Finite-frequency optical absorption in 1D conductors and Mott-Hubbard insulators
利用选择规则、Bethe变换和守恒律的对称性，研究了一维哈伯德模型的电导率随频率的变化。对于密度的系统是金属的吸收光谱有两个贡献，德鲁德峰在$ω= 0$分开的赝隙从一个广泛的吸收带，其下边缘的特点是由一个非经典的临界指数。我们的发现为金属有机链状化合物的“远红外之谜”和其他光学性质提供了新的线索。
2000-05-05 cond-mat.str-el
Anomalous Lattice Response at the Mott Transition in a Quasi-2D Organic Conductor
用高分辨衍射法研究了层状有机导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Br的氘代晶体在Mott金属-绝缘体转变时的晶格参数的不连续变化。单轴膨胀率揭示了惊人的和意想不到的各向异性，特别是沿面内c轴的电子相互作用相对较强的零效应。一个巨大的热膨胀异常的端点附近的一级转变线，使探索具有非常高的灵敏度的临界行为。分析产生了临界波动，指数为$\tildeα \simeq$ 0.8 $\pm$ 0.15，与最近提出的这些材料的新临界性不一致[Kagawa \textit{et al.}，Nature \textbf{436}，534（2005）]。我们的数据表明，本材料的莫特转变中的晶格自由度的复杂作用。
2007-12-11 cond-mat.str-el
Electric excitation of spin resonance in antiferromagnetic conductors
反铁磁性将电子自旋与其轨道运动耦合，从而允许通过交流电场而不是磁场激发电子自旋跃迁-吸收，超过普通电子自旋共振至少四个数量级。除了在自旋电子学中的潜在应用外，这种现象还可以用作光谱学来研究感兴趣的反铁磁材料-从铬到硼碳化物，铜酸盐，铁磷属元素化物，以及有机和重费米子导体。
2009-08-08 cond-mat.str-el
Ferroelectric Mott-Hubbard phase in organic conductors
本文介绍了有机金属铁电性和电荷歧化的相关现象的关键问题。在（TMTTF_2X）中，介电常数表明了铁电和反铁电相变的明显情况.磁化率和电导率证明了“无结构”铁电跃迁和通常的“阴离子”铁电跃迁的独立性和偶尔共存。他们的序列提供了通过几个对称性破缺步骤冷却时出现的三种类型的孤子的物理学。该理论引用了组合Mott-Hubbard态的概念，其重点是来自键的内置不等价性和站点的自发不等价性的电子Umklapp散射的弱过程。我们认为，Se亚族（TMTSF）_2X中也隐藏着铁电性形式的电荷有序，导致了未解释的低频光峰和增强的赝能隙。
2003-04-23 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic Phases of One-Dimensional Quarter-Filled Organic Conductors
基于平均场近似的四分之一填充带，在绝对零度条件下，研究了准一维有机导体反铁磁有序相的磁结构.（TMTTF）$_2$ X中的反铁磁相和（TMTSF）$_2$ X中的自旋密度波相之间的磁性差异被认为是由于原位库仑相互作用所起的不同程度的作用。最近邻库仑相互作用引入电荷极化，其具有与维格纳晶体相同的空间周期性，伴随着修改的反铁磁相。这与（TMTTF）$_2$ Br和（TMTTF）$_2$ SCN的实验结果一致。此外，预测（DI-DCNQI）$_2$ Ag的反铁磁相具有类似的反铁磁自旋结构。
1997-04-04 cond-mat.str-el
Unconventional critical behaviour in a quasi-two-dimensional organic conductor
改变系综中粒子之间的相互作用例如通过改变温度或压力可以导致相变，相变的临界行为取决于多体系统的集体性质。尽管成分的多样性，其中包括原子，分子，电子和它们的自旋，集体行为可以分为几个家庭（称为“普适类”）由典型的自旋模型表示。当电子之间的库仑排斥作用增加时，会发生一种转变，即莫特转变2，导致波动电子表现为粒子。在两个维度上，负责高转变温度的氧化铜3，4和organic 5 -7化合物的超导性的吸引行为出现在莫特转变附近，但二维排斥电子系统所属的普适性类仍然未知。在这里，我们提出了一个观察的临界现象，在压力引起的莫特转变在准二维有机导体使用电导测量作为探针。我们发现，莫特过渡在两个方面是不符合已知的普适性类，因为所观察到的集体行为以前没有看到。在二维空间中，任何接近莫特转变的涌现行为都必然包含这种特性。
2006-03-03 cond-mat.str-el
NMR Evidence for Antiferromagnetic Transition in the Single-Component Molecular Conductor, [Au(tmdt)_{2}] at 110 K
本文报道了单组分分子导体[Au（tmdt）_{2}]的~ 1H NMR研究结果。在110 K附近观察到NMR谱线宽度的急剧增加和核自旋-晶格弛豫速率1/ T_{1}的峰值形成。这种行为为有机导体在相当高的温度下发生磁相变提供了清晰的微观证据。观察到的1/ T_{1}随温度的变化表明金属相的高度相关性。
2008-04-11 cond-mat.str-el
