Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of electron-phonon interaction in correlated electron materials: general results and application to doped Mott insulators
动力学平均场方法是用来制定一个计算上容易处理的理论，电子-声子相互作用的系统中的任意本地电子-电子相互作用的物理相关的绝热限制的声子频率小相比，电子带宽或相互作用的规模。作为应用，测定了轻掺杂莫特绝缘体中声子对载流子有效质量的贡献，并讨论了相分离边界。
2002-05-09 cond-mat.str-el
Numerically exact simulation of photo-doped Mott insulators
University of Hamburg（汉堡大学）；University of Michigan（密歇根大学）；Graz University of Technology（格拉茨工业大学）；Tel Aviv University（特拉维夫大学）；The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging（汉堡超快成像中心）
本文提出利用数值精确的稳态Quantum Monte Carlo技术，结合时间局域分布函数ansatz，计算Mott绝缘体中长寿命光掺杂态的性质，发现Mott能隙对大光掺杂保持稳健且准粒子性质被强重整化。
2023-11-23 cond-mat.str-el
The short-range correlations of a doped Mott insulator
本文介绍了数值研究的单孔tt't“J模型，解决巡游电子的动能和交换能量的局部时刻之间的相互作用，感兴趣的掺杂莫特绝缘体。由于这种相互作用，两种不同的自旋相关共存周围的移动空位。这些本地相关性提供了一个有效的两个波段的图片，解释了两个能带结构中观察到的各种理论和实验研究，掺杂依赖的动量空间各向异性的赝隙现象和空穴和电子掺杂的铜氧化物之间的不对称性。
2006-05-18 cond-mat.str-el
Quantum phases in a doped Mott insulator on the Shastry-Sutherland lattice
本文提出了Shastry-Sutherland晶格上掺杂莫特绝缘体SrCu_2（BO_3）_2的基态为投影BCS波函数。在半填充时，该波函数产生精确的基态。加入可移动的载流子，我们发现电子和空穴掺杂之间存在很强的不对称性。在电子掺杂时，形成具有强价键相关性的不寻常金属。空穴掺杂系统是d波RVB超导体，其中超导电性通过非均匀元格键序的出现而强烈增强。
2007-02-05 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard localization in model of electronic subsystem of doped fullerides
考虑到三重轨道简并能态的掺杂富勒烯电子子系统的微观模型被认为是在配置操作的方法。用格林函数方法计算了$n=1$整数带填充时模型的能谱，这种情况对应于$AC_{60}$化合物。讨论了模型中可能存在的关联驱动的金属-绝缘体相变。
2012-01-13 cond-mat.str-el
Strongly enhanced thermal transport in a lightly doped Mott insulator at low temperature
我们展示了轻掺杂的莫特绝缘体如何在低温下极大地增强了电子的热输运。当载流子可以被视为非简并费米子时，它显示出独立于相互作用强度的普遍行为，并且在洛伦兹数增长到大值的非普遍“交叉”区域，同时仍然保持大的热电优值。电子动力学由Falicov-Kimball模型描述，该模型在Bethe晶格上用动力学平均场论算法求解任意大的在位关联。我们展示了这些结果是如何通用的轻掺杂莫特绝缘体，只要重整化费米液体尺度被推到非常低的温度和系统是不是磁有序的。
2012-10-22 cond-mat.str-el
Theory for Slightly Doped Antiferromagnetic Mott Insulators
从具有反铁磁序的二维Mott绝缘态出发，提出了一种描述轻微掺杂空穴或电子的莫特绝缘体低能态的试探波函数.随着状态的行为像带电准粒子与定义良好的动量，观察到一个刚性带。这些状态的配对相关性比以前研究的少得多。小费米补丁获得的高Tc铜氧化物掺杂轻空穴或电子与最近的实验是一致的。讨论了非相干态和自旋袋态。使用这些波函数，精确计算得到的一些结果被再现。
2002-10-03 cond-mat.str-el
Bad-metal behavior reveals Mott quantum criticality in doped Hubbard models
