Capacitance investigation of Ge nanoclusters on a silicon (001) surface grown by MBE at low temperatures
研究了低温下生长在硅（001）表面的锗纳米团簇多层阵列的电学性质。从STM估计的量子点（QD）密度和从C-V特性提取的QD层积累的电荷之间的相关性被揭示。研究了C-V特性的温度依赖性。在低温下，观察到滞后。在具有不同QD排列的结构上测量的DLTS谱表现出本质的区别。
2009-08-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The Influence of Silicon Nanoclusters on the Optical Properties of a-SiNx Samples: A Theoretical Study
通过从头计算，我们研究了纯a-SiN $_x$样品、$x \in [0.4, 1.8]$样品以及嵌入直径为$0.5 \leq d \leq 1.0$ nm的硅纳米团簇（NC）的样品的光学性质。在纯样品中，光吸收带隙和辐射复合率随Si-N键浓度的变化而变化。在存在的NC的样品的辐射率几乎不受影响，表明实验样品的强烈的光致发光主要是由于矩阵本身，而不是NC。此外，我们还证明了NC/基体界面处的Si-N-Si键在所观察到的光致发光趋势中的重要作用。
2012-04-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Silicon Nanocrystallites in SiO2 Matrix: The Role of Disorder and Size
我们比较，通过第一性原理赝势计算，不同尺寸的硅纳米团簇的结构，电子和光学性质嵌入在SiO2晶体或非晶基质，与独立的，氢化和氢氧化硅纳米团簇的相应大小和形状。我们发现，对光电行为的最大影响是由于嵌入的纳米团簇的非晶化。在这方面，非晶化减小了基本带隙，同时增加了可见光范围内的吸收强度。增加纳米团簇的大小并没有改变实质上这一图片，但只会导致减少的吸收阈值，以下量子限制规则。最后，通过计算的光学吸收光谱在独立粒子和多体的方法，我们表明，局部场的影响是至关重要的适当描述的光学行为的结晶的情况下，而它是次要的非晶系统。
2010-09-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Characterization of amorphous and crystalline silicon nanoclusters in ultra thin silica layers
利用透射电子显微镜（TEM）、能量过滤透射电子显微镜（EFTEM）和二次离子质谱（SIMS）研究了不同制备条件和硅浓度（28 - 70面积%）下硅纳米晶的成核和结构。在通过硅的快速热氧化（RTO）制备的3 nm SiO $_2$层上溅射10 nm厚的富硅氧化物的高温热处理之后形成纳米晶体。当过量硅浓度超过50面积%时，纳米晶体沉淀。在TEM中对样品进行的原位热处理表明，结晶需要高于800 $^o$ C的温度。纳米晶体在4 nm波段沉淀，距离Si衬底5 nm，距离SiO $_2$样品表面4 nm。硅在过量Si浓度最高的地方成核。由于在退火期间与来自环境的氧反应，顶表面具有较少的过量Si。由于Si从SiO $_2$ -Si层扩散到RTO中，SiO $_2$ -RTO层更富含Si。在直径为4-10 nm的纳米晶体中发现了孪晶和层错。这些类型的缺陷可能对材料在电子器件中的可用性具有很大的影响。通过高分辨透射电子显微镜（HRTEM）观察发现，纳米晶中存在单孪晶和双孪晶晶界。为了获得更多关于缺陷和纳米晶体的信息，进行了图像模拟。层错是外在的，位于孪晶界。
2012-09-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Satellite Band Structure in Silicon Caused by Electron-Plasmon Coupling
我们报告的第一个角度分辨光电子能谱测量的波矢量依赖的等离子体卫星结构的三维固体，晶体硅。与纳米材料形成鲜明对比的是，纳米材料通常表现出强烈的波矢依赖性，低能等离子体激元，硅的大等离子体激元能量有利于寻找由共振结合的空穴和等离子体激元组成的等离子体激元状态及其与弱相互作用的等离子体激元-空穴对的区别。采用第一性原理理论，这是基于一个累积展开的单电子格林函数，并包含显着的电子相关效应，我们获得了良好的协议与测量的光电子能谱的波矢量依赖的色散的卫星功能，但没有观察到存在的等离子体在计算中。
2015-04-29 cond-mat.mtrl-sci
An experimental study of charge distribution in crystalline and amorphous Si nanoclusters in thin silica films
用透射电子显微镜（TEM）、电子能量损失谱（EELS）和X射线光电子能谱学（XPS）研究了薄二氧化硅层中的结晶和非晶硅纳米颗粒。我们使用XPS数据的俄歇参数的形式来分离的初始和最终状态的贡献的Si $_{2p}$能量转移。静电充电和电子屏蔽问题以及初始状态的影响也得到了解决。结果表明，纳米晶中的化学位移是由初态效应决定的，而不是由终态效应决定的，分散在SiO $_2$中的纳米晶中的硅芯空穴的电子屏蔽作用不如纯体硅中的电子屏蔽作用.
