From Silver Nanoparticles to Thin Films: Evolution of Microstructure and Electrical Conduction
银纳米粒子嵌入在介质矩阵的研究，其潜在的宽带吸收光学传感器材料。这一贡献集中在银纳米粒子在不同形态阶段的电性能。电流通过薄膜，由银纳米粒子，其特征在于作为膜厚度的函数。观察到三个不同的导电区。两个相对平坦的区域（“电介质”用于非常薄的薄膜，“金属”用于厚度大于300 - 400埃的薄膜）被一个明显的过渡区域隔开，在该过渡区域中渗流占主导地位。电介质区的特征在于由热激活隧穿过程主导的电传导的孤立的颗粒岛。过渡区由互连的银纳米团簇主导-膜厚度的小增加导致电导率的大增加。厚度在300 - 400埃时，金属导电区占主导地位。
2011-05-13 cond-mat.mtrl-sci
High electrical conduction of Sb square net in anti-ThCr$_2$Si$_2$ type La$_2$O$_2$Sb thin film grown by multilayer solid-phase epitaxy
迄今为止，具有Sb方形网的反ThCr $_2$ Si $_2$型$RE_2$ O $_2$ Sb（$RE$ =稀土）显示出绝缘导电性。本文首次报道了采用多层固相外延法合成La $_2$ O $_2$ Sb外延薄膜。从X射线光电子能谱测量中估计Sb的价态约为-2，并且观察到0.17eV的间接带隙。La $_2$ O $_2$ Sb外延薄膜显示出作为窄禁带半导体的出乎意料的高导电性，其在室温下的电阻率比La $_2$ O $_2$ Sb块状多晶的电阻率低约一万倍，这归因于可能由于抑制Sb二聚而增加的载流子迁移率。
2021-06-08 cond-mat.mtrl-sci
Low Temperature Investigation of Electrical Conduction in Polysilicon: Simulation and Experiment
基于Monte Carlo（MC）模拟和4K ~ 300 K温度范围内的电学测量，研究了具有纳米晶粒（5 ~ 20 nm）的多晶硅纳米线（polySiNW）的导电特性。在低于200 K的温度下观察到一些不规则的库仑振荡（CO），由于晶粒尺寸的随机分布（5- 20 nm），表现出几个周期宽度。一个显着的结果包括在更有效的振荡观察到在中间范围内的温度（25 K和150 K之间）和高漏极电压。CO的温度依赖性的解释的事实是，在一个多个不对称的点系统在低温下，CO被观察到不是在最低，但在中间温度范围内，而漏极电压的依赖性是由于增强的非共振隧穿。MC模拟证实了实验观察。
2007-08-14 cond-mat.mtrl-sci
Electrical conduction of silicon oxide containing silicon quantum dots
在室温下对电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）制备的富硅氧化硅薄膜进行了电流-电压测量，并在750 - 1000 $ ^\circ$ C下进行了退火。随着退火温度的升高，镶嵌在薄膜中的硅量子点之间的氧化层厚度增加。这导致电流密度随着退火温度的升高而降低。假设Fowler-Nordheim隧穿机制在大电场中，我们得到一个有效的势垒高度$ϕ_{eff}$的$\sim$ 0.7 $\pm$ 0.1 eV的电子隧穿通过硅量子点之间的氧化物层。Frenkel-Poole效应也可以用来充分解释薄膜在大电场影响下的导电性。我们认为，在室温下，硅量子点可以被视为陷阱，捕获和发射电子的隧道。
2006-04-03 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous conduction band fluctuation in silicon carbide metal-oxide-semiconductor structures revealed by electrical characterization of field effect transistors combined with self-consistent numerical calculations
