Ambipolar gate effect and low temperature magnetoresistance of ultrathin La0.8Ca0.2MnO3 Films
用场效应几何方法测量了超薄La_（0.8）Ca_（0.2）MnO_3薄膜。由于栅极产生的电场在低温下产生大的双极电阻下降。这是由于在态密度中的赝能隙的发展和局域电荷对应变的耦合。门效应和mangetoresistance解释在一个一致的框架。在二维极限的锰氧化物薄膜的低温行为的影响进行了讨论。
2004-07-23 cond-mat.str-el
Anisotropic strains, metal-insulator transition, and magnetoresistance of La$_{0.7}$Ca$_{0.3}$MnO$_{3}$ films
用脉冲激光沉积法或激光分子束外延法在不同衬底上外延生长了钙钛矿锰氧化物La $_{0.7}$ Ca $_{0.3}$ MnO $_{3}$薄膜。衬底改变了薄膜的体积和晶胞的对称性。结果表明，单胞的对称性和体积对金属-绝缘体转变温度和磁电阻的大小有很大的影响。
2001-10-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant positive magnetoresistance in metallic VOx thin films
报道了在SrTiO 3衬底上外延生长的VOx薄膜的巨正磁电阻效应。MR效应强烈地依赖于温度和氧含量，并且是各向异性的。在低温下，在5 T的磁场中，其幅度达到70%。在强无序存在下的强电子-电子相互作用可以定性地解释结果。另一种解释，有关可能的磁不稳定性，也进行了讨论。
2003-07-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Disorder-induced linear magnetoresistance in Sr-doped Bi2Se3 thin films
Sr掺杂的Bi_2Se_3薄膜是一种潜在的拓扑超导材料。在低磁场下，不同掺杂浓度x的SrxBi 2Se 3薄膜的磁电阻（MR）主要由弱反局域化（WAL）所控制，而原来占主导地位的经典MR几乎被完全抑制.相反，所有样品的MR已被观察到占主导地位的线性磁阻（LMR）在高磁场。LMR与载流子迁移率呈线性关系，可以用Parish-Littlewood模型成功地解释。这表明，LMR起源于由Sr掺杂原子在掺杂Bi_2Se_3薄膜中引起的迁移率波动。
2022-02-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance and Phase Diagram of Thin-Film UNi2Al3
研究了UNi_2Al_3薄膜的直流电阻率随温度和磁场的变化规律。我们专注于反铁磁转变（TN \approx 4 K在零外加磁场）周围的温度范围。从一个清晰的签名TN在直流电阻沿晶体学的a-方向，我们提取的形状的磁相图。在这里，我们发现定量的差异相比，以前的研究散装晶体。
2011-01-06 cond-mat.str-el
Theory of magnetoresistance in films of dilute magnetic alloys
为了解释稀磁合金中近藤效应的尺寸依赖性，人们提出了非磁性基质表面附近磁性杂质的磁各向异性。最近，佐丹奴测量了远高于近藤温度$T_K$的不同厚度的稀金（铁）膜的磁阻。通过这种方式，他验证了即使在近藤效应不占主导地位的情况下也存在各向异性。为了与实验进行详细的比较，在最低近似下计算了磁阻的磁场依赖性，因此是在交换耦合的第二阶。各向异性的强度是非常接近早期的估计推导出的尺寸依赖的近藤电阻率振幅。
1999-09-30 cond-mat.str-el
History dependent magnetoresistance in lightly doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} thin films
在磁场B ~ 9 T范围内，测量了分子束外延生长的原子级光滑La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}薄膜的面内磁电阻（MR）。x=0.03和x=0.05的薄膜是绝缘的，在T<4K时出现正磁电阻。正磁共振显示玻璃状特征，包括历史依赖性和记忆，对所有的取向的B。结果表明，这种行为，这反映了玻璃化的掺杂空穴的动力学中的发病，是一个强大的绝缘状态的功能。
2011-12-30 cond-mat.str-el
Linear magnetoresistance and surface to bulk coupling in topological insulator thin films