不良金属（BM）的行为特征的电阻率的线性温度依赖性延伸到远高于Mott-Ioffe-Regel（MIR）限制，通常被视为一个关键的未解决的签名强相关性。在这里，我们通过检查一个完全受挫的哈伯德模型，其中所有的长程磁序被抑制，并通过动态平均场论的莫特问题，可以严格解决的BM行为与莫特量子临界。我们发现，对于掺杂的莫特绝缘体制度，共存圆顶和相关的一阶莫特金属-绝缘体转变被限制在极低的温度下，而清晰的签名莫特量子临界出现在大部分的相图。显着的标度行为被确定为整个家庭的电阻率曲线，量子临界区域覆盖整个BM制度，不仅提供洞察力，而且定量的理解周围的MIR限制，与现有的实验。
2015-06-25 cond-mat.str-el
Photoemission of a doped Mott insulator: spectral weight transfer and qualitative Mott-Hubbard description
用光电子能谱学研究了低维莫特绝缘体TiOCl在碱金属掺杂下的光谱权重演化。我们观察到较低的哈伯德带和一个额外的峰值之间的光谱重量转移后，电子掺杂，在改变单和双占据的网站的数量的原子限制的定量预期。这一观察结果是相关谱带的无条件标志，以前没有报道过。相反，金属准粒子峰的缺失可以追溯到一个简单的单粒子效应。
2011-02-06 cond-mat.str-el
Mott Gap Excitations and Resonant Inelastic X-Ray Scattering in Doped Cuprates
预测的动量和载流子依赖的Mott间隙的退化后，掺杂在高Tc的铜氧化物，将观察到在铜K边共振非弹性X射线散射（RIXS）。用数值精确对角化方法研究了具有二、三近邻跳跃项的二维哈伯德模型。特别强调的是放置在莫特间隙激发的粒子-空穴的不对称性。我们认为，莫特间隙激发RIXS观察到的显着影响之间的相互作用载流子和反铁磁关联。
2003-09-08 cond-mat.str-el
Nodal/Antinodal Dichotomy and the Two Gaps of a Superconducting Doped Mott Insulator
采用元胞动力学平均场论，以Lanczos方法为杂质求解器，研究了空穴掺杂二维哈伯德模型的超导态。在掺杂不足的制度，我们发现一个自然的分解成两个组件的一个粒子（光电发射）的能隙。在节点区域的间隙，源于异常的自能，减少掺杂。的波腹间隙有一个额外的贡献，从正常状态的赝隙继承的自能的正常分量，它增加的莫特绝缘相接近。
2008-02-04 cond-mat.str-el
Not all doped Mott insulators have a pseudogap: key role of van Hove singularities
母体化合物的Mott绝缘相经常被用作低掺杂高$T_c$铜酸盐超导体的起始点。特别地，赝能隙态通常被认为是源自莫特绝缘体。在本工作中，我们系统地研究了正方形和三角形晶格上不同的弱掺杂莫特绝缘体，以阐明赝能隙和莫特度之间的关系。我们表明，掺杂的二维莫特绝缘体不一定会导致赝隙相。尽管其固有的强耦合的性质，我们发现，存在或不存在的pseudogap敏感地依赖于非相互作用的带参数，并确定系统的范霍夫奇点所发挥的关键作用。受赝能隙态的SU（2）规范理论的启发，我们提出并数值验证了一个简单的方程，该方程控制了电子散射率特征的演化。
2019-12-31 cond-mat.str-el
Carrier localization and electronic phase separation in a doped spin-orbit driven Mott phase in Sr3(Ir1-xRux)2O7
对许多强自旋轨道耦合的5d过渡金属氧化物绝缘体的兴趣源于将它们的电子结构映射到J=1/2 Mott相。希望之一是建立它们的Mott母态，并探索这些系统在载流子掺杂后实现新电子态的潜力。然而，一旦掺杂，很少有人了解他们的库仑相互作用U相对于他们的强相关的3d电子表兄弟的作用。在这里，我们表明，在空穴掺杂的候选人J=1/2莫特绝缘体，载流子保持本地化的纳米级相分离的基态。局部区域和巡回区域之间的相互作用发生了一个双金属-绝缘体转变，稳定了临界区域以外的反铁磁金属相。我们的研究结果表明，掺杂的5d-和3d-电子莫特系统之间的一个令人惊讶的平行，并建议通过附近的电子相或直接的载流子本地化，U是必不可少的，这个掺杂的自旋轨道莫特绝缘体的载流子响应。
2014-03-14 cond-mat.str-el
The Electronic States of Two Oppositely doped Mott Insulators Bilayers
我们研究了两个相反掺杂的低维tJ模型系统之间的库仑相互作用效应。我们精确地证明了，在一维情况下，任意的弱相互作用导致电荷中性的电子-空穴对的形成。然后，我们使用两种不同的平均场论来解决二维的情况下，层间激子也形成和凝聚。我们建议，这将导致新的功能，没有类似的单层，如绝缘自旋液相的出现。我们简单的双层模型可能与掺杂的莫特绝缘体界面和新的四层Ba 2CaCu 4 O 8化合物的物理学有关。
2006-12-09 cond-mat.str-el