Mott Transition from a Spin Liquid to a Fermi Liquid in the Spin-Frustrated Organic Conductor kappa-(ET)2Cu2(CN)3
用$^1$ H NMR和电阻率测量研究了三角晶格自旋液体模型体系$κ$ -（ET）$_2$ Cu $_2$（CN）$_3$的压温相图.在压力下，自旋液相在莫特转变为金属或超导相之前是持久的。在Mott转变时，自旋涨落被迅速抑制，自旋-晶格弛豫速率和电阻率随温度的变化具有费米液体特征。相图中Mott边界的特征曲率反映了自旋阻挫对Mott相变的重要影响。
2005-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Electric excitation of spin resonance in altermagnetic and antiferromagnetic conductors
Univ Toulouse, CNRS, LPT（图卢兹大学，法国国家科学研究中心，理论物理实验室）；Department of Physics & Astronomy, University of South Carolina（南卡罗来纳大学物理与天文学系）
该研究预测非铁磁导体存在电偶极自旋共振（EDSR），其峰可用于诊断非铁磁性并区分其与高对称反铁磁序。
2026-08-27 cond-mat.str-el
Magnetic Field-Induced Lattice Effects in a Quasi-2D Organic Conductor Close to the Mott Metal-Insulator Transition
本文采用超高分辨电子显微术研究了准二维有机导体$κ$ -（D8-BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Br的Mott金属-绝缘体（MI）相变.所获得的热膨胀系数$α(T)$揭示了两个显著特征：（i）Mott MI转变温度$T_{MI}$ =（13.6 $\pm$ 0.6）K对最高10 T的磁场不敏感;（ii）对于沿层间\emph{b}轴的场，在$T_{FI}$ =（9.5 $\pm$ 0.5）\，在阈值场$H_c \sim$ 1 T以上观察到K，表明具有强磁弹性耦合的自旋重取向。
2012-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Algebraic-Dynamical Perturbation Theory of Large-$U$ Hubbard Models. Single Particle Spectrum of Antiferromagnetic Mott Insulating States
Anhui University（安徽大学）；Renmin University of China（中国人民大学）
本文通过解析方法研究大U极限Hubbard模型中的反铁磁莫特绝缘态，推导单粒子格林函数并分析其能谱特性，揭示莫特间隙磁性蓝移及高温超导机制。
2026-02-26 cond-mat.str-el
Coherent heavy charge carriers in an organic conductor near the bandwidth-controlled Mott transition
在过去的几十年里，莫特金属-绝缘体转变（MIT）的物理学引起了人们的极大兴趣。然而，尽管做出了广泛的努力，一些关键的理论预测仍然缺乏实验证实。特别是，目前还不清楚是否大的相干费米面生存在紧邻带宽控制的一阶MIT。通过多体相互作用重整化的准粒子有效质量的预测行为的定量实验验证也不见了。在这里，我们通过采用有机$κ$型盐作为示例性准二维带宽控制的莫特绝缘体并通过磁量子振荡获得对其载流子性质的直接访问来解决这些问题。我们跟踪的有效回旋质量的演变，通过精确控制的外部压力的传导带宽调谐非常接近MIT。我们发现，质量重整化的带宽的微小变化的敏感性是显着强于理论预测，甚至进一步增强后进入过渡区的金属和绝缘相共存。另一方面，即使在其稳定性的边缘，金属基态也保持了大的相干费米表面，而没有显著的散射增强。
2023-03-02 cond-mat.str-el
Theory for Slightly Doped Antiferromagnetic Mott Insulators
从具有反铁磁序的二维Mott绝缘态出发，提出了一种描述轻微掺杂空穴或电子的莫特绝缘体低能态的试探波函数.随着状态的行为像带电准粒子与定义良好的动量，观察到一个刚性带。这些状态的配对相关性比以前研究的少得多。小费米补丁获得的高Tc铜氧化物掺杂轻空穴或电子与最近的实验是一致的。讨论了非相干态和自旋袋态。使用这些波函数，精确计算得到的一些结果被再现。
2002-10-03 cond-mat.str-el
Non magnetic molecular Jahn-Teller Mott insulators
窄带导体由于强的电子-电子关联而可能变成绝缘和磁性。在分子导体中，强Jahn-Teller耦合的伴随可能会产生非磁性绝缘体的替代可能性，有或没有静态合作Jahn-Teller失真。在后一种情况下，绝缘体具有类似莫特的性质，在电子-电子排斥和Jahn-Teller效应之间存在有趣的相互作用，这是动态的。我们在一个非常简单的$E\otimes e$ Jahn-Teller模型中研究了这种非磁性绝缘体，并在更一般的上下文中讨论了它的一般性质，还与K_{4} C_{60}和Rb_{4} C_{60}的绝缘态有关。
1997-02-10 cond-mat.str-el