2012-09-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Plasmonic switching in Au functionalized GaN nanowires in the realm of surface plasmon polatriton propagation: A single nanowire switching device
报道了Au纳米颗粒功能化半导体GAN（Au-GaN）纳米线的光响应，用于使用532激发的光开关。采用催化剂辅助化学气相沉积技术生长了宽带隙GAN纳米线，并通过化学方法进行了Au功能化。Au-GaN纳米线显示出Au纳米团簇在550 nm附近的表面等离子体共振（SPR）模式以及GAN在365 nm附近的特征带。观察到的光学开关的Au-GaN纳米线的子带隙激发532 nm的表面等离子体激元辅助传输的电子在系统中的可能作用。在不存在使用325 nm激发的光开关的情况下，排除了带传导的作用，325 nm激发的能量高于室温下GAN的约3.4 eV（365 nm）的报道带隙。随着粒子间的分离，有限量的Au的带间贡献起着重要的作用。开关器件也成功地测试了一个单一的GAN纳米线功能化与金纳米团簇。对于单个GAN纳米线中的载流子的表面等离子体激元辅助电输运，测量到0.05欧姆-cm的电阻率值。
2015-08-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Multiterminal Nanowire Junctions of Silicon: A Theoretical Prediction of Atomic Structure and Electronic Properties
采用经验方案，详细描述了一类新的奇异硅纳米团簇的原子结构，即中心二十面体核（Si-IC）和从Si-IC顶点生长的五角花瓣（Si-PP）.结果表明，Si-IC/Si-PP界面的形成是积极的优先。硅纳米结构的一些实验观察可以通过所提出的物体的存在来解释。扩展休克尔理论的电子结构计算表明，所提出的对象作为纳米隧道结的能力。
2007-09-14 cond-mat.mtrl-sci
Dielectric layer dependent surface plasmon effect of metallic nanoparticles on silicon substrate
通过数值模拟研究了Si衬底上Ag纳米颗粒与入射光之间的电磁相互作用。研究发现，不同厚度的介质层的存在会导致不同的谐振波长和散射截面，从而导致光电流响应在所有波长上的偏移。这些不同的行为取决于介电层是否超出纳米颗粒近场起作用的区域，并且必须考虑几何光学效应。结果表明，对于一定尺寸的颗粒，适当的介质层厚度是理想的，以实现最佳的吸收性能。对于一定厚度的介电层，还期望适当的颗粒尺寸。这些观测结果对优化表面等离子体增强硅太阳能电池具有重要的应用价值。
2011-09-21 cond-mat.mtrl-sci
Violet emission from bulk Si prompted by surface plasmon polaritons
硅由于其间接带隙和激发态的强声子辅助衰减而长期被认为是较差的光发射体。尽管如此，我们已经揭示了有效的准单色光致发光在368 nm处从体硅在近紫外光谱范围内的带间跃迁SiEΓ1，即使在室温下。光学和电子能谱实验表明了一个明确的关系的发射到位于SiO/Si界面上的表面等离子体激元（SPP）。所呈现的结果表明，所揭示的发光是SPP的产生和衰减的效果，SPP是表面等离子体激元、光和体带间跃迁的混合物。SPP在硅层中以近紫外波穿透深度（~80 nm）的数量级的厚度演化，并且由于其混合性质而以高激发振幅为特征。该效应似乎很容易适用于基于现有Si技术的近紫外光源的开发。
2016-08-02 cond-mat.mtrl-sci
Nanoscale Structure and Energy Dissipation Behaviour of Tungsten Disulphide and Gold Nanoparticles and Nanoclusters Investigated by Advanced Microscopy Techniques