Concealed Mott Criticality: Unifying the Kondo Breakdown and Doped Charge-Transfer Insulators
本研究提出隐藏的莫特临界性框架，统一解释重费米子近藤击穿与掺杂铜氧化物的量子临界点，通过玩具模型验证了费米面跳变与两侧质量增强的结论，符合实验观测。
2024-12-27 cond-mat.str-el
Optical conductivity of one-dimensional doped Hubbard-Mott insulator
利用sine-Gordon模型研究了强关联电子系统在金属-绝缘体相变附近的光学响应。在半经典量子化的情况下，光谱权重分布在Drude峰和呼吸子引起的吸收线之间。我们计算了Drude重量，光学间隙，和呼吸吸收的线形。
2002-08-16 cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Doped Mott insulator as the origin of heavy Fermion behavior in LiV2O4
采用局域密度近似和动力学平均场论相结合的方法，研究了在各种实验中观察到重费米子行为的LiV_2O_4的电子结构.为了在零温度下获得结果，我们采用投影量子蒙特卡罗方法作为杂质求解器。我们的研究结果表明，强相关的a1 g带是一个轻掺杂的莫特绝缘体，在低温下，它在费米能级上方显示出一个尖锐的（重）准粒子峰，这与Shimoyamada等人最近的光电发射实验一致。96 026403（2006）]。
2007-01-22 cond-mat.str-el
Evolution of spectral function in a doped Mott insulator : surface vs. bulk contributions
我们研究了在莫特绝缘体，$x$ = 0.0 - 0.5的$La_{1-x}Ca_xVO_3$中的光谱函数的演变。光谱特征表明，在该系统中的体到表面的金属-绝缘体转变。掺杂相关的变化，在体电子结构被证明是不符合现有的理论预测。基于单参数，$U/W$的经验描述，示出一致的光谱演化描述。
1998-03-11 cond-mat.str-el
Localized in-gap state in a single electron doped Mott insulator
基于最近在原子尺度扫描隧道显微镜（STM）上对电子掺杂莫特绝缘体中的隙内局域态的观察，我们利用团簇微扰理论计算了正方晶格上哈伯德模型的局域电子态.发现在掺杂剂晶格位置周围的上Hubbard带下方存在带隙态，这与STM测量结果一致。这种局部能隙态的出现伴随着电子双占有率的迅速减少。三角晶格上也存在类似的带隙态。这些结果表明，间隙状态是独立于晶格结构的莫特绝缘体的固有特征。
2014-02-24 cond-mat.str-el
Mott and Wigner-Mott transitions in doped correlated electron systems: effects of superlattice potential and inter-site correlation
我们引入超结构Mottness的概念来描述掺杂强关联电子系统中的Mott和Wigner-Mott跃迁。我们表明，超结构Mottness出现在一个非均匀的电子系统时，超结构包含一个奇数的电子每个超细胞。我们认为，即使在没有平移对称性破缺的超晶格的超结构Mottness存在，只要扩展或intersite库仑相互作用是强的。在后一种情况下，超结构Mottness为Mott和Wigner物理学提供了一个统一的框架，并对Wigner-Mott跃迁提供了一个非微扰的强耦合描述。我们通过研究一个最小的单带离子Hubbard $t$-$U$-$V$ - $Δ$模型来支持我们的建议，该模型具有最近邻库仑排斥$V$和两个亚晶格离子势$Δ$。该模型被映射到一个哈伯德模型与两个有效的“轨道”代表的两个网站内的超晶胞，轨道内和轨道间的库仑排斥$U$和$U^\prime \sim V$，和一个晶体场分裂$Δ$。原始晶格上的电荷序对应于轨道序。在Gutzwiller近似下，我们研究了四分之一填充时$V$和$Δ$对Mott和Wigner-Mott跃迁的影响及其相互作用.给出了超晶格势增强关联效应的机制和局域矩形成的趋势，在超结构Mottness的统一框架下构造并阐明了相图。
2009-10-01 cond-mat.str-el
Ultrafast separation of photo-doped carriers in Mott antiferromagnets
利用非均匀非平衡动力学平均场论研究了强内场作用下Mott绝缘异质结构中光激发载流子的传播。反铁磁相关性被发现以一种至关重要的方式影响载流子动力学：反铁磁自旋背景可以在超快时间尺度上从光激发载流子中吸收能量，从而实现不同层之间的快速传输以及电子和空穴类载流子的分离，而在顺磁状态下，载流子在强场中变得局部化。电荷自由度和自旋自由度之间的这种相互作用可以用来控制基于具有极性层的Mott绝缘异质结构的器件的功能，例如，用于光伏应用。
2014-03-06 cond-mat.str-el
