Metallicity in Ultra-Thin Oxygen-Deficient SrTiO$_3$ Thin Films
我们报道了在（001）SrTiO $_3$或DyScO $_3$缓冲的（001）SrTiO $_3$衬底上相干应变时，在缺氧SrTiO $_3$的薄膜中观察到的金属行为。这些膜在2 K下具有高达2 $\times10^{22}$ cm $^{-3}$的载流子浓度和高达19，000 cm $^2$ /V·s的迁移率。在我们的SrTiO $_{3-δ}$薄膜中存在非导电层，该非导电层在具有较低载流子浓度的薄膜中较大。该非导电层可以归因于由于费米能级钉扎电势而引起的表面耗尽层。在SrTiO $_3$和$_3$薄膜之间插入DyScO $_3$缓冲层对薄膜的耗尽宽度、输运和结构特性没有很大影响。
2016-06-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Bi(111) thin film with insulating interior but metallic surfaces
测量了分子束外延Bi/BaF_2（111）薄膜的电导随薄膜厚度（4-540 nm）和温度（5-300 K）的变化。与作为原型半金属的大块Bi不同，发现高达90 nm的Bi薄膜在内部是绝缘的，但在表面上是金属的。这一结果不仅明确地解决了长期以来关于Bi薄膜中存在半金属-半导体转变的争论，而且为长期以来困惑的Bi薄膜电阻率的温度依赖性提供了一个直观的解释，这可能在自旋电子学中有一些潜在的应用。
2012-01-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Atmospheric oxygen in Mn doped GaAs/GaAs(0 0 1) thin films grown by molecular beam epitaxy
采用分子束外延技术在高、低衬底温度下生长了Mn掺杂GaAs薄膜。利用俄歇电子能谱结合离子刻蚀技术测量了薄膜中元素浓度的深度分布。Mn浓度是较高的表面附近，然后随着深度在高衬底温度下生长的薄膜。当使用低衬底温度生长膜时，Mn浓度分布更加均匀。出乎意料地发现在低衬底温度生长的薄膜中存在高水平的氧。
2015-02-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of pulsed laser deposition growth conditions on the thermoelectric properties of Ca3Co4O9 thin films
采用脉冲激光沉积技术在（0001）取向（c切）蓝宝石衬底上生长了失配钴酸盐Ca 3Co 4 O 9薄膜。研究了薄膜生长条件对热电/输运特性的影响
2004-10-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Impact of strain on metamagnetic transitions in $Sm_{0.5} Sr_{0.5} Mn O_3$ thin films
采用直流磁控溅射法在LAO和STO衬底上制备了SSMO 50薄膜。LAO上的薄膜处于压应变，而STO上的薄膜处于拉应变。所有的磁性和磁输运性质已被讨论的应变控制的变磁状态。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structural and magnetic properties of E-Fe_{1-x}Co_xSi thin films deposited via pulsed laser deposition
本文报道了在Si（111）衬底上脉冲激光沉积制备多晶Fe_（1-x）Cox-Si薄膜的方法及其表征。X射线衍射，透射电子显微镜和原子力显微镜显示膜是致密的，非常光滑的，并且具有立方B20晶体结构的单相。铁磁性与显着的磁滞被发现为所有的薄膜，包括名义上纯FeSi薄膜在体FeSi的顺磁性非常弱的对比。对于Fe 1-xCoxSi，这意味着从体的螺旋磁性到薄膜的铁磁性的变化。这些铁磁薄膜是有前途的磁硅化物/硅系统的极化电流的生产，操纵和检测。
2009-06-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Growth and Magnetotransport in Thin Film α-Sn on CdTe