在这项研究中，纳米二硫化钨（WS 2）和纳米金（Au）的纳米颗粒的纳米结构和相关的能量耗散行为进行了研究，通过先进的扫描探针和电子显微镜技术。采用范德华粘附转移沉积机理在硅衬底上沉积了WS 2纳米颗粒。在硅衬底上制备了三种尺寸的金纳米粒子模板：紧密堆积（4- 6 nm）、分散良好（120- 150 nm）和团簇（120-150 nm）。利用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对WS 2和Au纳米粒子和纳米微粒的微观结构、形貌、形貌和相变进行了表征。SEM和TEM观察表明，WS 2纳米颗粒为原子取向的层状-六方结构或无机石墨状结构。在轻敲模式AFM成像中，重复扫描WS 2纳米颗粒导致纳米层的层间运动。结果表明，Au纳米粒子的聚集导致了更大的相移和更高的能量耗散，而紧密堆积的Au纳米粒子导致了最低的相移和能量耗散。利用SXM软件分析了纳米材料的微观结构、形貌、形貌和相位移。纳米尺度的研究表明，相移和能量耗散受样品的几何和机械梯度的影响。
2013-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interband $π$-like plasmon in silicene grown on silver
硅烯是硅的二维同素异形体，被预测存在于低屈曲的蜂窝晶格中，其特征在于半金属电子带在费米能级周围具有石墨烯般的能量-动量色散（由接触的狄拉克锥表示）。硅烯的单层主要是通过在银的顶部沉积硅来合成的，然而，迄今为止观察到的不同相与基底的杂化如此强烈，以至于不仅狄拉克锥，而且理想硅烯的整个价态和导电态似乎都丢失了。在这里，我们提供的证据表明，这种半金属行为的至少一部分是由更多的硅烯相，外延生长在Ag（111）的共存保存。特别是，我们结合电子能量损失谱和含时密度泛函理论来表征在控制硅覆盖率和生长温度下制备的多相硅烯/Ag（111）样品的低能等离子体。我们发现，这种模式生存与基板的相互作用，与理想硅烯的类π等离子体完美匹配。因此，我们认为，多相硅烯与衬底的相互作用减弱，可能提供一个独特的平台，有可能开发基于二维硅系统的不同应用。
2018-01-03 cond-mat.mtrl-sci
Formation of normal surface plasmon modes in small sodium nanoparticles
用GW方法研究了含20-300个原子的钠纳米团簇中表面等离子体模的形成。结果表明，在小钠纳米粒子的大小为2 nm，损失函数$Im[ε^{-1}]$是由一个单一的峰值对应于本地化的表面等离子体共振（LSPR）占主导地位。对于2nm和更大的颗粒，开始形成对应于表面等离子体激元（SPP）振荡的共振，以及对应于体积等离子体激元（VP）激发的共振。考虑到上述情况，在0.7-3.7 nm范围内的颗粒的线性尺寸可以被估计为用SPP操作的金属纳米器件的下限。在由涂覆有钠原子的硅核组成的球形纳米颗粒的示例中，示出了LSPR模式被选择性地抑制，而SPP模式没有。这种复合结构可以被认为是具有选择性调谐特性的纳米等离子体激元器件的示例。
2019-12-18 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Possible surface plasmon polariton excitation under femtosecond laser irradiation of silicon
研究了飞秒激光在硅表面形成波纹的机理。我们证明了瞬态演化的激发自由载流子的密度。结果，表面等离子体激元激发所需的实验条件被揭示。所得到的结构的周期，然后研究作为激光参数的函数，如入射角，激光能量密度，和偏振。所获得的依赖性提供了一种更好地控制由飞秒激光在半导体材料表面上诱导的周期性结构的性质的方法。
2013-08-01 cond-mat.mtrl-sci physics.optics physics.plasm-ph
Mid- and far-infrared localized surface plasmon resonances in chalcogen-hyperdoped silicon
红外区域中的等离子体传感采用分子的振动指纹与等离子体共振的直接相互作用，从而创建优于传统光谱学的表面增强传感平台。然而，用于等离子体共振的标准贵金属遭受高辐射损耗以及制造挑战，例如将光谱共振位置调谐到中红外到远红外区域，以及与现有互补金属氧化物半导体（CMOS）制造平台的兼容性问题。在这里，我们证明了中红外局域表面等离子体共振（LSPR）的发生在薄的Si薄膜超掺杂与已知的深层次杂质碲。我们表明，中红外LSPR可以进一步增强和光谱扩展到远红外范围内，通过制造二维阵列的微米尺寸的天线在Te-超掺杂硅芯片。由于Te-超掺杂Si也可以用作红外光电探测器，我们相信我们的研究结果将开启等离子体传感器与单芯片CMOS平台直接集成的路线，大大提高了大规模制造高性能等离子体传感系统的可能性。
