Device Considerations for Nanophotonic CMOS Global Interconnects
我们介绍了一个分析框架,以了解缩放纳米光子互连的路径,以满足CMOS全球互连的能源和足迹的要求。我们推导出100 fJ/cm/bit以下互连的器件要求,包括调谐功率、串行化-串行化能量、光插入损耗、消光比和误码率。以集成纳米光子学的CMOS为例,推导了光互连的能量/比特、线性和面带宽密度。我们还推导出器件性能的目标,这些目标表明需要继续改进插入损耗(<8dB)、激光效率、操作速度(>40 Gb/s)、调谐功率(<100 μW/nm)、串行化-并行化(< 10 fJ/bit/Operation)以及具有波长复用的光谱选择性器件(> 6通道)。
2012-12-13 cs.ET physics.optics
High-speed CMOS compatible plasmonic modulator for non-contact wafer-level testing
本文提出并验证一种 CMOS 兼容的高速小型等离子体电光调制器,通过非接触反射调制光纤光载波,实现晶圆数据输出,支持晶圆级光学测试。
2024-02-28 physics.app-ph physics.optics
A Figure of Merit Based Transmitter Link Penalty Calculation for CMOS-Compatible Plasma-Dispersion Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators
我们推导出的公式,量化硅马赫-曾德尔干涉仪(MZI)调制器的影响光链路预算NRZ传输的调制器消光比(ER)的基础上,效率损失的品质因数(FOM),和峰峰值驱动电压(Vpp)。我们的调制器链路惩罚方程将调制器效率损耗FOM从简单的器件质量度量转换为预测设计和技术选择如何影响系统裕度的方法。我们的研究结果表明,在17.8 V-cm FOM和1 Vpp驱动的情况下,将MZI设计为在3.5-10 dB的大范围内的任何位置具有ER,会导致几乎恒定的链路裕度,与0.5 dB内相同。
2013-06-06 physics.optics
Ultra-compact modulators based on novel CMOS-compatible plasmonic materials
我们提出了几个平面布局的超紧凑型等离子体激元波导调制器,利用替代CMOS兼容材料。通过调谐透明导电氧化物层中的载流子浓度,从而在等离子体共振或非共振中调谐波导,来有效地实现调制。共振显著增加了等离子体激元波导的吸收系数,这使得能够实现更大的调制深度。我们表明,可以实现86 dB/um的消光比,允许在小于1微米的电信波长的3 dB调制深度。我们的多层结构可以潜在地与现有的等离子体和光子波导以及新型的基于半导体的混合光子/电子电路集成。
2013-08-14 physics.optics
Wafer-scale Graphene Electro-absorption Modulators Fabricated in a 300mm CMOS Platform
本研究在300mm CMOS试验代工厂环境中实现了单层石墨烯电吸收调制器的晶圆级集成,通过优化工艺,在数百个器件上实现了50 ± 4 dB/mm的调制深度和最高15.1 ± 1.8 GHz的电光带宽,解决了石墨烯晶圆级集成的瓶颈,并支持低成本大批量制造。
2023-03-28 physics.app-ph physics.optics
Miniaturized Low-power Electro-optic Modulator Based on Silicon Integrated Nanophotonics and Organic Polymers
设计并实现了一种基于电光聚合物填充硅缝隙光子晶体波导(PCW)的小型、低功耗、低色散、宽带光调制器。该EO聚合物专为高EO活性和近红外透明性而设计。在8 nm的光谱范围内,半波开关电压为Vπ=0.97V,对应于推挽结构的最高有效器件内r33为1190 pm/V,Vπ L为0.291Vmm。排除慢光效应,我们估计EO聚合物在槽中以89 pm/V的超高效率极化。此外,为了实现高速调制,硅PCW被选择性地掺杂以减少RC时间延迟。该调制器的3dB射频带宽为11 GHz,调制响应可达40 GHz。
2014-12-08 physics.optics
Nanobenders: efficient piezoelectric actuators for widely tunable nanophotonics at CMOS-level voltages
