Impurity assisted nanoscale localization of plasmonic excitations in graphene
使用确定随机相位近似内的非局部介电响应的实空间理论，计算原始和杂质掺杂的石墨烯的等离子体激元模式。一个完整的对角化的极化运营商进行，允许提取其所有极点。它演示了如何杂质诱导形成的本地化模式是不存在的原始石墨烯。讨论了局域等离子体激元的空间调制和频率对电子填充和杂质强度的依赖关系。此外，它示出的化学势和杂质强度可以调谐到控制的局域模式的目标功能。这些预测可以通过扫描隧道显微镜实验进行测试。
2010-03-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Exact solution of single impurity problem in non-reciprocal lattices: impurity induced size-dependent non-Hermitian skin effect
已知非厄米非互易系统对边界条件极其敏感，当平移不变性局部被破坏时，无论是通过调节边界耦合强度，还是通过使用杂质或缺陷引入有效边界，都表现出不同的局部化行为和谱结构。本文研究了Hatano-Nelson模型和Su-Schreieffer-Heeger模型中的单杂质问题，将单杂质作为系统的有效边界，可以精确地求解这两个模型中的单杂质问题.从有限尺寸系统的精确解中，我们揭示了杂质强度的增加会导致体态从非皮肤态到皮肤态的转变，并伴随着光谱结构从复平面上的椭圆到实轴上的线段的变化.这些精确的结果表明，杂质强度的临界值与晶格尺寸有关，当杂质较强或体系足够大时，临界值随晶格尺寸呈指数增长。我们的精确解对于确定有关模型中的点能隙拓扑跃迁也是有用的。
2021-06-07 cond-mat.mes-hall quant-ph
Disorder and Localization in the Lowest Landau Level
本文研究了随机分布短程散射体存在下二维非相互作用电子气的局域化性质。我们计算了用精确对角化技术得到的本征态的参与数。在低杂质浓度下，我们得到的自平均值表明，所有的状态，除了那些正好在朗道水平，本地化有限的本地化长度。我们的结论是，没有普遍的本地化指数，至少在低杂质浓度的本地化长度不发散。
1998-11-19 cond-mat.mes-hall
Observation of Impurity-Induced Scale-Free Localization in a Disordered Non-Hermitian Electrical Circuit
该研究在含单个非厄米杂质与非互易跃迁的无序非厄米电路中，实验观测到与体态跃迁方向相反的本征态反常无标度聚集，为探索非厄米电路反常趋肤效应提供了实验基础。
2025-01-15 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Impurity states of electrons on the surface of a nanotube in a magnetic field
研究了磁场中纳米管表面孤立杂质原子场中电子的局域化问题。一个模型的高斯可分离的杂质势能够定位在任何强度的电子。地方层面的位置被发现在制度的强和弱本地化。找到了共振的位置，估计了共振的宽度。当管中的磁通量改变时，它们经历Aharonov-Bohm振荡。它示出的共振的位置经历类似的de Haas-van Alphen振荡，这是不相关的磁场的振荡。
2021-03-02 cond-mat.mes-hall
Weak Localization and Antilocalization in Topological Materials with Impurity Spin-Orbit Interactions
拓扑材料在实验和理论上都引起了广泛的关注。它们在能带结构（本征）和杂质势（非本征）中都表现出很强的自旋轨道耦合，尽管后者常常被忽略。本文讨论了拓扑绝缘体中无质量狄拉克费米子和Weyl半金属薄膜中有质量狄拉克费米子的弱定域和反定域，同时考虑了内、外自旋轨道相互作用.物理学是由复杂的相互作用的手征自旋纹理，准粒子质量，标量和自旋轨道散射。我们表明，非本征自旋轨道散射的线性项一般存在于所有拓扑材料的布洛赫和动量弛豫时间，和校正的扩散常数是线性的强度的非本征自旋轨道。在TI中，准粒子质量为零，杂质自旋-轨道耦合中的线性项导致弱反局域化校正中可观察到的密度依赖性。他们产生实质性的修改的磁导率，大大不同于传统的HLN公式传统上用于实验拟合，预测从弱本地化到反本地化的外部自旋轨道强度的函数的交叉。相反，我们的分析表明，拓扑绝缘体总是表现出弱的反局域化。在WSM薄膜具有中间到大值的准粒子质量的非本征自旋轨道散射强烈地影响边界的弱本地化反本地化过渡。我们产生了一个完整的相图作为质量和自旋轨道散射强度的函数，这种转变。我们讨论了实验的影响，并提供了一个简短的比较与过渡金属dichalcogenides。
2017-08-15 cond-mat.mes-hall
Impurity effect on weak anti-localization in the topological insulator Bi2Te3