2022-10-07 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Surface plasmon polariton assisted optical switching in noble bimetallic nanoparticle system
报道了在808 nm激发下，金-银纳米颗粒嵌入钠玻璃（Au-Ag@SG）衬底的表面等离子体辅助光开关的光响应. Au-Ag@SG系统是通过离子束技术制备的，其中Ag^+首先通过离子交换技术引入到钠玻璃基体中。随后，将400 keV的Au^+以不同的注量注入样品中，然后使用1 MeV的Si^+以2 E16的固定注量进行离子束退火处理ions.cm ^{-2}。在400和550 nm附近的特征表面等离子体共振（SPR）峰提供了Au和Ag纳米颗粒存在的证据。在Au-Ag@SG系统中，808 nm处的光开关远离Ag和Au纳米颗粒的特征SPR峰，这表明TPA可能由于这些系统中相互作用的电偶极子的存在而起作用。强调了表面等离子体激元对Au-Ag体系中导电电子载流子的传播在理解所观察到的光响应中的作用。独特的激发依赖的光响应测量确认TPA过程的可能作用。一个竞争性的带间和带内跃迁的Au和Ag的双金属系统可能是主要负责的观察，这是验证定性使用有限差分时域计算，其中Au和Ag的粒子间分离起着重要的作用。因此，在贵金属纳米团簇系统中可以设想一种智能的光学开关方式，其中具有更高趋肤深度的长波长可以用于通信目的。
2015-08-31 cond-mat.mtrl-sci
Band structures of plasmonic polarons
使用国家的最先进的多体计算的基础上的“GW加累积量”的方法，我们表明，电子等离激元相互作用导致出现等离激元极化子带的能带结构的常见半导体。使用硅和IV族过渡金属二硫属化物单层（AX2与A=Mo，W和X=S，Se）作为原型的例子，我们证明，这些新的频带是一个一般的功能系统，其特征在于定义良好的等离子体共振。我们发现，这些等离子体结构的能量与动量色散关系密切遵循标准价带，虽然他们出现扩大和蓝移的等离子体能量。基于我们的研究结果，我们确定了观察角分辨光电子谱的固体等离子体极化子带的一般标准。
2015-03-19 cond-mat.mtrl-sci
Plasmonic-enhanced photoluminescence in porous silicon with pore-embedded gold nanoparticles fabricated by direct reduction of chloroauric acid
本研究通过在多孔硅光子结构内直接还原氯金酸合成金纳米颗粒，利用等离子体近场增强实现了多孔硅光致发光六倍提升，主要贡献在于解决了金纳米颗粒尺寸和位置控制难题，并展示了其在发光器件和传感器中的应用潜力。
2023-11-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
On-demand Plasmon Nanoparticle-Embedded Laser-Induced Periodic Surface Structures (LIPSSs) on Silicon for Optical Nanosensing
超短激光脉冲允许将电磁能量传递到物质，引起其局部加热，其可用于通过烧蚀/蒸发去除材料和驱动界面化学反应。在这里，我们表明，这两个提到的过程可以同时结合在功能化溶液中的Si晶片的直接激光纳米纹理，以产生实际相关的金属-半导体表面纳米形态。这种独特的混合形态代表了具有低至70 nm的极短周期的深亚波长Si LIPSS，其高纵横比纳米颗粒负载有可控量的等离子体纳米颗粒，所述等离子体纳米颗粒由前体贵金属盐的$via$激光诱导分解形成。此外，利用热局部化驱动还原过程来产生局部装饰有不同的等离子体活性纳米颗粒的表面形貌。装载有可控量的贵金属纳米颗粒的光吸收深亚波长Si LIPSS代表了用于等离子体相关应用（例如光学纳米传感）的有吸引力的结构，其中传播光波与高度局部化的电磁"热点“的有效耦合是强制性要求。为了支持这一说法，我们证明了这种混合形态的适用性，基于荧光的检测纳摩尔浓度的汞阳离子在溶液中。
