ZrN nucleation layer provides backside ohmic contact to MBE-grown GaN nanowires
本研究在蓝宝石上溅射ZrN成核层，通过MBE生长GaN纳米线，实现背面欧姆接触，并验证单根纳米线p-n结的整流特性。
2025-02-28 cond-mat.mes-hall
Surface-Assisted Luminescence: the PL Yellow Band and the EL of n-GaN Devices
虽然每个人都应该知道，测量从来没有直接在材料上进行，而是在设备上进行，但这通常不是真的。设备是能够交换能量的物理系统，因此受物理定律的影响，这些定律决定了它们提供的信息。因此，我们不应该忽视设备的影响，在测量中，我们天真地假设，光致发光（PL）是体发射的表面效应。通过将这种不合理的假设替换为GAN表面器件的适当模型，它们的黄带PL变为表面辅助发光，从而可以预测当空穴被带到它们的表面时最近在n-GaN器件中观察到的弱电致发光。
2012-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Surface-enhanced Raman scattering of graphene caused by self-induced nanogating by GaN nanowire array
一个恒定的高度的氮化镓（GAN）纳米线与石墨烯沉积在它们上面被示出具有很强的增强拉曼散射，而可变高度的纳米线不能给这样的增强。扫描电子显微镜揭示了当GAN纳米线均匀时存在的光滑石墨烯表面，而观察到具有显著高度差的纳米线上的石墨烯被最上面的纳米线刺穿和拉伸。特征拉曼谱带的能量位移证实了纳米线高度的这些差异对局部石墨烯应变和载流子浓度具有显著影响。开尔文探针力显微镜得到的图像清楚地表明，石墨烯中的载流子浓度是由纳米线衬底调制，并依赖于纳米线密度。因此，所观察到的沉积在GAN纳米线上的石墨烯的表面增强拉曼散射是由石墨烯的自诱导纳米门控触发的。然而，没有发现增强与应变或石墨烯的载流子浓度的明确相关性。
2017-11-07 cond-mat.mes-hall
Quantum transport in GaN/AlN double-barrier heterostructure nanowires
研究了AlN双势垒对n-i-GAN纳米线电子输运的影响。纳米线生长无催化剂，等离子体辅助分子束外延，使突然的GAN/AlN界面以及纵向n型掺杂调制。在低温下，n-i-GAN纳米线的输运主要受库仑阻塞效应的影响。载流子被限制在未掺杂的中间区域，形成特征长度为~100 nm的单个或多个岛。两个AlN隧道势垒的结合导致在其间的GAN阱内发生限制。在6 nm厚的阱和2 nm厚的势垒的情况下，我们观察到具有离散能态的单量子点中库仑阻塞输运的特征签名。对于较窄的阱和势垒，库仑阻塞效应不起重要作用，而通过受限量子能级的共振隧穿的开始伴随着负微分电阻，直到~150 K。
2010-05-20 cond-mat.mes-hall
Crystal-phase quantum dots in GaN quantum wires
我们研究了连续波和时间分辨光致发光光谱的性质的激子绑定到I1基面堆垛层错系综的GAN纳米线。这些GaN纳米线，通过热分解自发形成的GAN纳米线系综获得，是锥形的，尖端直径低至6 nm。随着纳米线直径的减小，我们观察到一个强烈的蓝移的跃迁起源于堆垛层错束缚激子的辐射衰减。此外，这种过渡的辐射寿命在纳米线是独立的温度高达60 K和显着长于相应的过渡生长的纳米线。这些研究结果揭示了零维字符的限制激子状态，从而表明，I1堆垛层错在x-ray纳米线作为真正的量子点。
2016-02-17 cond-mat.mes-hall
Drastic effect of sequential deposition resulting from flux directionality on the luminescence efficiency of nanowire shells
核-壳纳米线异质结构形成了许多创新器件的基础。当通过定向沉积技术生长复合纳米线壳时，生长反应器中不同组分的源的方位角位置、衬底旋转和纳米线自遮蔽不可避免地导致顺序沉积。在这里，我们发现，在$_{0.15}$ Ga $_{0.85}$ As/GaAs壳层量子阱的分子束外延生长的发光效率的这种顺序性的剧烈影响。采用与迁移增强外延相对应的助熔剂顺序生长的壳层量子阱的光致发光强度。e.当As和III族金属基本上不同时撞击时，比用基本上重叠的通量制备的壳量子阱高两个数量级以上。透射电子显微镜没有发现任何扩展缺陷解释这种差异。我们的光致发光瞬态分析表明，共沉积有两个不利的微观效应。首先，较高密度的电活性点缺陷导致内部电场降低电子-空穴波函数重叠。第二，更多的点缺陷形成，作为非辐射复合中心。我们的研究表明，源的生长反应器，这仅仅是平面结构的技术相关性的安排，可以有严重的后果纳米线壳的材料性能。我们希望这一发现也适用于其他合金纳米线壳。
2021-06-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Enhanced Raman scattering and weak localization in graphene deposited on GaN nanowires
利用拉曼光谱和微波诱导电子输运方法研究了GAN纳米线对石墨烯光电性能的影响。结果发现，与纳米线的相互作用诱导光谱的变化，以及拉曼散射强度的大增强。令人惊讶的是，对于缺陷诱导的D'过程观察到最小的增强（约30倍），并且对于2D转变发现最高的强度增加（超过50倍）。所观察到的G和2D能带的能量位移允许确定由GAN纳米线引起的载流子浓度波动。拉曼散射空间强度图和使用扫描电子显微镜获得的图像的比较导致的结论是，垂直对齐的GAN纳米线诱导均匀的应变，在石墨烯中的载流子浓度的实质性空间调制和与纳米线的相互作用所产生的缺陷的意想不到的均匀分布。对D和D'峰强度比的分析表明，与纳米线的相互作用也改变了在不同类型的缺陷上散射的概率。拉曼光谱研究与微波诱导非接触电子输运测量的弱局域化效应相关。温度依赖性的弱本地化信号显示电子-电子散射作为一个主要的退相干机制与额外的，温度无关的散射减少相干长度。我们将其归因于石墨烯中的电子与由于GAN的自发和压电极化而存在于纳米线顶部的电荷的相互作用。因此，纳米线作为天线，并产生增强的近场，这可以解释所观察到的拉曼散射强度的大幅增强。
2015-09-24 cond-mat.mes-hall
Surface-enhanced Raman scattering in graphene deposited on Al$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN axial heterostructure nanowires