研究了体绝缘拓扑绝缘体薄膜的磁电阻随温度的变化。采用脉冲激光沉积技术生长了Bi2Se2Te和BiSbTeSe 1.6的薄膜，并进行了输运测量。磁输运测量表明，在高磁场值的非饱和线性磁阻（LMR）的行为。我们提出了一个仔细的分析，以解释的起源LMR考虑到所有现有的模型LMR。在这里，我们认为体绝缘态和金属表面态构成两个平行的导电沟道。通过验证这一点，我们能够将线性磁阻行为解释为这些平行通道之间的竞争。我们观察到，交叉领域，LMR集，随着温度的升高而降低。我们建议，这个交叉场可以用来唯象地估计强度的表面体耦合。
2017-02-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Microscopic theory of the magnetoresistance of disordered superconducting films
对无序超导薄膜的实验表明，在无序超导薄膜中存在几个数量级的磁电阻峰。从无序负U哈伯德模型出发，我们采用包含热涨落的从头计算方法来计算电阻，并完全再现了实验现象。微观电流和局部电势的地图使我们能够精确定位磁阻峰值的来源--导电的薄弱环节从峰值的低场一侧的正常变化到高场一侧的超导。最后，我们制定了一个简单的一维模型，以证明如何小超导区域将作为薄弱环节，在这样一个无序的薄膜。
2011-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Low temperature magnetoresistance of dirty thin films and quantum wires near a parallel-field-tuned superconducting quantum phase transition
我们研究了在平行磁场作用下，从超导态到正常态的量子相变附近的脏薄膜和量子线的低温磁电阻。我们发现，不同的修正（Aslamazov-Larkin，态密度和Maki-Thompson）正常状态的电导率，来自超导对涨落，在零温度下是相同的顺序。在有限温度下有三种状态。在“量子”制度，这基本上显示了零温度的行为，我们发现一个负的磁阻。由于在“经典”制度的修正是积极的，我们预测在较高的温度下的非单调的磁阻。
2005-05-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of half-quantum vortices on magnetoresistance of perforated superconducting films
最近对Sr2RuO4的环形微米尺寸样品的悬臂梁磁力测量揭示了该材料中存在半量子涡旋（HQVs）的证据[Jang等人，2011]。我们建议在输运测量中寻找HQVs，并计算在HQVs存在下接近转变温度的穿孔超导膜的磁阻。我们分析了磁阻对HQVs热力学稳定性的依赖性，根据[Jang et al. 2011]，HQVs可以通过应用面内磁场来改变，并指出可能有助于识别它们的特征。
2011-06-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Signature of surface state coupling in thin films of the topological Kondo insulator SmB$_6$ from anisotropic magnetoresistance
研究了$_6$薄膜的面内各向异性磁电阻效应（AMR）随温度和厚度的变化关系。我们发现AMR的符号从高温时的负值（$ρ_{||}<ρ_{\perp}$）变为低温时的正值（$ρ_{||}>ρ_{\perp}$）。发生这种符号变化的温度T $_s$随着膜厚度$t$的增加而降低，当$t$ $>$为30 nm时，T $_s$消失。我们解释我们的结果在两个组件之间的竞争的框架：一个负的批量贡献和一个积极的表面AMR。
2017-03-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Tunnel magnetoresistance and robust room temperature exchange bias with multiferroic BiFeO3 epitaxial thin films
我们报告的功能化的多铁性BiFeO 3外延薄膜的自旋电子学。第一个例子是通过在具有La 2/3Sr 1/3 MnO 3和Co电极的磁性隧道结中使用BiFeO 3的氧化物层作为隧道势垒来提供的。在这种结构中，在低温下获得了高达30%的正隧道磁电阻。第二个例子是利用BiFeO 3薄膜的反铁磁自旋结构，在室温下在CoFeB铁磁薄膜上产生相当大的（~60 Oe）交换偏置。值得注意的是，交换偏置效应在磁场循环时是稳健的，没有训练的迹象。
2006-09-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Temperature- and Bias-dependence of magnetoresistance in doped manganite thin film trilayer junctions