需要调整和重新配置纳米光子组件以实现包含许多组件的系统。静电力可以使结构变形并调节其光学响应。尽管静电致动器取得了成功,但它们受到调谐电压、调谐范围和片上面积之间的权衡。压电驱动可以解决所有这些挑战。标准材料具有大约${0.01}~\text{nm/V}$的压电系数,这表明使用大约1伏的电势的极小的片上致动。在这里,我们提出并展示了紧凑的压电致动器,称为纳米弯曲器,每伏纳米数。通过利用亚微米电极的非均匀电场,我们产生了压电纳米梁的弯曲。结合一个切片光子晶体腔来感测位移,我们展示了由$\sim 5~\text{nm/V}~({0.6}~\text{THz/V})$以及仅用$ {4}~\text{V}$的$1520$和$1560~\text{nm}$($\sim 400$线宽)之间的光学谐振的调谐。最后,我们考虑其他可调纳米光子组件启用纳米弯曲。
2019-11-20 physics.app-ph physics.optics quant-ph
Atomic layer deposited second order nonlinear optical metamaterial for back-end integration with CMOS-compatible nanophotonic circuitry
本文提出利用三种介电材料的循环原子层沉积制备非中心对称一维超材料,实现约5 pm/V的有效二阶非线性系数,比同类晶体高一个数量级,为CMOS兼容纳米光子平台的二阶非线性应用开辟了新途径。
2015-08-21 physics.optics
Physics to System-level Modeling of Silicon-organic-hybrid Nanophotonic Devices
针对硅-有机混合纳米光子器件缺乏EDA兼容建模方法的问题,提出一种从物理到系统级的模块化仿真方法,经实验验证可高效建模多种调制器拓扑及大规模系统。
2024-12-17 physics.app-ph physics.optics
A compact scalable phase modulator with zero static power consumption for visible integrated photonics
针对可见光调制器速度慢或体积大的问题,提出基于铟锡氧化物电荷积累效应的CMOS兼容紧凑型相位调制器,实现零静态功耗下带宽与效率的大幅提升及尺寸缩减。
2024-12-17 physics.app-ph physics.optics
Full 3D Model of Modulation Efficiency of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Compatible, Submicron, Interleaved Junction Optical Phase Shifters
针对亚微米级绝缘体上硅交错结光学相位调制器,提出严格全三维模型,结合有限元法与FDTD方法求解相关方程,实现调制效率准确预测,验证误差小于10%。
2024-12-02 eess.SP physics.app-ph physics.optics
CMOS-fabricated ultraviolet light modulators using low-loss alumina piezo-optomechanical photonic circuits
针对现有光子平台紫外损耗高、有源氧化铝PIC热光调谐存在速度与密度等局限,研究提出基于氧化铝波导和氮化铝致动器的CMOS压电光机械PIC平台,实现了320nm波段高性能可重构滤波器。
2025-05-21 physics.app-ph physics.optics quant-ph
Photonic crystal cavity IQ modulators in thin-film lithium niobate for coherent communications
针对TFLN平台IQ调制器尺寸大、不可级联的问题,提出基于双PhC腔的法布里-珀罗增强迈克尔逊干涉仪结构,实现GHz带宽、CMOS兼容电压下的可级联幅度与相位调制,支持密集集成与高信息密度收发器。
2023-12-27 physics.app-ph physics.optics
Broadband energy-efficient optical modulation by hybrid integration of silicon nanophotonics and organic electro-optic polymer
硅有机混合集成器件具有新兴的应用,从高速光学互连到光子电磁场传感器。电光聚合物填充硅缝隙光子晶体波导(PCWs)结合了PCWs的慢光效应和电光聚合物的高极化率,有望实现高性能的光调制器。提出了一种基于电光聚合物填充硅缝隙PCW的宽带、低功耗、低色散、紧凑型光调制器。在背栅电压的辅助下,调制响应可达50 GHz,3dB带宽为15 GHz,在10 Gbit/s时的能量消耗为94.4fJ/bit。此外,晶格移位的PCW被用于将光学带宽提高到基于非频带工程PCW和环形谐振器的其他调制器的约10倍。
2015-03-06 physics.optics
