The small silicon chip of Schottky diode (0.8x0.8x0.4 mm3) with planar arrangement of electrodes (chip PSD) as temperature sensor, which functions under the operating conditions of pressure sensor, was developed. The forward I-V characteristic of chip PSD is determined by potential barrier between Mo and n-Si (ND = 3x1015 cm-3). Forward voltage UF = 208 mV and temperature coefficient TC = -1.635 mV/C (with linearity kT <0.4% for temperature range of -65 to +85 C) at supply current IF = 1 mA is achieved. The reverse I-V characteristic has high breakdown voltage UBR > 85 V and low leakage current IL < 5 μA at 25 C and IL < 130 μA at 85 C (UR = 20 V) because chip PSD contains the structure of two p-type guard rings along the anode perimeter. The application of PSD chip for wider temperature range from -65 to +115 C is proved. The separate chip PSD of temperature sensor located at a distance of less than 1.5 mm from the pressure sensor chip. The PSD chip transmits input data for temperature compensation of pressure sensor errors by ASIC and for direct temperature measurement.
Demonstration of KV-Class \b{eta}-Ga2O3 Trench Junction Barrier Schottky Diodes with SpaceModulated Junction Termination Extension
School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University（亚利桑那州立大学电气、计算机与能源工程学院）；Department of Physics, Arizona State University（亚利桑那州立大学物理系）
Omnisys Instruments AB；Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology（查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系）；Low Noise Factory AB；EmriX Consulting AB
Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates
IEMN, Institut d’Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie（微电子与纳米技术研究所）；Institute of High Pressure Physic, Polish Academy of Sciences（波兰科学院高压物理研究所）
Transient Characteristics of $β$-Ga$_2$O$_3$ Nanomembrane Schottky Barrier Diodes on Various Substrates
本文利用亚微米秒分辨率时间分辨电学测量系统，在不同温度条件下，测量了四种衬底（金刚石、硅、蓝宝石和聚酰亚胺）上的$β$ $_2$ O $_3$ NM肖特基势垒二极管（SBD）的瞬态延迟上升和下降时间。当在高k衬底上转印$β$ $_2$ O $_3$ NMSSBD时，器件表现出明显更少的延迟接通/断开瞬态时间。此外，系统地研究了$β$ $_2$ O-$_3$纳米材料厚度与其瞬态特性之间的关系，发现随着$β$ $_2$ O $_3$纳米材料厚度的减小，声子散射在热耗散中起着重要作用，这也被多物理场模拟器所证实.总之，我们的结果揭示了具有不同热性能和不同\b{eta} -Ga 2 O 3 NM厚度的各种衬底对基于$β$ -Ga $_2$ O $_3$ NM的器件的性能的影响.因此，这些结果可以指导我们进一步努力通过最大化从$β$-Ga $_2$ O $_3$层的热耗散来优化未来的$β$-Ga $_2$ O $_3$器件的性能.
Design of a $β$-Ga$_2$O$_3$ Schottky Barrier Diode With p-type III-Nitride Guard Ring for Enhanced Breakdown
本文提出了一种新型的Ga $_2$ O $_3$垂直肖特基二极管的静电分析方法，该二极管具有三种不同的保护环结构，以降低金属边缘的峰值电场。模拟分析了高掺杂p型GAN、p型非极性AlGaN和极化掺杂渐变p-AlGaN作为保护环材料，与Ga $_2$ O $_3$漂移层形成异质结。具有带隙大于Ga $_2$ O $_3$的非极性渐变p-AlGaN的保护环被发现在屏蔽金属边缘处的电场方面表现出最佳性能。建议的保护环配置也进行了比较，与已报道的Ga $_2$ O $_3$肖特基二极管没有保护环和结构与高阻氮掺杂的保护环。优化后的器件击穿电压可达5.3 kV，比导通电阻为3.55 m $Ω$ -cm $^2$，功率品质因数为7.91 GW/cm $^2$ .