报道了在CdTe（111）B衬底上外延生长的$α$ -Sn薄膜的生长和表征。非侵入性技术验证膜的peseduomorphic的生长之前，制造的磁传输设备，克服异位的障碍，在霍尔棒几何形状的测量上的uncapped膜。我们确定了过渡到金属的行为在低温下与大的磁阻，高流动性，和量子振荡初步建议一个n型狄拉克半金属通道。具有高载流子密度的平行p型掺杂剂通道被认为在较薄的膜厚度处占主导地位。生长前仔细制备的CdTe表面被认为是至关重要的，以获得低掺杂剂密度和可访问的拓扑状态上的绝缘衬底。
2019-06-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Bi containing multiferroic perovskite oxide thin films
在这项工作中，多铁性薄膜的Bi含钙钛矿氧化物，其中的铁电性的驱动力是Bi 3+孤对电子进行了讨论。首先，简要介绍了含Bi的多铁性钙钛矿氧化物，描述了在这些化合物中建立磁性和铁电有序的机制，并报道了这一领域的一些最新研究进展。第二部分介绍了脉冲激光沉积法生长BiMnO 3、（Bi 0.9La 0.1）2NiMnO 6（BLNMO）和BiFeO 3薄膜的实验研究。第三部分是专门的物理性质，这种薄膜的结构表征和磁性和铁电性能及其相关性的磁电耦合（MEC）的形式。
2014-02-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Robustness of topologically protected surface states in layering of Bi2Te3 thin films
已知块体Bi 2Te 3是拓扑绝缘体。本文采用包含自旋轨道耦合的密度泛函理论研究了Bi_2Te_3（111）薄膜的表面态。我们构造了一种方法来明确地识别薄膜拓扑绝缘体的表面态。应用这种方法的一个到六个五重层的Bi2Te3，我们发现，表面状态的拓扑性质与膜的厚度保持稳健，并且三个或更多的五重层的膜具有拓扑非平凡的或保护的表面状态，与最近的实验一致。
2010-05-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ab initio structure modeling of complex thin-film oxides: thermodynamical stability of TiC/thin-film alumina
我们提出了一个有效的和一般的方法来确定有前途的候选配置薄膜氧化物和确定（亚稳态）薄膜结构的从头计算的结构特性。该方法的核心是氧化物体结构的复杂性，从该氧化物体结构中可以提取出大量的具有结构构建块的薄膜，即来自亚稳态体氧化物系统的基序。这些跨越一个粗糙的，但定义明确的网络的初始配置，密度泛函理论（DFT）的计算预测和实施戏剧性的原子弛豫在相应的，从而产生薄膜候选人。薄膜候选物的网络（对于各种膜厚度和化学计量）可以根据它们在从头算总能量或从头算平衡吉布斯自由能中的变化来排序。最有利的结构的弛豫原子结构的分析提供了洞察稳定和亚稳薄膜氧化物的性质。我们以TiC上成核的Al_2O_3为模型系统来说明这一方法。
2009-03-06 cond-mat.mtrl-sci
Origin of Perpendicular Magnetic Anisotropy in Yttrium Iron Garnet Thin Films Grown on Si (100)
报道了用脉冲激光沉积技术制备的钇铁石榴石（YIG）薄膜的磁性。在Si（100）衬底上沉积厚度为15 - 50 nm的薄膜。通过铁磁共振谱研究了磁性表征。垂直磁易轴达到50 nm的厚度。我们观察到，垂直各向异性值减少，增加膜厚度。垂直磁各向异性（PMA）的起源归因于YIG薄膜中的织构和晶格畸变。我们期望在硅衬底上垂直磁化的钇铁石榴石薄膜为更便宜和兼容的制造工艺铺平了道路。
2021-07-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Thin-film aspects of superconducting nickelates
