Critical magnetic fluctuations induced superconductivity and residual density of states in $CeRhIn_5$ superconductor
我们提出了自旋费米子模型的多带扩展，以解决超导d波配对由于临界点附近的磁相互作用。我们解决了一般d波对称间隙的无限制的间隙方程，发现发散的磁相关长度$ξ$导致非常非谐波形状的间隙函数与浅间隙区域附近的节点。这些区域对混乱非常敏感。小的杂质浓度诱导相当大的剩余态密度。我们认为，我们可以理解的大$N_{res}(0) = \lim_{T\to 0} C_p(T)/T$值和它的压力依赖性最近发现的$CeRhIn_5$超导体在压力下，在这种方法。
2002-01-17 cond-mat.str-el
Evolution of hyperfine parameters across a quantum critical point in CeRhIn$_5$
本文报道了重费米子材料CeRhIn $_5$在静水压下In（1）和In（2）位的核磁共振数据。Knight位移数据揭示了In（1）位的超精细耦合作为压力的函数受到抑制，In（2）位的电场梯度$ν_{αα}$在$P_{c1} = 1.75$ GPa下表现出斜率$dν_{αα}/dP$的变化。这些耦合常数的变化反映了量子临界点处电子结构的变化。
2015-10-16 cond-mat.str-el
Unusual Kondo-hole effect and crystal-field frustration in Nd-doped CeRhIn$_{5}$
我们研究了单晶样品的Ce $_{1-x}$ Nd $_{x}$ RhIn $_{5}$通过X射线衍射，微探针，磁化率，热容，和电阻率测量。我们的数据表明，反铁磁转变温度的CeRhIn $_{5}$，$T_{N}^{\mathrm{Ce}} = 3.8$ K，是线性抑制与$x_{\mathrm{Nd}}$，凭借“近藤洞”的Nd取代。然而，将$T^{\mathrm{Ce}}_{N}$外推至零温度发生在$x_{c} \sim 0.3$处，其低于在Ce $_{1-x}$ La $_{x}$ RhIn $_{5}$中发现的2D逾渗极限。这一结果有力地表明了晶体场阻挫效应的存在。在$x_{\mathrm{Nd}} \sim 0.2$附近，Nd离子的Ising AFM级稳定，并且$T^{\mathrm{Nd}}_{N}$增加到纯NdRhIn $_{5}$中的$11$ K。我们的研究结果揭示了重费米子反铁磁体中磁掺杂的影响，并刺激了在施加压力下对此类系统的研究。
2016-04-04 cond-mat.str-el
Tuning of magnetic quantum criticality in artificial Kondo superlattice CeRhIn5/YbRhIn5
研究了外延Kondo超晶格中约化维数和界面对反铁磁量子临界性的影响，该超晶格由重费米子反铁磁体CeRhIn $_5$和7层正常金属YbRhIn $_5$交替组成.随着$n$减少，由于有效近藤屏蔽的减少，近藤相干温度被抑制。随着$n$的减小，Néel温度逐渐被抑制，准粒子质量强烈增强，这意味着朝向量子临界的维度控制。磁输运测量结果表明，在小磁场作用下，$n=3$超晶格达到了量子临界点.值得注意的是，量子临界场的各向异性是相反的预期从体CeRhIn $_5$的磁化率，这表明Rashba自旋轨道相互作用所产生的反转对称性破缺在界面上起着关键作用，在二维近藤晶格的量子临界性的调谐。
2016-04-30 cond-mat.str-el
Non-monotonic pressure dependence of high-field nematicity and magnetism in CeRhIn$_5$
CeRhIn $_5$提供了一个重费米子系统量子临界性的教科书例子：压力抑制局域矩反铁磁（AFM）秩序，并在$p_{c} \approx 23\,$ kbar附近的量子临界点（QCP）周围的圆顶中诱导超导性。在$B_{\rm c}\approx 50\,$ T下，强磁场也抑制了场致QCP的AFM有序度。在其附近，出现了以大的面内电阻率各向异性为特征的$B^*\approx 28\,$ T的双相。在这里，我们直接调查这些现象之间的相互关系，通过在高压下的磁阻测量。随着压力的增加，相变转移到更高的磁场，直到它在$p_{\rm c}$以下消失。当接近$p_{\rm c}$时，压力抑制零场中的磁序，我们发现由于近藤效应的抑制，在强磁场下磁性增强。我们揭示了一个强烈的非平均场的相图，更丰富的比常见的本地矩描述CeRhIn $_5$会建议。
2020-12-11 cond-mat.str-el
Switching of the magnetic order in CeRhIn$_{5-x}$Sn$_{x}$ in the vicinity of its quantum critical point
本文报道了四元反铁磁重费米子系统$_{5-x}$ $_{x}$在其（$x$，$T$）相图中进行的中子衍射实验，其临界浓度$x_c$ $\approx$ 0.40附近的长程磁序被抑制.发现磁结构的传播矢量为$\bf{k_{IC}}$ =（1/2，1/2，$k_l$），当$x$从0增加到0.26时，$k_l$从$k_l$ =0.298增加到$k_l$ =0.410.令人惊讶的是，当$x$ =0.30时，有序度发生了剧烈的变化，发现了与$\bf{k_{C}}$ =（1/2，1/2，0）相当的反铁磁性。
2014-06-03 cond-mat.str-el
Robust Fermi-Surface Morphology of CeRhIn$_5$ across the Putative Field-Induced Quantum Critical Point
