Strain engineering is widely used to manipulate the electronic and magnetic properties of complex materials. An attractive route to control magnetism with strain is provided by the piezomagnetic effect, whereby the staggered spin structure of an antiferromagnet is decompensated by breaking the crystal field symmetry, which induces a ferrimagnetic polarization. Piezomagnetism is especially attractive because unlike magnetostriction it couples strain and magnetization at linear order, and allows for bi-directional control suitable for memory and spintronics applications. However, its use in functional devices has so far been hindered by the slow speed and large uniaxial strains required. Here, we show that the essential features of piezomagnetism can be reproduced with optical phonons alone, which can be driven by light to large amplitudes without changing the volume and hence beyond the elastic limits of the material. We exploit nonlinear, three-phonon mixing to induce the desired crystal field distortions in the antiferromagnet CoF$_2$. Through this effect, we generate a ferrimagnetic moment of 0.2 $μ_B$ per unit cell, nearly three orders of magnitude larger than achieved with mechanical strain.
Engineering photomagnetism in collinear van der Waals antiferromagnets
Radboud University, Institute for Molecules and Materials（拉德堡德大学分子与材料研究所）；HFML-FELIX；Institute of Physics, University of Amsterdam（阿姆斯特丹大学物理研究所）；Department of Physics, Technische Universität Dortmund（多特蒙德工业大学物理系）；Research Center Future Energy Materials and Systems（未来能源材料与系统研究中心）；King’s College London, Theory and Simulation of Condensed Matter（伦敦国王学院凝聚态理论模拟）
Berry Curvature Engineering by Gating Two-Dimensional Antiferromagnets
最近在调整二维（2D）磁体的电子，磁性和拓扑性质方面的进展开辟了量子物理研究的新前沿，并为未来的量子技术提供了令人兴奋的可能性。在本研究中，我们发现双闸极技术可以很好的调整反铁磁性（AFM）甚至七层（SL）MnBi $_2$ Te $_4$薄膜的电子与拓扑性质。在破坏$\mathcal{PT}$对称性的面外电场作用下，薄膜的Berry曲率可以被有效地控制，从而导致异常霍尔信号的巨大变化。在临界电场之外，双SL MnBi $_2$ Te $_4$薄膜变为具有3的高陈氏数的陈氏绝缘体。我们进一步证明，这种2D材料可以用作AFM开关通过电场控制的AH信号。这些发现启发了未来AFM自旋电子应用的低功耗存储器原型的设计。
Anisotropic Strain Engineering in La0.7Sr0.3MnO3/LaFeO3 Superlattice: Structural Relaxation and Domain Formation
NTNU Norwegian University of Science and Technology（挪威科技大学）；MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente（特温特大学 MESA+ 纳米技术研究所）；Lawerence Berkeley National Laboratory（劳伦斯伯克利国家实验室）
Deterministic control of antiferromagnetic domain walls by circular phonons
Radboud University（拉德堡德大学）；Italian Institute of Technology（意大利理工学院）；Nanyang Technological University（南洋理工大学）；Scuola Normale Superiore（比萨高等师范学院）；University of Genoa（热那亚大学）
Kitaev interactions in the van der Waals antiferromagnet VBr3
Fudan University（复旦大学）；J-PARC Center（日本原子力研究开发机构J-PARC中心）；Shanghai Research Center for Quantum Sciences（上海量子科学研究中心）；Institute of Nanoelectronics and Quantum Computing, Fudan University（复旦大学纳米电子与量子计算研究所）
研究通过非弹性中子散射揭示了van der Waals反铁磁体VBr3中的Kitaev相互作用，并表明配体工程可调节Kitaev相互作用。
Quantum Hall effect in a bulk antiferromagnet EuMnBi$_2$ with magnetically confined two-dimensional Dirac fermions
在自旋电子学技术的创新中，Dirac材料（其低能激发被描述为相对论性Dirac费米子）是最有前途的体系之一，因为它具有与极高的迁移率相关的迷人的磁输运特性。为了将狄拉克费米子应用到自旋电子学中，人们希望在很大程度上通过固体中的磁序来操纵它们的量子输运现象。本文报道了层状反铁磁体EuMnBi $_2$中的体半整数量子霍尔效应，其中场可控的Eu磁序显著抑制了Bi层与狄拉克费米子的层间耦合.除了大于10，000 cm $^2$ /Vs的高迁移率之外，可能由于自旋和谷简并的提升而引起的朗道能级分裂即使在块状磁体中也是明显的。这些结果将为磁功能化狄拉克材料的工程化铺平道路。
Vector Spin Chirality Switching in Noncollinear Antiferromagnets
Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research（贾瓦哈拉尔·尼赫鲁高级科学研究中心）；SASTRA Deemed University（萨斯特拉认定大学）；Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY)（德国电子同步加速器）；Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram（印度科学教育研究所特里凡得琅分校）；UGC-DAE Consortium for Scientific Research（UGC-DAE科研联盟）；ALBA Synchrotron Light Source（阿尔巴同步辐射光源）；The University of Sydney（悉尼大学）；Indian Institute of Science Education and Research Bhopal（印度科学教育研究所博帕尔分校）
Engineering Altermagnetism via Layer Shifts and Spin Order in Bilayer MnPS$_3$
Universidad de Antofagasta（安托法加斯塔大学）；Technische Universität Dresden（德累斯顿工业大学）；Universidad Técnica Federico Santa María（费德里科·圣塔玛丽亚技术大学）；Universidad de Chile（智利大学）；Dresden University of Technology, Institute for Solid State and Materials Physics（德累斯顿工业大学固体与材料物理研究所）
Tunable Magneto-Excitonic Coupling in Alloyed van der Waals Antiferromagnet
Wroclaw University of Science and Technology（弗罗茨瓦夫科技大学）；University of Warsaw（华沙大学）；Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses（强磁场国家实验室）；Université Grenoble Alpes（格勒诺布尔阿尔卑斯大学）；Université Toulouse（图卢兹大学）；King’s College London（伦敦国王学院）