High Permittivity Dielectric Field-Plated Vertical (001) $β$-Ga$_2$O$_3$ Schottky Barrier Diode with Surface Breakdown Electric Field of 5.45 MV/cm and BFOM of $>$ 1 GW/cm$^{2}$
Degradiation of $β$-Ga$_2$O$_3$ Schottky barrier diode under swift heavy ion irradiation
研究了快重离子（2096 MeV Ta离子）辐照$β$ -Ga $_2$ O $_3$肖特基势垒二极管（SBD）器件的电学特性和微结构。结果表明，$β$ $_2$ O $_3$ SBD器件辐照后，器件的导通电压Von、导通电阻Ron、理想因子n和反向漏电流密度Jr均发生了可靠性下降。此外，漂移层的载流子浓度显著降低，并且计算的载流子去除率为5*106 - 1.3*107 cm-1。在整个$β$ O $_3$基质中目视观察到由快速重离子诱导的潜在径迹。此外，晶体结构的轨道是完全非晶化。Ta离子轰击引起的潜径迹是导致载流子迁移率和载流子浓度下降的原因。最终，这些缺陷导致器件的电特性劣化。通过比较载流子去除率，$β$ $_2$ O $_3$ SBD器件比SiC和GAN器件对快重离子辐照更敏感。
Analytical Modeling and Design of Gallium Oxide Schottky Barrier Diodes Beyond Unipolar Figure of Merit Using High-k Dielectric Superjunction Structures
The origins of the leakage currents of p-n junction and Schottky diodes in all kinds of materials: A novel explanation based on impurity-photovoltaic-effect due to the self-absorption of the room-temperature infrared emission from materials
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences（中国科学院半导体研究所）
Electrical excitation of color centers in phosphorus-doped diamond Schottky diodes
University of Siegen（锡根大学）；Moscow Center for Advanced Studies（莫斯科高级研究中心）；Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Firenze（意大利国家核物理研究所佛罗伦萨分部）；Department of Physics and Astronomy, University of Florence（佛罗伦萨大学物理与天文学系）；National Institute of Optics (INO), National Research Council (CNR)（国家光学研究所（INO），国家研究理事会（CNR））；Institute for Materials Research (IMO) & IMOMEC, Hasselt University & IMEC vzw（哈瑟尔特大学材料研究所（IMO）及IMOMEC，IMEC公司）；Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University（密歇根州立大学电气与计算机工程系）；Lehrstuhl für Oberflächen- und Werkstofftechnologien, University of Siegen（锡根大学表面与材料技术教席）；Group of Graphene-based Nanotechnology, University of Siegen（锡根大学石墨烯纳米技术小组）
Nb$_{2}$O$_{5}$ high-k dielectric enabled electric field engineering of $β$-Ga$_{2}$O$_{3}$ metal-insulator-semiconductor (MIS) diode
我们展示了一种Nb $_{2}$ O $_{5}$ / $β$ -Ga $_{2}$ O $_{3}$金属-绝缘体-半导体（MIS）异质结二极管，其中Nb $_{2}$ O $_{5}$作为高k电介质绝缘体，用于更有效的电场管理，从而与$β$ -Ga $_{2}$ O $_{3}$肖特基势垒二极管相比，增强了击穿特性。Nb $_{2}$ O $_{5}$介电膜使用原子层沉积生长，并表现出50的高介电常数。与肖特基势垒二极管中的金属/$β$-Ga $_{2}$ O $_{3}$界面相比，高介电常数导致MIS二极管中的金属/电介质界面处的电场低5 $\times$.在通过Nb $_{2}$ O $_{5}$相对于$β$ -Ga $_{2}$ O $_{3}$的负导带偏移实现的正向偏压中的良好电子传导的情况下，MIS设计导致反向阻断电压的3 $\times$改善，同时在比导通电阻中略有折衷。总的来说，观察到功率品质因数增加了3.3 $\times$（肖特基二极管为3.25 MW/cm $^2$，MIS二极管为10.8 MW/cm $^2$）。一个详细的分析的能带阵容，以及正向和反向电流传输机制也提出了使用解析建模和2-D TCAD模拟。