本文报道了重费米子材料CeRhIn $_5$在高达70 T的磁场中的deHaas-van Alphen（dHvA）研究.几个dHvA频率逐渐出现在高场作为磁击穿的结果。其中一个重要的分支是$β_1$，迄今尚未观察到。与非$4f$化合物LaRhIn $_5$的dHvA谱和能带结构计算的比较表明，CeRhIn $_5$中的CePDMATHABMO电子在整个场范围内保持局域化。这就排除了任何显著的费米面重构，无论是在建议的$B^{*}\approx$ 30 T的双折射相变，还是在假定的$B_c \simeq$ 50 T的量子临界点。我们的结果，而证明了费米面的鲁棒性和本地化性质的4 $f$电子内部和外部的反铁磁相。
2021-01-12 cond-mat.str-el
Quantum criticality in layered CeRhIn_{5-x}Sn_x compared with cubic CeIn$_{3-x}Sn_x
本文报道了{ \it层状}重费米子系统\cri（$0.3\leq x \leq 0.6$）单晶的低温热膨胀测量结果，并与相关的{ \it立方}系统\ci [R. Küchler { \it等}，物理修订版信函{ \bf 96}，256403（2006）]。这两个系统显示量子临界点证明了一个发散的格吕奈森比。最值得注意的是，三维巡回模型解释了{ \it both}系统中的量子临界性，表明\cri中的晶体各向异性并不重要。这是由于在这些掺杂系统中的弱无序的效果。
2009-09-18 cond-mat.str-el
Electronic in-plane symmetry breaking at field-tuned quantum criticality in CeRhIn5
电子向列相是物质的奇异状态，其中电子相互作用打破了底层晶格的旋转对称性，类似于无平移顺序的定向排列。有趣的是，这些相出现在铜基和铁基超导体中，它们在建立高温超导性中的作用仍然是一个悬而未决的问题。向列性可能积极参与，与超导性合作或竞争，也可能偶然出现在这样的系统中。在这里，我们提出了实验证据的一个阶段的重费米子超导体CeRhIn 5的特征。在Hc~ 50 T的反铁磁（AFM）量子相变附近，观察到了场诱导的电子四面体对称性破缺.该相出现在H ~*~ 28 T的面外场中，其特征在于显著的面内电阻率各向异性。各向异性可以通过小的面内场分量来对准，与下面的晶体结构没有明显的连接。此外，没有观察到异常的磁转矩，这表明在这个领域的范围内没有变磁过渡。这些观测结果表明CeRhIn 5中高场态的电子自旋特征。在表型重费米子超导体中的超导行为的出现突出了向列性和非常规超导性的相互关系，表明向列性是此类材料的共性。
2017-06-03 cond-mat.str-el
Magnetism and Superconductivity in CeRhIn5
本文综述了重费米子超导体CeRhIn $_5$的最新研究结果，它为研究反铁磁性和超导电性的相互作用提供了理想的条件。主要结果是在压力和磁场扫描下出现了反铁磁性和超导性共存的微观畴。在零磁场下，从压力感应超导开始到反铁磁现象突然消失的临界压力$p_c^\star$，出现了压力共存。在磁场作用下，超导态内部的磁序重入发生在从$p_c^\star$到$p_c$的压力范围内。反铁磁量子临界点被超导性的出现所掩盖。一个引人注目的点是$_5$和高$T_c$铜酸盐超导体的相图的相似性，其中对于铜酸盐，载流子浓度代替了压力。这两个系统的特点是：隐藏的磁量子临界性，磁场重入和费米表面不稳定性的强联系。
2009-11-27 cond-mat.str-el
Tuning the pressure-induced superconductivity in Pd-substituted CeRhIn5
在单晶体上研究了Pd在CeRh_（1-x）Pd_xIn_（5）中取代Rh（x = 0.25）的效果。用In自熔剂法生长了晶体，并用X射线衍射和微探针对其进行了表征。母体化合物的四重HoCoGa 5型结构和c/a比通过Pd取代保持完整; Pd的x = 0.25时，晶胞体积增加0.6%。还研究了在2.25GPa的静水压力下电阻率的低温行为。Pd替代Rh对磁行为和在2GPa以上压力下测得的超导转变温度的最大值的影响很小。另一方面，结果提供的证据表明，超导电性在CeRh 0.75Pd 0.25In 5诱导在显着较低的压力，即Pd取代Rh移动CeRh 1-xPdxIn 5系统更接近共存的磁性和超导性在环境压力下。
2015-01-20 cond-mat.str-el
Critical-point anomalies in doped CeRhIn5
通过Sn掺杂调控重费米子化合物CeRhIn5的光学性质，发现随着Sn浓度增加$c$-$f$杂化增强，并在低温下观察到非费米液体行为，特征温度$T^*$随接近量子临界点而单调增加。
2023-10-25 cond-mat.str-el
Coexistence of Antiferromagnetism and Superconductivity near the Quantum Criticality in Heavy Fermion Compound CeRhIn$_5$
研究了重费米子化合物CeRhInPDMATHABMM在压力$P=1.75$ GPa下的反铁磁性与超导电性的相互作用。由于低于Néel温度$T_N=2.5$ K的自发内场，$^{115}$ In-NQR谱出现明显分裂，证明了磁序的开始。同时，散装SC低于$T_c=2.0$ K的迈斯纳抗磁性信号的大小是相同的，在专门的超导相的观察证明。这些结果表明，在微观水平上，AFM与SC均匀共存。
2002-11-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hidden Magnetism and Quantum Criticality in the Heavy Fermion Superconductor CeRhIn5
