K时，我们测量到2.6 μΩ-cm的面内电阻率，使PdCoO 2成为已知导电性最好的氧化物。低温下的面内电阻率具有激活的温度依赖性，而不是通常的T^5温度依赖性，这表明有效散射的间隙与声子拖曳一致。在10 K以下，输运平均自由程为20 \mum，约为10^5晶格间距，对于助熔剂生长的晶体来说是一个惊人的高值。我们讨论了这些属性的起源，根据我们的数据。
2012-07-23 cond-mat.str-el
Charge, lattice and magnetism across the valence crossover in EuIr$_2$Si$_2$ single crystals
我们提出了一个详细的研究的温度演化的晶体结构，比热，磁化率和电阻率的单晶体的聚合物EuIr $_2$ Si $_2$。与稳定价同结构化合物EuCo $_2$ Si $_2$（具有Eu $^{3+}$）和EuRh $_2$ Si $_2$（具有Eu $^{2+}$）的比较揭示了指示与价波动相关的晶格软化的异常大的热膨胀。在比热、磁化率和电阻率的导数中观察到在65-75 K温度附近的显著宽峰，因为热能变得足够大以激发Eu进入二价态，这使一个f电子局部化并增加传导电子的散射。此外，在低温下的中间价体现在一个适度的重整化电子质量，与增强值的索末菲系数的比热和费米液体的电阻率在低温下的依赖性。高剩余磁化率主要归因于Van Vleck贡献。虽然中间/波动价的二元性在一定程度上表示在组态间波动模型通常用于分析数据的价波动系统，我们表明，该模型不能描述不同的物理性质的EuIr $_2$ Si $_2$与一组参数。
2019-01-21 cond-mat.str-el
Low temperature $T$-linear resistivity due to umklapp scattering from a critical mode
本文研究了费米子被临界玻色子模散射的输运性质。该模式是过阻尼的，散射主要是在前向方向上。这种模式出现在电子自旋相变的量子临界点，以及U（1）自旋液体的规范理论中。它导致了短的费米子寿命，违反了朗道的费米液体标准。尽管如此，输运可以用玻尔兹曼方程来描述。我们包括动量弛豫umklapp散射，辅以弱杂质散射。我们发现，在一个非常低的温度以上的尺度与$Δ_q^3$，其中$Δ_q$是最小umklapp散射矢量，电阻率是线性的$T$的系数，这是独立的无序量。我们比较了弛豫时间近似与玻尔兹曼方程的精确数值解。令人惊讶的是，我们发现，与电阻率，霍尔系数强烈偏离弛豫时间近似，并显示出强烈的减少，随着温度的升高。我们评论可能与高$T_c$铜酸盐实验的比较。
2020-12-17 cond-mat.str-el
Pressure effects on the heavy-fermion antiferromagnet CeAuSb2
f电子化合物CeAuSb_2具有ZrCuSi_2型四方晶系结构，在5 ~ 6.8K之间具有反铁磁性，反铁磁性转变温度T_N取决于Au位的占有率。本文报道了一种优质晶体CeAuSb_2的电阻率和热容，其T_N为6.8K，是该化合物中最高的。磁性转变温度最初被压力抑制，但被2.1 GPa以上的新磁性状态拦截。新相随压力变化呈圆顶状，当压力大于4.7GPa时，新相与另一相共存。电阻率在复磁态下表现为T^2费米液体行为，剩余电阻率和T^2电阻率系数随压力的增大而增大，表明在较高压力下可能存在磁量子临界点.
2012-03-23 cond-mat.str-el
Low-temperature resistivity of single crystals YBa_2Cu_3O_{6+x} in the normal state
用两种方法，即施加磁场和通过氧重排降低空穴浓度，对YBa_2Cu_3 O_{6+x}（x约0.37）单晶的超导-非超导转变进行了扫描。两种情况下得到的面内正常态电阻率ρ ab非常相似，在近20年的温度范围内，ρ ab与温度的关系可用对数律拟合。然而，对于接近金属-绝缘体转变的3D材料，通过典型的幂律来表示σ_{ab}=1/ρ_{ab}也是合理的。垂向电导率σ c=1/ρ c符合幂律，σ c（T）和ρ c（T）均不能用log（T）拟合。由ρ_c的测量结果可知，T=0时的相变分为两个转变：超导体-正常金属和正常金属-绝缘体。在我们的样品中，它们在氧含量上的距离为Δx \approx 0.025。
1998-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