Percolative Mott insulator-metal transition in doped Sr$_2$IrO$_4$
尽管许多人努力使掺杂莫特绝缘体中的强关联电子基态合理化，但掺杂诱导的绝缘体到金属转变的性质仍然是一个正在深入研究的主题。在这里，我们探测的莫特绝缘体锶$_2$ IrO $_{4-δ}$与低温扫描隧道显微镜的纳米级电子结构，并发现增强的局域态密度（LDOS）内的莫特间隙在个别顶端氧位点缺陷的位置。我们可视化的路径所产生的缺陷态的重叠，诱导有限的LDOS在费米能级的增强电导。结合这些发现和典型的约2~nm的孤立缺陷的空间扩展，我们表明$_2$ IrO $_{4-δ}$中的绝缘体到金属的转变具有双折射性质。
2019-09-23 cond-mat.str-el
Critical behaviour near the metal-insulator transition of a doped Mott insulator
本文用线性化形式的动力学平均场论研究了无限维哈伯德模型中掺杂莫特绝缘体在金属-绝缘体相变附近的临界行为。对于大于临界值$U_c$的$U$，从空穴掺杂到电子掺杂的化学势的不连续性已被解析计算，并发现与数值方法的结果吻合良好。我们还推导出的压缩性，准粒子的重量，双占有率和局部自旋磁化率近半填充作为现场库仑相互作用和掺杂的函数的解析表达式。
2001-03-19 cond-mat.str-el
Nonadiabatic Atomic-like State Stabilizing Antiferromagnetism and Mott Insulation in MnO
在本文中，我报告的证据表明，反铁磁性和绝缘的基态的MnO是由一个非绝热的原子状运动，因为它显然是在NiO的情况下。此外，我表明，古德温等人的实验结果。（2006），96，~047209]证实了我的建议，即反铁磁MnO以及反铁磁NiO中的菱形畸变是反铁磁相的单斜基底中心布拉维晶格的内部畸变。
2020-10-14 cond-mat.str-el
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of the Lightly Doped Mott Insulator
本文提出了适用于大U/t、远离半填充的小掺杂和短程反铁磁自旋关联的哈伯德模型的理论。尽管没有任何对称性破缺，费米面还是以（π/2，π/2）为中心的椭圆形空穴袋的形式，其体积与空穴浓度成比例。短程反铁磁关联使得最近邻跳跃几乎无效，因此只有第二或第三最近邻跳跃对色散关系有明显的贡献。
2010-05-22 cond-mat.str-el
Doped Mott insulators are insulators: hole localization in the cuprates
我们证明了轻掺杂空穴的莫特绝缘体即使没有无序，在低温下仍然是绝缘体。空穴局域化是因为化学势位于一个赝能隙中，该赝能隙在零温度下的态密度为零。赝能隙的能量尺度由最近邻的单重态-三重态分裂决定。由于这种能量尺度消失，如果过渡，虚拟的或以其他方式，到上哈伯德带是不允许的，在赝能隙制度的基本长度尺度是双占用网站之间的平均距离。因此，赝能隙与两个极限$U\to\infty$（$U$是原位库仑排斥）和$L\to\infty$（系统尺寸）的非交换性有关。
2005-06-29 cond-mat.str-el
A slave-fermion gauge-theory approach of the t-J model: Doping-induced complex magnetic structure and Z$_{2}$ spin-gapped anomalous metal in an antiferromagnetic doped Mott insulator
基于t-J模型的从费米子方法，我们重新研究了掺杂反铁磁莫特绝缘体，其中反铁磁自旋涨落和掺杂空穴分别用玻色子和费米子子描述.早期的研究已经表明，掺杂反铁磁莫特绝缘体的有效场论由电荷动力学的非相对论费米子（holon）U（1）规范理论和自旋动力学的相对论玻色子（自旋子）U（1）规范理论给出，因此允许玻色子自旋子从反铁磁状态间隙的异常金属相，类似于t-J模型的从玻色子方法中的U（1）自旋液相。我们认为，在这种方法中涌现的U（1）规范结构是基于一个简化的图片反铁磁关联。考虑到掺杂空穴的动力学行为会破坏共线反铁磁自旋组态，我们证明了掺杂空穴增强了铁磁自旋关联，并导致了复杂的磁结构。这种复杂自旋织构的存在将U（1）规范结构降低到Z $_{2}$，因此对于低温下的自旋能隙非费米液态金属，由于不存在无能隙U（1）规范涨落，因此有效场论结果不同。
2008-11-17 cond-mat.str-el
Collapse of the Mott gap and emergence of a nodal liquid in lightly doped Sr$_2$IrO$_4$