由于镍酸盐与高$T_c$铜酸盐的关联，无限层镍酸盐超导电性的发现引起了人们的广泛关注。铜氧化物超导电性首先在体样品中得到证实，随后在薄膜中得到证实。然而，在镍酸盐中，情况却相反：尽管作为一种体现象出现，但迄今为止，镍酸盐超导性仅在薄膜中有报道。同时，无限层镍酸盐的特性产生了不同的界面和表面效应，决定了它们的体相和薄膜相行为。在本文中，我们将对这些重要方面进行概述。
2022-01-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Structural and optical properties of cobalt slanted columnar thin films conformally coated with graphene by chemical vapor deposition
采用掠射角沉积法制备了倾斜的钴雕刻柱状薄膜，随后采用低温化学气相沉积工艺涂覆石墨烯。石墨烯沉积过程保留了雕刻薄膜的形状和几何形状，这通过扫描电子显微镜证实。根据拉曼光谱结果，石墨烯涂层为两到三个单层厚，并且具有高缺陷浓度。在雕刻的薄膜内的石墨烯覆盖率由使用广义各向异性Bruggeman有效介质近似的广义光谱椭圆偏振法确定。石墨烯覆盖率以及薄膜的结构参数与电子显微镜和拉曼观察结果非常一致，并表明石墨烯涂层是保形的。
2013-12-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Density and Microstructure of Amorphous Carbon Thin Films
本工作中，我们研究了用直流和高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）技术沉积的非晶碳（$a$ -C）薄膜。两种方法制备的$a$ -C薄膜的微观结构和电学性质存在细微差别.虽然用dcMS沉积的膜具有通常在$a$薄膜中发现的平滑纹理，但用HiPIMS沉积的那些膜由被多孔微结构包围的致密小丘组成。$a$ -C薄膜的密度是判断其质量的决定性参数。通常，X射线反射率（XRR）已被用于测量碳薄膜的密度。从目前的工作中，我们发现，碳薄膜，特别是那些厚度为几十纳米的密度的测定，可能是不准确的XRR由于薄膜和衬底之间的散射对比度差。通过利用飞行时间模式中的中子反射率（NR）（一种不常用于碳薄膜的技术），我们可以精确地测量使用dcMS和HiPIMS沉积的$a$薄膜的密度差异。
2018-01-05 cond-mat.mtrl-sci
Preparation of Cobalt Thin Films by Sputtering Systems and Its Magnetic Characterization
采用磁控溅射沉积技术制备了不同厚度的钴薄膜。用X射线光电子能谱学（XPS）和石英晶体监测（QCM）对薄膜厚度进行了测定。XPS也被用来确定膜的质量。利用铁磁共振技术（FMR）测试了薄膜的磁性能.
2009-10-28 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis of Perovskite SrIrO3 Thin Films by Sputtering Technique
本文报道了用溅射法制备钙钛矿型SrIrO_3薄膜。在SrTiO 3（001）衬底上外延生长了单相（110）取向的SrIrO $_3$薄膜。利用离轴XRD $θ-2θ$扫描，我们证明这些薄膜具有（1 - 10）面外取向，（001）和（1-10）位于面内。溅射生长的薄膜具有光滑、均匀的表面和与衬底良好的共格界面。
2016-10-13 cond-mat.mtrl-sci
Observation of magnetism in Au thin films
本文介绍了金薄膜的直接磁化测量。这些测量整合了来自所研究的薄膜的信号和薄膜与衬底的界面的磁贡献。对来自体衬底的信号的抗磁性贡献与噪声水平具有相同的量级。我们发现薄的金膜可以表现出正磁化。它们的磁行为具有强烈的衬底依赖性。
2006-06-14 cond-mat.mtrl-sci
Thin Film growth of Solid State materials
磁控溅射也已用于沉积某些材料的薄膜，并且它具有重要的技术重要性。对钇稳定氧化锆（YSZ）外延薄膜的沉积过程进行了模拟，研究了表面吸附原子的扩散。在溅射过程中，等离子体中形成的离子之间存在强相互作用。在Si上沉积Cu薄膜。SiCN纳米复合薄膜呈树枝状生长。