Orbital-Selective Mott and Antiferromagnetic Phases in Diagonally Compressed Kagome Lattice
City University of Hong Kong（香港城市大学）；Harbin Institute of Technology, Shenzhen（哈尔滨工业大学（深圳））
通过对对角压缩Kagome晶格上的半填充Hubbard模型进行量子蒙特卡洛模拟，研究晶格角和相互作用对系统各子晶格性质的影响，发现几何压缩诱导子晶格分化，得到轨道选择性Mott相和丰富相图。
2026-07-07 cond-mat.str-el
Quantum oscillations in antiferromagnetic conductors with small carrier pockets
我研究磁量子振荡的反铁磁导体与小载体口袋，并表明，结合对称参数的振荡数据和知识的可能位置的频带极值可以让我们大大限制，甚至唯一确定的位置检测到的载体口袋中的布里渊区。
2010-11-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A slave-fermion gauge-theory approach of the t-J model: Doping-induced complex magnetic structure and Z$_{2}$ spin-gapped anomalous metal in an antiferromagnetic doped Mott insulator
基于t-J模型的从费米子方法，我们重新研究了掺杂反铁磁莫特绝缘体，其中反铁磁自旋涨落和掺杂空穴分别用玻色子和费米子子描述.早期的研究已经表明，掺杂反铁磁莫特绝缘体的有效场论由电荷动力学的非相对论费米子（holon）U（1）规范理论和自旋动力学的相对论玻色子（自旋子）U（1）规范理论给出，因此允许玻色子自旋子从反铁磁状态间隙的异常金属相，类似于t-J模型的从玻色子方法中的U（1）自旋液相。我们认为，在这种方法中涌现的U（1）规范结构是基于一个简化的图片反铁磁关联。考虑到掺杂空穴的动力学行为会破坏共线反铁磁自旋组态，我们证明了掺杂空穴增强了铁磁自旋关联，并导致了复杂的磁结构。这种复杂自旋织构的存在将U（1）规范结构降低到Z $_{2}$，因此对于低温下的自旋能隙非费米液态金属，由于不存在无能隙U（1）规范涨落，因此有效场论结果不同。
2008-11-17 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic ordering in organic conductor $λ$-(BEDT-TTF)$_2$GaCl$_4$ probed by $^{13}$C NMR
用磁化率和$^{13}$ C NMR研究了与有机超导体$λ$-（BETS）$_2$ GaCl $_4$具有相同结构的$λ$-（BEDT-TTF）$_2$ GaCl $_4$的基态.磁化率的温度依赖性揭示了反铁磁（AF）与$J/k_{\rm B} \simeq$ 98 K的相关性。NMR谱分裂和发散的$1/T_1$被观察到在约13 K，这是与AF转变。我们发现，AF结构是相称的根据离散NMR峰分裂，这表明$λ$ -（BEDT-TTF）$_2$ GaCl $_4$的基态是AF二聚体莫特绝缘状态。我们的结果表明，$λ$型盐的超导相将位于AF绝缘相附近。
2018-01-08 cond-mat.str-el
Nonadiabatic Atomic-like State Stabilizing Antiferromagnetism and Mott Insulation in MnO
在本文中，我报告的证据表明，反铁磁性和绝缘的基态的MnO是由一个非绝热的原子状运动，因为它显然是在NiO的情况下。此外，我表明，古德温等人的实验结果。（2006），96，~047209]证实了我的建议，即反铁磁MnO以及反铁磁NiO中的菱形畸变是反铁磁相的单斜基底中心布拉维晶格的内部畸变。
2020-10-14 cond-mat.str-el
Experimental evidence for Zeeman spin-orbit coupling in layered antiferromagnetic conductors
大多数由自旋轨道耦合产生的固态自旋物理，从基本现象到工业应用，都依赖于自旋保护简并。塞曼自旋轨道耦合也是如此，预计它将在广泛的反铁磁导体中表现出来。然而，这种现象的实验证据一直缺乏。在这里，我们证明了层状有机超导体$κ$ -（BETS）$_2$ FeBr $_4$的Néel态没有显示出自旋调制的Shubnikov-de Haas振荡，相反，它的顺磁状态。这是朗道能级自旋简并的明确证据，是塞曼自旋轨道耦合的直接表现。同样地，我们发现电子掺杂的Nd $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_4$中不存在自旋调制，这证明了即使在最佳掺杂下，这种铜氧化物超导体中也存在Néel有序。在两种非常不同的材料上获得，我们的结果表明了塞曼自旋轨道耦合的一般特征。
2020-12-21 cond-mat.str-el
Producing Coherent Excitations in Pumped Mott Antiferromagnetic Insulators