La $%_{0.67}$ Sr $_{0.33}$ MnO的薄膜三层结$_3$ - SrTiO $_3$ - La $_{0.67}$ Sr $_{0.33}$ MnO $_3$在14 K下在100 Oe左右的磁场中显示出9.7倍的电阻变化。结的磁电阻是偏置和温度相关的。与偏压和温度依赖性相关的能量尺度是一个数量级。同一组能量也决定了结的微分电导的偏置和温度依赖性。我们讨论了这些结果在结势垒界面的金属簇夹杂物。
1998-07-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Giant magnetoresistance in semiconductor / granular film heterostructures with cobalt nanoparticles
本文研究了SiO ${}_2$（Co）/GaAs和SiO ${}_2$（Co）/Si异质结构中的电子输运，其中SiO ${}_2$（Co）结构是含有Co纳米颗粒的颗粒状SiO ${}_2$薄膜.在SiO ${}_2$（Co）/GaAs异质结中观察到巨磁电阻效应。当电子从颗粒膜注入到GaAs半导体中时，该效应具有正值，并且具有温度峰型特征。该效应的温度位置取决于Co浓度，并且可以通过所施加的电场而移位。对于SiO_2 ${}_2$（Co）/GaAs异质结，掺杂浓度为71 at.% Co的磁电阻在室温下达到1000（$10^5$ %）。相反，对于SiO ${}_2$（Co）/Si异质结构，磁电阻值很小（4%），而对于SiO ${}_2$（Co）薄膜，磁电阻值则相反。SiO ${}_2$（Co）/GaAs异质结构中的高磁电阻效应是由磁场控制的碰撞电离过程在界面附近的半导体中形成的自旋相关势垒附近解释的。通过势垒并触发雪崩过程的电子的动能被施加的磁场减小。这种电子能量的抑制推迟了碰撞电离的开始，以更高的电场和巨磁电阻的结果。自旋相关势垒是由于半导体中积累电子层中的电子与Co的$d$ -电子之间的交换相互作用。
2009-05-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetoresistance and Hall effect in e-doped superconducting SrLaCuO thin films
我们用射频溅射法在x = 0.12的KTaO 3衬底上外延生长了c轴取向的SrxLa 1-xCuO 2薄膜。用原位氧还原法制备了一系列Tc（R=0）高达26 K的超导薄膜。这些样品的ab平面中的传输测量已经进行。我们报告的原始结果的温度依赖性的霍尔效应和各向异性磁电阻（T > Tc）。我们讨论了上临界场和各向异性的大小，霍尔效应，它提出了两种类型的载体，正常状态的磁阻，负平行磁场，自旋散射的可能签名的存在指示的符号的变化。这些属性进行比较的空穴掺杂的铜酸盐，如BiSr（La）CuO具有可比的Tc。
2008-11-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance and magnetic anisotropy in La$_{0.5}$Sr$_{0.5}$CoO$_{3-δ}$ film
研究了脉冲激光沉积法在LaAlO $_3$衬底上生长的La $_{0.5}$ Sr $_{0.5}$ CoO $_{3-δ}$薄膜的磁性和输运性质。的属性被发现的磁各向异性和不均匀性的综合影响的影响。磁电阻各向异性由薄膜-衬底晶格相互作用引起的形状各向异性和应变感生磁各向异性决定。温度驱动的自旋重取向过渡从平面外的有序状态在低温下的平面内的有序状态在高温下作为上述各向异性源之间的竞争的结果的指示被发现。
2002-07-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Paramagnetic anisotropic magnetoresistance in thin films of SrRuO3
SrRuO 3是一种巡游铁磁体，当生长在错位SrTiO 3上时，其薄膜形式具有~ 150 K的Tc和强的单轴各向异性。我们测量的霍尔效应和磁阻（MR）的薄膜之间的角度的函数的应用领域和正常的薄膜在温度高于Tc。我们提取了与磁化强度的垂直分量成比例的非常霍尔效应，并且因此针对所施加的场的每个角度的MR可以与感应磁化强度的幅度和取向相关。我们成功地拟合的MR数据与二阶磁化膨胀，这表明大的各向异性MR顺磁状态。可能是由于晶体的对称性，在平行于或垂直于磁化方向的电流下，电阻率都没有得到极值。
2003-11-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Negative magnetoresistance suppressed through topological phase transition in (Cd1-xZnx)3As2 films