研究了沉积在AlxGa 1-xN/GAN轴向异质结构纳米线上的石墨烯的表面增强拉曼散射。石墨烯拉曼光谱的强度与铝含量无关。石墨烯拉曼谱带参数、KPFM和电反射率的分析显示了极化电荷的屏蔽。理论计算表明，石墨烯中的等离子体共振远远超出了拉曼光谱范围。这排除了SERS的电磁机制的存在，因此表明增强的化学机制。
2018-08-06 cond-mat.mes-hall
Stark effect in GaN/AlN nanowire heterostructures: Influence of strain relaxation and surface states
我们模拟了生长在[0001]取向GAN纳米线上的AlN/GAN/AlN异质结构中的量子限制Stark效应。在一个自洽的方法中计算的pyro和压电场，使没有假设的费米能级的钉扎，但包括一个明确的表面状态，可以作为一个源或陷阱的载流子的分布。我们发现，热电场和压电场弯曲的GAN和AlN的传导带和价带，并将电荷从纳米线的顶面转移到异质结构下方的电子气。结果，费米能级可能被钉扎在顶表面处的AlN的价带附近。电子气和表面电荷屏蔽了电场，从而降低了斯塔克效应。有效的应变弛豫进一步削弱了压电极化。我们用sp 3d 5s * 紧束缚模型计算了异质结的电子性质，并将理论预测与现有的实验数据进行了比较。
2010-06-25 cond-mat.mes-hall
Probing local emission properties in InGaN/GaN quantum wells by scanning tunneling luminescence microscopy
利用扫描隧道电致发光显微术在约10 nm尺度上研究了InGaN/GaN量子阱的局域复合特性，发现缺陷边缘存在高能发射，并通过谱拟合获得载流子局域化及约40 nm扩散长度等定量信息。
2022-12-07 cond-mat.mes-hall
Properties of graphene deposited on GaN nanowires: influence of nanowire roughness, self-induced nanogating and defects
我们提出了详细的拉曼光谱研究的石墨烯沉积在氮化镓纳米线的高度不同的变化。我们的研究结果表明，不同的密度和高度的纳米线与石墨烯接触的影响石墨烯的性质，如粗糙度，应变和载流子浓度以及密度和类型的诱导缺陷。对沉积在不同纳米线衬底上的石墨烯的拉曼光谱的详细分析表明，纳米线高度的较大差异增加了石墨烯应变，而与石墨烯接触的纳米线的数量增加了局部应变。此外，石墨烯载流子浓度的值被发现与接触石墨烯的纳米线的密度相关。拉曼G、D和D'带的强度比的分析使得能够追踪纳米线衬底如何影响缺陷浓度和类型。对于沉积在最低密度的纳米线上的石墨烯，观察到最低浓度的缺陷。石墨烯和密集排列的纳米线之间的接触导致大密度的空位。另一方面，晶界是很少分布的纳米线上的石墨烯中的主要缺陷类型。我们的研究结果还表明，石墨烯中存在的不同类型的缺陷的石墨烯载流子浓度和应变的修改。
2018-10-08 cond-mat.mes-hall
Sub-meV linewidth in GaN nanowire ensembles: absence of surface excitons due to the field-ionization of donors
我们观察到异常狭窄的施主束缚激子跃迁（0.4 meV）在Si（111）衬底上生长的GAN纳米线系综在非常高的温度（> 850摄氏度）的光致发光光谱。这些样品的光谱揭示了一个显着的激子绑定到中性硅杂质，这是没有观察到的标准条件下生长的样品的过渡。受这些实验结果的启发，我们从理论上研究了表面诱导的内部电场对施主结合能的影响，结合蒙特卡罗和包络函数的方法。我们得到的范围内的掺杂和直径的潜力是很好地描述使用泊松方程，其中一个假设空间均匀分布的掺杂剂。我们的计算还表明，当表面电场大于约10 kV/cm时，直径小于100 nm的纳米线中的表面施主被电离，这对应于掺杂水平高于2 x 10^16 cm^-3。这一结果解释了实验观察：由于（D+，X）复合物在GAN中不稳定，表面施主束缚激子在一定掺杂水平以上对GAN纳米线的光致发光光谱没有贡献，线宽反映了纳米线系综的实际结构完整性。
2014-07-16 cond-mat.mes-hall
Plasmonic switching in Au functionalized GaN nanowires in the realm of surface plasmon polatriton propagation: A single nanowire switching device
报道了Au纳米颗粒功能化半导体GAN（Au-GaN）纳米线的光响应，用于使用532激发的光开关。采用催化剂辅助化学气相沉积技术生长了宽带隙GAN纳米线，并通过化学方法进行了Au功能化。Au-GaN纳米线显示出Au纳米团簇在550 nm附近的表面等离子体共振（SPR）模式以及GAN在365 nm附近的特征带。观察到的光学开关的Au-GaN纳米线的子带隙激发532 nm的表面等离子体激元辅助传输的电子在系统中的可能作用。在不存在使用325 nm激发的光开关的情况下，排除了带传导的作用，325 nm激发的能量高于室温下GAN的约3.4 eV（365 nm）的报道带隙。随着粒子间的分离，有限量的Au的带间贡献起着重要的作用。开关器件也成功地测试了一个单一的GAN纳米线功能化与金纳米团簇。对于单个GAN纳米线中的载流子的表面等离子体激元辅助电输运，测量到0.05欧姆-cm的电阻率值。
2015-08-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Luminescence of GaAs nanowires consisting of wurtzite and zincblende segments
通过分子束外延生长的GaAs纳米线（NW）可以包含锌钛矿（ZB）和纤锌矿（WZ）相的片段。根据生长条件，我们发现，这种纳米线的光发射主要发生在ZB GaAs [E（g，ZB）]的带隙能量以上或以下。该结果与以下假设一致：纤锌矿GaAs的带隙能量[E（g，WZ）]大于E（g，ZB），并且沿着线轴具有交替的ZB和WZ段的GaAs NW建立了II型能带对准，其中在ZB段内捕获的电子与相邻WZ段的空穴重新结合。因此，相应的跃迁能量取决于电子的约束程度，并且对于非常薄的ZB段，超过E（g，ZB）的跃迁能量是可能的。在低温下，碳受体的掺入在确定光谱分布中起主要作用，因为这些受体可以有效地结合ZB片段中的空穴。从在室温下进行的单GaAs纳米线的阴极发光测量，我们推导出的差异E（g，WZ）-E（g，ZB）的下限为55毫电子伏。