除了可以理解的例外，传统的超导性并不与长程磁序共存[1]。相反，非常规超导性在分离磁有序和磁无序相的边界附近发展[2，3]。超导转变温度Tc的最大值出现在该边界外推到T=0 K的地方，这表明与该磁量子临界点相关的波动对于非常规超导性是必不可少的[4，5]。然而，当T < Tc时，非常规超导性隐藏了磁边界，阻止了磁量子临界点的证明[5]。在这里，我们报告的比热测量的压力调谐的非常规超导体CeRhIn 5中，我们发现了一条线的量子相变诱导内的超导状态所施加的磁场。这条量子临界线将反铁磁性和超导性共存的阶段与纯粹的非常规超导阶段分开，并终止于磁场完全抑制超导性的量子四临界点。CeRhIn 5的T->0 K磁场-压力相图用理论模型[6，7]很好地描述，该模型是为了解释高Tc铜氧化物中的场致磁性而开发的，但其中不可能清楚地描绘量子相边界。这些实验建立了隐藏的磁性，量子临界性和非常规的铜酸盐和重电子系统，如CeRhIn 5超导之间的共同关系。
2006-03-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing magnetic orders in the superconducting state of Nd-doped CeRhIn$_{5}$ under pressure
外加压力驱使重费米子反铁磁体CeRhIn $_{5}$朝向量子临界点，而量子临界点被非常规超导性的圆顶所隐藏。磁场抑制了这个超导圆顶，揭示了局部特征的量子相变。在这里，我们表明，$5\%$磁取代在Ce网站在CeRhIn $_{5}$，无论是Nd或Gd，诱导超导状态内的零场磁不稳定性。这种磁性状态不仅应该具有与高场局域磁矩磁性状态不同的有序矢量，而且还与后者竞争，这表明Nd和Gd杂质在零场中稳定了自旋密度波相位-类似于Ce $_{0.95}$ Nd $_{0.05}$ CoIn $_{5}$的情况。在模型计算的支持下，我们将这种自旋密度波不稳定性归因于非常规超导态内部形成的自旋激子的磁杂质驱动的凝聚。
2017-03-02 cond-mat.str-el
Fermi surface reconstruction and multiple quantum phase transitions in the antiferromagnet CeRhIn$_5$
传统的，热驱动的连续相变是由通用的临界行为，是独立的材料的具体微观细节。然而，目前的许多研究集中在材料，表现出量子驱动的连续相变（量子临界点，或QCP）在绝对零度温度。这些QCP的分类以及它们是否表现出普遍行为的问题仍然是悬而未决的问题。在这里，我们报告的热容量和德哈斯-范阿尔芬（dHvA）振荡在低温下通过场致反铁磁QCP（B $_{c0}\simeq$ 50 T）在重费米子金属CeRhIn $_5$。一个尖锐的，磁场诱导的变化费米表面检测到的dHvA效应和霍尔电阻率在B $_0^*\simeq$ 30 T，以及内部的反铁磁相。与能带结构的计算和性质的同构CeCoIn $_5$的比较表明，在B $_0^*$的费米面的变化是与一个本地化的巡回过渡CeRhIn $_5$的Ce-4f电子。与压力数据相结合，我们的研究结果表明，至少有两个不同的类QCP是可观察到的CeRhIn $_5$，一个重要的一步，对推导出一个通用的相图QCP。
2015-01-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermoelectric signature of quantum criticality in the heavy-fermion superconductor CeRhIn$_5$
本研究通过热电势测量发现纯 CeRhIn$_5$ 在 Kondo 破缺 QCP 处发生热电势剧烈坍缩，而 4.4% Sn 掺杂样品在自旋密度波 QCP 附近呈对称行为，证明热电势可有效区分重费米子系统的量子临界性本质。
2024-08-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhancement of the effective mass at high magnetic fields in CeRhIn$_5$
近藤晶格化合物CeRhIn $_5$在反铁磁态的$B^*\approx30$ T处表现出场诱导费米面重构，并先于$B_{c0}\approx50$ T处的量子临界点.在这里，为了调查费米面变化的性质，我们测量了磁致伸缩，比热，和磁转矩的CeRhIn $_5$在很宽的范围内的磁场。我们的观察揭示了场诱导的$4f$电子的巡回性，其中以上$B_{\rm onset}\approx17$ T有一个显着的增强索末菲系数，和自旋相关的有效回旋质量从量子振荡确定。在穿过$B_{\rm onset}$后，比热的温度依赖性也显示出与低场下明显不同的行为。我们的研究结果表明，近藤耦合是显着强大的磁场增加。这是由于在$B^*$费米面重构时$4f$电子的离域。
2019-01-17 cond-mat.str-el
High pressure phase diagrams of CeRhIn$_5$ and CeCoIn$_5$ studied by ac calorimetry
用交流量热法和交流磁化率测量方法研究了重费米子反铁磁体CeRhIn $_5$和重费米子超导体CeCoIn $_5$在静水压下的压温相图。在CeRhIn $_5$中，使用高流体静压传输介质允许通过反铁磁和超导转变的体探针进行干净的同时测定。我们将新相图与以前的相图进行了比较，讨论了各种线的性质（一阶或二阶），以及反铁磁序和超导电性的共存。超导热异常的温度与反铁磁转变的加宽之间的联系表明，在$P_c \approx 1.95$ GPa以下，超导性的出现是不均匀的。只有在这个临界压力以上才能观察到均匀体超导性。本文详细分析了压力不均匀性对比热异常的影响，强调了在$P_c$附近观测到的跃迁展宽与一级跃迁有关。对于CeCoIn $_5$，我们表明，在$T_c$在环境压力下观察到的大比热异常被线性抑制至少高达3 GPa。
2004-08-02 cond-mat.str-el
Competition and/or Coexistence of Antiferromagnetism and Superconductivity in CeRhIn$_5$ and CeCoIn$_5$