相关材料中的非平衡动力学由于其表征、调节和创造复杂有序态的可能性而引起人们的关注。为了理解光致微观动力学，特别是在现实的泵浦条件下的瞬态和剩余的基本激发之间的联系，我们进行了各种时间分辨光谱的非微扰模拟。我们使用莫特反铁磁绝缘体作为模型平台。多粒子激发的瞬态动力学可以归因于Floquet虚态之间的相互作用和状态密度的修改，其中相互作用引起光谱重量转移。使用的时间依赖的光谱函数的自相关性，我们表明，共振的虚态与上哈伯德带的莫特绝缘体提供了操纵的电子分布和修改的电荷和自旋激发的路线。我们的研究结果将瞬态动力学与多体激发的性质联系起来，并提供了一个通过调谐激光脉冲设计物质非平衡态的机会。
2017-12-26 cond-mat.str-el
Comprehensive Control of Metamagnetic Transition of Antiferromagnetic Mott Insulator Sr2IrO4 by in-situ Anisotropic Strain
反铁磁体中的变磁性在引起自旋反转和旋转时表现出独特的临界行为和动力学。在这里，我们显示了0.05%的各向异性应变足以在原位调制的变磁临界场的莫特绝缘体Sr 2 IrO 4超过50%，使电气开关的过渡。共振X射线散射和模型模拟表明，过渡是完全调谐的自旋翻转到自旋翻转类型的应变引入C4-破缺磁各向异性。同时输运研究表明，变磁响应反映在大的弹性和磁导，突出了自旋轨道耦合莫特态的活性电荷自由度和自旋电子学的潜力。
2020-07-22 cond-mat.str-el
Mott metal-insulator transition induced by utilizing a glass-like structural ordering in low-dimensional molecular conductors
我们利用类玻璃结构转变在准二维有机电荷转移盐$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Cu[N（CN）$_2$ ]Br中诱导Mott金属-绝缘体转变。在这种材料中，BEDT-TTF分子的末端乙烯基在晶体结构内可以采用两种不同的结构取向，即重叠（E）和交错（S），外部C $-$ C键的相对取向分别是平行和倾斜的。这两种构象在室温下是热无序的，并在$T_g \sim 75\,$ K下经历玻璃样有序转变。当通过$T_g$冷却时，取决于冷却速率的一小部分保持冻结在S构型中，S构型具有略高的能量，对应于可控程度的结构无序。我们证明，当热耦合到一个低温热浴，通过样品的脉冲加热电流导致一个非常快的弛豫与冷却速率在$T_g$的数量级为几个1000 $\,$ K/min。冻结的结构自由度导致电子带宽$W$随着冷却速率的增加，并且因此当系统越过带宽与原位库仑排斥$U$的临界比$(W/U)_{c}$时发生Mott金属-绝缘体转变。由于转变的玻璃态特征，该效应在低于$T_g$时是持久的，并且可以通过在高于$T_g$时加热融化冻结构型而可逆地重复。通过利用接近该温度的缓慢变化的弛豫时间的特性以及通过控制加热功率，可以在Mott转变期间对材料进行微调。一个简单的模型允许估计的E和S状态之间的能量差，以及伴随的程度冻结的两个方向的人口的混乱。
2014-11-14 cond-mat.str-el
Wannier states of fcc symmetry qualifying paramagnetic NiO to be a Mott insulator
这封信扩展了我最近关于反铁磁NiO的论文[Structural Distortion Stabilizing the Anti-ferromagnetic and Insulating基态of NiO，Symmetry 2020，12（1），56]，其中还包括该化合物的顺磁相。我报告的证据表明，顺磁性NiO具有一个狭窄的，大致半满的能带，产生非绝热的原子状运动提供的基础上，在顺磁性相的莫特绝缘体。虽然在反铁磁相的原子状运动操作是适应的反铁磁状态的对称性，在顺磁相的相关本地化的状态表示的最佳本地化的Wannier函数拥有全fcc对称性的顺磁NiO。非绝热Wannier态是双重简并的，具有类d对称性，并且位于Ni原子上。
2020-04-13 cond-mat.str-el
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
Atomic-scale fragmentation and collapse of antiferromagnetic order in a doped Mott insulator
由于Mott态被扰动时固有的相分离，解开具有电荷间隙的绝缘态与反铁磁（AF）莫特绝缘体中的磁序之间的关系仍然是困难的。在原子长度尺度上测量磁性和电子特性将提供至关重要的见解，但这尚未在实验上实现。在这里，我们使用光谱成像自旋极化扫描隧道显微镜（SP-STM）可视化周期性的自旋分辨调制起源于AF秩序在相对论性莫特绝缘体Sr2IrO4，并研究这些作为掺杂的函数。我们发现，近绝缘体到金属的转变（IMT），长程AF秩序融化成一个破碎的状态与短程AF相关。最重要的是，我们发现，短距离AF顺序是局部不相关的观测到的光谱间隙的大小。这强烈表明，短距离AF相关性不太可能是不均匀间隙闭合和IMT附近伪间隙区域出现的罪魁祸首。我们的工作建立了SP-STM作为一个强大的工具，揭示原子尺度的磁性信息在复杂的氧化物。
2019-11-18 cond-mat.str-el
Soliton phase near antiferromagnetic quantum critical point in Q1D conductors
在Q1D有机导体反铁磁（SDW）量子临界点的嵌套模型框架中，一级跃迁将金属态与具有周期畴结构的孤子相分离。低温相图还显示了孤子相和均匀带隙SDW相之间的二阶相变线。结果与（TMTSF）$_2$ PF $_6$在临界压力附近的相图一致[T. Vuletic等人，EUR. J. B 25，319（2002）]。讨论了二阶跃迁线的检测问题。本文评述了低温超导性。