LNoS: Lithium Niobate on Silicon Spatial Light Modulator
本文提出并演示了基于CMOS集成的硅上铌酸锂(LNoS)空间光调制器架构,利用铌酸锂薄膜与光子晶体导模共振实现百万像素级孔径和GHz级高速电光调制,为突破现有SLM速度限制提供了可扩展方案。
2024-02-22 physics.app-ph physics.ins-det physics.optics
Design and analysis of high electron mobility transistor (HEMT) inspired III-V electro-optic modulator topologies
与CMOS硅晶体管相比,基于III-V异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)由于异质结构界面处的2D电子气(2DEG)沟道中的高迁移率而提供优异的性能。基于氮化镓(GAN)的HEMT也适用于高功率和高温应用。GAN具有跨越非线性光学、压电微电子机械系统(MEMS)和单片微波集成电路(MMIC)领域的丰富材料特性。在本文中,我们提出了HEMT启发的III-V电光调制器拓扑结构,可能优于硅光子调制器。我们分析了电吸收和电折射的2DEG与光的相互作用,并提出了一个设计框架,选择性地利用所需的调制机制。我们的分析表明,在HEMT类结构中的电折射调制的调制指数与硅光子调制器相当,尽管具有高得多的电子迁移率,从而具有高得多的调制速率。
2019-12-23 physics.app-ph physics.optics
Active silicon integrated nanophotonics: ferroelectric BaTiO3 devices
硅上复合氧化物的集成提供了扩展和增强具有新的电子、磁性和光子特性的硅技术的机会。在这些材料中,钛酸钡(BaTiO 3)是一种特别强的铁电钙钛矿氧化物,具有吸引人的介电和电光特性。在这里,我们展示纳米光子电路将铁电钛酸钡薄膜上无处不在的绝缘体上硅(SOI)平台。我们直接在SOI上生长外延单晶BaTiO 3,并设计集成波导结构,同时限制BaTiO 3层中的光和RF电场。使用片上光子干涉仪,我们提取了一个大的有效普克尔斯系数为213加上减去49 pm/V,一个值大于六倍的商业光调制器的基础上锂的钛酸盐。单片集成的钛酸钡光调制器的调制带宽在千兆赫兹制度,这是有前途的宽带应用。
2014-02-04 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
A systematic evaluation of Silicon-rich Nitride Electro-optic Modulator design and tradeoffs
本文系统评估富硅氮化物电光调制器设计,通过分析χ^(3)非线性极化率与DC-Kerr效应线性化方法,数值证明可实现低至0.5 Vcm的V_π L_π,并论证其在CMOS兼容平台上实现高速调制的可行性。
2023-09-20 physics.app-ph physics.optics
1-GHz VIS-to-MIR frequency combs enabled by CMOS-compatible nanophotonic waveguides
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences(中国科学院上海光学精密机械研究所);University of Chinese Academy of Sciences(中国科学院大学);Shanghai University(上海大学);Hefei National Laboratory, University of Science and Technology of China(中国科学技术大学合肥国家实验室)
利用低损耗硅氮化物波导实现1 GHz重复率的可见光至中红外自参考频率梳,通过超连续谱生成和第三谐波生成,提供高相干带宽和信噪比,推动超宽带梳源的紧凑化发展。
2026-01-08 physics.optics
Monolithic Barium Titanate Nanophotonics and Electro-optics
Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University(西北大学材料科学与工程系)
研究设计、制造并表征了单片一维纳米光子晶体和高Q光子晶体法布里-珀罗腔,开发优化纳米制造工艺,验证铁电畴排列,测量电光带宽,展示多种调制效应。
2026-07-07 physics.optics
Subvolt high-speed free-space modulator with electro-optic metasurface
School of Engineering, The University of Tokyo(东京大学工学院)