Ce化合物CeCoIn $_5$和CeRhIn $_5$是研究反铁磁性（AF）和超导电性（SC）竞争的理想模型体系。在这里，我们讨论的压力-温度和磁场相图的两种化合物。在CeRh-In-$_5$中，在零磁场下，低于临界压力$p_{\rm c}^\star \approx 2$ GPa时，AF相中存在AF+SC共存相。高于$p_{\rm c}^\star$的AF在零场中受到抑制，但可通过施加磁场重新诱导。压力下AF的坍缩与费米面的突变相一致。在CeCoIn $_5$中，在低温和高磁场（LTHF）下出现新相，该相在上临界场$H_{\rm c2}$处消失。在这两种化合物中，顺磁对断裂效应在低温下占主导地位。我们讨论了这两种化合物在高压下的上临界场的演化，并提出了一个简单的图片的胶水的重入磁性的上临界场，以解释反铁磁秩序和超导性的相互作用。
2009-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Specific heat of CeRhIn$_5$ in high magnetic fields: Magnetic phase diagram revisited
CeRhIn $_5$是一种典型的反铁磁重费米子化合物，其在磁场中的行为是独特的。施加在四面体晶体结构的基面中的磁场诱导两个额外的相变。当沿$c$轴或靠近$c$轴施加磁场时，在$B^* \approx$ 30 T处出现一个新的相位，其特征在于显著的面内电子各向异性，远低于临界场$B_c \simeq$ 50 T，以抑制反铁磁序。这个新相的确切起源，最初被认为是一个电子-电子态，仍然难以捉摸。在这里，我们报告的低温比热测量CeRhIn $_5$在高静态磁场高达36 T沿$a$和$c$轴。对于沿$a$轴施加的场，我们确认了先前建议的相图，并将其扩展到更高的场。这使我们能够观察到一个三相点在$\sim$ 30 T，其中一阶过渡从不相称的相称的磁性结构合并到发病的第二阶反铁磁过渡。对于沿$c$轴施加的场，我们观察到一个小的，但明显的异常在$B^*$，我们讨论的一个可能的场诱导的过渡，可能是弱一阶。我们进一步认为，转变对应于磁结构的变化。我们修订的磁相图CeRhIn $_5$的两个主要方向的磁场完全基于热力学异常。
2021-01-18 cond-mat.str-el
Evidence for charge delocalization crossover in the quantum critical superconductor CeRhIn$_5$
通过压力依赖的Hall测量识别电荷离域交叉尺度，揭示CeRhIn$_5$中Kondo击穿临界性，而Sn掺杂样品显示SDW型临界性，强调$E_\ ext{loc}$对表征量子临界性和超导配对机制的重要性。
2023-11-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Knight shift measurements probing Fermi surface changes under pressure in CeRhIn$_5$
University of California Davis（加州大学戴维斯分校）
通过压力诱导的Knight shift测量，研究了CeRhIn$_5$中费米面变化与超精细耦合的关系。
2025-09-23 cond-mat.str-el
Navigating the trends in the proximity to magnetic quantum critical point and superconductivity for Ce-based heavy-fermion compounds
基于Kondo晶格模型，从第一性原理出发描述了CeRhIn $_5$的压致磁量子相变. CeRhIn $_5$高于环境压力高达P=5 [GPa]的模拟表明，它被驱动从反铁磁相到顺磁相跨越可能的QCP约P=2 [GPa]，与实验趋势一致。我们的计算表明，在$P\stackrel{<}{\sim} 3$ [GPa]附近可能存在共存相。基于我们的真实模拟数据，我们编制了一个全面的材料导航器，包括压力相关的CeRhIn 5，为进一步发现Ce基重费米子超导体提供了指导。
2020-01-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Coexistence of antiferromagnetism and superconductivity in CeRhIn5 under high pressure and magnetic field
我们报告详细的交流量热法测量下的高压和磁场的CeRhIn 5。在静水压力下，由于一级相变，反铁磁序在p_c*= 2GPa附近消失。超导性被发现的压力超过1.5 GPa内的磁有序相。但在2GPa以上，超导态不同于纯的均匀超导基态。外加磁场H|| AB在高于Pc* 的超导态内部引起跃迁，这与反铁磁性随场的重新进入密切相关。这种场诱导的补充态在该系统的量子临界点以上消失。讨论了与CeCoIn5的类比。
2005-12-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Ambient-pressure bulk superconductivity deep in the magnetic state of CeRhIn5
比热，磁化率和电输运测量进行了高品质的单晶样品CeRhIn5在环境压力下到超低温。我们报告的签名的异常观察到的所有测量量一致的大块相变超导状态在T_c=110 mK。在T_N=3.8 K时，这一转变远低于反铁磁性的起始温度，它似乎涉及到相当一部分可用的低温电子态密度，其熵变与115族超导体中其他偏离量子临界态的成员一致。
2007-12-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic-Field-Induced Antiferromagnetism in Two-Dimensional Hubbard Model: Analysis of CeRhIn$_5$
利用涨落交换（FLEX）近似，考虑磁场引起的塞曼能量$B$，提出了二维哈伯德模型中反铁磁量子临界点附近的磁场诱导反铁磁（AFM）态的机制.在QCP附近，我们发现垂直于$B$的AFM相关性增强，而平行于$B$的AFM相关性降低。这一事实意味着有限磁场增加了$T_N$，AFM阶垂直于$B$。$T_N$的增量可以理解为由于磁场引起的量子和热涨落的减少，这是由FLEX近似中的自能效应引起的。本研究自然地解释了最近发现的磁场作用下CeRhIn_5中$T_N$的增加。