通过数值计算再现了碳化硅（SiC）金属氧化物半导体（MOS）场效应晶体管（MOSFET）的实验电流-电压特性，确定了其导带边附近的界面态密度（$D_{\rm it}$）分布。在计算中，通过求解泊松方程和薛定谔方程，分别计算了反型层中的势分布和能量子带。我们证明，MOSFET的栅极特性很好地描述了考虑的界面态是由自由电子态密度的波动在一个二维系统。的$D_{\rm it}$分布几乎是唯一确定的氧化物形成过程（氧化或界面氮化）和独立的受体浓度（$3\times10^{15}-1\times10^{18}\ {\rm cm^{-3}}$）。
2019-04-18 cond-mat.mtrl-sci
Variable range hopping conduction in semiconductor nanocrystal solids
研究了n型CdSe异质结薄膜的电导率随温度和电场的变化。在低电场条件下，在10 K <T<120 K的温度范围内，电导率服从G ~ exp（-（T*/T）^0.5）。在高电场下，电导率强烈地依赖于场。在4K下，电导在十年的偏压上增加了八个数量级。在很高的电场下，电导率与温度无关，G ~ exp（-（E*/E）^0.5）。用库仑带隙的变程跳跃很好地描述了完整的行为。
2004-03-23 cond-mat.mtrl-sci
Physical origin of enhanced electrical conduction in aluminum-graphene composites
该研究通过密度泛函理论计算揭示铝-石墨烯界面结构及石墨烯增强费米能级态密度，从而提升电导率，并发现双层石墨烯复合物电导率在300-400 K随温度非单调变化。
2024-01-04 cond-mat.mtrl-sci
Electrical conduction mechanisms of metal / high-Tc superconductor (YBCO) interfaces
在50 K ~ 270 K范围内，测量了Au/$_2$界面（Au/YBCO）在两种不同电阻状态下的电流-电压特性.提出了一个非平凡的等效电路模型，该模型揭示了由两个复杂层组成的高度不均匀场景的存在：一个呈现非线性Poole-Frenkel传导以及可变距离跳跃局部化效应（可能与YBa $_2$ Cu $_3$ O $_{6}$有关）与少量金属相混合，而另一种也由具有不同氧含量的YBCO的混合物组成，其中金属欧姆相仍然是层状的。微观描述的电阻开关所产生的影响，示出的载流子陷阱的演变，局域化效应和介电行为的每个状态。的介电行为解释的麦克斯韦-瓦格纳的情况。
2020-01-20 cond-mat.mtrl-sci
In-plane anisotropic quantum confinement effect in ultrasmall SnS sheets
黑磷（BP）类似物硫化锡（II）（SnS）最近由于其高度各向异性响应而成为电子器件的有吸引力的构建块。二维（2D）SnS已经显示出在光学和电学性质方面的面内各向异性。然而，生长超小结构的SnS的限制阻碍了低维各向异性行为的实验探索。在这里，我们提出了一个优雅的方法来合成高度结晶的纳米尺寸的SnS片。超小的SnS表现出两个不同的谷沿扶手椅和锯齿形方向，由于在平面内的结构各向异性像散装SnS。我们发现，在这样的SnS纳米片点，对应于两个谷的带隙增加，由于量子限制效应。我们特别观察到，SnS量子点（QD）显示出依赖于激发能的光致发光（PL），它起源于两个非简并谷。我们的工作可能开辟一条途径，以显示SnS量子点的电子和光电子学的新功能的潜力。
2021-06-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Conduction at domain walls in insulating Pb(Zr$_{0.2}$Ti$_{0.8}$)O$_3$ thin films
在最近发现的畴壁功能，在多铁性绝缘体BiFeO 3铁电畴壁的导电观察开辟了令人兴奋的新的可能性。在这里，我们报告的证据，也在180°铁电畴壁在简单的四方铁电PZT薄膜的导电。所观察到的导电表现出非线性，不对称的电流-电压特性，在高温下的热激活和高稳定性。我们将这种行为与畴壁的微观结构相关联，允许局部缺陷分离，以及在我们的局部探针测量中电极的高度不对称性质。
2012-05-01 cond-mat.mtrl-sci
ALD Zinc Tin Oxide Buffers for Chalcopyrite Solar Cells: Electrical Barriers and Conduction Band Cliffs
University of Luxembourg（卢森堡大学）