欠掺杂铜氧化物的超导电性出现在一个不寻常的电子状态，其特征在于节点准粒子和一个波腹赝能隙。这种状态和超导性之间的关系被深入研究，但仍然存在争议。由于缺乏相关掺杂莫特绝缘体的电子结构数据，阻碍了相互竞争的理论模型之间的区别。在这里，我们报告的海森堡反铁磁体Sr $_2$ IrO $_4$，一个密切的类似物欠掺杂的铜酸盐的掺杂演变。我们表明，金属性出现从莫特间隙掺杂的快速崩溃，导致透镜状费米轮廓，而不是断开的费米弧观察到的铜酸盐。有趣的是，新兴的电子液体显示出具有波腹赝能隙的波节准粒子，因此与低掺杂的铜酸盐有很强的相似性。我们的结论是，各向异性的赝隙是一个通用的二维掺杂莫特绝缘体的属性，而不是一个独特的标志铜氧化物高温超导。
2015-06-01 cond-mat.str-el
Valence-Bond Dynamical Mean-Field Theory of Doped Mott Insulators with Nodal/Antinodal Differentiation
介绍了掺杂莫特绝缘体的价键动力学平均场论。它基于两个轨道的最小簇，每个轨道与动量空间的不同区域相关联，并与自洽浴杂交。低掺杂制度的特点是单重态的形成和抑制准粒子的波腹区域，导致费米弧的形成。这是描述在倒易空间中的轨道选择性过渡。计算的隧道和光电子能谱与铜酸盐正常态的唯象相一致。我们得到一个低能量的描述，这些影响使用的奴隶玻色子方法的推广。
2008-06-26 cond-mat.str-el
Evolution of the electronic structure from electron-doped to hole-doped states in the two-dimensional Mott-Hubbard system La1.17-xPbxVS3.17
本文用光电子能谱研究了二维Mott-Hubbard系统La_（1.17-x）Pb_xVS_（3.17）中填充控制的金属-绝缘体转变（MIT）。随着Pb取代x，化学势μ在x=0.15和0.17之间突然跳跃约0.07 eV，表明电荷间隙在x ~= 0.16处打开，与d2构型的Mott绝缘态一致。当空穴或电子被掺杂到x ~= 0.16的莫特绝缘体中时，间隙被填充，并且在μ处的光发射光谱权重ρ（μ）以与电子比热系数类似的方式逐渐增加，尽管与正常金属的预期相比，光谱权重在μ附近保持降低，显示金属样品中的伪间隙行为。观察到的varrho（mu）->0 x->0.16的行为进行了对比，通常的图片，费米液体系统的电子有效质量是朝着金属-绝缘体边界增强。随着温度的升高，能隙或赝能隙迅速被填满，在T=300 K时的光谱几乎与正常金属的光谱相同。在金属-绝缘体边界附近，μ周围的光谱与库仑能隙的形成一致，表明该系统固有的结构无序下的长程库仑相互作用的影响。
2004-05-07 cond-mat.str-el
Electronic state of a doped Mott-Hubbard insulator at finite temperatures studied using the dynamical mean-field theory
利用动态平均场论研究了掺杂Mott-Hubbard绝缘体的电子态。作为掺杂的函数的有限温度谱函数的演变显示在反铁磁和顺磁相的光谱权重的大的重新分布。特别是，金属反铁磁态的低频Slater分裂准粒子峰与Hubbard带共存。在高温顺磁金属相中，在减少掺杂时，系统具有通过"坏金属“状态的交叉，其特征在于准粒子峰远离费米能的异常位移。我们发现，{ \it电荷}的反铁磁金属的压缩性显着增强后，接近二阶Néel线。
2006-04-06 cond-mat.str-el
Parent Phases of Doped Mott Insulators: A Cluster DMFT Study
研究了半填充时强耦合区中受抑哈伯德模型的绝缘相。我们特别注意所有的对称性破缺不稳定性，可以描述的动力学平均场论（DMFT）在一个正方形plaquette。我们确定了几个平均场解，两个破坏SU（2）对称性的Neel态，一个二聚体相和一个不破坏任何对称性的莫特绝缘体。在后一阶段，单重态到单重态的波动急剧软化，从而引起二聚化波动和手性波动，两者都是低的。我们提出了一个简单的图片不同的DMFT状态和它们的演变与挫折。
2008-08-18 cond-mat.str-el
Unveiling Stripe-shaped Charge Density Modulations in Doped Mott Insulators
本研究通过掺杂哈伯德模型模拟，重现了铜氧化物中条带和梯状电荷密度调制，连接了理论数值与实验观察，为莫特绝缘体到超导转变提供了微观机制新见解。
2025-08-28 cond-mat.str-el
Doped Mott Insulators in (111) Bilayers of Perovskite Transition-Metal Oxides with a Strong Spin-Orbit Coupling
研究了在钙钛矿过渡金属氧化物（111）双层膜中实现的莫特绝缘体的电子性质。在强自旋-轨道耦合的情况下，导出了这种莫特绝缘体的低能有效哈密顿量。这些模型的特点是反铁磁海森堡相互作用和各向异性相互作用，其形式取决于$d$轨道占有率。通过对有限团簇的精确对角化分析，导出了$t_{2g}$体系的基态相图，其中包括窄参数区的Kitaev自旋液相。从玻色子平均场分析表明，新的超导状态诱导的载流子掺杂到莫特绝缘的父系统的可能性，这表明本模型系统作为独特的游乐场研究相关引起的新现象。可能的实验实现进行了讨论。