2016-11-17 cond-mat.mtrl-sci
Thin film of Al-Ga-Pd-Mn quasicrystalline alloy
薄膜准晶涂层具有独特的性质，例如非常高的电阻率和热阻率以及非常低的表面能。采用快速蒸发法制备了二十面体Al-Ga-Pd-Mn合金纳米准晶薄膜。本文试图讨论Al-Ga-Pd-Mn合金准晶薄膜形成的微观机制
2021-07-03 cond-mat.mtrl-sci
Defect-induced shift of the Peierls transition in TTF-TCNQ thin films
本文研究了用物理气相沉积法制备的四硫富瓦烯-四氰基醌二甲烷（TTF-TCNQ）薄膜中衬底材料和薄膜厚度对Peierls转变温度的影响。我们的分析表明，衬底材料和生长条件强烈影响薄膜的形貌。特别地，我们证明了在薄膜中的Peierls转变温度低于TTF-TCNQ单晶。我们认为，这种影响是由于缺陷，出现在TTF-TCNQ薄膜在生长过程中。
2010-09-10 cond-mat.mtrl-sci
Kinetically-controlled thin-film growth of layered $β$- and $γ-$Na$_{x}$CoO$_{2}$ cobaltate
报道了用脉冲激光沉积法在（001）蓝宝石衬底上外延生长$β$-Na $_{0.6}$ CoO $_{2}$和$γ$-Na $_{0.7}$ CoO $_{2}$薄膜的特性。降低沉积速率可以使Na $_{x}$ CoO $_{2}$薄膜的结构由岛状生长模式的$β$ -相转变为逐层生长模式的$γ$ -相。与$β$-Na $_{0.6}$ CoO $_{2}$薄膜相比，$β$-Na $_{0.7}$ CoO $_{2}$薄膜表现出具有多台阶岛和高度结晶织构的螺旋表面生长.这种异质外延膜生长可以提供机会的应变效应的物理性质和生长动力学的Na $_{x}$ CoO $_{2}$以及微妙的性质的结构变化。
2005-05-11 cond-mat.mtrl-sci
High-performance chemical-bath deposited CdS thin-film transistors with ZrO2 gate dielectric
我们展示了高性能的化学浴沉积CdS薄膜晶体管TFT使用原子层沉积的ZrO 2基高k栅介质材料。
2015-05-25 cond-mat.mtrl-sci
Fabrication of surface-patterned ZnO thin films using sol-gel methods and nanoimprint lithography
采用直接压印法在ZnO溶胶上制备了表面图案化的ZnO薄膜。聚合物基ZnO溶胶沉积在各种基底上用于纳米压印光刻，并在热固化纳米压印过程中转化为表面图案化的ZnO凝胶膜。最后，通过随后的退火的图案化的ZnO凝胶膜，得到结晶的ZnO薄膜。光学特性表明，ZnO薄膜的表面图案化可以导致透射率的增强。利用溶胶-凝胶技术和纳米压印技术相结合的方法，可以通过各种简单的有序模板制备出具有不同图案的大尺寸ZnO薄膜。
2011-08-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Novel Layered Iridate Ba7Ir3O13+δ Thin Films with Colossal Permittivity
发现了以薄膜形式存在的Ba_7Ir_3 O_（13 +δ）。这些薄膜的特点是在室温下的巨大介电常数（CP）~104，归因于巨大的内部势垒层电容效应在原子级薄的域边界。这些发现为通过设计原子级薄的畴界来寻找新型CP材料提供了一条新的途径。
2015-08-26 cond-mat.mtrl-sci
Quantum size effect in Pb(100) films: the role of symmetry and implication for film growth
通过密度泛函理论计算，我们发现Pb（100）薄膜在能量、弛豫和功函数方面表现出双层周期性的量子尺寸效应，这是由于奇数层和偶数层薄膜的堆叠几何形状具有不同的对称性.双层周期性的膜能量被认为是生存在半导体衬底上，这应该允许生长的“神奇”厚均匀层Pb（100）膜。此外，还发现简单金属薄膜中的量子阱态可以分为$σ$键态和$π$键态，这两种态是相互独立的.