2005-02-18 cond-mat.other cond-mat.str-el
Subgap pumping of antiferromagnetic Mott insulators: photoexcitation mechanisms and applications
本研究采用含时高斯变分法研究半填充二维排斥Hubbard模型的强场光激发，发现两种超出Keldysh范式的新机制，揭示带隙重整化的调控作用并分析准粒子动量分布的探测价值。
2025-05-21 cond-mat.str-el
A Hubbard exciton fluid in a photo-doped antiferromagnetic Mott insulator
本文利用超快太赫兹电导率在光掺杂反铁磁莫特绝缘体Sr₂IrO₄中首次实验观测到哈伯德激子流体的瞬态形成，发现其寿命约1皮秒且与莫特能隙呈指数标度关系，揭示了与磁振子模式的强耦合。
2025-05-08 cond-mat.str-el
Charge dynamics of the antiferromagnetically ordered Mott insulator
该研究采用隶费米子表述结合自洽玻恩近似，研究零温正方晶格半填充Hubbard模型的反铁磁Mott绝缘体电荷动力学，揭示了自旋涨落对电荷自由度的影响及相关物理特性。
2016-12-14 cond-mat.str-el
Gapless quantum spin liquid, stripe and antiferromagnetic phases in frustrated Hubbard models in two dimensions
指出了非磁性绝缘体相的独特性，并给出了正方形格子上的t-t'哈伯德模型的相图。利用路径积分重整化群方法，在强在位相互作用U的Mott绝缘区中，发现次近邻转移t'小时的反铁磁相和t'大时的条纹（或共线）相。在大的U/t>7时，当t '/t~ 0.7时，我们发现了具有2*4结构的长周期反铁磁绝缘相。在Mott绝缘区，我们还发现了量子自旋液体（换句话说，非磁性绝缘体）相附近的Mott过渡到顺磁金属。关联电子通常以一定的磁序结晶为莫特绝缘体体，而“量子自旋液体“一直是人们长期探索的问题。我们报道了一个具有显著性质的非线性绝缘（NMI）相在Mott跃迁附近稳定的数值证据：几何阻挫晶格上的二维莫特绝缘体包含一个在总动量的整个布里渊区中具有无带隙自旋激发和基态简并的相.它解释了一种未被探索的量子液体。本概念是有用的，在分析各种实验结果阻挫磁体，包括有机BEDT-TTF化合物和3 He原子吸附在石墨上。
2006-06-14 cond-mat.str-el
Mott transition and Antiferromagnetic Metal on Shastry-Sutherland Lattice
Shastry-Sutherland晶格是最简单的几何挫阻体系之一，它通过将单重态放在对角键上而具有精确的本征态，可以在一组层状化合物中实现，引起了理论和实验的兴趣。以往对Shastry-Sutherland晶格的研究大多集中在海森堡模型上。在这里，我们选择的哈伯德模型计算相图的相互作用参数范围很广，并显示相互作用，挫折和温度的竞争效应。在低温下，挫折有利于顺磁金属基态，而相互作用驱动系统的反铁磁绝缘体相。在这两个相之间，有一个反铁磁金属相和一个顺磁绝缘体（这应该是一个价键固体）相产生的挫折和相互作用的竞争。我们的研究结果可能会为进一步深入研究该晶格中的量子相变提供参考。
2014-01-16 cond-mat.str-el
The Semimetal-Antiferromagnetic Mott Insulator Quantum Phase Transition of the Hubbard Model on the Honeycomb Lattice
蜂窝晶格上的哈伯德模型经历了从半金属相到Mott绝缘相和从无序相到反铁磁相的量子相变。我们发现，这些转变同时发生，我们计算的临界耦合$U_c=3.835(14)$以及临界指数$ν=1.181(43)$和$β=0.898(37)$，预计将落入$SU(2)$ Gross-Neveu普适性类。为此，我们采用混合蒙特卡罗模拟，外推的单粒子间隙和自旋结构的因素的热力学和连续的时间限制，并进行数据崩溃拟合。我们还确定了相变两侧的单粒子能隙和交错磁化的零温度值。
2021-10-28 cond-mat.str-el
Transient Carrier Dynamics in a Mott Insulator with Antiferromagnetic Order
研究了反铁磁长程序莫特绝缘体中空穴载流子在一定时刻注入的瞬态动力学。与化学空穴掺杂相比，这被称为“动态空穴掺杂”。基于二维$t-J$模型，给出了瞬态载流子动力学的理论框架。的光学电导率谱以及单粒子激发光谱的时间依赖性计算的基础上Keldysh格林函数形式主义在零温度下结合自洽玻恩近似。在动态空穴掺杂后的早期阶段，Drude分量出现，然后来自空穴-磁振子散射的非相干分量开始增长。在光谱中证实了由于相干磁振子的快速振荡行为和缓慢的弛豫动力学。时间剖面解释为掺杂裸空穴被磁振子云修饰，弛豫为自旋极化子准粒子态。Drude峰和非相干峰的特征弛豫时间强烈依赖于动态掺杂空穴的动量和交换常数。最近的泵浦探测实验的影响进行了讨论。
2013-12-04 cond-mat.str-el