2022-05-11 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Strong phonon-plasmon coupled modes in the graphene/silicon carbide heterosystem
我们报告了石墨烯中的电荷载流子等离子体激元$ω_{PL}$与下面的SiC（0001）衬底的表面光学声子$ω_{SO}$的强耦合，其具有在长波长极限（$q_\parallel \rightarrow 0$）中的低电子浓度（$n=1.2\times 10^{15}$ $cm^{-3}$）。能量依赖的能量损失谱给出了第一次明确的证据，两个耦合的声子等离子体模式$ω_\pm$之间的间隙$ω_{SO}$（$q_\parallel \rightarrow 0$）和$ω_{TO}$（$q_\parallel >> 0$），横向光学声子模式，与Fano型的形状，特别是较高的初级电子能量（$E_0 \ge 20eV$）分开。基于介电理论的简化模型能够模拟我们的能量损失谱以及两个耦合声子-等离子体激元模式$ω_\pm$的色散。相反，Liu和Willis [1]在他们最近的出版物中从他们的能量损失数据中假设没有间隙和具有单峰结构的不连续色散曲线。
2010-08-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ultrafast dynamics and surface plasmon properties of Silicon upon irradiation with mid-infrared femtosecond laser pulses
我们提出了一个尚未探索的超快过程和动力学的产生的激发载流子在中红外（中红外）光谱区域的飞秒脉冲激光照射硅后的理论研究。分析了在2.2 μm ~ 3.3 μm范围内不同波长λL下电子-空穴子系统和晶格子系统的载流子密度和热响应的演化，探讨了双光子和三光子吸收机制的影响。诱导克尔效应的作用是突出的，它表现出更明显的影响，在较小的波长在中红外范围。对激发表面等离子体激元（SP）的条件的研究表明，在材料表面形成了弱束缚SP波。所示的激发SP的寿命上升时，产生的波长增加一个大于一个预测的更高的激光频率。对不同脉冲宽度τp下的损伤阈值的计算表明，损伤阈值的增加遵循幂律（τ p^{λ L}），其增加率由指数λ L决定。对不同τp下的多光子吸收率和碰撞电离贡献的研究表明，当τp较长时，λL=2.5 μm的损伤比λL=2.2 μm的损伤小。
2019-05-09 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Low-field microwave absorption and magnetoresistance in iron nanostructures grown by electrodeposition on n-type lightly-doped silicon substrates
在本研究中，我们研究了电沉积在轻掺杂（100）n型硅衬底上的铁纳米团簇的磁性、表面形貌和晶体结构。我们的目标是研究Fe/Si横向结构中的自旋注入和探测。在电渗流下获得的样品的特征在于通过磁阻和磁共振测量与循环扫描施加的场，以了解在所产生的样品中的自旋动力学。在磁共振谱中观察到的磁滞现象，加上在非饱和状态下确认低场微波吸收（LFMA）的宽峰的存在，与在磁阻曲线中发现的峰和斜率相关。结果表明，在低阻硅的长距离自旋注入和检测和磁共振技术在这里介绍了作为一个有前途的工具，用于分析电非接触磁阻样品。
2015-04-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Solving the electronic structure problem for over 100,000 atoms in real-space
本研究通过实空间高阶有限差分方法，在PARSEC代码中实现了对超过10万原子硅纳米团簇的电子结构计算，验证了该方法的并行扩展能力，并揭示了量子限域对带隙的影响。
2023-03-01 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Rippled area formed by surface plasmon polaritons upon femtosecond laser double-pulse irradiation of silicon: the role of carrier generation and relaxation processes