2005-11-08 cond-mat.mtrl-sci
Low Symmetry Phase in (001) BiFeO$_3$ Epitaxial Constrained Thin Films
用同步辐射X射线衍射确定了（001）取向的BiFeO $_3$外延薄膜的晶格。通过选择合适的包含固定（001）反射的散射区，我们发现室温下薄膜中存在类似于$M_A$相的低对称相。这些结果表明，在相稳定性的变化，从菱形体在大块单晶，在外延薄膜的修改单斜结构。
2005-01-27 cond-mat.mtrl-sci
Effect of Substrate Temperature on Structural and Magnetic Properties of c-axis Ori-ented Spinel Ferrite Ni0.65Zn0.35Fe2O4 (NZFO) Thin Films
改变衬底温度可以改变尖晶石铁氧体NZFO薄膜的结构和磁性。在不同温度下生长的薄膜的XRD显示只有004反射，没有任何次级峰，显示沿c轴的生长取向。我们发现这些薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而增加。在不同生长温度条件下生长的薄膜的表面形貌显示，这些薄膜是光滑的，具有低粗糙度，然而在800 ℃下生长的薄膜在所有薄膜中表现出最低的平均粗糙度和均方根粗糙度。我们发现铁和镍被更多的氧化，即更大的铁和镍含量的薄膜生长和退火在700 ℃和800 ℃，相比，在较低的温度下生长。磁矩随衬底温度的升高而增大，室温下所有薄膜均具有高的饱和磁化强度和低的矫顽场。在800 ℃下生长的薄膜在室温以上表现出铁磁顺磁相变.在室温以上的NZFO薄膜中观察到的具有软磁行为的大磁化强度表明在存储器、自旋电子学和多功能器件中的潜在应用。
2018-06-28 cond-mat.mtrl-sci
Effects of anisotropic in-plane strains on the phase diagram of BaxSr1-xTiO3 thin film
基于Landau-Devonshire（LD）唯象理论，研究了各向异性面内应变下外延BST 50/50薄膜的相图。与BaTiO 3薄膜不同，BST 50/50薄膜在室温下各向异性失配应变下出现顺电相。计算了BST薄膜的热释电特性，发现热释电峰的位置与各向异性失配应变密切相关。关键词：各向异性面内应变; BST薄膜;相图
2007-12-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
A Novel Broadband Measurement Method for the Magnetoimpedance of Ribbons and Thin Films
提出了一种新的薄膜和带中MI的宽带测量方法。它基于对装有样品的单元的反射系数的自动测量。与坡莫合金多层薄膜得到的说明性结果，并进行了讨论。
2003-05-12 cond-mat.mtrl-sci
Parameters Influencing the Optical Properties Of SnS Thin Films
硫化锡（SnS）薄膜被认为是太阳能电池的潜在候选材料。许多制造技术已被用于生长SnS薄膜。发现文献中报道的SnS膜的带隙${\rm E_g}$根据膜制造技术在1.2-2.5 eV之间变化。本文报道了室温热蒸发法制备的SnS薄膜的结构、成分、形貌和光学特性。结果表明，对于给定的制造技术/条件，带隙函数依赖于晶格参数和晶粒尺寸。明确定义的变化允许根据要求定制SnS膜。
2013-10-17 cond-mat.mtrl-sci
Evidence of potential sputtering of ultra-thin Pt films due to impact of multi-charged Ar ions
本文研究了20 keV高电荷态$Ar^{q+}$（q = 3 - 8）离子轰击超薄Pt膜的电位溅射现象。结果表明，随着Ar射弹势能的增加，Pt膜的烧蚀增强。
2002-04-10 cond-mat.mtrl-sci
Substrate effect on the resistive switching in BiFeO3 thin films
采用脉冲激光沉积法在Pt/Sapphire和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上分别制备了BiFeO 3薄膜。溅射Au作为顶部电极。薄膜的微观结构随底层衬底的改变而变化。Pt/蓝宝石上的薄膜由于在顶部和底部界面处形成肖特基接触而不能反向切换。而Pt/Ti/SiO2/Si上的薄膜在正向偏压下表现出明显的阻变特性。讨论了Pt/Sapphire衬底和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上BiFeO 3薄膜的导电机制，以理解不同的阻变行为。