本研究针对宽带隙硫化物黄铜矿太阳能电池的缓冲层改性需求，探究ALD制备的不同组分ZnSnO缓冲层的电学特性，明确锡含量与导带底的正相关关系及对电池性能的影响机制。
2026-04-07 cond-mat.mtrl-sci
Fractional composition of large crystallite grains: a unique microstructural parameter to explain conduction behavior in single phase undoped microcrystalline silicon
我们研究了宽温度范围（15 - 450 K）内等离子体沉积的单相未掺杂微晶硅薄膜的宽微结构范围的暗电导率，以确定可能的输运机制以及薄膜微结构与电输运行为之间的相互关系。在具有不同微观结构的薄膜中看到的不同的导电行为解释的上下文中的基本传输机制和微观结构特征，高于和低于室温下的测量。我们的微观结构的研究表明，不同范围的组成大微晶晶粒（FCL）的微晶硅膜的体积分数的百分比对应于特征不同的和特定的微观结构，而不管沉积条件和厚度。我们的电输运研究表明，每种类型的微晶硅材料具有不同的Fcl范围显示出不同的电输运行为。
2007-08-08 cond-mat.mtrl-sci
The influence of Coulomb interactions on electrical conduction through short molecular wires
采用非平衡格林函数（NEGF）方法研究了双端分子器件的导电问题。这种连接由连接到金属电极的短线性导线制成。分子本身用Huckel（紧束缚）模型描述，电子相互作用用扩展的哈伯德模型（EHM）处理，与电极的耦合用宽带理论描述。用限制性Hartree-Fock（RHF）近似处理分子线内的库仑相互作用。特别是，详细讨论了短程和长程库仑相互作用对电输运特性的影响。
2005-11-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Non-linear electrical conduction and broadband noise in charge-ordered rare earth manganate Nd_0.5Ca_0.5MnO_3
对生长在Si衬底上的电荷有序Nd_（0.5）Ca_（0.5）MnO_3薄膜的直流输运特性和低频电导噪声的测量表明，在电荷有序区存在一个阈值场，超过阈值场，强非线性导电开始，并伴随着大的宽带电导噪声。当T -> T_{CO}（电荷有序化温度）时，载流子依赖性导电消失。这一观察结果表明，电荷有序状态在非线性传导开始时被脱钉。
1999-07-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Understanding Electrical Conduction and Nanopore Formation During Controlled Breakdown
受控击穿最近已经成为一种非常有吸引力的技术来制造用于广泛的生物传感应用的固态纳米孔。该技术依赖于在膜上施加约0.6-1 V/nm的电场以感应电流，并最终击穿电介质。然而，在受控击穿期间如何通过电介质发生电传导的详细描述尚未报道。在这里，我们研究了可控击穿过程中SiN $_x$膜的导电性和纳米孔的形成。我们表明，取决于膜的化学计量，导电性受到限制的氧化反应，必须发生在膜-电解质界面（Si丰富的SiN $_x$），或电子输运通过电介质（化学计量Si $_3$ N $_4$）。我们提供了几个重要的影响，从理解这一过程，这将有助于在未来几年内进一步发展控制击穿，特别是扩展这种技术集成纳米孔与芯片上的纳米结构。
2021-03-30 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Chiral orbital texture in nonlinear electrical conduction
本研究在手性半导体Te中观测到轨道织构介导的非线性导电，测定了电导的对映体特异性符号及载流子浓度依赖异常，结合玻尔兹曼方程归因于倒易空间的手性轨道织构，证明非线性输运测量可有效区分轨道与自旋相关效应。
2024-07-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hysteretic electrical transport in BaTiO$_3$/Ba$_{1-x}$Sr$_x$TiO$_3$/Ge heterostructures