本文提出基于硅-有机混合超材料的亚伏特高速自由空间光调制器,通过高Q准束缚态在连续体实现高效调制,实现50 Mbps和1.6 Gbps的数据传输。
2025-03-23 physics.app-ph physics.optics
All van der Waals Integrated Nanophotonics
集成光学是从遥感和通信到计算和量子信息处理的广泛系统的核心。对更小和更节能结构的需求刺激了对更先进材料平台的探索。在这里,我们提出了一个概念的所有范德华光子学,在那里我们表明,电子散装过渡金属二硫属化物(TMDC)半导体很好地适合于设计的关键光学元件的纳米级和集成光子学。具体来说,我们从理论上证明,由于近红外和电信频段的低光损耗和高折射率,由块状TMDC制成的组件可能会优于由传统3D半导体制成的组件,如Si和III/Vs。我们讨论了几个关键的量子和经典光学组件,并表明块状TMDC可能为更小的占地面积器件铺平道路,更节能的电光调制器和更强的量子光-材料相互作用。增强的光学性能,易于集成,以及广泛的材料选择表明,散装TMDC可以补充,并有可能取代现有的集成光子系统。
2020-09-17 physics.app-ph physics.optics
0.52 V-mm ITO-based Mach-Zehnder Modulator in Silicon Photonics
电光调制器将电子信号转换到光域,并且是现代电信网络、RF光子学以及量子光子学和光束转向中的新兴应用中的关键组件。所有这些应用都需要集成式高电压效率调制器解决方案,这些解决方案具有紧凑的外形,可与硅光子平台无缝集成,并具有近CMOS材料处理协同效应。然而,现有的集成调制器面临满足这些要求的挑战。相反,新兴的电光材料与Si光子异质集成为器件工程开辟了新的途径。铟锡氧化物(ITO)是一种用于在Si中异质集成的引人注目的材料,其表现出强大的电光效应,其特征在于在电信频率下的单位阶指数。在这里,我们克服了这些限制,并展示了基于马赫曾德尔干涉仪(MZI)的单片集成ITO电光调制器,其特征在于高性能半波电压和有源器件长度乘积VpL = 0.52 V-mm。单位强折射率变化如何使30微米短的π移相器在远离ε承载的折射率主导区域中操作ITO,零ENZ点。该器件通过实验证实了ITO中的电相移,使其能够用于多方面的应用,包括密集的片上通信网络、光子神经网络中激活函数的非线性以及LiDAR的相控阵应用。
2018-08-16 physics.app-ph physics.optics
The dressed atom as binary phase modulator: towards attojoule/edge optical phase-shift keying
纳米光子技术为超低功率光信号处理提供了巨大的希望,但相对较少的非线性光学现象尚未被探索作为鲁棒数字调制/切换~ \cite{Yang07,Fara08,Liu10,Noza10}的基础。在这里,我们表明,一个单一的二能级系统(TLS)强烈耦合到一个光学谐振腔可以赋予二进制相位调制的饱和探测光束。我们的实验依赖于自发发射来诱导正负相移之间的偶尔跃迁-每个这样的边缘对应于一个光子($\approx 0.23$ aJ)的耗散能量-但是可以使用光学控制光束以高于该背景的信号速率触发额外的相位切换。虽然我们的能力,以证明控制开关在我们的原子为基础的实验是有限的,我们讨论了利用类似的物理学在纳米光子器件,将一个量子点作为TLS实现确定性的二进制相位调制与控制功率在aJ/边缘制度的前景。
2010-11-09 physics.atom-ph physics.optics quant-ph
Silicon-integrated scandium-doped aluminum nitride electro-optic modulator
本研究设计制造了与CMOS兼容的AlScN电光微环调制器,首次测得12 GHz下2.86 pm/V的有效电光系数、3.12 V*cm半波电压长度积及22 GHz带宽,为硅集成光子提供了低成本调制方案。
2024-05-29 physics.app-ph physics.optics
Gigahertz-Frequency, Acousto-Optic Phase Modulation of Visible Light in a CMOS-Fabricated Photonic Circuit
本研究在量产CMOS代工厂200mm晶圆上制造出高效可见光千兆赫兹声光调制器,通过优化光机械相互作用实现高调制深度,较现有技术显著降低驱动功率与Vₙ,为可扩展量子控制系统提供关键器件。
2025-02-11 physics.optics
Triply-resonant coupled-cavity electro-optic modulators for on-chip RF photonic systems