新发现的拓扑狄拉克半金属通过控制自旋-轨道耦合以及对称性和维数，拥有各种拓扑相变的可能性。在这里，我们报告了高迁移率（Cd 1-xZnx）3As 2薄膜的磁输运研究，拓扑狄拉克半金属相可以变成一个平凡的绝缘体通过化学取代。通过高场测量与霍尔杆几何形状，归因于手征电荷泵的磁阻组件已从其他外在效应区分。负磁阻效应对Zn掺杂有明显的抑制作用，这反映了由于自旋-轨道耦合的降低而引起的拓扑相变导致能带结构的Berry曲率减小。
2018-06-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Current dependence of grain boundary magnetoresistance in La_0.67Ca_0.33MnO_3 films
采用脉冲激光烧蚀法在双晶衬底上制备了锰氧化物铁磁薄膜。测量了它们的低场和高场磁电阻（MR）随磁场、温度和电流的变化。在低温下，由于磁畴在交变磁场中的切换，电阻率的滞后变化高达70%。电流-电压的强非欧姆行为导致高偏置电流下MR效应的完全抑制，并且在低和高磁场下具有相同的电流依赖性。我们讨论了隧道和介观尺度磁输运模型的数据，并提出了一个明确的依赖于在晶界区的所施加的电流的自旋极化。
1999-06-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low field anisotropic colossal magnetoresistance in $Sm_{0.53} Sr_{0.47} Mn O_3$ thin films
采用同轴直流磁控溅射法在LSAT（001）单晶衬底上制备了SSMO 5347薄膜（厚度约200 nm）。这些膜沿着面外c方向取向。铁磁和绝缘体-金属转变分别发生在96 K和91 K。易磁化轴被观察到位于膜的平面中，而难磁化轴被发现是沿着法线。SSMO薄膜的磁输运表现出巨大的各向异性，该磁输运作为磁场（H）与薄膜平面之间的角度（θ）的函数进行测量。磁阻（MR）随着θ从0度（H//易磁化轴）增加到90度（H//难磁化轴）而急剧减小。在H=3.6 kOe和78 K时，面外各向异性MR（AMR）高达88%.用起作用的磁各向异性和外加磁场中的磁畴运动解释了这种巨大的各向异性。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
High-field Hall resistivity and magnetoresistance in electron-doped Pr_2-xCe_xCuO_{4-δ}
我们报道了电子掺杂Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$薄膜在高达58 T的磁场中的电阻率和霍尔效应测量结果。与空穴掺杂的铜氧化物相比，我们发现在最佳掺杂和过掺杂的薄膜中，霍尔电阻率在高场下具有令人惊讶的非线性磁场依赖性。我们还观察到一个交叉从二次线性场依赖性的正磁阻过掺杂薄膜。自旋密度波诱导的费米面重构模型可以定性地解释霍尔效应和磁电阻效应。
2007-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Conductance anisotropy and linear magnetoresistance in La2-xSrxCuO4 thin films
对La_（2-x）Sr_xCuO_4（LSCO）薄膜（0.10 < x < 0.25）的电导各向异性和磁电阻进行了详细的研究。这两个观测值是有希望的条纹检测。通过测量零磁场下的横向电阻Rxy，揭示了电导各向异性的细微特征。它表明，Rxy的符号取决于LSCO霍尔条相对于衬底的平台结构的取向。因此，单元格高的衬底台阶边缘必须是薄膜生长过程中反相边界的主要成核源。结果表明，在105 K时，Rxy的测量灵敏度足以检测SrTiO 3（100）（STO）衬底的ε-四元相变。LSCO薄膜的MR在0.10 < x < 0.25时表现出非单调的温度依赖性，这是由于MR在90 K以上出现线性项所致。我们表明，线性MR尺度与霍尔电阻率的绝对值，与温度无关的比例常数。这样的缩放表明，线性MR起源于由结构或电子不均匀性引起的电流畸变。条纹的MR和电导各向异性的可能作用进行了讨论。
2011-05-29 cond-mat.str-el
Comment on ``Spin Dependent Hopping and Colossal Negative Magnetoresistance in Epitaxial $Nd_{0.52}Sr_{0.48}MnO_{3}$ Films in Fields up to 50 T''