Kramers degeneracy in a magnetic field and Zeeman spin-orbit coupling in antiferromagnetic conductors
本文研究了公度共线反铁磁体中电子波函数的磁响应。我表明，在一个特殊的动量集，隐藏的反酉对称性保护克拉默斯退化布洛赫本征态对磁场，横向指向交错磁化。因此，塞曼项中的横向g因子的大量动量依赖性，将后者转变为自旋轨道耦合，这可能存在于从铬到硼碳化物、铜酸盐、磷属元素化物以及有机和重费米子导体的材料中。
2008-09-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Robustness of basal-plane antiferromagnetic order and the $J_{eff}=1/2$ state in single-layer iridate spin-orbit Mott insulators
用X射线共振磁散射（XRMS）研究了层状钙钛矿Ba_2IrO_4的磁结构和电子基态。我们的结果进行了比较与Sr2IrO4，我们提供了补充数据，其磁结构。我们发现，占主导地位的，长程反铁磁秩序是非常相似的两种化合物，并在Ba2IrO4的电子基态，推导出的XRMS $L_3/L_2$强度比的调查，是一致的$J_{eff}=1/2$描述。这两个关键的电子性能的强大性的Ba和Sr类似物之间的相当大的结构差异进行了讨论的增强作用的自旋轨道相互作用在5D过渡金属氧化物。
2012-12-24 cond-mat.str-el
Dimer-Mott and charge-ordered insulating states in the quasi-one-dimensional organic conductors $δ'_{P}$- and $δ'_{C}$-(BPDT-TTF)$_2$ICl$_2$
我们研究了准一维有机导体$δ'_{P}$ -（BPDT-TTF）$_2$ IC 1 $_2$和$δ'_{C}$ -（BPDT-TTF）$_2$ IC 1 $_2$的电子态，这两种导体在室温下都是绝缘的，这是由于电子关联很强.通过测量电阻率、电导率和磁化率以及能带结构计算，我们发现这两种材料具有完全不同的基态，尽管它们具有相同的化学成分和施主分子的堆叠构型。我们已经发现，具有有效半填充带的$δ_P'$型盐表现为二聚体-莫特（DM）绝缘体，并在25 K下表现出电荷有序（CO）转变，而具有3/4填充带的$δ'_C$型盐仅在室温以上表现出电荷有序（CO）转变，并在低于20 K时变为电荷有序。$δ_P'$型盐的光谱由两个特征带组成，这是由于二聚体内和二聚体间的电荷转移，支持DM绝缘行为所产生的强现场库仑相互作用。相比之下，在$δ'_C$型盐中，观察到表征由离位库仑相互作用产生的CO形成的单个带。在降低温度时，在$δ_C'$型盐的光谱的形状变得不对称，并转移到低得多的频率，这表明出现的畴壁激发与预期的分数电荷在一维CO链。$δ_P'$ -型盐的磁化率的温度依赖性很好地描述了一个2D自旋1/2海森堡原子力显微镜模型上的各向异性正方形晶格的二聚化图片，而在$δ_C'$ -型盐，它可以解释由一个2D自旋1/2海森堡原子力显微镜模型上的各向异性蜂窝晶格中形成的CO状态。
2017-09-11 cond-mat.str-el
Impact of magnetic frustration on the Mott transition within a slave-boson mean-field theory
利用从玻色子平均场论研究了顺磁金属-反铁磁金属和反铁磁金属-反铁磁绝缘体的相变。为此，我们讨论了半满哈伯德模型的基态作为t '/t和关联强度U的函数，其中t和t'分别是最近邻和次最近邻之间的跳跃幅度.在临界U_{MIT}处的金属-绝缘体转变对于小的磁阻挫水平（t '/t<0.06）是二阶的，并且对于大的磁阻挫水平（t'/t>0.06）是一阶的。绝缘体总是反铁磁有序的，而金属表现出从顺磁到反铁磁状态的二阶跃迁高达t '/t=0.14，随着U的增加。我们还将这些结果与Hartree-Fock近似下的结果进行了对比。
2000-01-18 cond-mat.str-el
Excitations near the boundary between a metal and a Mott insulator
考虑半无限金属和莫特绝缘体的异质结构。据推测，这两种材料具有相同的晶格间距和跳跃积分和不同的哈伯德排斥，这是可以忽略不计的金属和超过临界值的莫特转变的绝缘体。在半填充和低温下，绝缘体具有长程反铁磁序。它的低阶元激发是自旋驻波和自旋波模，自旋波模位于界面附近，具有二维色散。该模式从边界区域激发体模。绝缘体的反铁磁有序诱导金属中的反铁磁有序，其中磁化强度随离界面的距离呈指数衰减。这种衰变的特征在于关联长度等于5-6个晶格间距。
2009-04-28 cond-mat.str-el
Zeeman spin-orbit coupling in antiferromagnetic conductors
本文简要介绍了磁场作用下低载流子公度Néel反铁磁体中的塞曼自旋轨道耦合。电场有提高电子能谱简并度的趋势。然而，一个隐藏的对称性保护双简并的布洛赫本征态在特定的动量在布里渊区。有效的横向$g$因子在这些点处为零，因此获得了实质性的动量依赖性，这将教科书中的塞曼项变成了自旋-轨道耦合。在描述了塞曼自旋轨道耦合的对称性基础之后，我将其与其内在的对应物（如Rashba耦合）进行了比较，然后展示了塞曼自旋轨道耦合如何在存在内在自旋轨道耦合的情况下生存。最后，我概述了塞曼自旋轨道耦合的一些可能的实验表现，并将其与其他设置，如半导体量子阱中的类似现象进行比较。
2018-10-08 cond-mat.str-el