我们目前的电输运测量异质结构组成的BaTiO $_3$和Ba $_{1-x}$ Sr $_x$ TiO $_3$外延生长在Ge上。Sr合金化赋予BaTiO $_3$压缩应变，这使得能够克服BaTiO $_3$和Ge之间的热膨胀失配以实现$c$轴取向生长。BaTiO $_3$和Ba $_{1-x}$ Sr $_x$ TiO $_3$的导带几乎与Ge的导带对齐，这有利于电子输运。通过电介质堆叠的电输运测量表现出整流行为和滞后，其中后者与铁电开关一致。
2013-11-13 cond-mat.mtrl-sci
Electrical conduction of Ti/TiOx/Ti structures at low temperatures and high magnetic fields
我们目前的Ti/TiOx/Ti平面结构的导电性研究的结果，通过尖端诱导局部阳极氧化（LAO）的钛薄膜。所制备的结构在300 K和30 K之间的温度下显示出几乎线性的I-V曲线，并且在较低温度下仅略微偏离线性行为。的结构的电导可以充分地解释由一个双通道模型，其中可变范围跳跃通道和金属的并行共存，而交叉从莫特Efros-Shklovskii可变范围跳跃电导率已被观察到在降低温度。所研究的结构的磁阻是非常小的，即使在磁场高达9 T。所报道的结构的电性能表明它们作为低温区和高磁场的极低热容温度传感器具有良好的应用前景。
2020-11-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
First-principles studies of the effects of impurities on the ionic and electronic conduction in LiFePO$_{4}$
橄榄石型LiFePO $_{4}$被广泛认为是锂离子电池电极的候选材料，但由于离子和电子传导性差，其在原始状态下的适用性受到限制。掺杂可用于增强材料的导电性。然而，这应理解为掺入电活性杂质以操纵分别负责离子和电子传导的原生点缺陷（例如锂空位和小孔极化子）的浓度，并且{ \it not}产生带状载流子。基于第一性原理密度泛函理论计算结果，分析了一价（Na、K、Cu和Ag）、二价（Mg和Zn）、三价（Al）、四价（Zr、C和Si）和五价（V和Nb）杂质对LiFePO $_{4}$离子电导率和电子电导率的可能影响.我们确定的杂质是有效的（或无效的），在提高锂空位或小孔极化子的浓度。基于我们的研究，我们讨论了提高LiFePO $_{4}$电导率的具体策略，并为进一步的实验研究提供了建议。
2012-01-19 cond-mat.mtrl-sci
Electrical transport through single-molecule junctions: from molecular orbitals to conduction channels
我们提出了一个原子理论的电子传输通过单个有机分子，再现了在最近的实验中观察到的电流-电压特性的重要功能。我们跟踪这些功能的起源在分子的电子结构和它们的本地原子环境。我们演示了传导通道如何从分子轨道中产生，并阐明了各个轨道的特定属性决定了它们对电流的贡献。
2001-10-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Suppression of long range magnetic ordering and electrical conduction in Y$_{1.7}$Bi$_{0.3}$Ir$_2$O$_7$ thin film
发现脉冲激光沉积法制备的YPDMATHABMM Bi $_{0.3}$ Ir $_2$ O $_7$ /YSZ（100）薄膜中没有长程磁有序，导电受到抑制。在T ~* ~ 168 K以下，磁化率的倒数X ~（-1）（T）从传统的Curie-Weiss行为急剧下降，表明存在非均匀的铁磁类Griffiths相。的运输和磁性解释的基础上共存的混合氧化态的Ir，（即Ir 4+和Ir 3+）导致非磁性缺陷和减少t2 g态密度在费米能级。
2019-04-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Transfer-matrix approach to the problem of electrical conduction through a series of absorbers