研究了低温下拓扑绝缘体Bi_2Te_3薄膜的弱反局域化效应。在倾斜磁场下的磁导特性中，揭示了与表面载流子相关的二维WAL效应。我们的数据表明，所观察到的WAL对非磁性Au杂质在薄膜表面上的沉积是稳健的。但它会因磁性Fe杂质的沉积而淬灭，从而破坏拓扑表面态的pi Berry相。5 nm Bi2Te3膜的磁导数据表明，观察到的Fe杂质的沉积从辛到酉类的交叉。
2011-04-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Crossover from weak localization to Shubnikov-de Haas oscillations in a high mobility 2D electron gas
本文研究了高迁移率二维电子气在磁场B域中的磁电阻δ ρ_{xx}（B）/ρ_0，其中δ ρ_{xx}（B）/ρ_0受相互作用的影响，磁场B介于弱局域化和Shubnikov-de Haas振荡之间。在考虑短程杂质散射的情况下，我们证明了在相互作用参数$λ$中的{\em二阶}中，在B的这个区域中出现了一个{\em线性} B依赖性的δ ρ_{xx}（B）/ρ_0 \sim λ ^2 ω_c/E_F，斜率为{\em temperature-independent}（这里ω_c和E_F分别是回旋频率和费米能量）.与以前的机制不同，线性磁阻与执行完整Larmour循环的电子{\em无关}，而是源于通过杂质诱导的Friedel振荡的{\em相位}的B依赖性的杂质散射。
2008-03-17 cond-mat.mes-hall
From spontaneous to explicit symmetry breaking in a finite-sized system: Bosonic bound states of an impurity
该研究通过一维环状超冷玻色子系统中的单个吸引性杂质，展示了从均匀态到局域态的转变，并利用少体精确对角化与平均场比较，揭示了对称性破缺机制及质量比调控作用。
2024-12-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas quant-ph
Impurity State and Variable Range Hopping Conduction in Graphene
如针对指数定域杂质态所制定的可变范围跳跃理论不一定适用于具有共价连接杂质的石墨烯的情况。我们采用格林函数微扰方法，利用原子-石墨烯系统的最近邻紧束缚模型，分析了石墨烯中杂质态的局域化。杂质态波函数的振幅被确定为衰减为幂律，其指数取决于亚晶格、方向和杂质种类。我们重新审视的可变范围跳跃理论鉴于这一结果，并发现电导率依赖于作为一个幂律的温度与指数有关的本地化的波函数。我们表明，这种温度依赖性是与现有的实验结果。
2012-12-21 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Impurity-induced geometric correlations and fractional quantization in quantum Hall systems
Universidad de Alcalá（阿尔卡拉大学）
本文提出基于杂质诱导相关性的几何机制，解释量子反常态的形成，并揭示杂质几何对反常态稳定性的影响。
2026-05-14 cond-mat.mes-hall
Impurities and electronic localization in graphene bilayers
我们分析了具有Bernal堆积和低浓度吸附原子的双层石墨烯的电子性质。假设宿主双层位于衬底的顶部，我们考虑杂质仅吸附在上层的情况。我们将非磁性杂质描述为与碳的pz态杂化的单个轨道。分析了在垂直于层的栅电场存在和不存在时杂质掺杂对局域态密度的影响。我们在不同的区域寻找安德森局域化并估计局域化长度。在偏置系统中，强局域杂质态部分地填充了场致能隙。有趣的是，这些态的结构、分布和局域化长度依赖于场的极化。
2015-03-10 cond-mat.mes-hall
Impurity-induced resonant states in topological nodal-line semimetals
节线半金属的特征在于一种拓扑非平凡的体带交叉，产生几乎平坦的表面态。然而，表面状态的直接证据仍然缺乏。本文基于T-矩阵方法，从理论上研究了拓扑半导体中的杂质效应。结果表明，对于体杂质，在杂质位附近可以诱导出带隙内态，而可见共振杂质态只能在一定的杂质势强度下才能存在。对于表面杂质，在很宽的杂质势范围内存在鲁棒的共振杂质态。这种强大的共振态源于拓扑保护的弱色散表面态，这可以通过扫描隧道显微镜探测，提供了一个强大的签名的拓扑表面态的半金属线。
2019-05-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Impurity induced broadening of Drude peak in strained graphene