2012-09-26 cond-mat.mtrl-sci
Ferroelectricity in ultra-thin perovskite films
我们报告的铁电性超薄钙钛矿薄膜与现实电极的研究。结果表明，在小于10 μ m厚的薄膜中，铁电态稳定，极化方向垂直于表面。在短路边界条件下，研究了真实电极的屏蔽效应和真实金属/氧化物界面对薄膜极化的影响。我们的研究表明，金属屏蔽从电极的氧化物表面的功函数的差异的影响。我们在铁电PbTiO $_3$和BaTiO $_3$薄膜中证明了这种效应。
2005-05-03 cond-mat.mtrl-sci
Production of Indium Doped Zinc Oxide Thin Films by Pulsed Laser Ablation
提出了一种改进的脉冲激光沉积（PLD）方法，在较低的衬底温度下制备了未掺杂和铟掺杂的氧化锌（ZnO：In）薄膜。该制备方法不需要对生长的膜进行任何进一步的沉积后退火处理。所开发的方法允许在低衬底温度下生长薄膜，这防止了它们的固有电学和光学性质的相当大的损失。分析了沉积参数对未掺杂和铟掺杂ZnO薄膜电学和光学参数的影响。
2005-04-08 cond-mat.mtrl-sci
Infrared properties of micromachined vanadium oxide thin films
本文讨论了钒氧化物的合成和压制成膜材料，用于生产光学薄膜的问题。基于由此产生的成膜材料，已经开发了通过两种制备薄膜的方法（真空蒸发和磁控溅射）从二氧化钒制备涂层的工艺过程。在光学仪器中使用由氧化钒制成的薄膜的问题被认为是。
2017-03-01 cond-mat.mtrl-sci
Far infrared and terahertz spectroscopy of ferroelectric soft modes in thin films: A review
综述了基片上薄膜铁电体软模和中心模的远红外和太赫兹光谱。除了经典的位移型固有铁电体外，还讨论了初始铁电体、弛豫铁电体和多重铁电体。特别注意的是薄膜和散装材料（陶瓷和单晶）的软模式行为之间的差异和它们对低频介电常数的影响。特别强调了薄膜应变和探测波退极化电场对晶界的影响。软模光谱被证明是一个非常敏感的工具，揭示薄膜的质量。
2016-02-18 cond-mat.mtrl-sci
Er3+-doped Na0.5Bi0.5TiO3 Ferroelectric Thin Films with Enhanced Electrical Properties and Strong Green Up-conversion Luminescence
具有上转换发光（UCL）特性的铁电材料在显示和传感等方面具有潜在的光电应用。在此，我们展示了Er 3+掺杂的Na 0. 5 Bi 0. 5 TiO 3薄膜的强绿色UCL和增强的电学性质。所述薄膜通过使用改进的化学溶液沉积方法来制备。这些薄膜是纯相的，并且以钙钛矿结构结晶。其中，Na_（0.5）Bi_（0.49）Er_（0.01）TiO_3薄膜的剩余极化强度和介电常数最大，分别为0.22 C/m ~ 2和1166。同时，在掺Er 3+薄膜中观察到了525 nm和548 nm的强绿光UCL。它们是由Er ~（3+）离子的~ 2 H ~（11/2）→ ~ 4 I ~（15/2）和~ 4S ~（3/2）→ ~ 4 I ~（15/2）跃迁引起的。这些薄膜在光电器件应用中具有潜力。
2015-02-04 cond-mat.mtrl-sci
Temperature-Dependent Resistivity of Alternative Metal Thin Films
研究了Cu、Ru、Co、Ir和W薄膜的电阻率温度系数（TCR）随薄膜厚度（10 nm以下）的变化。Ru、Co和Ir显示出与厚度无关的块状TCR值，而Cu的TCR随着厚度的减小而强烈增加。薄W膜显示负TCR值，这可能与高度无序有关。结果是定性与温度相关的半经典薄膜电阻率模型，考虑到声子，表面和晶界散射一致。
2020-07-02 cond-mat.mtrl-sci
Ion Beam radiation and temperature effect on Co/Si and CoO/Co/Si thin films
采用磁控溅射法制备了Co和CoO薄膜。用不同能量和注量的Ar和Si离子束辐照它们。研究了其磁性能。
2016-08-18 cond-mat.mtrl-sci