在这里，我们研究了非相干输运通过分子线处理作为一个线性链的吸收体，其中的相位打破过程是由使用虚点的潜力建模。计算是在散射理论的转移矩阵方法内进行的。得到了有限链传输的解析表达式，并利用Tsu-Esaki公式计算了电流。特别是，它示出的最大电流依赖于导线长度是指数。
2006-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Two-dimensionality of metallic surface conduction in Co3Sn2S2 thin films
拓扑材料的二维（2D）表面是反映线性色散电子能带的导电通道。通过应用一个可靠的系统的厚度t依赖测量片电导，在这里，我们阐明的Weyl半金属Co3Sn2S2的导电路径的维数。在铁磁相下，Co_3Sn_2S_2薄膜中清晰地出现了二维导电路径，表明形成了从外尔节点投射的费米弧。3D电导率和2D电导率之间的比较提供了表面导电区域的有效厚度，估计为约20 nm，其比拓扑绝缘体Bi2Se 3中的5 nm厚得多。这可能是由于Co_3Sn_2S_2在Weyl点处的能隙较窄，自旋轨道相互作用较弱。出现的表面传导将提供一个途径，激活量子和自旋电子输运功能源于一个外尔节点在薄膜为基础的设备。
2021-06-03 cond-mat.mtrl-sci
Electrical conduction processes in ZnO in a wide temperature range 20--500 K
本文研究了20- 500 K宽温区内生长的ZnO单晶和热循环的ZnO多晶薄膜的导电过程。在110和500 K之间的ZnO单晶的情况下，观察到两种类型的热激活传导过程。这是解释在浅施主和中间深施主的存在下，连续激发的导带，随着温度的升高。通过测量在真空中反复热循环后给定的单晶的电阻率$ρ(T)$，我们表明，氧空位在管理浅施主浓度中起着重要的作用，但留下的激活能（$\simeq27\pm$ 2毫电子伏）基本上完好无损。在多晶薄膜的情况下，在$\sim$ 150和500 K之间也观察到两种类型的热激活传导过程。在低于$\sim$ 150 K时，我们发现了一个额外的导电过程，由于最近邻跳跃导电机制发生在浅杂质带。当温度进一步降低到低于$\sim$ 80 K时，观察到Mott可变范围跳跃传导过程的交叉。结合我们以前在2- 100 K温度范围内对ZnO多晶薄膜的$ρ(T)$的测量结果[Y. L.黄{ \it等}，J. Appl. Phys. \textbf{107}，063715（2010）]，该工作建立了从液氦温度到500 K的ZnO材料中的整体导电机制的相当完整的图片。
2011-08-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci
Structures, optical properties, and electrical transport processes of SnO$_2$ films with oxygen deficiencies
系统研究了不同氧分压下射频溅射法制备的SnO $_2$薄膜的结构、光学和电学输运性质。研究发现，SnO $_2$薄膜的择优生长取向与沉积过程中的氧分压密切相关，这为调节SnO $_2$薄膜的表面织构提供了一种有效的方法。所有的薄膜在可见光范围内表现出相对高的透明度，并且透射率和光学带隙都随着氧分压的增加而增加。测量了从380 K到液氦温度下电阻率的温度依赖性。在高于$\sim 80$ K的温度下，除了最近邻跃迁过程外，与氧空位的两个施主能级（$\sim 30$和$\sim 100$ meV）有关的热激活过程也是电荷输运性质的主要原因.在低于$\sim 80$ K时，Mott变程跳跃导电过程在较高温度下控制电荷输运性质，而Efros-Shklovskii变程跳跃导电过程在较低温度下控制电荷输运性质。从Mott型到Efros-Shklovskii型的可变范围跳跃导电过程中观察到的几个到几十开尔文的所有的SnO $_2$膜的明显的交叉。
2013-01-31 cond-mat.mtrl-sci
X-ray-induced electrical conduction in the insulating phase of thiospinel CuIr2S4
研究了X射线辐照对尖晶石型化合物CuIr 2S4绝缘相的晶体结构和低温电阻的影响。我们发现在8.5K的辐照下，电阻降低了50多个数量级。同时观察到了由三斜晶系向四斜晶系的结构变化。X射线诱导的电导推导出从Ir4+二聚体形成的绝缘相的破坏。还报道了在X射线诱导状态下电阻的缓慢弛豫。