最近，Wagner等人[Phys. Rev. Lett. Vol.81，P.3980（1998）]建议修改Mott的原始模型以并入跳跃势垒，该跳跃势垒取决于在基元过程中初始和最终状态的电子自旋之间的取向差。他们进一步声称，使用该模型，他们可以解释观察到的缩放行为-负磁阻缩放比例的布里渊函数$\cal{B}$在铁磁状态和${\cal{B}}^2$在顺磁状态。在这篇评论中，我们认为，莫特的原始模型所需的修改是不同的瓦格纳等人提出的，并进一步表明，我们的图片将成功地解释所观察到的缩放在两个制度。
1999-06-02 cond-mat.str-el
Magnetic and magnetotransport behavior of RFe5Al7 (R= Gd and Dy): Observation of re-entrant inverse-magnetocaloric phenomenon and asymmetric magnetoresistance behavior
我们比较和对比的Gd和Dy的稀土（R）系列RFe 5Al 7，在ThMn 12结构，已知的顺序反铁磁结晶成员的磁性，磁热和磁阻性能。在其他观察中，我们想强调以下新发现：（i）Dy化合物的等温熵变（Δ S）与温度（T）的关系存在多重符号交叉;除了在双磁子晶格系统中已知的磁补偿点处的零Δ S之外，在低温下还存在附加的符号交叉，就好像存在一种重入逆磁热现象。在磁阻数据中也可以观察到相应的符号反转。(ii)磁阻与磁场的关系曲线被发现是高度不对称的，对于两种化合物，磁场（H）的方向反转远低于TN，类似于已知的反铁磁隧道结。我们将这些归因于T和H引起的R和Fe磁矩自旋取向的微妙变化。
2015-06-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Control of the colossal magnetoresistance by strain effect in Nd$_{0.5}$Ca$_{0.5}$MnO$_{3}$ thin films
采用脉冲激光沉积技术在（100）-SrTiO $_{3}$上制备了具有巨磁电阻（CMR）特性的Nd $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_{3}$薄膜。这些锰氧化物的晶格参数和相关的CMR性能可以通过衬底温度$T_{S}$来控制。对于$T_{S}=680$ degC的沉积温度，在75 K下的最大CMR效应（计算为比率$ρ(H=0T)/ρ(H=7T)$）为10 $^4$。结构研究表明，Nd $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_{3}$薄膜为单相，[010]取向，具有赝立方对称的钙钛矿亚电池，室温下a=3.77 $Å$。我们认为，晶格参数，CMR和衬底温度$T_{S}$之间的相关性主要是由于衬底诱导的应变，可以削弱在低温下的电荷有序状态。
2001-06-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extraordinary Hall resistance and unconventional magnetoresistance in Pt/LaCoO3 hybrids
研究了在LaCoO $_3$（LCO）铁磁绝缘膜上溅射Pt薄膜的横向霍尔电阻和纵向电阻。LaCoO $_3$薄膜沉积在几种具有（001）取向的单晶衬底[LaAlO $_3$（LAO），（La，Sr）（Al，Ta）O $_3$（LSAT），和SrTiO $_3$（STO）]上。LaCoO $_3$薄膜的物理性能通过磁性和输运性质的测量来表征。$_3$薄膜在40 K ~ 85 K的居里温度范围内发生顺磁到铁磁（FM）的转变，低于此温度时，Pt/LCO杂化材料表现出显著的异常霍尔电阻（EHR），最高可达50 m $Ω$，非常规磁电阻（UCMR）比$Δ$/ $ρ_0$约为$1.2 \times 10^{-4}$，并伴有常规磁电阻（CMR）.所观察到的自旋输运性质共享一些共同的特点，以及一些独特的特性相比，充分研究Y $_3$ Fe $_5$ O $_{12}$为基础的Pt薄膜。我们的研究结果呼吁新的理论，因为非凡的霍尔电阻和磁阻不能一致地解释现有的理论。
2015-09-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetoresistances observed by decomposition of the magnetic moment in La1-xCaxMnO3 films
用van der Pauw方法在$_{1-x}$-$_{x}$薄膜中观察到铁磁相和半导体相，铁磁相的特征是电子载流子和高温巨磁电阻（HTCMR），而半导体相的特征是空穴载流子和低温巨磁电阻（LTCMR）. LTCMR比HTCMR对磁场更敏感。在铁磁相的薄膜在两个维度上的各向异性矩，剩余电阻率的顺序为10 $^{-8} \~Ωm$被观察到高达100 K，并与温度呈指数增加到$T_c$和磁场以上1特斯拉（正磁阻）。发现$T_c$下方的铁磁相处于极化子态，极化子移动导电，在$T_c$附近载流子密度下降。对于四探针法测量的电阻与线电极，低温信息的HTCMR没有透露。范德堡法是一种比四探针法更有效的磁性材料电阻测量方法。