我们提出了一种三倍频谐振电光调制器架构,它使用同时谐振增强的RF驱动信号,光泵,和所产生的光边带的调制效率最大化。光泵和边带的光学增强是使用两个耦合的光学谐振器的谐振超模来实现的,并且RF增强是使用可以使用CMOS技术实现的由光学谐振器的电容和电感器形成的LC电路来实现的。在所提出的配置中,光子寿命确定RF响应的带宽,但不是其中心频率,其由两个谐振器之间的耦合强度设置,并且不受传统单模谐振调制器固有的光子寿命约束。这使得能够在高RF载波频率下进行有效操作,而不会降低通常与光子寿命极限相关联的效率。提出了两种调制器的光学配置:在两个超模中具有相等Q因子的“基本”配置,最适合于窄带RF信号,以及具有独立定制的两个超模的Q因子的“一般化”配置,这使得可以在不牺牲光泵浦的谐振增强的情况下加宽RF带宽,并且支付与这样做相关联的调制效率的惩罚。另外,通过LC谐振匹配从RF信号增强预期调制效率的显著增益。这导致调制器紧凑、高效并且能够在高RF载波频率下调制。所提出的调制器架构优化了器件与三个信号中的每一个以及它们之间的相互作用,可以应用于任何调制器腔体设计或调制机制,并有望实现复杂的RF光子芯片系统。
2019-01-01 physics.app-ph physics.optics
Integrated Electro-Optic Absorption Modulator for Silicon Nitride Platform
本文首次在氮化硅波导上实现基于ITO的高速电光调制器,展示5.7 dB插入损耗和约1 GHz带宽,工艺与CMOS兼容,为氮化硅光子计算平台开辟了新路径。
2024-12-30 physics.app-ph physics.optics
Piezoelectrically actuated high-speed spatial light modulator for visible to near-infrared wavelengths
本文提出一种在200 mm硅晶圆上用CMOS兼容工艺制造的压电驱动氮化硅谐振波导光栅空间光调制器,4×4阵列在约780 nm实现>100 MHz速度与>20 dB消光。
2024-10-24 physics.app-ph physics.optics
Improving Linewidth and Extinction Ratio Performances of Lithium Niobate Ring Modulator Using Ring-pair Structure
针对薄膜铌酸锂微环调制器线宽与消光比受限问题,提出环对结构,实现22 GHz线宽和超过30 dB消光比。
2023-05-12 physics.optics
A Silicon Nitride Microring Based High-Speed, Tuning-Efficient, Electro-Refractive Modulator
绝缘体上硅(SOI)平台的使用对于实现CMOS兼容的高性能光子集成电路(PIC)来说非常重要。但近年来,SiN-on-SiO2(SiN-on-SiO2 $_2$)平台作为SOI平台的替代方案,用于实现高性能PIC,引起了越来越多的关注。这是因为其优于SOI平台的几个有益特性,例如低光学损耗、高热光稳定性、更宽的波长透明度范围以及对制造工艺变化的高耐受性。然而,基于SiN-on-SiO $_2$的有源器件(例如调制器)是稀缺的并且缺乏期望的性能,这是由于SiN材料中不存在基于自由载流子的活性以及将其它活性材料与SiN-on-SiO $_2$平台集成的复杂性。这一缺点阻碍了SiN-on-SiO $_2$平台实现有源PIC。为了解决这个问题,我们在这篇文章中展示了一个基于SiN-on-SiO $_2$微谐振器(MRR)的有源调制器。我们所设计的MRR调制器采用氧化铟锡(ITO)-SiN-ITO薄膜叠层,其中ITO薄膜充当SiN MRR的上下包层。ITO-SiN-ITO薄膜叠层利用ITO膜中的自由载流子辅助的高振幅折射率变化来实现器件中的大的电折射光学调制。基于静电、瞬态和时域有限差分(FDTD)模拟,使用光子学制造商验证的工具进行,我们表明,我们的调制器实现了280 pm/V的谐振调制效率,67.8 GHz的3 dB调制带宽,$\sim$ 19 nm的自由光谱范围(FSR),$\sim$…
2022-12-13 physics.app-ph physics.optics
Electrically-driven Acousto-optics and Broadband Non-reciprocity in Silicon Photonics