本文通过数值模拟研究飞秒双脉冲照射硅时载流子产生与弛豫对表面波纹形成的影响，定量解释了LSFL面积随脉冲延迟下降的两个时间常数。
2013-12-16 cond-mat.mtrl-sci physics.optics physics.plasm-ph
Observation of Crystalline Nonlocal Volume Plasmon Waves
本文首次观测到硅中晶体非局域体积等离激元波，发现其色散沿轻质量轴比重质量轴曲率更大，并通过提取各向异性费米速度揭示起源，为探测极端动量下的多体量子效应提供新途径。
2025-10-08 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Surface plasmon enhanced broadband spectrophotometry on black silver substrates
我们证明了表面等离子体诱导的增强在光学成像和光谱上的银涂层的硅纳米锥，我们称之为黑银基板。采用可批量生产的纳米制造方法，在圆片级上制备了具有致密均匀的纳米锥森林结构的黑银衬底。黑银衬底能够有效地捕获入射光子并将其转换为宽波长范围内的局域等离子体激元，这允许从UV到NIR范围的光学吸收增强12倍，可见荧光增强约30倍，NIR拉曼散射增强因子高达约108。我们显示了相当大的潜力，黑银基板在高灵敏度和宽带光学传感和成像的化学和生物分子。
2014-02-07 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Nonlinear optical response of a local surface plasmon coupled to a 2D material
我们提出了一个理论研究的非线性振荡器的光学响应形成的耦合金属纳米粒子局部表面等离子体共振激子自由度在单层过渡金属二硫属化物。我们发现，组合系统应表现出较强的非谐性在其低的状态，预测例如7个数量级的非线性增加相对于硅光子晶体腔。然后，我们证明了这种系统具有强的量子特性，如反聚束和非高斯性。这种纳米级非线性振荡器的阵列可以用来实现新的光学超材料;或者，一个单独的纳米粒子单层结构可以耦合到一个光学谐振器，以调解有效的输入-输出耦合到传播场。
2019-06-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Deep UV laser induced periodic surface structures on silicon formed by self-organization of nanoparticles
我们研究了在深紫外区（波长= 193 nm，脉冲宽度= 20 ns）用p偏振准分子激光脉冲激发时在硅上形成的激光诱导周期性表面结构（LIPSS或波纹）。对于脉冲数N = 100或更高，观察到具有接近激光波长的周期的明显波纹，并且波纹周期随着入射角而增加。虽然这些结果似乎是定性与标准的Sipe理论一致，我们观察到一个根本不同的波纹形成机制和波纹形态。在低脉冲数下，在硅表面观察到尺寸为几十纳米的孤立纳米颗粒，然后随着脉冲数的增加，这些纳米颗粒开始在2D中聚集并自组织形成具有非常浅的调制深度的波纹。采用最近开发的等离子体模型的基础上的表面等离子体极化激元在粗糙表面上的传播，我们表现出良好的定量协议的波纹周期与入射角的演变。最后，我们表明，暴露于较低的激光能量密度的表面区域的特征微米和纳米孔，这引起了显着的光致发光（PL）发射在可见光谱区，而不是基于纳米颗粒的波纹不显示PL。
2020-10-27 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.optics
Formation of femtosecond laser induced surface structures on silicon : insights from numerical modeling and single pulse experiments
利用飞秒激光多次辐照硅靶，在硅表面形成激光诱导周期性表面结构（LIPSS）。在本文中，我们集中和讨论的表面等离子体激元机制的瞬态相位匹配条件的分析的基础上，单脉冲的实验和数值模拟。两个制度的波纹形成机制，在低数量的镜头被确定和详细说明。数值计算结果与实验结果的相关性良好。
2011-10-03 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph physics.optics