2002-05-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Odd-parity magnetoresistance in pyrochlore iridate thin films with broken time-reversal symmetry
拓扑绝缘体由于其独特的Dirac表面态携带无耗散的边缘自旋电流而受到人们的广泛关注。最近，它已经在理论上提出，这种类型的能带结构，Weyl半金属相的三维模拟物，是具体化的烧绿石氧化物与强自旋轨道耦合，伴随着全进全出的自旋有序。本文报道了Eu_2 Ir_2 O_7单晶薄膜的制备和磁输运性质。我们发现，两个简并的全入全出畴结构，这是连接的时间反转操作，可以选择性地形成由冷却磁场的极性。一旦形成，该域对相反极化的磁场是鲁棒的，如由磁阻中的不寻常的奇场依赖项和霍尔电阻中的异常项所证明的。我们的研究结果为探索在烧绿石铱酸盐的表面/界面或磁畴壁预测的新的量子输运现象铺平了道路。
2015-08-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Highly Tunable Perpendicular Magnetic Anisotropy and Anisotropic Magnetoresistance in Ru-doped La0.67Sr0.33MnO3 Epitaxial Films
本研究通过协同引入4d Ru掺杂和适度压应变，显著增强了LSMO外延薄膜的垂直磁各向异性，并发现了由强PMA主导的各向异性磁阻效应，为氧化物基自旋电子器件提供了有效路径。
2023-07-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Scattering mechanisms in textured FeGe thin films: magnetoresistance and the anomalous Hall effect
用磁控溅射法生长了取向的FeGe薄膜，其螺旋磁有序温度为TN = 276 +/-2K。从5 K到室温的各种散射过程有助于对整体的纵向和霍尔介电常数。这些研究相结合的磁力和磁输运测量。高场磁电阻（MR）显示三个清晰的温度制度：洛伦兹力MR在低温下占主导地位，在T ~ 80 K以上，来自自旋波的散射占主导地位，而最后对于T > 200 K，来自波动局部矩的散射描述了MR。在低场，其中磁化强度在技术上不再饱和，我们发现磁阻与磁化强度的平方成比例，这表明由于锥形相中自旋的解绕而引起的MR是由与磁畴壁中的MR类似的机制引起的。这种磁电阻只有在200 K左右的温度下才能看到。在纵向电阻率的温度或场依赖性中，没有发现与TN处的潜在磁相变的存在相矛盾的特征：行为的显著变化是在低得多的温度下。异常的霍尔效应具有显着的温度依赖性，其中异常的霍尔电阻率与纵向电阻率成二次比例：与异常霍尔比例理论的比较表明，我们的系统是在固有的“适度脏”制度。最后，我们发现了一个拓扑霍尔效应的大小为100欧姆厘米的证据。
2014-07-09 cond-mat.str-el
Photoemission and x-ray absorption spectroscopy study of electron-doped colossal magnetoresistance manganite: La0.7Ce0.3MnO3 film
利用光电子能谱（PES）和X射线吸收谱（XAS）研究了La_（0.7）Ce_（0.3）MnO_3（LCeMO）薄膜的电子结构。LCeMO的Ce 3d芯能级PES和XAS谱与CeO 2的非常相似，表明Ce离子远不是三价的。在Ce 4 d $\to$ 4 f吸收边附近观察到很弱的4 f共振，表明Ce 4 f局域态在基态几乎为空. Mn 2 p XAS谱显示了Mn（2+）多重态的存在，证实了LCeMO中Mn离子的Mn（2+）-Mn（3+）混合价态。测得的LCeMO的Mn 3d PES/XAS光谱与使用LSDA+U方法计算的Mn 3d PDOS相当吻合。LSDA+U计算预测了LCeMO的半金属基态。
2003-09-08 cond-mat.str-el
Anisotropic strains and magnetoresistance of La_{0.7}Ca_{0.3}MnO_{3}
采用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（100）、MgO（100）和LaAlO 3（100）衬底上外延生长钙钛矿锰氧化物薄膜La_{0.7} Ca_{0.3} MnO_{3}。这些薄膜样品以及散装样品的微观结构，充分确定由X-射线衍射测量。三种膜的晶胞具有不同的形状，即，SrTiO_3、MgO和LaAlO_3的晶胞分别为收缩的四方晶系、立方晶系和拉长的四方晶系，而块体的晶胞为立方晶系。结果表明，立方晶胞样品的峰值磁电阻小于非立方晶胞样品。本研究结果表明，La_{0.7} Ca_{0.3} MnO_{3}的磁电阻可以通过外部施加的应变通过晶格畸变来控制。