13C NMR study of the magnetic properties of the quasi-one-dimensional conductor, (TMTTF)2SbF6
用13 C NMR研究了准一维有机盐（TMTTF）2SbF 6在压力下的磁性.证实了常压下的反铁磁相变。电荷有序被压力抑制，并且在8 kbar下没有观察到。当5 < P < 20 kbar时，在4K以下观察到自旋-晶格弛豫速率1/T1的急剧下降和自旋-晶格弛豫速率1/T1的急剧下降，这归因于自旋-能隙转变。在20 kbar以上，观察到极宽的光谱和临界的1/T1增加。这表明系统在压力下进入另一个反铁磁相（AFII）。反铁磁相变温度T_AFII的斜率（dT_AFII/dP）为正，而T_AFI随压力的增大而减小。磁矩在30千巴时与晶格弱无公度。
2011-09-01 cond-mat.str-el
Electronic state of a doped Mott-Hubbard insulator at finite temperatures studied using the dynamical mean-field theory
利用动态平均场论研究了掺杂Mott-Hubbard绝缘体的电子态。作为掺杂的函数的有限温度谱函数的演变显示在反铁磁和顺磁相的光谱权重的大的重新分布。特别是，金属反铁磁态的低频Slater分裂准粒子峰与Hubbard带共存。在高温顺磁金属相中，在减少掺杂时，系统具有通过"坏金属“状态的交叉，其特征在于准粒子峰远离费米能的异常位移。我们发现，{ \it电荷}的反铁磁金属的压缩性显着增强后，接近二阶Néel线。
2006-04-06 cond-mat.str-el
A Study of the Antiferromagnetic Phase in the Hubbard Model by means of the Composite Operator Method
本文在二极近似下用复合算符方法研究了二分立方晶格上二维、三维和推广的哈伯德模型的反铁磁相。这种方法产生一个完全自洽的处理反铁磁状态，尊重模型和代数的对称性。完整的相图，关于反铁磁相和顺磁相，已被绘制。在极点近似下，我们首次报道了Mott-Hubbard、Mott-Heisenberg和Heisenberg三种半满跃迁。我们还发现了一个金属-绝缘体过渡，掺杂驱动，反铁磁相内。后者被限制在一个非常小的区域附近的半填充，并已发现，在对比类似的方法，有限的临界库仑相互作用的下限在半填充。最后，值得注意的是，我们的反铁磁能隙有两个独立的组成部分：一个是由于反铁磁关联，另一个来自Mott-Hubbard机制。
2001-02-21 cond-mat.str-el
Magnetic correlations and quantum criticality in the insulating antiferromagnetic, insulating spin liquid, renormalized Fermi liquid, and metallic antiferromagnetic phases of the Mott system V_2O_3
用磁热中子散射研究了纯的和掺杂的三氧化二钒V_2O_3的四个相的磁关联。虽然反铁磁绝缘体可以用海森堡局域自旋模型来解释，但反铁磁金属中的长程序是一种无公度的自旋密度波，由费米面嵌套不稳定性引起。强关联金属中的自旋动力学由斯通纳电子-空穴连续体中的自旋涨落主导。此外，我们在金属V_2O_3中的结果代表了对金属量子临界点附近自旋涨落的前所未有的完整表征，并为小磁矩极限下巡游反铁磁体的SCR理论提供了定量支持。动态磁相关的能量小于k_BT的顺磁性绝缘体进行实质性的磁谱权重。然而，相关长度仅延伸到最近邻距离。到反铁磁绝缘体的相变引入了磁关联到不同空间周期性的突然切换，这表明潜在的自旋哈密顿量的突然变化。为了描述这种相变以及顺磁态中不寻常的短程有序，似乎有必要考虑V_2O_3中费米能级处与简并d轨道相关的轨道自由度。
1998-10-23 cond-mat.str-el
Inhomogeneous metallic phase upon disordering a two dimensional Mott insulator
我们发现，等电子无序破坏了光谱间隙在莫特-哈伯德绝缘体在2D导致，最出乎意料的是，一个新的金属相。该相在空间上是不均匀的，金属行为与反铁磁长程序共存。即使在纯系统中的莫特间隙比反铁磁交换大得多，光谱间隙被破坏局部的无序势是足够高的，以克服电子间的排斥，从而产生水坑的电荷波动增强的区域。随着无序度的增加，这些熔池扩展，并且伴随着费米能处的状态得到扩展，导致金属相。我们讨论了我们的实验结果的影响。
2003-08-13 cond-mat.str-el
Theory of the Lightly Doped Mott Insulator
本文提出了适用于大U/t、远离半填充的小掺杂和短程反铁磁自旋关联的哈伯德模型的理论。尽管没有任何对称性破缺，费米面还是以（π/2，π/2）为中心的椭圆形空穴袋的形式，其体积与空穴浓度成比例。短程反铁磁关联使得最近邻跳跃几乎无效，因此只有第二或第三最近邻跳跃对色散关系有明显的贡献。
2010-05-22 cond-mat.str-el
Finite-Temperature Phase Diagram of Quasi-One-Dimensional Molecular Conductors: Quantum Monte Carlo Study