2005-01-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum critical scaling and fluctuations in Kondo lattice materials
我们提出了一个新的现象学框架三类近藤晶格材料，结合了与反铁磁量子临界点和杂交量子临界点，标志着本地矩行为的结束所产生的波动之间的相互作用。我们发现这些涨落引起了两个不同的量子临界标度区域：杂化涨落是导致相干温度T* 以下出现的重电子近藤液体态密度的对数标度的原因;而非常规的幂律标度的电阻率出现在较低的温度低于T_QC可能反映了杂化和反铁磁量子临界涨落的综合效应。我们的框架支持CeCoIn 5，CeRhIn 5和其他重电子材料的实验测量。
2017-06-28 cond-mat.str-el
Ubiquity of Unconventional Phenomena Associated with Critical Valence Fluctuations in Heavy Fermion Metals
本文从临界价涨落的观点出发，讨论了在一系列重费米子金属中普遍存在的非常规现象。在考察了典型化合物CeCu_2（Si，Ge）_2在压力下的这些非常规行为的实验方面后，我们提出通过同时调节压力和磁场，在CeCu_6，CeRhIn_5和Ce（Ir，Rh）Si_3中实现了急剧的价键交叉现象，本文在已有的推广的Anderson晶格模型的基础上，考虑了定域f电子与巡游导电电子之间的库仑排斥作用。
2017-04-01 cond-mat.str-el
Pressure phase diagram and quantum criticality of CePt2In7 single crystals
本文报道了CePt_2In_7单晶的温度-压力（T-P）相图，特别是反铁磁序的压力演化和超导电性的出现，并在近流体静力学环境下用电阻率和交流量热法进行了研究。与多晶超导体相比，体超导与反铁磁共存的压力范围要窄得多。在CePt 2 In 7中也观察到了织构超导性和局域量子临界性的可能存在，表现出与CeRhIn 5的显著相似性。
2013-06-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mass Enhancement and Reentrant Ground State in Magnetic Field
讨论了最近在格勒诺布尔研究的重费米子系统URhGe、UGe $_2$和CeRhIn $_5$中磁场重入基态的三种不同情况。超锗是一种铁磁超导体，在与自旋重取向场有关的磁场（$H$）作用下具有超导折返性。UGe $_2$是一种铁磁超导体，在2个铁磁相之间的变磁转变处，超导的上临界场$H_{c2}$增强。CeRhIn $_5$是具有$H$折返反铁磁性的超导体。我们分析了$H$增强的不同贡献的有效质量和场重入相位之间的联系。
2009-06-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interplay of disorder and spin fluctuations in the resistivity near a quantum critical point
在反铁磁量子临界点（QCP）附近的金属电阻率强烈地受到少量无序的影响。在准经典的处理，我们表明，强烈的各向异性散射由于自旋波动和各向同性杂质散射的相互作用导致一个大的制度，电阻率随T^α，与异常指数，α，1 <= α <= 1.5，取决于无序的量。我认为，这一机制在一定程度上详细解释了在QCP附近的CePd_2Si_2，CeNi_2Ge_2和CeIn_3中观察到的电阻率的异常温度依赖性。
1999-05-14 cond-mat.str-el
Orbitally defined field-induced electronic state in a Kondo lattice
CeRhIn $_{5}$是近藤晶格的原型，其中磁场B $\bf{^{\ast}\simeq}$ 30 T诱导突变的费米面（FS）重构和明显的面内电输运各向异性，所有这些都在其反铁磁态内。虽然零场的反铁磁序已经被很好地理解，但由于在高场下微观探测状态所固有的挑战，B $^{\ast}$处出现的状态的起源仍然未知。在这里，我们报告的低温核磁共振（NMR）测量揭示了一个不连续的减少$^{115}$在正式的骑士移位，没有变化的晶体或磁性结构，CeRhIn $_{5}$在字段跨越B $^{\ast}$。我们表明，B $^{\ast}$以上的紧急状态的结果从Ce的4f轨道的变化，所产生的晶体电场（CEF）能级的场诱导演化。这种轨道特性的变化增强了4f和传导电子（c.e.）这最终导致在B $\bf{_{c0} \simeq}$ 50 T处的巡回量子临界点。
2019-06-08 cond-mat.str-el
Resistivity of a $2d$ quantum critical metal
Himachal Pradesh University（喜马偕尔邦大学）；Physical Research Laboratory（物理研究实验室）
该研究采用s-d哈密顿量与RPA方法计算二维铁磁金属顺磁相电阻率，发现量子临界点附近二维电阻率标度为T^(4/3)，结果与SCR理论一致。
2019-02-16 cond-mat.str-el
Critical drag as a mechanism for resistivity