2013-02-06 cond-mat.str-el
Defect states and excitations in a Mott insulator with orbital degrees of freedom: Mott-Hubbard gap versus optical and transport gaps in doped systems
我们解决的作用所发挥的作用，掺杂莫特绝缘体的活性轨道自由度的带电缺陷。据观察，缺陷具有相当复杂和丰富的物理，这是很好地捕获的退化哈伯德模型扩展的条款，描述晶体场分裂和轨道晶格耦合，以及由缺陷产生的条款，如库仑势项，作用于掺杂的空穴和未掺杂的网站内的占据轨道的电子。我们表明，在这样的系统中产生的强电子相互作用的激发态的多重态结构是很好地描述内的非限制性Hartree-Fock近似，一旦考虑到的发病的磁性和轨道秩序引起的对称性破缺。此外，我们发现了新的光谱特征，出现在莫特-哈伯德间隙内，并在高能量的多重态光谱由于存在的缺陷态和强相关性。这些特征反映了广义缺陷势对电子/空穴的作用，该作用影响电荷和轨道自由度，并间接影响自旋自由度。本研究阐明了缺陷态能带中出现库仑能隙的机制，并研究了电子-电子相互作用和轨道极化场屏蔽对库仑能隙的影响。作为我们一般方法的一个说明性例子，我们给出了描述钙钛矿钒酸盐中三种t_2g轨道味的模型的显式计算，如La_（1-x）Sr_xVO_3和Y_（1-x）Ca_xVO_3系统。我们分析了钒离子在缺陷附近的轨道密度，以及确定掺杂系统中的光学和输运带隙的激发缺陷态。
2013-07-24 cond-mat.str-el
Optical and Magneto-optical Response of a Doped Mott Insulator
在强关联电子系统的动态平均场论（$d=\infty$）下，研究了掺杂莫特绝缘体的光学、拉曼和交流霍尔响应.的{ \it isosbectic}点的光学电导率的发生被证明是与广义电荷磁化率的频率依赖性。我们计算的拉曼响应，探测的波动的“应力张量”，并表明，散射的特点是可观的非相干贡献。计算出的交流霍尔常数和霍尔角也显示出等色点。这些结果也与$d=\infty$中的{ \it非FL}金属所获得的结果进行了比较。详细讨论了低能相干（FL）或非相干（non-FL）在确定$d=\infty$中强关联金属有限频率响应中的作用。
1999-07-21 cond-mat.str-el
The analytical description of a doped Mott insulator
采用分级格林函数方法，通过解析求解单粒子格林函数和相关的多点关联函数的运动方程，研究了哈伯德模型描述的掺杂莫特绝缘体，发现电子自旋和电荷自由度的分离是掺杂莫特绝缘体的一个内在特征.对于足够大的在位排斥库仑相互作用，我们证明了单粒子格林函数的谱权与空穴掺杂浓度成正比，而空穴掺杂浓度主要由电子的电荷涨落产生，而电子的激发谱由两部分组成：一个是由与空穴掺杂浓度成比例的电子的自旋波动贡献的，另一个是来自电子的电荷和自旋涨落之间的耦合，在未掺杂时达到最大值。所有这些低能量/温度的物理性质起源于强烈的现场库仑相互作用。所得结果与铜氧化物超导体的光谱观测和赝能隙以上正常态的数值计算结果一致。
2019-08-13 cond-mat.str-el
Poor electronic screening in lightly doped Mott insulators observed with scanning tunneling microscopy
扫描隧道显微镜（STM）测量的轻掺杂莫特绝缘体$(\rm{Sr}_{1 -x}\rm{La}_x)_2\rm{IrO}_4$的有效Mott带隙与光电子能谱和光学实验报道的值相差很大。在这里，我们表明，这是在这种材料中的尖端诱导电场的不良电子屏蔽的后果。这种效应在半导体的STM实验中是众所周知的，并被称为尖端诱导能带弯曲（TIBB）。我们发现，这种现象也存在于轻掺杂的莫特绝缘体$(\rm{Sr}_{1 -x}\rm{La}_x)_2\rm{IrO}_4$，并在$x\leq 4 \%$的掺杂浓度，它导致测量的能隙在样品的态密度大于一个用其他技术测量。我们开发了一个模型，能够检索的内在能隙导致的值，这是在粗略的协议与其他实验，弥合明显的矛盾。在掺杂$x \approx 5 \%$时，我们进一步观察到电导层中的圆形特征，其指向在该掺杂范围内出现显著密度的自由载流子，以及存在小浓度的施主原子。我们说明的重要性，考虑TIBB的存在时，做相关电子系统的STM实验，并讨论STM测量半导体和轻掺杂莫特绝缘体之间的异同。
2017-06-27 cond-mat.str-el
Appearance of Universal Metallic Dispersion in a Doped Mott Insulator