本文采用考虑电子-晶格耦合的扩展哈伯德模型研究了准一维四分之一填充体系的相变相变。使用量子蒙特卡罗方法结合链间平均场近似，我们澄清电荷有序，二聚体莫特，和自旋Peierls状态之间的竞争和共存行为。指出晶格畸变的非谐性在多临界行为中起着重要作用。结果与准一维分子导体，如DCNQI和TMTTF化合物的实验数据进行了比较。
2008-11-11 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic Spin Fluctuations and Structural Transition in Cluster Mott Insulator Candidate Nb3Cl8 Revealed by 93Nb- and 35Cl-NMR
该研究通过93Nb和35Cl NMR测量Nb3Cl8，揭示约97 K结构转变后的谱峰分裂及Cl位点弛豫和奈特位移行为，证明Nb原子间存在与Mottness相关的强自旋关联。
2025-03-17 cond-mat.str-el
Signatures of the Mott transition in the antiferromagnetic state of the two-dimensional Hubbard model
具有大相关长度的相位的性质可以强烈地受到下伏正常相位的影响。我们通过使用细胞动力学平均场论和连续时间量子蒙特卡罗方法研究半满二维哈伯德模型来说明这一点。尖锐的交叉有利于反铁磁相关性的机制，并在相应的局部态密度观察。这些交叉发生在相互作用强度$U$和温度$T$的值，这是由基础的正常状态莫特转变控制。
2017-06-12 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Relaxor ferroelectricity induced by electron correlations in a molecular dimer Mott insulator
我们研究了具有正方晶格的反铁磁二聚体-莫特绝缘体β '-（BEDT-TTF）2 ICl 2与自旋液体候选物kappa-（BEDT-TTF）2Cu 2（CN）3的介电响应。介电常数的温度依赖性表现出一个峰结构服从居里-外斯定律，具有很强的频率依赖性。通过热释电测量发现了二聚体的各向异性铁电性，这表明二聚体中存在电荷极化。铁电体的实际电荷冻结温度与反铁磁相互作用有关，而反铁磁相互作用与系统中的电荷-自旋耦合自由度有关。
2013-01-29 cond-mat.str-el
Optical conductivity of one-dimensional Mott insulators
利用场论描述，计算了低能下一维莫特绝缘体的光学电导率。带绝缘体的光学带隙处的平方根奇异性通常不存在，只出现在路德-埃默里点。我们还表明，只有少数粒子过程的贡献显着的光学电导率在很宽的频率范围内，只有在非常大的能量恢复裸微扰制度。我们讨论了可能的应用，我们的结果准一维有机导体。
2000-08-29 cond-mat.str-el
Ferroelectricity and Charge Ordering in Quasi One-Dimensional Organic Conductors
分子导体TMTTF/TMTSF-X的家庭演示了几乎所有已知的电子相平行的阴离子有序和神秘的无结构过渡的一组弱结构修改。直到2000年初，介电常数的巨大异常和电荷有序化的NMR证据才阐明了它们的性质。这些观察结果被解释为从未预料到的铁电转变。这一现象在相当不寻常的方面或结合点上统一了各种不同的概念和观察：良导体的铁电性，Mott-Hubbard态的结构不稳定性，致密电子系统中的Wigner结晶，有序的4K_F密度波，孤子物理的丰富性，结构对称性和电子对称性的相互作用。相应的“组合Mott-Hubbard态”理论讨论了两种对称性破缺效应对电子Umklapp散射的正交贡献：键的内建不等价性和位的自发不等价性。这种状态产生了几种类型的孤子，它们都在实验中显示出来。在此基础上，对现有实验的复杂性进行了解释，并对未来的一些实验提出了建议，如光吸收与光电导、铁电共振与声子反共振的结合、等离子体频率降低等。
2006-11-16 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic ordering of organic Mott insulator $λ$-(BEDSe-TTF)$_2$GaCl$_4$
研究了有机电荷转移盐$λ$ -（BEDSe-TTF）$_2$ GaCl $_4$（BEDSe-TTF：bis（ethylenediseleno）tetrathiafulvalene;简称$λ$-BEDSe）的能带结构和磁性。使用X射线衍射测量证实了所报道的晶体结构，并计算了转移积分。电子关联度$U/W$（$U$：原位库仑排斥，$W$：带宽）大于1，并与同构莫特绝缘体$λ$ -（ET）$_2$ GaCl $_4$的相当（ET：双（亚乙基二硫代）四硫富瓦烯，缩写为$λ$-ET），而超导盐$λ$ -（BETS）$_2$ GaCl $_4$的$U/W$（BETS：双（亚乙基二硫代）四硒富瓦烯）小于1。$^{13}$ ~（13）C-NMR和$μ$ ~（13）SR测量表明，$λ$-BEDSe在低于$T_{\rm N} = 22$ ~K时发生反铁磁（AF）有序化.在AF状态下，观察到具有剩余中心峰的离散$^{13}$ C-NMR谱，表明在$λ$-ET中也观察到相称的AF自旋结构。$λ$-BEDSe和$λ$-ET的结构和磁性之间的相似性表明两种盐处于相同的电子相，即，$λ$-BEDSe的物理性质可以通过通过供体分子取代获得的带宽受控的$λ$型有机导体的通用相图来理解。
2022-06-21 cond-mat.str-el