2012-01-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of strain relaxation in axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures on their electronic properties
系统研究了弹性应变弛豫对轴向（In，Ga）N/GaN纳米线异质结构内建静电势和电子性质的影响。我们采用和评估的分析和数值方法来计算应变和极化电位。这两种成分然后进入八带k. p模型来计算电子和空穴的基态和能量。我们的分析表明，对于足够大的比率之间的厚度的（In，Ga）N盘和纳米线的直径，弹性弛豫导致显着减少的内置静电势相比，一个平面系统的类似的层厚度和In含量。然而，在轴向纳米线异质结构中不能实现内建电势的完全消除。然而，内置的静电势的减少导致电子和空穴能量的显着修改。我们的研究结果表明，在轴向（In，Ga）N/GaN纳米线异质结构的可达的基态跃迁能量的范围是有限的，由于较厚的磁盘的极化电位的影响减少。此外，我们发现，应变和极化电位诱导复杂的限制功能的电子和空穴，这取决于在含量，形状和尺寸的异质结构。
2016-08-25 cond-mat.mes-hall
Luminescence associated with stacking faults in GaN
基面层错是纤锌矿半导体中一类重要的光学活性结构缺陷。纤锌矿基体的2 H堆积向3C锌-尖晶石堆积的局部偏离在基质晶体的间隙中诱导束缚态，导致激子的局域化。由于这些平面缺陷的二维性质，堆垛层错充当量子阱，引起具有特征能量的激子的辐射跃迁。因此，发光光谱法能够检测到，即使是一个单一的堆垛层错，否则完美的纤锌矿晶体。本文综述了GAN中与层错相关的发光特性。与不同类型的堆垛层错的发射能量以及可以转移这些能量的因素进行了讨论。在这种情况下，量子限制的斯塔克效应在这些锌-铌酸盐/纤锌矿异质结，这是从纤锌矿GAN的自发极化的结果，强调的重要性。本文的讨论扩展到纤锌矿基体中的锌-锰链段。此外，其他因素影响的发射能量和线宽的堆垛层错相关的峰，以及在室温下获得的结果进行了解决。本文中提出的考虑也可以转移到其他纤锌矿半导体。
2014-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Long-lived excitons in GaN/AlN nanowire heterostructures
GAN/AlN纳米线异质结构可以显示持续到室温的微秒量级的光致发光（PL）衰减时间。用Ge掺杂GAN纳米盘插入物可以将这些PL衰减时间减少两个数量级。这些现象解释的三维电场分布内的GAN纳米盘，它具有在几MV/cm的范围内的自发和压电极化的轴向分量，和径向压电贡献相关联的晶格应变的剪切分量。在低掺杂剂浓度下，在轴向和径向方向上都存在大的电子-空穴分离。相对较弱的径向电场（其比轴向场小大约一个数量级）通过掺杂被快速屏蔽。这种双向屏蔽导致电子下方的空穴的径向和轴向集中，因此，除了发光蓝移之外，PL衰减时间大幅减少。
2015-04-20 cond-mat.mes-hall
Nonpolar p-GaN/n-Si heterojunction diode characteristics: A comparison between ensemble and single nanowire devices
研究了整体和单个p-GaN纳米线和n-Si异质结器件的电学和光电二极管特性。发现单纳米线p-GaN/n-Si器件的理想因子比整体纳米线器件的理想因子低约三倍。除了p-GaN纳米线中的深能级陷阱之外，由于在系综纳米线器件中Mg掺杂剂的不均匀性而导致的缺陷态归因于高理想因子的起源。光伏模式的集成纳米线器件的填充因子高达60%的改善与填充因子高达30%的单纳米线器件。在470 nm处，发现光导模式下的单纳米线器件的响应率增强了五个数量级。单纳米线器件的增强的光响应也证实了由于p-GaN纳米线中的缺陷态而导致的光电导。
2016-05-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Evidence of nanoscale Anderson localization induced by intrinsic compositional disorder in InGaN/GaN quantum wells by scanning tunneling luminescence spectroscopy
我们给出了InGaN/GAN量子阱本征合金成分无序引起的安德森局域化的直接实验证据。我们的方法依赖于从扫描隧道显微镜尖端到近表面单量子阱的电子局部注入下的发光光谱的测量。在几纳米尺度上观察到发射线形状的波动。单个局域态的窄发射峰特征得到解决。在局域化景观理论的框架内的计算提供了有效的约束势的组成波动所产生的地图。这一理论很好地解释了所观察到的纳米尺度载流子局域化和这些安德森型局域态的能量。局域态发射的能量扩展与通常观察到的InGaN/GAN量子阱结构的非常宽的光致发光或电致发光光谱一致。
2018-05-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spatially-resolved luminescence and crystal structure of single core-shell nanowires measured in the as-grown geometry
我们报道了单个的、生长态的核-多壳GaAs/In $_{0.15}$ Ga $_{0.85}$ As/GaAs/AlAs/GaAs纳米线的结构和光学性质之间的直接相关性。通过分子束外延在预先图案化的Si（111）衬底上制造，在一排良好分离的成核位置上，可以在生长的几何形状中访问单个纳米线。通过同步辐射纳米探针X射线衍射技术监测轴向111布拉格反射，揭示了沿纳米线生长轴的多型体分布。对于相同的纳米线，空间分辨的发射特性，通过阴极发光高光谱线扫描在扫描电子显微镜。相关的两个测量，我们揭示了一个蓝移的壳量子阱发射能量结合的发射强度增加的片段表现出的混合结构的交替纤锌矿和锌的堆叠相比，纯晶体多型体。这种混合结构的存在下，独立地证实了横截面透射电子显微镜。
2020-02-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Improved control over spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy using a two-step growth process
研究了等离子体辅助分子束外延中生长条件对GAN纳米线在Si（111）衬底上自发生长的影响。我们发现，一个两步生长的方法，其中在成核阶段的衬底温度增加，是一种有效的方法来获得控制的面积覆盖率，平均直径，和聚结程度的GAN纳米线合奏。此外，我们还表明，在孵育时间之前的纳米线成核的生长条件不影响最终的纳米线合奏的属性。因此，当在升高的温度下或以低Ga/N比生长GAN纳米线时，通过在孵育时间期间使用更有利的纳米线成核生长条件，可以显著减少总生长时间。