基于光子和声子之间可定制的相互作用的新兴技术承诺了从高保真微波信号处理到非互易光学和量子态控制的新能力。虽然已经在各种物理系统中研究了这种光-声耦合,但许多实现依赖于非标准材料和制造方案,这些非标准材料和制造方案难以与标准集成光子电路共同实现。值得注意的是,尽管在集成电光调制器方面取得了重大进展,但相关的声光调制器概念在硅光子学中仍然相对未被探索。在这篇文章中,我们演示了直接声光调制硅波导内使用电驱动表面声波(SAW)。通过将SAW换能器集成在具有标准绝缘体上硅光子平台的压电AlN中,我们利用硅的强弹光效应来调解线性光-声耦合。通过光刻设计,声光相位和单边带幅度调制器在1-5 GHz的范围内制造,表现出与现有的电光技术相媲美的折射率调制强度。将这种行波声光相互作用扩展到厘米级,我们在硅中创建了电驱动的非互易调制器。非互易工作带宽>100 GHz,插入损耗<0.6 dB。基于这些结果,我们表明,一个强大的声光隔离器所必需的单位效率的非互易调制,是触手可及的。声光调制器设计与CMOS制造和现有的硅光子器件技术兼容。这些结果代表了一种有前途的新方法,实现紧凑和可扩展的声光调制器,移频器,和非磁性光隔离器和环行器的集成光子电路。
2020-04-02 physics.app-ph physics.optics
Deposited low temperature silicon GHz modulator
大多数硅光子器件是建立在绝缘体上硅(SOI)晶片上,而大多数电子器件,包括CPU和存储器,是建立在体硅晶片上,限制了硅光子器件的广泛接受。这种差异是由于硅光子学需要单晶硅(c-Si)层和厚的下包层用于体硅晶片不能提供的光学引导。虽然下包层问题可以通过衬底去除技术部分解决,但是光子学与最先进的晶体管的共集成的复杂性以及电子器件和光子学之间的不动产竞争仍然是个问题。我们在这里展示了一个平台,用于沉积GHz硅光子学的基础上,多晶硅具有高光学质量,适用于高性能电光器件。我们展示了3 Gbps的多晶硅电光调制器上沉积的多晶硅层完全兼容CMOS后端集成制造。这些结果为硅光子学开辟了一系列可能性,包括DRAM和柔性衬底上的光子学。
2013-06-04 physics.optics
Electronic-Photonic Interface for Multiuser Optical Wireless Communication
该研究展示了用于多用户光无线通信的电子-光子接口,通过多光束光学相控阵和单片集成调制器实现高速并行传输,并首次完成系统级演示。
2025-10-15 physics.optics
Nanoscale Graphene Electro-Optic Modulators
对石墨烯的研究揭示了其独特的光学性质,包括与光的强耦合,高速操作和门可变光学电导率,这些都有望满足未来电光(EO)调制器的需求。特别是,最近的工作展示了一种基于石墨烯带间吸收的宽带电光调制器,其总长度仅为40μm。然而,与片上电子元件的尺寸相比,它仍然是笨重的。片上光学互连需要纳米尺度的EO调制。实现纳米石墨烯电光调制的关键是基于新型波导和平台大大增强光与石墨烯的相互作用。在此,我们提出了我们最近的探索石墨烯电光调制器的基础上,石墨烯夹在介电或等离子体波导。在适当的栅电压下,石墨烯的介电常数可以通过带内电子跃迁的作用被调节到很小,从而形成“石墨烯-缝隙波导”,极大地增强了吸收模式。基于小信号分析,在800 nm长的硅波导或120 nm长的等离子体波导内可以实现高达3dB的调制深度。它们具有纳米尺寸、小插入损耗、低功耗和潜在的高速性能等优点,并且与CMOS兼容。
2011-12-30 physics.optics
Plasmonic modulator optimized by patterning of active layer and tuning permittivity
研究了一种可应用于光子集成电路的超小型等离子体激元调制器。该调制器是一个金属-绝缘体-金属波导,具有额外的超薄氧化铟锡(ITO)层。偏压通过用作电极的金属板施加到多层芯。外场改变了超薄ITO层中的载流子密度,从而影响其介电常数。金属-绝缘体-金属系统具有等离子体激元共振,并且其受到有源层的介电常数的变化的强烈影响。为了提高性能的结构,我们提出了几个优化。我们研究了ITO介电常数对调制器性能的影响,并指出了合适的值。我们分析了波导结构的本征模,并指定其有效操作的范围。我们发现,用一维周期性条纹代替连续有源层可以提高器件的透射率,并使调制器的性能保持在相同的水平。分析了图案尺寸和有源材料填充因子对光栅结构的影响,并找到了最佳参数。图案化ITO层使我们能够在波导中设计布拉格光栅。光栅可以打开和关闭,从而调制来自结构的反射。所考虑的结构与电气控制具有高性能,并可以有效地工作作为纳米光子架构中的等离子体元件。
2012-07-20 physics.optics
Low-Power consumption Franz-Keldysh effect plasmonic modulator
本文报道了一种基于硅基锗Franz-Keldysh效应的低能耗CMOS兼容等离子体激元调制器。我们进行了集成的电光模拟,以优化调制器的主要特性。在工作波长为1647 $nm$、偏置电压为3 $V$的情况下,30 $μm$长的调制器的消光比为3.3 $dB$.估计能耗低至20 $fJ/bit$。
2022-07-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Cavity nonlinear optics with layered materials