具有守恒电荷的量子多体系统的直流电阻率可以是零（意味着它支持无耗散电流）或非零。精确的零电阻率与防止电流衰减的守恒定律有关。在本文中，我们仔细研究了这种情况可能发生的情况。我们发现，电阻率为零需要连续的平移对称性，或具有某种“混合异常”的电荷的内部对称性。(The对称性可以是与不可破环或更高维激发的出现相关联的广义全局对称性。然而，即使其中之一是满意的，我们表明，仍然有一种机制，以获得非零电阻率，通过临界波动驱动的保守量的磁化率到无穷大，我们称之为“临界阻力”这种机制。因此，临界阻力是电阻率的一种机制，与传统机制不同，它与对称性的破坏无关。此外，我们认为，一个新兴的对称性，具有适当的混合异常与电荷，实际上是一个不可避免的后果，在系统的压缩晶格平移对称。因此，临界阻力似乎是在这样的系统中获得非零电阻率的唯一方法（除了通过不相关的扰动打破涌现对称性，在重整化群固定点消失）。最后，我们提出了一个非常简单和具体的模型-“量子Lifshitz模型”-说明了临界阻力机制以及其他考虑的文件。
2022-03-30 cond-mat.str-el
Quantum-critical resistivity of strange metals in a magnetic field
几种金属化合物如铜酸盐、重费米子、Fe-硫族化物和磷族化物、扭曲双层石墨烯和WSe $_2$的量子临界波动区域中的电阻率在温度$T$以及磁场$H$中是线性的。描述回路电流涨落的时间反演奇极性矢量场${\bf Ω}$的激发对费米子的散射，已被证明在铜氧化物中具有线性电阻率和其他反常性质。将这一理论推广到外加磁场中。示出了磁场在场${\bf Ω}$中产生与$H_z$成比例的涡旋，该分量正交于导电平面。费米子从涡旋的弹性散射给出了在$H_z$中线性的电阻率。预测$H_z$电阻率的线性系数随临界状态下费米液体磁化率$\propto \ln(\frac{ω_c}{T})$的变化而变化。与实验定量比较。
2022-05-19 cond-mat.str-el
Resistivity of a non-Galilean--invariant Fermi Liquid near Pomeranchuk Quantum Criticality
分析了金属在波梅兰丘克量子相变（QPT）附近电子-电子相互作用对电阻率的影响。我们表明，Umklapp过程是不有效的QPT附近，必须考虑相互作用和无序获得有限的和T依赖的电阻率。通过功率计数，在Z=3 QPT附近，在低T下对剩余电阻率的校正标度为Δ T ^{（D+2）/3}。然而，我们表明，A=0的简单连接，凸费米面在2D中，由于隐藏的可积性的电子运动。我们认为，在一个两带（s-d）模型中，A >0，并提出这个模型作为所观察到的T^{（D+2）/3}行为的解释。
2011-03-08 cond-mat.str-el
Critical current density of hole doped high-Tc cuprates and heavy fermion superconductors: relevance to the possible quantum critical behavior
空穴掺杂铜氧化物的超导临界电流密度Jc与铜氧化物平面内的掺杂空穴含量p有很强的依赖关系。掺杂依赖的Jc主要表现为本征破坏临界电流密度随p的变化。在铜氧化物超导体中，Jc（p）趋于在p ~ 0.185处达到峰值。空穴含量的这个特定值，通常称为临界空穴浓度，具有量子临界点（QCP）的几个特征。最近，已经报道了纯CeRhIn 5和Sn掺杂的CeRhIn 5重费米子化合物中超导转变温度（Tc）和临界电流（Ic）的压力依赖性（Nature Communications（2018）9：44，DOI：10.1038/s41467-018-02899-5）。临界压力划定了一个反铁磁量子临界点，其中Tc和Ic都最大化。我们在这篇简短的文章中将这种行为与Y1-xCaxBa 2Cu 3 O 7-d的行为进行了比较和对比。重费米子系统和空穴掺杂铜氧化物系统的临界电流随压力和空穴含量的系统行为具有明显的相似性。这增加了间接证据，表明量子临界物理学可能在氧化铜超导体的非常规正常和超导态特性之外发挥着显着的作用。
2018-12-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum criticality in Yb(Rh0.97Co0.03)2Si2 probed by low-temperature resistivity
利用电阻率和磁阻效应研究了Yb（Rh0.97Co0.03）2Si 2的量子临界性。Co的部分取代导致了预期的稳定的磁性根据Yb系统的化学压力的应用。然而，近藤击穿的签名保持在相同的位置，在温度-磁场相图相比，化学计量的YbRh 2Si 2。因此，近藤击穿位于反铁磁相内。这些结果很好地符合化学压力下的全局相图[1]。
2009-07-24 cond-mat.str-el
Resistivity of Mn$_{1-x}$Fe$_x$Si single crystals: Evidence for quantum critical behavior
在2 ~ 300 K温度范围内，对Mn $_{1-x}$ Fe $_x$ Si单晶进行了电阻率测量，测量温度为$x$ = 0，0.05，0.08，0.12和0.15。发现Fe掺杂将磁有序温度从$x$ = 0的30 K降低到$x$ = 0.15的2K以下。虽然Fe掺杂导致低温剩余电阻率大幅增加，但磁性转变上方的电阻率的温度依赖性几乎不受Fe含量增加的影响。的电阻率的温度导数的分析提供了强有力的证据附近的$x$ = 0.15的非费米液体的基态的存在，从而为量子临界点调谐的Fe含量。
2009-08-03 cond-mat.str-el
Role of vertex corrections in the $T$-linear resistivity at the Kondo breakdown quantum critical point
近藤击穿方案已被要求允许$T$ -线性电阻率附近的近藤击穿量子临界点，其中两个基石是动力学指数$z = 3$量子临界性的杂化波动在三维和无关的顶点校正运输由于本地化电子的存在。我们重新讨论电输运系数的顶点修正问题。假设两种玻色子自由度（杂化激发和规范涨落）处于平衡状态，导出了两种费米子（传导电子和自旋子）的耦合量子Boltzmann方程.我们揭示了顶点校正发挥了一定的作用，将$T$ -线性行为改变为三维的$T^{5/3}$。然而，$T^{5/3}$制度原来是狭窄的，和$T$ -线性电阻率仍然是预期在大多数温度范围内的近藤击穿量子临界点，尽管存在的顶点校正。我们证明我们的评估，表明霍尔系数是不重整化保持费米液体值在近藤击穿量子临界点。