2015-08-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Probing quantum confinement within single core-multishell nanowires
理论上，六边形截面的核-多壳纳米线应该具有独特的限制效应。使用硬X射线纳米束，在这里，我们展示了实验证据的载体本地化现象在六边形角落同步辐射激发的光学发光与同步X射线荧光光谱相结合。应用于单同轴n-GaN/InGaN多量子阱/p-GaN纳米线，我们的实验缩小了光学显微镜和高分辨率X射线成像之间的差距，并呼吁进一步研究光电纳米器件的潜在机制。
2013-10-01 cond-mat.mes-hall
Crystal polarity discrimination for GaN nanowires on graphene
我们目前的实验数据和计算分析的石墨烯虚拟衬底上形成的GaN纳米线。我们表明，石墨烯上的GaN纳米线表现出氮极性。我们采用基于DFT的计算分析表明，在不同的可能配置的Ga和N原子中，只有N极性的是稳定的。我们认为，极性歧视的发生是由于偶极相互作用的GaN的双和$π$-轨道的石墨烯片。
2021-07-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Acoustically regulated optical emission dynamics from quantum dot-like emission centers in GaN/InGaN nanowire heterostructures
我们报道了声表面波对GAN/InGaN纳米线量子点光发射动力学影响的实验研究。我们采用频闪光学激发与时间积分或时间分辨的光致发光检测。在没有声波的情况下，发射光谱揭示了起源于被探测的纳米线量子点中的中性激子和双激子的复合的特征。当纳米线受到传播的声波的扰动时，嵌入的量子点会产生周期性的应变，其激子跃迁会受到声-机耦合的调制。根据所涉及的光学跃迁的复合寿命，我们可以解决声学驱动的辐射过程在时间尺度上定义的声学周期。在高声学振幅下，我们还观察到传输的声波波形中的失真，这反映在我们的传感器量子点的时间相关的光谱响应中。此外，在激子和双激子发射的时间衰减期间观察到的相关强度振荡表明声压电场对量子点电荷布居的影响。目前的结果是相关的动态光谱和时间控制的光子发射在III族氮化物半导体异质结构。
2019-02-21 cond-mat.mes-hall
Ga-polar (In,Ga)N/GaN quantum wells vs. N-polar (In,Ga)N quantum disks in GaN nanowires: Comparative analysis of carrier recombination, diffusion, and radiative efficiency
利用连续波和脉冲激发下的光致发光光谱研究了平面（In，Ga）N/GAN（0001）量子阱和GAN $(000\bar{1})$纳米线中（In，Ga）N量子盘的辐射和非辐射复合过程.这两个样品的光致发光强度仅在10和300 K之间稍微淬灭，这通常被认为是高内部量子效率的证据。然而，并排比较表明，Ga极性量子阱的绝对强度比N极性量子盘的绝对强度高两个数量级。通过时间分辨测量获得的光致发光瞬态的初始衰减时间观察到类似的差异，表明量子盘存在高效的非辐射衰减通道。与这一推测明显矛盾的是，观察到两个样品的衰变在最初的快速衰变之后急剧减慢。与温度无关，瞬态接近较长的衰减时间的幂律，反映了在不同的空间间隔下，单个电子和空穴之间发生复合。采用耦合系统的随机积分-微分方程，考虑到辐射和非辐射的肖克利-读取-霍尔复合的空间分离的电子和空穴，以及它们的扩散，我们得到模拟瞬态匹配的实验获得的。结果表明，对于（In，Ga）N/GAN{0001}量子阱和量子盘，即使是占主导地位的非辐射复合也能保持幂律衰减。
2017-03-20 cond-mat.mes-hall
Atomistic simulations of self-trapped exciton formation in silicon nanostructures: The transition from quantum dots to nanowires
采用含时近似密度泛函理论方法，计算了氢钝化大长径比硅纳米结构的吸收光谱和发光光谱。系统地研究了轴向和径向电子约束效应。对于长度小于2 nm的短纳米棒，激发态弛豫导致了显著的Stokes位移，但对发光强度影响很小。自陷激子的形成同样只观察到短的纳米结构，较长的线表现出完全离域的激子，在激发态的最小几何失真可以忽略不计。
2009-04-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Carrier Confinement in GaN/AlGaN Nanowire Heterostructures for 0 < x <= 1
分析了Al浓度在x = 0.08和1之间时GAN/AlGaN纳米线中GAN纳米盘的三维载流子限制及其对光致发光特性的影响。通过高分辨率透射电子显微镜的结构分析揭示了横向AlGaN壳的存在下，由于组成依赖的横向生长速率的屏障材料。的结构特性被用作输入参数的三维数值模拟的限制，这表明AlGaN壳的存在下，被认为是解释所观察到的依赖关系的发射能量上的Al浓度的障碍。模拟显示，x ~ 30%的发射能量的最大值被分配给最小的横向应变梯度，因此在纳米盘中的最低径向内部电场。势垒中较高的Al浓度导致高径向电场，其可以克服激子结合能并导致发射强度显著降低。采用不同Al浓度下高度为1.2 nm ~ 3.5 nm的纳米线样品研究了极化诱导轴向内电场对光致发光特性的影响。与GAN/AlGaN量子阱结构相比，量子限制斯塔克效应的影响显著降低，这归因于异质界面处失配位错的形成，这削弱了内部电极化的强度场。
2011-09-15 cond-mat.mes-hall
Electric Current and Noise in Long GaN Nanowires in the Space-Charge Limited Transport Regime
研究了平面GAN纳米线中的电流和噪声。在低电压下获得的结果为我们提供了估计的纳米线的耗尽效应。对于较大的电压，我们观察到的空间电荷限制电流（SCLC）的效果。该效应的开始明显与NW宽度相关。对于窄NW，实现了成熟的SCLC制度。这种效应对所研究的纳米线的涨落特性有很大的影响。在低电压下，我们发现，归一化的噪声水平随着NW宽度的减小而增加。在SCLC方案中，观察到归一化噪声强度的进一步增加（高达1 E4倍），以及具有斜率-3/2的趋势的光谱形状的变化。我们认为，在纳米线中发现的电流和噪声的特征具有普遍性，并将对基于纳米线的器件的发展产生影响。