Photo-physics of Hybrid Metal Halide Perovskite Semiconductor Thin Films: Application in Photovoltaic
本研究聚焦混合金属卤化物钙钛矿半导体薄膜的光物理特性，探究其在太阳能电池领域的应用，为相关光伏器件研发提供光物理层面的理论支撑。
2023-11-06 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Phase Diagrams of Bi1-xSbx Thin Films with Different Growth Orientations
建立了一个计算二维非抛物载流子袋量子限制引起的带边位移的封闭模型。在此基础上，计算了沿不同晶轴生长的BiSb薄膜的对称性和载流子袋的能带位移。计算并分析了不同生长取向的BiSb薄膜体系的相图。
2012-03-12 cond-mat.mtrl-sci
The study of adsorption behaviour of a laser dye incorporated into ultra thin films
本文报道了水溶性激光染料罗丹明在LB膜上的吸附行为，并不改变其物理化学性质。
2015-03-22 cond-mat.mtrl-sci
Effect of oxygen concentration on the structural and magnetic properties of LaRh1/2Mn1/2O3 thin films
用脉冲激光沉积法在（001）取向的LaAlO 3和SrTiO 3衬底上生长了LaRh 1/2 Mn 1/2 O 3薄膜。优化后的薄膜样品是半导体和铁磁的居里温度接近100 K，矫顽场为1200 Oe，饱和磁化强度为1.7 μ B每公式单位。LaRh_（1/2）Mn_（1/2）O_3薄膜的表面织构、结构、电学和磁学性质随沉积过程中氧浓度的变化而变化。虽然氧浓度升高产生具有最佳磁性能的薄膜，但氧浓度稍低则产生具有改善的织构和结晶度的薄膜。
2008-12-10 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis of thin-film black phosphorus on a flexible substrate
我们报告了一种可扩展的方法来合成一个大面积（高达4毫米）的薄黑磷（BP）薄膜上的柔性基板。我们首先在柔性聚酯基底上沉积一层赤磷（RP）薄膜，然后在室温下在高压多砧室中将其转化为BP。拉曼光谱和透射电子显微镜测量证实了形成的纳米晶体BP薄膜的厚度约为40 nm。光学表征表明，在转换BP的带隙约为0.28 eV，在剥离的薄膜中测得的带隙类似。薄膜BP晶体管表现出约0.5 cm 2/Vs的场效应迁移率，这可能会进一步提高在高温下的转换过程的优化。我们的工作为将来大规模、高质量的薄膜黑磷的示范开辟了道路。
2015-08-21 cond-mat.mtrl-sci
Angular factor corrections in thin film x-ray diffraction
由于Kα双峰，在体材料中对较高角度宽峰进行角度（洛伦兹、偏振和吸收（LPA））校正的当前实践是基于Pike（Acta Cryst.，12（1959）87-92）和Ladell（Acta Cryst.14（1961）47-53）。这些结果推广到薄膜X射线衍射。在薄膜研究中，目前的做法是在LPA校正中使用单色辐射的吸收因子，这在对称和掠入射X射线衍射中都是不正确的。导出了吸收修正的正确表达式。此外，一个新的长度尺度，线性政权，示出存在非常薄膜的吸收因子和积分强度是独立的吸收系数。对于非常薄的膜，实际上使用线性区域的表达式比使用薄膜区域的表达式更有利。得到这两个主要结果的程序是普遍有效的，并可推广到几种薄膜衍射技术。
2017-02-22 cond-mat.mtrl-sci
Probing viscoelastic properties of a thin polymer film sheared between a beads layer and quartz crystal resonator
我们报告的粘弹性测量的聚合物薄膜的10-100 nm的MHz范围内。这些薄膜被限制在石英晶体谐振器和毫米珠层之间，产生石英谐振器的谐振频率和耗散的增加。从这些测量中提取的薄膜的剪切模量和动态粘度与聚合物的体积值一致。这种改进的石英谐振器提供了一种易于实现的和有效的工具，用于探测薄膜在环境中的流变特性。