最近对单层石墨烯的远红外透射光谱的实验研究表明，每$1\%$施加机械应变，Drude峰宽度增加超过$10\%$，而Drude重量保持不变。研究了应变对杂质共振散射的影响。我们提出了一种机制，由于共振的位置的移位的散射率的增强。使用替代杂质的Lifshitz模型，我们调查的Drude峰的重量和宽度的费米能量，杂质浓度和杂质势的大小的函数的变化。
2018-09-26 cond-mat.mes-hall
Surface-induced magnetic anisotropy for impurity spins in granular AuFe films
将表面感生各向异性理论推广到稀磁合金颗粒膜的情况。由于表面诱导的磁性杂质自旋的阻挡似乎对特定的多晶结构非常敏感，因此我们推测不同小组的实验结果之间的明显差异可以与样品的不同微观结构联系起来。我们应用我们的模型来计算小颗粒AuFe中杂质自旋的磁化强度，并解释了Fe掺杂Au薄膜中反常霍尔效应的实验数据。
2001-07-23 cond-mat.mes-hall
Induced charge generated by a Coulomb impurity in transition metal dichalcogenides
本研究解析计算了二维过渡金属二硫化物中库仑杂质诱导的小距离电荷密度，得到渐近展开前三项，证明Z=1杂质始终亚临界、高电荷杂质可超临界，行为与石墨烯类似。
2024-08-19 cond-mat.mes-hall
Filling of magnetic-impurity-induced gap in topological insulators by potential scattering
我们发现，铁磁排列的磁性杂质在拓扑绝缘体表面诱导的能隙可以被填充，由于散射的非磁势的杂质。在连续表面模型和三维紧束缚晶格模型中，我们发现，能隙已经消失在弱势散射杂质共振添加光谱重量在狄拉克点。这可以帮助解释关于间隙存在的看似矛盾的实验结果。
2015-05-27 cond-mat.mes-hall
Anomalous Induced Density of Supercritical Coulomb Impurities in Graphene Under Strong Magnetic Fields
本文研究了强磁场下石墨烯中超临界库仑杂质的诱导密度结构，发现Landau能级态的非平凡耦合会导致峰值偏离杂质中心、杂质电荷被屏蔽以及额外的杂质回旋共振等反常效应。
2024-08-29 cond-mat.mes-hall
Absence of a supercritical regime induced by short-range impurity scattering in gapped graphene
我们发现，在石墨烯中的电子态密度（DOS）的变化引起的杂质散射与短程电位是完全不同的，由长程库仑势所引起的。最终消失在价带中的状态的光谱权重（随着散射强度的增加）不会转变为共振态。因此，没有观察到与价带中态密度的重新分布有关的不寻常的屏蔽效应。因此，在石墨烯中由短程杂质诱导的状态与长程势的情况相比具有明显不同的性质。事实上，这些性质非常类似于其他二分晶格中的短程单一杂质的情况，例如正方形，体心立方和简单立方晶格。
2010-01-13 cond-mat.mes-hall
Impurity-Induced Interference at a Topological Boundary in an Infinite SSH Heterojunction
National Taiwan Normal University（台湾师范大学）
本研究揭示了杂质与SSH异质结拓扑边界耦合诱导的干涉效应，通过分析LDOS双峰结构和波函数衰减长度量化干涉强度。
2026-03-06 cond-mat.mes-hall
Ferromagnetic phase in graphene-based planar heterostructures induced by charged impurity
研究了在类似石墨烯的平面电子-正电子系统中，掺杂带电荷杂质$Z$的异质结构中，轴向电流和相应的类偶极磁场的自发自洽产生.结果表明，这种效应发生在$Z \geq Z^{\ast}$与$Z^{\ast}$是一个特殊的模拟居里点的铁磁。详细研究了感生铁磁态的性质。它还表明，这种方式的磁偶极子的产生导致系统的总Casimir（真空）能量的显着降低，这反过来又提供了它的“居里点”以上的自发产生$Z \geq Z^{\ast}$。
2019-12-03 cond-mat.mes-hall
Impurity-induced states in superconducting heterostructures
异质结构允许实现在孤立系中难以获得的电子态。示例性的是由超导体和具有自旋轨道耦合的半导体形成的准一维异质结构的情况，其中可以实现马约拉纳零能量模式。本文研究了单一杂质对超导异质结能谱的影响。我们发现，超导体和半导体之间的耦合可以强烈地影响杂质诱导的状态，并可能诱导额外的子带隙束缚态，不存在于孤立的均匀超导体。对于准一维超导体/半导体异质结构，我们得到了低能杂质诱导束缚态出现的条件。