2017-01-14 cond-mat.mes-hall
Assessment of AlGaN/AlN superlattices on GaN nanowires as active region of electron-pumped ultraviolet sources
在本文中，我们描述了400 nm长（88周期）的AlxGa 1-xN/AlN（0 < x < 0.1）量子点超晶格的设计和表征自组装GAN纳米线上的电子泵紫外光源的应用。纳米线上的GAN/AlN超晶格的光学性能进行了比较，与平面GAN/AlN超晶格的发射体GAN衬底上沿N极性和金属极性晶轴具有相同的周期性和厚度。纳米线样品是不太敏感的非辐射复合比平面层，达到内部量子效率（IQE）在室温下超过60%，即使在低注入条件下。IQE在更高的激发功率密度下保持稳定，最高可达50 kW/cm 2。我们证明，纳米线超晶格是足够长的收集电子-空穴对所产生的电子束与加速电压VA = 5千伏。在这样的VA下，从纳米线系综发射的光在恒定电子束激发下不显示任何猝灭的迹象（在分钟尺度上针对约8 kW/cm 2的激发功率密度进行测试）。改变点/势垒厚度比和点中的Al含量，纳米线的峰值发射可以在340至258 nm的范围内调谐。关键词：GAN，氮化铝，纳米线，紫外线
2019-11-29 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Stacking faults as quantum wells in nanowires: Density of states, oscillator strength and radiative efficiency
我们研究的性质的激子绑定到I1基面层错[（I1;X）] GAN纳米线系综的连续波和时间分辨光致发光光谱。基于这些激子的辐射寿命随温度的线性增加，证明了它们具有二维态密度，即：例如，基面堆垛层错起到量子阱的作用。从线性增加的斜率，我们确定的振子强度的（I1;X），并表明，得到的值反映了存在大的内部静电场跨越堆垛层错。虽然GAN纳米线系综中施主束缚激子和自由激子的复合在10 K时已经由非辐射现象主导，但我们观察到（I1;X）在60 K时完全辐射复合。这一发现为GAN纳米线中的非辐射复合过程提供了重要的见解。首先，在60 K下测量的约6 ns的辐射寿命设定了考虑到纳米线平均直径为105 nm的450 cm/s的表面复合速度的上限。其次，与施主束缚激子和自由激子的快速衰变有关的非辐射中心的密度不能高于2 × 10^16 cm^-3。因此，这些GAN纳米线系综中的施主束缚激子的非辐射衰减必须通过自由激子态间接发生。
2014-08-22 cond-mat.mes-hall
Cathodoluminescence of stacking fault bound excitons for local probing of the exciton diffusion length in single GaN nanowires
我们进行相关的研究，个别GAN纳米线的扫描电子显微镜结合低温阴极发光，microphotoluminescence，和扫描透射电子显微镜。我们发现，一些纳米线表现出良好的本地化区域的堆垛层错束缚激子（3.42 eV）的能量发射光，并能够观察到在这些区域中存在一个单一的堆垛层错。在堆垛层错附近的阴极射线发光信号的精确测量给出了接近这个位置的激子扩散长度。
2014-03-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Vapor-liquid-solid growth of serrated GaN nanowires: Shape selection driven by kinetic frustration
化合物半导体纳米线是几种纳米电子器件的有前途的构建块，但无法可靠地控制其生长形态是一个主要的挑战。在这里，我们报告了金催化的气液固（VLS）生长的GAN纳米线的控制生长方向，表面极性和表面粗糙度。我们开发了一个理论模型，涉及的生长形式的动力学挫折引起的V（N）/III（Ga）的比例在整个生长纳米线前的变化。模型预测验证的趋势所引起的系统变化的催化剂颗粒尺寸和加工条件的生长形态。我们的研究所强调的形状选择的原则铺平了道路，技术相关的化合物半导体纳米线的形态控制。
2013-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coupling of exciton states as the origin of their biexponential decay dynamics in GaN nanowires
利用时间分辨光致发光光谱，我们探讨了GAN纳米线系综中束缚激子和自由激子的瞬态行为。我们调查样品具有不同的直径分布，并表明，在每种情况下观察到的施主束缚激子的显着双指数衰减是不是由纳米线表面。在较长的时间内，单个激子跃迁以共同的寿命衰减，这表明相应的激子态之间存在强耦合。一个系统的非线性速率方程，考虑到这种耦合直接再现实验观察到的双指数衰减。
2013-08-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Statistical analysis of the shape of one-dimensional nanostructures: determining the coalescence degree of spontaneously formed GaN nanowires
在给定衬底上自发形成的单个GAN纳米线代表没有任何扩展缺陷的纳米级单晶。然而，由于如此形成的GAN纳米线系综的高面积密度，个别纳米线与其紧邻的其它纳米线聚结。这种聚结过程可能会引入应变和结构缺陷，由于纳米线的几何形状，挫败了无缺陷材料的想法。为了研究这一过程的后果，需要对纳米线系综的聚结进行定量测量。我们推导出客观的标准来确定GAN纳米线系综的聚结程度。这些标准是基于观察到的横截面形状的面积-周长关系，特别是它们的圆度。采用这些标准，我们区分单一的纳米线从合并的聚集在一个合奏，确定两者的直径分布，并最终分析纳米线合奏的合并程度与填充因子的增加。
2014-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.data-an
Coexistence of quantum-confined Stark effect and localized states in an (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructure
我们分析了单一的GAN纳米线与（In，Ga）N插入使用显微光致发光和阴极发光光谱的发射。的发射光谱是由一个绿色的发光带，强烈的蓝移与激发密度增加为主。结合有限元模拟的结构，以获得压电极化，这些结果表明，我们的（In，Ga）N/GAN纳米线异质结构的量子限制斯塔克效应。在光谱中，这不与激发密度移位的其他尖锐的峰，是由于在三元（In，Ga）N合金的成分波动所创建的本地化状态的发射。
2011-09-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A physical model for the reverse leakage current in (In,Ga)N/GaN light-emitting diodes based on nanowires
研究了分子束外延（In，Ga）N/GAN纳米线系综发光二极管（LED）反向漏电流高的原因。为此，电容深能级瞬态谱（DLTS）和温度依赖的电流-电压（I-V）的测量上进行了充分处理的NW-LED。DLTS测量揭示了在p-i-n结的耗尽区存在两个不同的高浓度电子陷阱。这些带隙态位于导带最小值以下的$570\pm20$和$840\pm30$ meV的能量处。讨论了这些深能级态的物理起源。随温度变化的I-V特性，83和403 K之间获得的，表明不同的导电机制导致所观察到的漏电流。在所有这些结果的基础上，我们开发了一个定量的物理模型，在反向偏压制度的电荷输运。通过考虑可变范围跳跃和库仑陷阱态的电子发射的相互作用，后者由声子辅助隧穿和Poole-Frenkel效应描述，我们可以用一组一致的参数在整个温度范围内模拟实验I-V曲线。我们的模型也适用于平面GaN基LED。此外，提出了降低近场发光二极管漏电流的可能途径。
2015-11-11 cond-mat.mes-hall
Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire
半导体纳米线在纳米电子学和光电子学领域有着广泛的应用。氮化镓（GAN）纳米线的应变场可以显着改变时，接触施加到他们形成一个最终的设备，特别是考虑到GAN的压电性能。研究金属接触对纳米线结构的影响对于纳米线在实际器件中的应用具有重要意义。我们研究了一系列不同类型的接触和所施加的偏压对接触的GAN纳米线的影响，接触的长度约为3至4微米，具有两种不同的直径为200 nm和350 nm。结果表明，直径为200 nm的纳米线已经通过与衬底的相互作用而弯曲。对于所有的GAN纳米线，显着的结构变化后，接触沉积。我们的研究结果可能有助于未来的GAN纳米线的光电应用。
2021-08-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ultrathin GaN Nanowires: Electronic, Thermal, and Thermoelectric Properties
我们提出了一个全面的计算研究的电子，热，和热电（TE）特性的氮化镓纳米线（NW）在很宽的范围内的厚度（3- 9 nm），掺杂密度（$10^{18}$ -$10^{20}$ cm $^{-3}$），和温度（300- 1000 K）。我们基于系综Monte Carlo输运模拟结合泊松方程和薛定谔方程的自洽解计算了低场电子迁移率。我们使用弛豫时间近似和Poisson-Schrodinger解算器来计算电子塞贝克系数和热导率。晶格热导率的计算使用声子系综蒙特卡罗模拟，与高斯自相关函数描述的真实空间粗糙表面。在整个温度范围内，塞贝克系数增加，而晶格热导率随着线截面的减小而减小，这两者都预示着薄GAN纳米线的TE应用。然而，在室温下，这些好处最终克服了表面粗糙度散射的电子迁移率在非常薄的纳米线的不利影响。最高的室温$ZT$为0.2的4 nm厚的纳米线，而进一步缩小退化。相反，在1000 K，由于极性光学声子散射和多个子带的优势，电子迁移率随NW厚度的变化很弱，有助于运输，所以$ZT$随着限制的增加而增加，达到0.8最佳掺杂的3 nm厚的纳米线。当温度超过1000 K时，GAN纳米线的$ZT$会随着温度的升高而增加，这进一步强调了它们对高温TE应用的适用性。
2014-05-20 cond-mat.mes-hall
Fringe field control of one-dimensional room temperature quantum transport in site controlled AlGaN/GaN lateral nanowires
我们已经证明了有效的边缘场控制的一维电子气（1-DEG）在AlGaN/GAN横向纳米线。纳米线的位置控制和形成的干法和各向异性湿法蚀刻的组合。纳米线尺寸被很好地控制，并且可以具有10 μ m/5 nm或更大的非常高的长/宽纵横比。输运由条纹门控制，并显示室温量子输运，其中1-D子带的逐渐填充表现为在晶体中的振荡。边缘栅的阈值电压耗尽的一维电子气被发现增加，增加漏极电压表示有效的控制1-DEG。除了传统的几何电容，考虑到量子电容的传输特性和边缘场操作的解释。讨论了纳米线宽度和边缘栅位置对器件性能的影响。
2016-06-08 cond-mat.mes-hall quant-ph
Nanoscale Effects on Heterojunction Electron Gases in GaN/AlGaN Core/Shell Nanowires
对GAN/AlGaN核壳结构的六边形和三角形截面纳米线异质结电子气的电子性质进行了理论研究。我们发现，在纳米尺度下，非极性六方晶系在六角处呈现出简并的准一维电子气，在较低的掺杂下过渡到以核为中心的电子气。相比之下，极性三角形核/壳纳米线的极性面或一个单一的准一维电子气的极性面相对的角落，取决于终止的极性面上的非简并电子气。更一般地说，我们的研究结果表明，在封闭的纳米系统中的电子气体是定性的不同，从他们的散装同行。
2011-06-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
UV Photosensing Characteristics of Nanowire-Based GaN/AlN Superlattices
我们已经表征了单个GAN纳米线的光电探测能力，将20个周期的AlN/GAN：Ge轴向异质结封装在AlN壳中。透射电子显微镜证实周围的异质结构的额外的GAN壳的情况下。在没有表面导电沟道的情况下，异质结构的引入导致暗电流的降低和光敏性的增加。不同的单纳米线的暗电流的大小的一个显着的分散体是由于纳米线与位移纳米盘的聚结，减少了异质结构的有效长度。在电流路径中较大数量的有源纳米盘和AlN势垒导致较低的暗电流和较高的光敏性，并且提高了纳米线对照明强度变化的灵敏度（提高的线性度）。此外，我们观察到的光电流的持久性，这是由于整个结构的电阻的变化，特别是GAN茎和帽部分。因此，时间响应与暗电流无关。