除了层状材料的独特和多样的光电特性之外,前所未有的材料兼容性和易于集成性已经在它们在纳米光子器件中的利用中产生了显著的兴趣。虽然最初的纳米光子实验主要集中在光源,调制器和探测器上,但最近研究人员已经展示了使用分层材料的非线性光学器件。本文综述了层状介质腔增强非线性光学的研究现状。随着传统的非线性光学相关的谐波产生,我们报告的新兴方向的非线性光学,其中层状材料可以发挥重要作用。
2017-08-16 cond-mat.mes-hall physics.optics
Wideband, Efficient AlScN-Si Acousto-Optic Modulator in a Commercially Available Silicon Photonics Process
该研究在商用硅光子代工工艺上实现了基于AlScN的宽带高效声光调制器,达到112 MHz带宽内-18.3 dB效率,品质因数较现有CMOS兼容方案提升约一个数量级,为低成本集成声光信号处理铺平道路。
2024-02-02 physics.app-ph physics.optics
Nanophotonic soliton-based microwave synthesizers
微波光子技术将载波向上移动到光域,以大大减少的分数带宽促进超宽带电子信号的生成和处理,与传统电子产品相比,有可能实现更优越的性能。对于微波光子应用,如滤波器,相干雷达,亚噪声检测,光通信和低噪声微波产生,频率梳是关键的构件。凭借孤子微梳,频率梳现在可以使用CMOS兼容的光子集成电路,低功耗和低噪声工作,并已在系统级的演示。然而,目前开发的光子集成微梳都以显著超出常规电子器件可以检测和处理的重复率操作,从而使其在微波光子学中的用途更加复杂。在这里,我们展示了集成的孤子微梳工作在两个广泛采用的微波波段,X和K波段。这些器件可以在3 dB带宽内产生300多条梳状线,并在10 kHz(1 MHz)偏移频率下产生相位噪声水平低于105 dBc/Hz(140 dBc/Hz)的微波信号,与现代电子微波合成器相当。此外,孤子脉冲流可以被注入锁定到微波信号,从而在与硅基激光器兼容的功率水平(<150 mW)下实现无致动器的重复频率稳定、调谐和微波光谱纯化。我们的研究结果建立光子集成孤子微梳作为可行的集成低噪声微波合成器。此外,低重复率对于未来密集WDM信道生成方案是关键的,并且可以显著降低光子集成频率合成器和原子钟的系统复杂度。
2019-11-25 physics.app-ph physics.optics
Modulation of nanowire emitter arrays using micro-LED technology
本文提出基于可独立寻址 micro-LED-on-CMOS 阵列的纳米光子发射器激发平台,通过转印集成纳米线并实现高达 150 MHz 的并行光调制。
2025-01-09 physics.app-ph physics.optics
A Silicon Nitride Microring Modulator for High-Performance Photonic Integrated Circuits
针对SiN-on-SiO₂平台缺乏高性能有源调制器的问题,本文提出采用ITO-SiO₂-ITO堆叠作为上包层的SiN微环调制器,通过仿真验证其具备高效率、宽带宽、低损耗等优异性能,推动该平台有源PIC的发展。
2023-06-12 cs.ET physics.app-ph physics.optics
An Optically Addressable Transmissive Liquid Crystal Metasurface Spatial Light Modulator
California Institute of Technology(加州理工学院);Seurat Technologies Inc.(Seurat科技有限公司)
本文提出一种可光学操控的透射液晶元表面空间光调制器,用于高功率传输光的调制,通过光致电接触实现液晶介质的可控切换,展示了高效率的光调制性能和多物理场模拟方法。
2026-03-21 physics.optics
Plasmonic monolithic lithium niobate directional coupler switches
从高速光通信开始,锂离子电池(LN)由于其大的电光响应、宽的透明窗口、优异的热稳定性和长期的材料可靠性而成为电光调制器的首选材料。传统的LN电光调制器虽然仍然是光电工业的主力,但逐渐变得过于庞大、昂贵和耗电,无法完全满足该工业向高度集成、成本有效和能量有效的组件和电路快速发展的需求。最近开发的单片LN纳米光子平台使得能够实现在紧凑性、带宽和能量效率方面显著改善的电光调制器,同时仍然需要相对长的毫米级相互作用长度。在这里,我们成功地处理了这一挑战,并展示了等离子体激元电光定向耦合器开关组成的两个紧密间隔nm薄的金纳米条单片制造的LN基板上,引导耦合的电磁模式和电信号影响他们的耦合,从而实现超紧凑的开关和modulatiofunctionality。由两个纳米条产生的慢等离子体激元模式和静电场的极端限制以及它们近乎完美的空间重叠使我们能够用20- $μ$ m长的开关实现90%的调制深度,其特征在于电光调制效率为0.3 Vcm。我们的单片LN等离子体平台可实现高性能有源光子器件的超密集集成,从而满足各种要求$μ$ m级基底面、超快运行、稳健设计和高环境稳定性的高性价比光通信应用。