1997-02-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropy of the in-plane angular magnetoresistance of electron-doed Sr1-xLaxCuO2 thin films
在欠掺杂的Ln 2-xCexCuO 4（Ln = Nd，Pr，.）甚至对于存在超导性的掺杂水平，也观察到族。我们已经在不同的电子掺杂铜酸盐家族Sr 1-xLaxCuO 2中寻找类似的性质，Sr 1-xLaxCuO 2由Sr/La原子分离的CuO 2平面组成，并且不受磁性稀土离子的可能影响。我们报告在正常状态下的欠掺杂，超导，c轴取向，外延Sr 1-xLaxCuO 2薄膜的面内磁阻测量。这种探针是敏感的自旋安排，我们发现，在平面内的磁阻，这是负的，不饱和的T，表现出角度依赖性时，测量旋转磁场内的CuO 2平面。分析揭示了四倍和两倍角振荡的叠加。这两个都随着场的增加和降低而增加幅度，并且出现在温度以下，该温度随着掺杂水平的降低而变高。我们的研究结果表明，这些磁电阻振荡，也观察到的Ln 2-xCexCuO 4（Ln = Nd，Pr，.）族，并归因于AF签名，是，没有歧义，CuO 2平面的属性。此外，这些振荡变化与掺杂在一个不寻常的方式相比，以前的结果：四倍振荡基本上是存在于更多的欠掺杂的样品，而只有两倍的振荡是可见的欠掺杂的。这一有趣的观察结果似乎是随着掺杂水平的增加而自旋稀释的结果。
2010-04-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strain tuned magnetotransport of Jeff=1/2 antiferromagnetic Sr2IrO4 thin films
本文通过实验和第一性原理计算研究了外延应变对Jeff=1/2反铁磁Sr2IrO4薄膜磁输运的调控，发现应变可有效改变磁矩倾斜角、磁电阻及各向异性磁电阻行为，为设计其功能提供了高效途径。
2023-09-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin-Splitting Magnetoresistance in Altermagnetic RuO2 Thin Films
本文通过展示由自旋电流驱动的交替磁性自旋劈裂磁阻（SSMR）效应，解决了 RuO2 交替磁性的争议，揭示了其 Neel 矢量沿 [001] 方向，并提供了一种探测交替磁性 Neel 矢量的简单电学方法。
2025-06-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Robust Surface States indicated by Magnetotransport in SmB6 Thin Films
SmB6已被预测和验证为拓扑近藤绝缘体（TKI）的原型。在这里，我们报告的纵向磁阻和霍尔系数测量共溅射纳米晶SmB6薄膜，并试图找到可能的签名，其拓扑性质。在2K下，磁电阻（MR）在低场下为正的线性（LPMR），在高场下变为负的二次型。虽然负的部分是已知的，从减少的杂交间隙由于塞曼分裂，正的依赖性是类似于已观察到的其他拓扑绝缘体（TI）。我们得出结论，LPMR是TI的一个特征，并与狄拉克锥附近的线性色散。霍尔电阻在50K附近出现符号变化。在10 K附近达到峰值并变为非线性，然后在低于10 K时下降。这表明在50 K以下出现相反符号的载流子。两种具有不同几何形状（厚度和横向尺寸）的薄膜在50K以下和50K以上表现出截然不同的行为，这证明了这些薄膜中低温载流子的表面起源。磁阻的温度依赖性和霍尔数据表明，表面状态可能是不平凡的。
2015-02-02 cond-mat.str-el
Unsaturated magnetoconductance of epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 thin films in pulsed magnetic fields up to 60 T
本文研究了La_（0.7）Sr_（0.3）MnO_3薄膜在宽温度范围和高达60 T的脉冲磁场中的电阻随温度和磁场的变化关系。采用激光分子束外延技术制备了La 0. 7Sr 0. 3MnO 3薄膜。高磁场下的磁电阻曲线由布里渊函数拟合，表明了磁极化区的存在和跳跃机制。在高达60 T的脉冲磁场中观察到的最显著的发现是不饱和磁导。这些观测结果加深了对锰氧化物巨磁电阻效应的基本认识，锰氧化物的输运性质与磁有序性密切相关。
2016-10-07 cond-mat.str-el