我们研究了在$x=0.03-0.30$的宽掺杂范围内$_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（LSCO）中的色散重整化$Z_{disp}$，结合能可达几百meV。强相关效应以这样一种方式共同作用，即系统呈现出LDA样色散，当接近莫特绝缘体时，这种色散基本上“解包”（$Z_{disp}\to 1$）。我们的发现，莫特绝缘体包含“新生”或“预制”的金属态与消失的光谱重量提供了一个挑战，现有的理论方案的铜酸盐。
2008-09-13 cond-mat.str-el
Mott insulator-to-metal transition in yttrium-doped CaIrO3
我们报告后钙钛矿化合物CaIrO 3的绝缘体到金属的转变的研究。据发现，一个逐渐的化学取代的钙钇导致强金属行为在这种化合物的开始。这一观察结果与BaIrO 3形成鲜明对比，BaIrO 3尽管由于钇掺杂而产生过量的载流子，但仍保持其莫特绝缘行为。磁性测量表明，这两种化合物往往表现出磁性的字符，无论化学取代的Ca或Ba。我们分析了这些不寻常的观察，根据最近的研究表明，不像BaIrO 3，CaIrO 3不一定具有j = 1/2基态，由于结构扭曲。CaIrO 3中的绝缘体-金属转变将激发新的研究来探索后钙钛矿莫特绝缘体中更奇异的基态，包括超导性。
2014-09-25 cond-mat.str-el
Magnetotransport in the doped Mott insulator
利用动力学平均场论研究了强关联电子系统的霍尔效应和磁电阻效应。我们处理的低温和高温的限制分析和探讨中温制度的一些方面的数值。我们观察到，一个二分晶格条件是负责高温结果$σ_{xy}\sim 1/T^2$由不同的作者，而一般的行为是$σ_{xy}\sim 1/T$，作为纵向电导率。我们发现，科勒规则既不服从高温，也不服从中温。
1998-10-17 cond-mat.str-el
Coexisting pseudogap, charge transfer gap, and Mott gap energy scales in the resonant inelastic x-ray scattering spectra of electron-doped cuprates
本文计算了电子掺杂铜氧化物的K边共振非弹性X射线散射（RIXS）谱，其中包含了玻色子涨落的耦合.与实验在很宽的范围内的能量和动量转移的比较，使我们能够确定三个关键的正常状态的能量尺度的签名：pseudogap，电荷转移间隙，莫特间隙。计算涉及一个三带哈伯德哈伯德哈密顿量的基础上的Cu $d_{x^2-y^2}$和O $p_x$，$p_y$轨道，与自能校正，这是由于自旋和电荷的波动。我们的理论再现了特征，例如，如实验中所见，作为掺杂的函数的能隙塌陷、大的光谱权重加宽和光谱权重转移。
2012-02-08 cond-mat.str-el
A heterojunction modulation-doped Mott transistor
提出了一种异质结莫特场效应晶体管（FET），其由表现出电子相关诱导的莫特金属到绝缘体转变的外延沟道材料组成。莫特材料是远程（调制）掺杂的简并掺杂的常规带绝缘体。外加电压调制从掺杂带绝缘体到莫特材料的电子转移，并通过诱导绝缘体到金属的转变来产生晶体管动作。稀土镍酸盐和SrTiO 3的材料参数用于评估“调制掺杂Mott FET”（ModMottFET或MMFET）作为下一代开关的潜力。它表明，MMFET的特点是独特的“电荷增益”的特性，以及竞争性的双稳态，小信号增益和电流驱动。
2011-09-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin and charge dynamics of stripes in doped Mott insulators
采用二维N费米子味哈伯德模型研究了掺杂莫特绝缘体中条纹的自旋和电荷动力学。当N =2时，我们得到了正常的单带模型，而当N> infty时，我们得到了自旋密度波平均场解。对于所有的带填充、格点拓扑和N= 4 n的模型，可以用Monte Carlo方法求解，而不会遇到符号问题。当N=4时，在莫特绝缘体附近，单粒子态密度出现能隙。在这个能隙内以及在尺寸高达30 X 12的矩形拓扑上，我们发现以q = 1为中心的无能隙自旋集体模。（π \pm ε_x，π \pm ε_y）以及以q =（\pm 2 ε_x，\pm 2 ε_y），q =（\pm ε_x，\pm ε_y）和q =（0，0）。ε_{x，y}与晶格拓扑和掺杂有关。
2002-09-16 cond-mat.str-el
Nonequilibrium quantum dynamics of a charge carrier doped into a Mott insulator
本文研究了引入到非掺杂莫特绝缘体中的载流子在恒定电场F作用下在t-J梯形和正方形晶格上的实时动力学行为。我们计算准稳态电流。在这两个系统中，观察到绝热制度，其次是正微分电阻率（PDR）在中等领域的载流子迁移率确定。当在大磁场下两个系统都进入负微分电阻率（NDR）区域时，梯形和二维（2D）系统之间出现定量差异。在梯形系统中，布洛赫振荡占主导地位，而在2D中，电流保持有限，与1/F成比例。在2D中PDR和NDR区域之间的交叉伴随着传播自旋极化子的空间结构的变化。