2017-11-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Impurity-induced vector spin chirality and anomalous Hall effect in ferromagnetic metals
多个散射体的散射有时会引起异常的霍尔效应。本文研究了反常霍尔效应的产生机制，它是由自旋杂质和局域磁矩的关联引起的，即由矢量自旋手征引起的霍尔效应。利用散射理论方法，研究了由两个磁矩和一个非磁性杂质的散射过程引起的斜散射，该散射与非磁性杂质附近自旋的矢量自旋手征成正比.此外，我们表明，一个有限的矢量自旋手征自然存在于周围的杂质在通常的铁磁金属在有限的温度下，由于局部反转对称性破缺的杂质。这一结果可能与磁性氧化物在有限温度下反常霍尔效应增强有关。
2018-06-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Impurity-induced dephasing of Andreev states
研究了结透明区的闪烁噪声对Andreev态相干输运的影响。估计微波激活量子干涉仪的退相量。讨论了超导量子点接触与电磁环境耦合的实验研究可能性。
2000-03-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Impurity induced current in a Chern insulator
陈氏绝缘体可以说是拓扑相的最简单的例子。它们的特点是由一个拓扑不变量，并可以通过保护边缘状态的存在来识别。在这篇文章中，我们表明，在陈绝缘体中的本地杂质诱导双重响应：携带手征电流和净电流周围的杂质循环的束缚态。这是时间对称性破缺的一种表现，甚至对于无穷小的杂质势也是如此。为了说明这一点，我们考虑一个库仑杂质的Haldron模型。在低能量的长波长极限下，我们证明了一个无穷小的杂质强度就足以产生束缚态。我们发现解析波函数的束缚态，并表明它们进行循环电流。相比之下，在一个平凡的类似物的情况下，石墨烯与间隙诱导的亚晶格势，束缚态发生，但不携带电流。在半填充的Halfton模型的多体问题中，我们用线性响应的方法来证明杂质周围的环流。绝缘体中的杂质纹理通常预期呈指数衰减;相比之下，该电流随着与杂质的距离呈多项式衰减。超越了Halfton模型，我们考虑的情况下，共存的平凡和非平凡的质量。我们发现，只要时间反演对称性被打破，杂质诱导的本地手征电流。然而，这种局部电流的衰减具有整体拓扑的特征-电流在非平凡系统中以多项式衰减，在平凡系统中以指数衰减。在所有情况下，我们的分析结果与数值紧束缚模拟吻合得很好。
2017-03-04 cond-mat.mes-hall
Friedel oscillations in disordered quantum wires: Influence of e-e interactions on the localization length
数值计算了位于无序相互作用量子线一端的杂质引起的Friedel振荡。使用DMRG方法确定系统的基态中的电子密度，并且使用导线耦合到杂质的情况与杂质未耦合的情况之间的密度差来提取弗里德尔振荡数据。我们表明，幂律衰减的振荡发生在一个相互作用的干净的1D样品所描述的Luttinger液体理论，乘以一个指数衰减项，由于混乱。通过该指数项对平均弗里德尔振荡进行缩放，使无序样品数据在干净的结果上崩溃。我们表明，长度尺度的指数衰减可能与安德森局域化长度，从而被用来作为一种方便的方式来确定的依赖于无序和相互作用的本地化长度。的本地化长度减少的相互作用强度的函数，根据以前的预测。
2006-11-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Obtaining Majorana and other boundary modes from the metamorphosis of impurity-induced states: exact solutions via T-matrix
我们在这里提供了一个新的和准确的形式主义来描述通过杂质诱导态的演化形成的端，边或表面状态。我们提出了一个通用的算法，包括通过T-矩阵形式主义找到杂质状态，并表明它们演变成边界模式时，杂质的潜力走向无穷大。我们应用这种技术来获得Majorana状态在1D和2D系统描述的Kitaev模型与点状和线状杂质。我们证实了我们的精确分析结果的数值紧束缚的方法。我们认为，我们的形式主义可以适用于其他拓扑模型，以及任何模型展示边缘状态。
2018-11-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Impurity induced bound states and proximity effect in a bilayer exciton condensate
本文讨论了双层激子凝聚中杂质引起的局域层间隧穿效应。我们证明了对于任何强度的杂质散射，在带隙内都存在一个局域的单费米子束缚态，并计算了杂质态能量和波函数对势强的依赖关系。结果表明，这种杂质诱导的单费米子态增强了其周围的层间相干性，类似于超导邻近效应。作为这些单一杂质状态的直接结果，我们预测，有限浓度的这种杂质将增加激子凝聚的临界温度。