2017-06-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effect of the nanowire diameter on the linearity of the response of GaN-based heterostructured nanowire photodetectors
纳米线光电探测器的研究，因为它们与灵活的电子产品的兼容性，或用于实现芯片上的光学互连。这种器件的特点是光电流增益很小，但其光响应与光功率呈次线性关系。在这里，我们提出了一个单纳米线光电探测器显示线性响应紫外线照明的研究。它们的结构由结合AlN/GAN/AlN异质结构的GAN纳米线组成，其产生内部电场。的异质结构的活动被证实的整流行为的电流-电压特性在黑暗中，以及由光响应的幅度和线性的不对称性。在反向偏置（GAN帽部分上的负偏置）下，当纳米线直径低于特定阈值（$\approx$ 80 nm）时，检测器与撞击光功率线性地表现，这对应于由于侧壁处的费米能级钉扎而导致的纳米线茎的总耗尽。在只有部分耗尽的纳米线的情况下，它们的非线性是由它们的中心导电通道的直径在照明下的非线性变化来解释的。
2019-04-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Pseudomagnetic fields and strain engineering: graphene on GaN nanowires
具有不同形态的氮化镓纳米线和纳米棒衬底是允许控制它们顶部的石墨烯膜中的局部应变分布的有前景的平台，从而导致伪磁场的诱导。在Hybrid模式下进行的原子力显微镜测量，辅以扫描电子显微镜，可以详细观察石墨烯表面上的应变分布。与支撑区域直接接触的石墨烯是拉伸应变的，而位于两者之间的石墨烯的特征在于较低的应变。特征拉伸应变褶皱也出现在支撑区域之间的区域中。应变分布的详细分析表明，应变梯度和支持区边界之间的距离呈正相关关系。通过拉曼光谱分析谷内散射增强对D'带强度的影响，证实了上述结果。此外，扫描隧道光谱显示了石墨烯褶皱附近的态密度的局部修改和弱本地化测量表明伪磁场诱导的散射的增强。因此，我们表明，纳米线和纳米棒基板提供应变工程和诱导的伪磁场在石墨烯。通过改变支撑区域之间的距离来控制石墨烯形态，对于进一步的基础研究和探索制造基于伪磁场的器件（如传感器或滤波器）的创新方法都是有希望的。
2021-07-31 cond-mat.mes-hall
Surface acoustic wave modulation of single photon emission from GaN/InGaN nanowire quantum dots
片上量子信息处理需要可控的量子光源，其可以按需高速操作，并且具有原位控制光子发射波长及其光学偏振性质的可能性。在这里，我们报告的动态控制的光发射从核-壳GAN/InGaN纳米线（NW）异质结构使用射频表面声波（SAW）。SAW被激发的表面上的一个压电的锂离子酸盐晶体配备了SAW延迟线，其上的NW被机械转移。发光量子点（QD）类激子局域化中心诱导的InGaN纳米壳层内的成分波动，确定使用频闪显微光致发光（micro-PL）光谱。它们表现出狭窄的，几乎完全线性偏振的发射线的微PL光谱和一个显着的反聚束签名的单光子发射的光子相关实验。当纳米线被传播的SAW扰动时，嵌入的QD被周期性地应变，并且其激子跃迁被声-机械耦合调制，从而在~330 MHz的声学频率下在~1.5 meV带宽内产生光谱微调。该结果可以进一步与光谱检测滤波相结合，用于发射光子的时间控制。观察到SAW压电场对量子点电荷布居和光偏振度的影响。相对于其他控制方案，声光电的优点在于其允许在宽频率范围（高达GHz频率）上原位操纵光发射特性。
2019-02-21 cond-mat.mes-hall
Observation of Disorder State Coupling to Excitons in InGaN Disks in GaN Nanowires
GAN纳米线中的InxGa 1-xN盘（DINW）已经成为一种不使用磷光体的片上可调谐可见光谱发射的可行技术。在这里，我们提出了一个研究的光发射和吸收动力学DINWs，结合了背景无序状态的重要作用。我们发现，在系统中的光发射是由量子限制激子，然而激子耦合到一个大密度的背景无序态。在我们的样品的光激发之后，观察到从无序状态到激子的快速非辐射衰减（与其他衰减速率例如自发发射相比），这对于在未来的设计工作中增加系统的亮度是有利的。
2018-04-05 cond-mat.mes-hall physics.optics
Hybrid Electrothermal Simulation of a Three-Dimensional Fin-Shaped Field-Effect Transistor Based on GaN Nanowires
近年来，三维GaN基晶体管因其显著提高的输出功率、更好的栅极可控性和更短的沟道以实现加速和小型化而得到了广泛的研究。然而，在热模拟中，使用传统的傅立叶定律和块体材料特性，这样的器件的热分析通常被过度简化。在这方面，可以通过耦合的声子和电子蒙特卡罗模拟来实现精确的温度预测，该模拟跟踪各个声子和电子的运动和散射。然而，沉重的计算负荷往往限制这种模拟纳米器件，而真正的芯片是毫米到厘米的大小。这个问题可以通过一种混合模拟技术来解决，该技术对远离热点的区域采用傅立叶定律。使用这种技术，精确的MEMS模拟进行了基于GAN晶体管，以揭示这种设备的温度上升。
2017-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Top-down fabrication of ordered arrays of GaN nanowires by selective area sublimation
我们展示了自上而下的GAN纳米线阵列的制造，通过选择性区域升华的预图案化的GAN（0001）层的氢化物气相外延Al $_{2}$ O $_{3}$。在相同条件下同时产生纳米线直径和间距分别为50至90 nm和0.1至0.7 $μ$ m的阵列。用反射高能电子衍射和视线四极质谱分析了\emph{in situ}在高真空条件下的升华过程。在升华过程中，GAN（0001）表面消失，让位于半极性$\lbrace1\bar{1}03\rbrace$小面的形成，所述小面按照阿雷尼乌斯温度依赖性全等地分解，其中活化能为（$3.54 \pm 0.07$）eV并且$1.58\times10^{31}$原子的指数前因子为cm $^{-2}$ s $^{-1}$。低温阴极发光光谱的样品的分析表明，在干蚀刻，升华过程中不引入非辐射复合中心的纳米线侧壁。该技术适用于自上而下制造各种有序纳米结构，并可能扩展到具有类似晶体学性质的其他材料系统，如ZnO。