2003-04-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
3D Hopping Conduction in SnO2 nanobelts
在黑暗中，从400到5 K，测量单个氧化锡纳米带的电输运的温度依赖性。我们发现了四种内在的电传输机制，通过纳米带。它开始于400和314 K之间的热激活传导，268和115 K之间的最近邻跳跃传导，以及低于58 K的可变范围跳跃传导，在16 K处从3D-Mott到3D-Efros-Shklovskii政权的交叉。我们声称，这个序列揭示了三维性质的电输运的SnO 2纳米带，即使他们预计表现为一维系统。
2012-12-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Resistance minimum and electrical conduction mechanism in polycrystalline CoFeB thin films
分析了不同厚度的多晶铁磁CoFeB薄膜在不同电散射过程下的温度电阻$R$（$T$）。在低于$\simeq$ 29 K的温度下，我们观察到$R$（$T$）曲线中的电阻极小值，这可以解释为颗粒系统中的颗粒间库仑相互作用的效应。结构和库仑相互作用相关的散射过程的贡献更多的薄膜厚度的减少，这意味着无序和粒度的作用。虽然与这两个过程相比，磁性对电阻的贡献最小，但它是唯一的厚度无关过程。相反，在无序非晶薄膜中，负电阻系数可以用电子相互作用效应来解释。
2015-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Stretch-induced tunability of electrical transport properties of three-dimensional graphene-based foam structures
本文研究了预拉伸对三维石墨烯基泡沫电输运性能的调控作用，提出包含三种导电机制的导电网络模型，揭示了电阻率温度依赖性转变的机理，为优化可拉伸电子器件提供指导。
2024-08-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Impurity concentration dependent electrical conduction in germanium crystal at low temperatures
用提拉法生长了直径45 mm、长100 mm、纯度为7 N+的锗单晶。用劳厄衍射表征了晶体的结构质量。电导和霍尔测量进行样品上检索从不同部分的晶体沿生长轴。晶体的顶部显示出最低的杂质浓度（~10^12/cm 3），该浓度向底部逐渐增加（10^13/cm 3）。该晶体在室温下为n型，电阻率呈现非单调的温度依赖性。在室温以下，存在从n型到p型导电性的转变，在该转变处，体电阻率显示出最大值并且载流子迁移率下降。这种本征到非本征的过渡区随着杂质浓度的增加而向室温移动，并反映了晶体的纯度水平。在不同掺杂水平的硼注入高纯锗（HPGe）晶体中观察到类似的趋势。这种现象可以理解为在具有相当低的受主浓度（<10^12/cm ~ 3）的Ge晶体中，杂质带驱动的温度相关导电机制与本征载流子之间相互作用的结果。
2019-07-11 cond-mat.mtrl-sci nucl-ex
Topological Dirac line nodes and superconductivity coexist in SnSe at high pressure
由于量子计算的重要性和潜在的应用，人们对拓扑超导性的研究投入了大量的精力。然而，体拓扑超导电性似乎很难实现，其机制仍然是难以捉摸的。已经提出了几种诱导拓扑超导性的可能途径，包括邻近效应、掺杂或加压拓扑绝缘体或半金属。其中，加压被认为是一个干净的方式来调整电子结构。在这里，我们报告的发现，压力诱导的拓扑和超导相的SnSe，材料是高度关注最近由于其优越的热电性能。原位高压电输运和同步辐射X射线衍射测量表明，随着CsCl型结构对称性的形成，在27 GPa以上的SnSe的超导电性出现，在39 GPa的最大临界温度为3.2 K。基于从头计算，该CsCl型SnSe被预测为狄拉克线节点（DLN）半金属的自旋轨道耦合的情况下，其DLN状态的时间反转和反转对称性的共存的保护。这些结果使CsCl型SnSe成为一个有趣的模型平台，具有简单的晶体对称性，以研究拓扑物理和超导性的相互作用。
2017-01-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Electrical Characterization of PbZr0.4Ti0.6O3 Capacitors