2009-12-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Probing the Rashba effect via the induced magnetization around a Kondo impurity
当单个磁性吸附原子沉积在金属表面时，它会影响周围电子气的电荷和自旋织构，传导电子对局域磁矩的屏蔽会引起近藤效应。本文研究了磁场中Au（111）表面上钴杂质周围的Rashba自旋轨道耦合对局域磁化态密度（LMDOS）的影响。我们发现，在平面内的LMDOS组件是专门与Rashba自旋轨道相互作用。通过在近藤杂质周围进行自旋极化STM测量，可以在实验上利用这一观察结果来确认表面上存在Rashba效应，例如Au（111）。
2013-04-11 cond-mat.mes-hall
Thermoelectric properties of armchair phosphorene nanoribbons in the presence of vacancy-induced impurity band
扶手椅型磷烯纳米带（APNR）是一种具有间接带隙的半导体。在这里，我们建议通过创建一个周期性的空位结构（antidot）在APNR的间隙中引入新的状态。紧束缚模型的基础上，我们表明，一个周期性阵列的空位或纳米孔导致形成的杂质带内的间隙区域。我们首先给出了一个解析表达式的杂质带的色散关系所诱导的束缚态杂化与每个单空位缺陷。然后，我们增加空位缺陷的大小，包括一堆原子和理论研究纳米孔的大小和它们的间距对电子能带结构，载流子传输函数，和热电性能的影响。我们对这些结构的发电率和热电效率的分析表明，ANPR可以用作极好的热电发电模块。
2021-02-03 cond-mat.mes-hall
Impurity-induced orbital magnetization in a Rashba electron gas
本文研究了含磁性杂质的Rashba电子气中的感生轨道磁化强度密度。依靠经典电动力学，我们得到这个量通过由顺磁性和反磁性的贡献，出现从自旋轨道相互作用组成的束缚电流。类似于弗里德尔电荷波纹，束缚电流和轨道磁化强度密度作为远离杂质的距离的函数振荡，具有由费米能量和Rashba自旋轨道相互作用的强度定义的特征波长。净诱导轨道磁化被认为是其自旋对应的数量级。除了探索杂质态的电子填充的影响外，我们还研究和分析了等边阻挫三聚体在各种非共线磁态下的轨道磁化强度。一方面，我们证实了非零的三自旋手征产生一个有限的轨道磁化密度。另一方面，高阶贡献导致多自旋手性影响非平凡和显着的轨道磁化的整体幅度和符号。
2018-06-06 cond-mat.mes-hall
Theory of Vacancy-Induced Intrinsic Magnetic Impurity with Quasi-Localized Spin Moment in Graphene
本文基于蜂窝晶格上的哈伯德模型，建立了石墨烯中空位诱导的准定域自旋磁矩的内禀磁性杂质（MI）理论.由于内禀磁感应强度的零模与巡游电子互变，其性质与自旋矩局域化较好的Anderson磁感应强度有很大不同。
2014-02-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anomalous impurity-induced charge modulations in black phosphorus
Yonsei University（延世大学）；University of Stuttgart（斯图加特大学）；Sogang University（西江大学）；Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids（马克斯·普朗克固体化学物理研究所）
研究通过杂质工程在黑磷表面诱导异常电荷调制，揭示了其与费米面各向异性相反的特性，挑战了传统带结构解释。
2025-12-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Impurity induced coherent current oscillations in one-dimensional conductors
从理论上研究了排斥性Luttinger液体（LL）中单个杂质的电子输运，发现在与杂质势强度有关的阈值电压以上，直流电流$\bar I$伴随着频率为$f = \bar I/e$的相干振荡.与约瑟夫森结有一个类比：LL中的幂律I-V曲线的公知状态对应于临界电流以下的约瑟夫森电流的阻尼，而LL中的振荡状态可以与临界电流以上的约瑟夫森振荡进行比较。
2008-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Impurity-driven intervalley spin-flip scattering-induced 2D spin relaxation in silicon