2019-07-11 cond-mat.mes-hall physics.app-ph physics.optics
Laser injection locking and nanophotonic spectral translation of electro-optic frequency combs
National Institute of Standards and Technology(美国国家标准与技术研究院);University of Maryland(马里兰大学);Joint Quantum Institute, NIST/University of Maryland(NIST/马里兰大学联合量子研究所)
本文提出利用激光注入锁频技术提升电光频梳信噪比,并结合纳米光子频谱转换扩展其波长范围,为量子传感器等应用提供高性能解决方案。
2025-04-30 physics.optics
Efficient Frequency Doubling with Active Stabilization on Chip
薄膜锂酸盐(TFLN)具有强的二阶非线性、快速高效的电光效应、宽的透明窗口、小的双光子吸收和自由载流子散射等特性,在集成纳米光子学领域具有广泛的应用前景。它们一起允许高度集成的纳米光子电路,能够通过在同一芯片上合并不同的元件来进行复杂的光子处理。然而,必须有一个示范,协同这些优越的性能,为系统的优势。在这里,我们展示了这样一个芯片,利用TFLN有利的铁电性,高二阶非线性,强电光效应。它由一个集成Z切、高品质因数的准相位匹配微带和一个用于有源反馈控制的相位调制器的单片电路组成。通过Pound-Drever-Hall锁定,它仅用毫瓦泵浦就实现了约50%转换的稳定倍频,这是迄今为止所有毫瓦泵浦纳米光子平台中最高的。我们的演示解决了基于腔的光学处理面临的长期突出的挑战,包括频率转换,频率梳产生和全光开关,其稳定的性能受到光折变或热效应的阻碍。我们的研究结果进一步确立了TFLN作为一种能够进行光学多任务处理的优良材料,作为构建多功能芯片器件的理想材料。
2021-02-27 physics.optics quant-ph
Resonant multi-harmonic acousto-optics for programmable frequency control of visible light in a CMOS platform
University of Arizona(亚利桑那大学);University of Colorado Boulder(科罗拉多大学博尔德分校);Sandia National Laboratories(桑迪亚国家实验室);Manzano Systems Inc.(马纳佐系统公司)
本文在CMOS平台氮化硅声光微结构中利用双谐波谐振实现可见光可编程频移,效率达50%,并具高边带抑制,克服了谐振增强与可编程性的权衡。
2026-09-23 physics.optics quant-ph
Engineered second-order nonlinearity in silicon nitride
氮化硅(Si 3 N4)中缺乏体二阶非线性(\c{hi}(2))使该低损耗CMOS兼容平台免于关键有源功能,例如普克尔斯电光(EO)调制和高效二次谐波产生(SHG)。我们证明了一个成功的诱导\c{hi}(2)在Si 3 N4通过电场极化与外部施加的领域,以调整Si-N键。这种排列打破了Si 3 N 4的中心对称性,并使体\c{hi}(2)成为可能。将样品加热至500°C以上以促进极化。使用Si 3 N4微环调制器测量的极化和非极化Si 3 N4的EO响应之间的比较显示r33 EO分量至少增强25倍。通过极化获得的最大\c{hi}(2)为0.24 pm/V。我们观察到极化后从3 GHz到15 GHz(3dB带宽)测量的EO响应的速度显著提高,这证实了极化引起的EO响应的\c{hi}(2)性质。这项工作为在Si 3 N4平台上实现高速有源功能铺平了道路。
2022-10-17 physics.app-ph physics.optics
Chiral exceptional point enhanced active tuning and nonreciprocity in micro-resonators
本研究利用非对称Mie散射体打破微谐振器旋转对称性,实现跨越手性异常点的确定性热调谐、EP介导的手性光学非线性响应及高效电光调谐,在GHz频率和CMOS兼容电压下实现17dB对比度的非对称电光调制,为相关领域提供新的微谐振器功能。
2024-10-29 physics.optics