2011-06-30 cond-mat.str-el
Linear resistivity and Sachdev-Ye-Kitaev (SYK) spin liquid behavior in a quantum critical metal with spin-$1/2$ fermions
电阻率与温度呈线性关系的“奇异金属”$T$低至低- $T$一直是凝聚态物理中的一个长期难题。在这里，我们考虑一个巡游自旋- $1/2$费米子通过在位Hubbard相互作用和随机无限程自旋-自旋相互作用相互作用的模型。我们表明，与自旋玻璃相的电荷波动的熔融相关的量子临界点显示非费米液体行为，与本地自旋动力学的Sachdev-Ye-Kitaev家庭的模型相同。这将先前在$SU(M)$对称模型的大- $M$极限中建立的量子自旋液体动力学扩展到具有物理$SU(2)$自旋- $1/2$电子的模型。值得注意的是，量子临界区还具有与$T$线性散射率相关的普朗克线性$T$电阻率和与边缘费米液体现象一致的电子自能的频率依赖性。
2020-02-17 cond-mat.str-el
Resistivity near a nematic quantum critical point: Impact of acoustic phonons
我们重新审视的二维电子系统的电阻率调谐到一个量子临界点（QCP）的问题，专注于非平凡的影响耦合的声学声子。由于电子序序参量与晶格应变场之间不可避免的线性耦合，在该问题中出现了由声子介导的长程相互作用。通过求解半经典玻尔兹曼方程中存在的杂质散射和量子涨落，我们确定的电阻率的温度依赖性作为coherent QCP接近。线弹性耦合的主要作用之一是平滑电子非平衡分布函数，使其接近简单的余弦角依赖性，即使在杂质散射不太强。我们发现，在低于由线弹性耦合设置的温度标度的温度下，电阻率显示出费米液体的$T^2$行为特征。这与无晶格量子临界点预期的$T^{4/3}$低温行为相反。更重要的是，我们表明，有效的电阻率指数$α_\text{eff}(T)$在$ρ(T)-ρ_0\sim T^{α_\text{eff}(T)}$显示出显着的温度依赖性，这意味着一个非线性QCP一般不能由一个简单的电阻率指数。我们讨论了我们的结果的实验数据的解释，特别是在超导体FeSe $_{1-x}$ S $_x$的影响。
2019-09-04 cond-mat.str-el
Low temperature $T$-linear resistivity due to umklapp scattering from a critical mode
本文研究了费米子被临界玻色子模散射的输运性质。该模式是过阻尼的，散射主要是在前向方向上。这种模式出现在电子自旋相变的量子临界点，以及U（1）自旋液体的规范理论中。它导致了短的费米子寿命，违反了朗道的费米液体标准。尽管如此，输运可以用玻尔兹曼方程来描述。我们包括动量弛豫umklapp散射，辅以弱杂质散射。我们发现，在一个非常低的温度以上的尺度与$Δ_q^3$，其中$Δ_q$是最小umklapp散射矢量，电阻率是线性的$T$的系数，这是独立的无序量。我们比较了弛豫时间近似与玻尔兹曼方程的精确数值解。令人惊讶的是，我们发现，与电阻率，霍尔系数强烈偏离弛豫时间近似，并显示出强烈的减少，随着温度的升高。我们评论可能与高$T_c$铜酸盐实验的比较。
2020-12-17 cond-mat.str-el
Multiple quantum phase transitions in a heavy fermion antiferromagnet
本文报道了重费米子金属CeRhIn_5的磁场诱导反铁磁量子临界点（B_{c0} \approx 50 T）的磁量子振荡和低温比热的测量结果。一个尖锐的磁场诱导费米面重建内观察到的反铁磁相。我们的研究结果表明，在这种重费米子金属的场压相图的QCP多个类，指向一个通用的描述QCP。他们还认为，强大的超导性是由波动的费米表面的非常规量子临界性促进的。
2013-08-01 cond-mat.str-el
Mottness Collapse and T-linear Resistivity in Cuprate Superconductors
铜氧化物高温超导体正常状态的核心是赝能隙在临界点的崩溃（这里简要回顾）以及随后奇异金属的出现，其特征是电阻率随温度线性缩放。解决这个问题的一个可能的线索是两个事实之间的相互关系：1）由量子临界性产生的T线性电阻率的鲁棒理论需要在标准的单参数标度方案之外的额外长度尺度; 2）打破费米气体和具有短程排斥的相互作用系统之间的朗道对应需要非费米度。我们表明，一个低能量理论的哈伯德模型，正确地采用动态光谱重量转移有额外的自由度需要描述这个物理。的自由度，混合到较低的频带作为动态光谱重量转移的结果示出，要么去耦超过临界掺杂，从而信号Mottness崩溃或解除绑定以上的临界温度产生奇怪的金属行为，其特征在于由$T-$线性电阻率。
2010-06-11 cond-mat.str-el
Novel superconductivity on the magnetic criticality in heavy-fermion systems : a systematic study of NQR under pressure
本文报道了在重费米子化合物CeCu $_2$ Si $_2$，CeRhIn $_5$和CeIn $_3$中通过压力下的核四极共振（NQR）测量（$P$）发现的奇异超导电性和新磁性.在均匀CeCu $_2$ Si $_2$中的奇异SC揭示了反铁磁临界涨落在反铁磁边界（AFM）或边缘AFM。当微量的1%Ge（$x=0.01$）取代Si使其晶格膨胀时，在微观水平上出现了CeCu $_2$（Si $_{1-x}$ Ge $_x$）中SC和AFM的均匀混合相。施加微小压力（$P\sim 0.19$ GPa）抑制了由掺杂Ge引起的AFM的突然出现。在低于$T_c$和$T_N$的温度下，低位磁激发的持久性归因于SC和AFM的均匀混合相。同样，在$P = 1.5$ ~ 1.9 GPa范围内，$P$诱导的HF超导体CeRhIn $_5$与AFM在微观水平上共存.与此相反，在CeIn $_3$中，我们提出，从AFM到顺磁性（PM）的一级相变引起的磁激发，如自旋密度涨落，可能介导吸引相互作用，形成AFM的新相位中的库珀对。