Observation of Josephson-like tunneling junction characteristics and positive magnetoresistance in Oxygen deficient Nickelate films of $Nd_{0.8}Sr_{0.2}NiO_{3-δ}$
由于在$Nd_{0.8}Sr_{0.2}NiO_2$（通过还原Sr掺杂的$NdNiO_3$膜获得）的无限层相中观察到的超导电性以及它们与铜酸盐高温超导体的相似性，镍酸盐膜最近引起了广泛的关注。在这里，我们报告的观察一种新型的运输贫氧$Nd_{0.8}Sr_{0.2}NiO_{3-δ}$电影。在高温下，观察到可变的范围跳跃，而在低温下，发现一种新的隧道行为，约瑟夫森类隧道结特性与串联电阻揭示。我们将这种现象归因于贫氧膜中晶粒的S表面之间通过绝缘（I）晶界的耦合，这产生了与晶粒本身的正常（N）电阻串联的SIS结。所观察到的电导谱与具有类约瑟夫森电流的隧道结特性的相似性是惊人的，似乎支持我们样品中超导性的存在。
2020-12-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetotransport Properties of Epitaxial Films and Hall Bar Devices of the Correlated Layered Ruthenate Sr$_3$Ru$_2$O$_7$
本研究通过外延Sr$_3$Ru$_2$O$_7$薄膜及霍尔条器件，发现图案化可显著增强磁电阻（最高140%），并实现磁场方向控制的正负磁电阻切换，为关联钌酸盐器件物理提供新途径。
2024-03-18 cond-mat.str-el physics.app-ph
Laser microscopy of tunneling magnetoresistance in manganite grain-boundary junctions
使用低温扫描激光显微镜，我们直接图像的电输运的磁阻元件，锰氧化物薄膜包围的晶界（GB）。在可变温度下的成像允许重建和比较局部电阻与温度的锰氧化物膜和GB。在低温下的成像还表明，由于沿着GB的磁畴的形成和生长，GB在不同的电阻状态之间切换。我们观察到不同类型的畴壁生长;在大多数情况下，畴壁在桥的一个边缘成核，然后向另一个边缘进行。
2005-11-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantum oscillations and linear magnetoresistance in ultraclean CaVO$_3$ thin films
Humboldt-Universität zu Berlin（柏林洪堡大学）；The Pennsylvania State University（宾夕法尼亚州立大学）；Paul Drude Institute for Solid State Electronics（保罗·德鲁德固态电子研究所）
研究发现钙钒酸超净薄膜中存在多种载流子的相互作用及非球形费米面的关联效应。
2026-03-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pure spin-Hall magnetoresistance in Rh/Y3Fe5O12 hybrid
研究了在Y-$_3$-Fe-$_5$-O $_{12}$（YIG）铁磁绝缘膜上溅射Rh和Pt薄膜的各向异性磁电阻（AMR）和反常霍尔电阻（AHR）。对于Pt/YIG混合物，在5-300 K的温度范围内观察到大的自旋霍尔磁电阻（SMR）以及相当大的常规各向异性磁电阻（CAMR）和AHR的非平凡温度依赖性。与此相反，Rh/YIG杂种的SMR降低，CAMR和AHR可忽略不计。由于CAMR和AHR是所有铁磁金属的特征，我们的研究结果表明，由于磁邻近效应（MPE），Pt可能被YIG磁化，而Rh仍然没有MPE。因此，Rh/YIG混合物可能是一个理想的模型系统，探索与纯自旋电流相关的物理和器件。
2015-10-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Temperature Dependence of Resistivity of $Sr_2CoMoO_{6-δ}$ Films
研究了用脉冲激光沉积法在（100）-$SrTiO_3$衬底上制备的多晶$Sr_2CoMoO_{6-δ}$薄膜的电阻率和磁电阻随温度的变化关系。X射线衍射、拉曼和磁电阻的结果清楚地表明了铁磁金属畴和反铁磁（或顺磁）绝缘畴的共存。在我们测量样品电阻率的温度依赖性时，直接观察到了这两个相之间随温度变化的渗流转变，这被认为是在$T_C$附近诱导金属-绝缘体转变。从而为有序双钙钛矿结构材料中也存在相分离现象提供了新的直接证据。
2003-07-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