我们已经进行了仔细的研究，在完全集成的商业PbZr0.4Ti0.6O3薄膜电容器与Pt底部和Ir/IrO 2顶部电极的电流-电压（I-V）特性。在不同的温度下，超过二十年的电压从电流-时间数据获得了高度可重复的稳态I-V，并分析了几种常见的传输模型，包括空间电荷限制的导电，肖特基势垒电子发射下的全部和部分耗尽和Poole-Frenkel导电，显示后者是最合理的泄漏机制，在这些高品质的薄膜。此外，铁电电滞回线和电容-电压数据在很大的温度范围内获得，并在一个修改后的Landau-Ginzburg-Devonshire理论占空间电荷效应进行了讨论。
2006-07-23 cond-mat.mtrl-sci
Interplay between the electrical transport properties of GeMn thin films and Ge substrates
我们提出的证据表明，电输运研究的外延p型GeMn薄膜上制作的高电阻率的Ge衬底上的平行导电的严重影响，有关的大本征电导率的Ge，由于其小的带隙。异常霍尔测量和大磁阻效应是完全理解的，通过采取主导基板的贡献，以及测量几何考虑。结果表明，衬底导电也持续良好的导电，退化，p型薄膜，从而产生一个有效的两层导电计划。使用n型Ge衬底，由于出现了pn界面结，p型外延层可以减少通过衬底的平行导电。在这些衬底上制备的GeMn薄膜表现出可忽略的磁阻效应。我们的研究强调的重要性，一个彻底的表征和理解可能的基板贡献的电输运研究的GeMn薄膜。
2010-11-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Highly Conductive 3D Nano-Carbon: Stacked Multilayer Graphene System with Interlayer Decoupling
研究了具有完全层间解耦的三维纳米碳堆叠多层石墨烯（s-MLG）体系的导电和击穿行为。通过转移和堆叠大面积CVD生长的石墨烯单层，然后进行线图案化和等离子体蚀刻来制备s-MLG。拉曼光谱用于确认层数。D-带峰指示样品中的低缺陷水平。进行电流应力诱导的掺杂以使电荷中性狄拉克点移位并降低石墨烯/金属接触电阻，从而改善整体导电性。击穿实验表明，s-MLG的载流能力比单层石墨烯有很大提高。
2011-05-24 cond-mat.mtrl-sci
Electrical, Optical and Structural Properties of Improved Transparent Conductive Oxide TCO Films
透明导电氧化物ITO的高频（GW）后处理导致光传输和电传导的显著改善。在多层结构中的ITO膜的情况下也是如此。改进发生而不影响下层（多层装置的其它层）。该方法具有极高的选择性，只能加工目标膜（层）。
2013-10-09 cond-mat.mtrl-sci
Carrier transport and electrical bandgaps in epitaxial CrN layers
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（柏林保罗·德鲁德固态电子学研究所，莱布尼茨柏林研究联盟协会）；Leibniz-Institut für Kristallzüchtung（莱布尼茨晶体生长研究所）
研究了CrN层的载流子输运与电学能隙，发现其具有n型半导体行为及两个激活能相关的导电机制。
2025-11-25 cond-mat.mtrl-sci
Interplay Between Stacking Order and In-plane Strain on the Electrical Properties of Bilayer Antimonene
本文研究了不同堆积顺序的锑烯双层膜的电学性质。采用vanderWaals（vdW）修正的密度泛函理论研究了其电学性能。两种结构的带隙相当大，而其他结构的带隙接近于零。施加面内双轴应变以改变电性能。带隙在特定的应变水平下达到最大值，然后在更大的压缩和拉伸应变下关闭。导带中的三个谷（$Γ$、Q和K）的能量随着应变而被探索。导带最小值随着应变在这些谷之间切换。两个带也有助于价带最大值，这两个带的能量为各种应变进行了研究。最后，得到了导带和价带谷的有效质量。在$Γ$ -谷处的有效质量证明了最低有效质量。