2011-05-09 cond-mat.str-el
Critical role of the sign structure in the doped Mott insulator: Superconductivity vs. Fermi liquid
纯相互作用电子系统的超导机制一直是凝聚态物理中最具挑战性的问题之一。在BCS理论中，朗道费米液体是正常状态，一旦加入\emph{additional}对力，就会发生SC不稳定性。我们表明，在掺杂的莫特绝缘体的\emph{intrinsic} SC基态（特别是路德-金刚砂状态在有限掺杂的两个腿$t$ - $J$阶梯）可以直接变成费米气体的状态，通过两个方案，只需关闭隐藏的统计符号结构。它指出了一个新的配对范例，%超越了共振价键方案，这是一个“安培样配对”与“弦”的配对力所示的绝热连续性强各向异性的限制模型。
2019-09-03 cond-mat.str-el
d-wave pairing in lightly doped Mott insulators
我们定义了一个合适的量$Z_c$，它通过单粒子格林函数的反常部分来测量加到基态波函数上的两个电子的配对强度。$Z_c$区分由单电子状态描述的系统，如普通金属和带绝缘体，$Z_c=0$，以及单粒子图像不成立的系统，如超导体和共振价键绝缘体，$Z_c \ne 0$。通过对哈伯德模型在$U/t=4$上的数值精确投影，在半填充和轻掺杂区发现了具有d波散射的$Z_c$的有限值，从而强调了电子关联的一个新的定性特征。
2004-04-08 cond-mat.str-el
Field Induced Orbital Antiferromagnetism in Mott Insulators
我们报道了莫特绝缘体中出现的一种新的电磁现象，即，由于强烈的电子库仑排斥而不导电的材料。这种现象表现为反铁磁有序化，这是由于自旋电流和外部均匀磁场之间的耦合自发产生的轨道电流。这种新颖的自旋电荷电流效应提供了通过非极化中子散射、核磁共振或μ子光谱来检测迄今为止难以捉摸的自旋电流的机制。我们通过求解一个半满的哈伯德模型来说明这种机制，这个模型是一个简单但非平凡的强相互作用电子的例子。
2009-05-29 cond-mat.str-el
Doublon-holon binding, Mott transition, and fractionalized antiferromagnet in the Hubbard model
我们认为，双占用（doublon）和空（holon）网站之间的绑定管理的非相干激发，并在Mott过渡中起着关键作用，在强关联的Mott-Hubbard系统。在哈伯德模型的Kotliar-Ruckenstein从玻色子泛函积分公式中，构造了一个新的具有doublon-holon束缚的鞍点解.在半填充蜂窝晶格和正方晶格上，发现基态在$U_{c1}$处表现出从顺磁半金属/金属到具有相干准粒子的反铁磁有序Slater绝缘体的连续跃迁，然后在$U_{c2}$处发生Mott跃迁，进入电子分馏的AF $^*$相，没有相干激发。这样的相结构似乎是一般的二分格没有挫折。我们发现，doublon-holon绑定统一的三个重要的想法强关联：相干准粒子，非相干哈伯德带，和deconfined莫特绝缘体。
2014-05-21 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic State in $κ$-type Molecular Conductors: Spin Splitting and Mott Gap
我们数值研究了反铁磁Mott绝缘态下$κ$型分子导体的动力学性质。通过Lanzcos精确对角化方法处理二维$κ$型晶格上的扩展哈伯德模型，计算了单粒子谱函数$A(\boldsymbol{k}, ω)$和利用扭曲边界条件的光吸收谱。我们发现$A(\boldsymbol{k}, ω)$中存在自旋劈裂，这是Hartree-Fock研究[M. Naka等人，国家通信10，4305（2019）];即，即使没有自旋-轨道耦合，它们的上自旋和下自旋分量在布里渊区的一般$\boldsymbol{k}$点中也变得不同。此外，我们证明了在莫特间隙附近的反铁磁顺序的存在或不存在的光学性质的变化，由一个小的交错磁场调谐。
2021-06-19 cond-mat.str-el
Pseudogap, van Hove Singularity, Maximum in Entropy and Specific Heat for Hole-Doped Mott Insulators
第一个迹象的赝隙的铜酸盐来自突然减少的NMR奈特位移在掺杂依赖的温度$T^*(δ)$。从那时起，实验发现相变在较低的$T^*_\text{phase}(δ)$。在高温下对正方格点哈伯德模型采用元胞动力学平均场方法，得到了可靠的结果，证明了$T^*(δ)$具有$T^*_\text{phase}(δ)$的许多特征.与几个实验，包括量子临界行为的电子比热显着的协议，支持的观点，即赝能隙是由有限的掺杂扩展的莫特过渡控制。我们提出了进一步的实验测试。
2019-09-21 cond-mat.str-el