2004-05-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory for Non-Fermi Liquid Temperature Dependence in Resistivity of Ce_xLa_{1-x} Cu_{5.62} Au_{0.38} (x=0.02-0.10) on the Local Quantum Valence Criticality of Ce Impurities
Shiino等人在J. Phys. Soc. Jpn. 86，123705（2017），Ce_ xLa_{1-x} Cu_{5.62} Au_{0.38}（x=0.02-0.10）在磁性和热性能方面都表现出一种新型的量子临界性，这与在一系列表现出量子临界价态涨落（QCVF）的材料如β-YbAlB_4，Yb_{15} Al_{34} Au_{51}等中观察到的相同。对于T<0.5K，电阻率ρ（T）的温度（T）依赖性是非常反常的，即，ρ（T）\propto（常数- T^{n}），在x=0.05时n PDMATHAMT为0.75。我们发现这个反常指数由n=2（1-n）给出，其中zeta是弱温度依赖的（0.5 \lsim <$\lsim 0.7）临界指数。在x=0.05处观察到的临界指数n \simeq 0.75通过选择\simeq 0.63来再现，这与在均匀磁化率χ \propto T^{-ε}中观察到的发散行为一致。在x=0.02时，\simeq为0.67。
2020-04-15 cond-mat.str-el
High Pressure Measurements of the Resistivity of $β$-YbAlB$_4$
用高质量的Yb基重费米子系统$β$ -YbAlB $_4$单晶测量了在静水压力下的电阻率$ρ(T)$，压力高达8 GPa，温度高于2K。我们发现压力诱导的磁有序的临界压力$P_{\rm c} \approx $ 2.4 GPa以上。该相变温度$T_M$随压力增大而升高，在8 GPa压力下达到30 K，这是Yb基重费米子化合物的最高相变温度。相反，电阻率对低于$P_c$的压力不敏感，并且在2和20 K之间的温度范围内表现出$T$线性行为。我们的结果表明，$β$ -$_4$的量子临界除了环境压力外，还位于$P_{\rm c}$附近.
2015-01-15 cond-mat.str-el
Evolution toward Quantum Critical End Point in UGe_2
本文报道了铁磁三临界UGe_2在压力和磁场作用下的霍尔电阻率和电阻率测量结果。霍尔电阻率灵敏地检测从顺磁（PM）相到FM相的一阶变磁转变，在大的压力范围内几乎达到量子临界端点（QCEP）。费米表面在PM-FM过渡的剧烈变化被检测到附近的QCEP，而一个强烈的修改，在字段中的变化的非弹性散射之间的电子被观察到朝向QCEP。与理论预测的比较。
2011-07-05 cond-mat.str-el
Can electronic quantum criticality drive phonon-induced linear-in-temperature resistivity?
Cornell University（康奈尔大学）
研究光学声子通过电子量子临界点软化后是否能在低温下产生线性温度电阻率，通过模型无关判据和Ising-nematic临界点的大N场论分析，发现声子软化虽增强但难以实现稳健的低温T线性输运。
2026-06-01 cond-mat.str-el
Metallic low-temperature resistivity in 2D over an extended temperature range
我们报告的零场电阻率的测量稀2D电子系统在硅中的温度下降到35 mK。这将以前探索的温度范围扩大了几乎一个数量级。在金属侧，金属-绝缘体转变附近的电阻率继续随着温度的降低而降低，并且没有显示出低温上弯。在临界电子密度下，电阻率在35 mK至1 K的整个温度范围内与温度无关。
2000-02-03 cond-mat.str-el
Field-induced non-Fermi-liquid resistivity of stoichiometric YbAgGe single crystals
通过测量14 T磁场下单晶电阻率ρ随磁场和温度的变化关系，研究了低至70 mK的六方晶系YbAgGe。我们的结果扩展了H-T相图的最低温度为H施加在基面和沿c轴。特别是，几个磁相位的抑制的临界字段被确定。rho（T）的温度依赖性是不寻常的：而在低H下，rho（T）显示温度指数n>=2，我们发现1<=n<1.5，并且rho（T）的温度依赖性在接近和超过每个场方向的最高临界场时强烈增强。对于在基面中施加的H，在高场下，ρ（T）的传统T^2依赖性在10 T以上达到，伴随着剩余电阻率的强烈下降接近饱和。YbAgGe似乎是少数Yb基化学计量系统之一，其中量子临界行为可以由磁场诱导。
2006-02-01 cond-mat.str-el
Resistivity of the insulating phase approaching the 2D metal-insulator transition: the effect of spin polarization
在硅MOSFET的绝缘相中，对于无磁场存在下的未极化电子和由于存在面内磁场而完全自旋极化的电子，稀的、强相互作用的2D电子系统的双折射率是相同的。在这两种情况下，电阻率服从Efros-Shklovskii可变范围跳跃$ρ(T) = ρ_0 \mbox{exp}[(T_{ES}/T)^{1/2}]$，如果应用先前报道的临界密度$n_c$的移位，则$T_{ES}$和$1/ρ_0$相互映射。有和没有磁场，参数$T_{ES}$和$1/ρ_0 = σ_0$表现出与接近金属-绝缘体转变的临界行为一致的标度。
2016-12-01 cond-mat.str-el