通过对掺杂Si的二维电子气中电子自旋寿命的理论研究，我们强调了界面附近杂质中心电池势通过谷间电子散射引起的主导自旋弛豫机制。在低温和适度掺杂下，这种Yafet自旋翻转机制可以变得比由结构Rashba自旋轨道耦合场引起的Dyakonov-Perel自旋弛豫重要得多。由于前导级杂质诱导的自旋翻转仅发生在Si中的两个非相对谷之间，因此Si MOSFET或SiGe异质结构中的二维电子气（2DEG）系统是测试和利用这种自旋弛豫机制的天然平台，这是由于界面附近的谷分裂及其通过电门控或施加应力的可调谐性。我们提出的新的自旋弛豫机制可以解释部分的自旋弛豫的贡献，以硅为基础的2DEG系统。
2017-01-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Surrogate model solver for impurity-induced superconducting subgap states
本文提出一种基于精确对角化的简单杂质求解器，通过优化离散超导库能级参数，定量复现杂质诱导的超导亚隙态，并验证其与约化基方法结合的高效性。
2023-12-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Impurity-band optical transitions in two-dimensional Dirac materials under strain-induced synthetic magnetic field
我们发展了库仑杂质掺杂的二维过渡金属二硫属化物单分子膜的光学跃迁理论，并研究了在由机械应变产生的合成谷选择性磁场的影响下，从自旋分辨价带到（库仑）施主和受主杂质的跃迁。结果表明，系统的光学性质取决于合成磁场的强度，揭示了一种实验工具，可用于谷磁光电子学中二维材料的性质调控。
2021-05-10 cond-mat.mes-hall physics.optics
Bulk-edge coulping induced by a moving impurity
National University of Singapore（新加坡国立大学）；Centre for Quantum Technologies, National University of Singapore（新加坡国立大学量子技术中心）
本研究探讨了移动杂质对拓扑边态稳定性的影响，揭示了体-边耦合机制，并验证了其在多种拓扑绝缘体中的适用性。
2025-09-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Impurity-induced excitations in a topological two-dimensional ferromagnet/superconductor van der Waals moiré heterostructure
范德华异质结中拓扑超导态的出现为探索控制拓扑超导体的新策略提供了一个新的平台。特别是，范德华异质结构中的杂质，一般具有莫尔图案，可能会导致原子和莫尔长度尺度之间的独特相互作用，这是一般拓扑超导体中不存在的特征。在这里，我们解决的拓扑莫尔超导体上的非磁性杂质的影响，无论是在弱和强制度，考虑周期性阵列和单一杂质，否则原始的无限莫尔系统。我们证明了一个很好的杂质诱导模式和莫尔长度之间的相互作用，导致从根本上不同的光谱和拓扑性质取决于相对杂质的位置和莫尔长度。我们的研究结果突出了杂质在范德瓦尔斯异质结构中的关键作用，其特征在于莫尔图案，揭示了人工莫尔系统中长度和能量尺度之间的关键相互作用。
2022-09-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Impurity induced enhancement of perpendicular magnetic anisotropy in Fe/MgO tunnel junctions
采用第一性原理计算，研究了Cr和V杂质对Fe/MgO磁性隧道结的磁各向异性和自旋极化的影响.它表明使用层分辨各向异性计算技术，而在界面附近的杂质有一个激烈的影响，在降低垂直磁各向异性（PMA），它的位置在体内允许保持高表面PMA。此外，有效磁各向异性具有强烈的趋势，从面内到面外的字符作为Cr和V浓度的函数，有利于面外的磁化方向为约1.5 nm厚的Fe层在杂质浓度高于20%。同时，自旋极化不受影响，甚至在大多数情况下增强，有利于增加隧道磁电阻（TMR）值。
2014-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Angular self-localization of impurities rotating in a bosonic bath
自Landau提出极化子自定域跃迁以来，极化子自定域跃迁的存在一直是人们争论的焦点。在这里，我们揭示了极化子的旋转模拟-角动量准粒子的自定位过渡。我们发现，不同于极化子，角动量的自定位发生在有限的杂质浴耦合已经在平均场水平。这种转变伴随着角动量基态的球对称破缺和基态能量的一阶导数的不连续性。此外，对称性破缺的类型取决于微观杂质浴相互作用的对称性，这导致了许多不同的自局域态。预测的效应可能在超流氦滴和超冷量子气体中捕获的冷分子的实验中得到解决，以及在固体和玻色-爱因斯坦凝聚体中的电子激发。
2017-02-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.other cond-mat.quant-gas