2020-07-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Vertical Strain-Induced Modification of the Electrical and Spin Properties of Monolayer MoSi2X4 (X= N, P, As and Sb)
在这项工作中，单层MoSi_2X_4（X= N，P，As和Sb）在垂直应变下的电学和自旋性质进行了研究。能带结构表明MoSi2N4是间接半导体，而其他化合物是直接半导体。选择垂直应变来改变电性能。带隙显示出最大值和减少拉伸和压缩应变。K点处的价带显示出较大的自旋分裂，而导带的自旋分裂可以忽略不计。另一方面，第二导带具有大的自旋分裂，并且在垂直应变下向下移动，这导致导带和价带边缘都有大的自旋分裂。投影态密度以及投影能带结构阐明了这些大自旋分裂的起源。这三种自旋劈裂可以通过垂直应变来控制。
2021-06-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Temperature dependence of electrical and thermal conduction in single silver nanowire
银纳米线在柔性电子器件、太阳能电池、透明电极等领域具有巨大的应用潜力。研究单根银纳米线的热输运和电输运性质是一项重要的基础工作。在这项工作中，在一个单独的银纳米线的热和电输运的特点是到35 K的稳态电热技术。结果表明，在室温下，电阻率增加约4倍，与它的本体对应物相比。用Bloch-Grüneisen公式拟合了银纳米线的电阻率随温度变化曲线，发现银纳米线的德拜温度（151 K）比体银的德拜温度（235 K）低36%，证实了较强的声子软化。在室温下，其热导率比其体相对应物的热导率降低了55%，并且这种降低随着温度的降低而变得更大。为了解释银纳米线和块体银的热导率（\k{appa}）~温度（T）的相反趋势，使用统一的热阻率来阐明电子散射机制。银纳米线具有较大的剩余统一热阻率，而体银的剩余统一热阻率几乎为零。相同的变化趋势表明，银纳米线和块体银共享相同的声子-电子散射机制。此外，由于声子辅助的电子能量转移跨越晶界，发现银纳米线的洛伦兹数远大于体银的洛伦兹数，并随着温度的降低而降低。
2014-12-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Surface conduction and reduced electrical resistivity in ultrathin noncrystalline NbP semimetal
该研究发现低温沉积的超薄非晶 NbP 半金属因表面导电沟道、高表面载流子密度和良好迁移率，电阻率随厚度减小而显著降低，为纳米电子低阻导线提供新途径。
2025-01-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scaling of the Electrical Conductivity Spectra Reveals Distinct Transport Responses in A2SmTaO6 [A = Ba, Sr, Ca]
Amity University Hyderabad（海德拉巴阿弥提大学）；St. Paul’s Mission Cathedral College（圣保罗使命大教堂学院）；Bose Institute（博斯研究所）
该研究针对多晶双钙钛矿A2SmTaO6体系，通过电导率谱标度分析，揭示了其受晶粒与晶界共同影响的载流子输运响应，明确了无序对导电机理普适性的限制。
2026-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous temperature dependence of the electrical resistivity in R$_3$Co$_4$Ge$_{13}$ (R = Y, Lu) single crystals
Centro de Ciências Naturais e Humanas (CCNH), Universidade Federal do ABC（自然与人文科学中心（CCNH），ABC联邦大学）
研究了R$_3$Co$_4$Ge$_{13}$单晶中电导率的异常温度依赖性，发现其行为不同于传统模型，归因于结构无序和低载流子密度。
2026-02-24 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