2009-01-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Thin-film based phase plates for transmission electron microscopy fabricated from metallic glasses
薄膜基相位片是透射电子显微镜（TEM）中增强弱相位物体对比度的常用工具。薄膜通常由非晶碳组成，在强电子束照射下，非晶碳会迅速退化。最近的研究集中在寻找具有改进的材料稳定性的替代材料。本工作提出了基于薄膜的相位板制造的金属玻璃合金，其特征在于高导电性和非晶结构。制备了锆基合金Zr 65.0 Al 7.5 Cu 27.5（ZAC）的薄膜，并对其相移特性进行了测试。ZAC合金膜的研究，通过不同的TEM技术，揭示了一系列有益的特性。特别有利的是非弹性等离子体激元散射的小概率，这有望改善相衬TEM中基于薄膜的相板的性能。
2015-10-13 cond-mat.mtrl-sci
Semiconductor to metal transition for Ni doped CdO thin films
在本研究中，电阻率与温度的测量已经进行了溶胶-凝胶法制备的纯和Ni掺杂的CdO（NDO）薄膜。纯CdO薄膜在整个温度范围内的负电阻温度系数（TCR）半导化行为主要归因于载流子浓度依赖的热激活机制。通过晶界、离子杂质、声子散射和载流子激活的综合作用，阐明了NDO薄膜的半导体-金属转变过程。
2019-04-26 cond-mat.mtrl-sci
Quantum State of Neutrons in Magnetic Thin Films and Superlattices
介绍了一个描述中子在磁性薄膜和超晶格中量子态的实验。
2006-04-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Sputtering based epitaxial growth and modeling of Cu/Si thin films
采用磁控溅射法制备了外延铜薄膜。沉积过程中的吸附原子受到沉积参数的影响，从而导致薄膜性能的变化。通过XRD和FESEM研究了薄膜的生长机理。对溅射外延薄膜生长过程进行了模拟。对溅射过程中的溅射产额、压强、温度、电流密度、沉积时间等参数进行了关联，并对溅射过程进行了分析。
2015-08-20 cond-mat.mtrl-sci
Prediction of Anisotropic Single-Dirac-Cones in Bi${}_{1-x}$Sb${}_{x}$ Thin Films
Bi ${}_{1-x}$ Sb ${}_{x}$薄膜的电子能带结构可以作为温度、压力、化学计量比、膜厚度和生长取向的函数而变化。我们在这里展示了如何在Bi ${}_{1-x}$ Sb ${}_{x}$薄膜中构造不同的各向异性单狄拉克锥，以用于不同的应用或研究目的。为了预测各向异性单狄拉克锥，我们发展了一个迭代的二维双带模型，得到了一致的反有效质量张量和带隙，它可以用于具有非抛物色散关系的一般二维系统，如Bi ${}_{1-x}$ Sb ${}_{x}$薄膜系统.
2011-10-25 cond-mat.mtrl-sci
Growth of Diamond Films from Tequila
使用Tequila作为前体，在850 ℃下通过脉冲液体注入化学气相沉积（CVD）在硅（100）和不锈钢304上生长金刚石薄膜。用扫描电子显微镜（SEM）和拉曼光谱对金刚石薄膜进行了表征。球形微晶（100至400 nm）显示出金刚石的特征1332 cm-1拉曼谱带。
2008-06-09 cond-mat.mtrl-sci
Characterization of poly- and single-crystal uranium-molybdenum alloy thin films
用超高真空磁控溅射法在玻璃和蓝宝石衬底上生长了U-Mo合金多晶和单晶薄膜。X射线衍射和电子背散射衍射数据表明，对于单晶U1-xMox合金，当x > 0.22（10 wt.%）时，存在纯立方铀γ相Mo）。低于10重量% Mo浓度时，所得薄膜合金表现出混合的α-γ铀相组成。
2013-11-06 cond-mat.mtrl-sci
Anti-Ferroelectric Thin Films Phase Diagrams
本文研究了反铁电薄膜的相变和极性的尺寸效应。我们改进了Kittel提出的现象学方法。采用直接变分法求解欧拉-拉格朗日方程。导出了重整化系数随膜厚变化的自由能。得到了该系数随膜厚、温度、极化梯度系数和外推长度变化的近似解析表达式。研究了薄膜厚度减小时，反铁电双电滞回线向铁电单电滞回线的转变。提出的理论考虑解释了反铁电PbZrO_3薄膜的实验结果。
2006-08-30 cond-mat.mtrl-sci