2019-05-13 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Quench, Glow, or Stay Silent: Distance-Controlled Up-Conversion Emission near Metallic Nanowires
Nicolaus Copernicus University in Toruń（托伦哥白尼大学）；Université Bourgogne Europe, CNRS, Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ICB UMR 6303（勃艮第欧洲大学、法国国家科学研究中心、勃艮第跨学科卡诺实验室）；Institute of Physical Chemistry Polish Academy of Sciences（波兰科学院物理化学研究所）；Wroclaw University of Science and Technology（弗罗茨瓦夫科技大学）
研究通过控制NaYF4:Er3+/Yb3+纳米晶体与金属纳米线间距，去除纳米线残留聚合物层并换用聚合物间隔层，实现三种不同相互作用机制转换，为设计功能性纳米光子和传感结构提供基础。
2026-07-07 cond-mat.mes-hall physics.optics
Observation of dielectrically confined excitons in ultrathin GaN nanowires up to room temperature
本研究制备了直径低至6 nm的裸GaN纳米线，利用其与真空的介电失配实现强介电限制激子，在室温下获得高辐射效率，为先进低维结构制备提供基础。
2024-01-30 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Correlation between In content and emission wavelength of InGaN/GaN nanowire heterostructures
采用分子束外延技术生长了具有轴向InGaN多量子阱结构的GAN纳米线系综。在一系列样品中，我们改变了在MQW中的In含量从几乎为零到约20%。在纳米线系综内，多量子阱的组成和尺寸波动很大。从X-射线衍射和拉曼光谱获得关于组合物的统计信息。在室温下的光致发光得到的范围从2.2 eV到2.5 eV取决于In含量。与平面多量子阱相反，强度随着In含量的增加而增加。我们比较所观察到的发射能量与从一维模型获得的跃迁能量，并得出结论，载流子本地化的几种机制影响这些三维结构的发光。
2012-10-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Bias-controlled spectral response in GaN/AlN single-nanowire ultraviolet photodetectors
我们提出了一个嵌入式GAN/AlN超晶格的GAN单纳米线紫外光电探测器的研究。异质结构的尺寸和掺杂分布被设计成这样一种方式，即正或负偏压的应用导致从GAN/AlN超晶格或从GAN基的光生载流子的收集的增强，分别由电子束-感应电流测量证实。在正/负偏压下，器件在紫外A（$\approx$ 330-360 nm）/ B（$\approx$ 280-330 nm）光谱窗口中显示出增强的响应。的结果是解释的光电流测量与扫描透射电子显微镜观察相同的单根纳米线，和半经典模拟的应变和能带结构在一个和三个维度的相关性。
2017-10-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Absence of quantum-confined Stark effect in GaN quantum disks embedded in (Al,Ga)N nanowires grown by molecular beam epitaxy
平面（Al，Ga）N基深紫外发光二极管的几个关键问题可以通过利用纳米线异质结构来克服，表现出高的结构完美性和改善的光提取。本文研究了用等离子体辅助分子束外延方法在Si（111）衬底上生长的GAN/（Al，Ga）N纳米线系综的自发发射。纳米线包含嵌入在长（Al，Ga）N纳米线段中的单个GAN量子盘，这对于有效的光提取至关重要。这些量子盘被发现在出乎意料的高能量下表现出强烈的发射，即显著高于GAN带隙，并且几乎与盘的厚度无关。深入调查的实际结构和组成的纳米线揭示了自发形成的Al梯度沿和跨纳米线，导致在一个复杂的核/壳结构与Al缺乏的核心和富铝壳连续变化的Al含量沿整个长度的（Al，Ga）N段。这种沿纳米线生长轴的组成变化引起壳的极化掺杂，导致盘中的简并电子气，从而屏蔽内置电场。高载流子密度不仅导致出乎意料的高跃迁能量，而且辐射寿命仅弱地依赖于温度，导致GAN量子盘的相对高的内部量子效率直到室温。
2019-08-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
High resolution spectroscopy and narrow resonances from InGaN quantum dots in GaN nanowires
报道了GAN纳米线中InGaN量子点系综的高分辨相干非线性光谱。数据显示，在低温下，由于铟波动效应的不均匀加宽，共振激光场和量子点激子之间存在明显的类原子相互作用，这在线性吸收光谱中难以观察到。我们发现，非线性信号在室温下持续强烈。稳健的类原子室温响应表明，这种材料可以作为拟议的激子应用的平台，而无需低温。
2016-02-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Large excitonic binding energy in GaN based superluminescent light emitting diode on naturally survived sub-10 nm lateral nanowires
我们展示了一种新的方法，纳米线形成的自然选择过程中，在沸腾的磷酸湿法化学蚀刻。观察到，在湿法蚀刻期间自然形成了小于10 nm的线横向尺寸和700 nm或更长的长度。通过蚀刻时间控制尺寸变化，其中根本原因是附近的晶体学六边形蚀刻坑的合并。涉及激子的发射过程被发现是有效的，并导致增强的发射特性。激子结合能通过使用量子限制而增强，由此强制电子-空穴波函数的更大重叠。幸存的纳米线几乎是无缺陷的，具有约45 meV的大激子结合能和输出电致发光光的小温度变化。我们已经观察到这些纳米线上形成的LED的超发光行为。在电流密度达到400 A/cm 2之前，没有可观察到的效率下降。因此，本工作提供了一种创新的和成本效益的方式形成的纳米线上的器件制造，并证明了立即实现的性能增强。
2015-03-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
