We study the low-temperature behavior of antiferromagnets in two spatial dimensions that are subjected to a magnetic field oriented perpendicular to the staggered magnetization order parameter. The evaluation of the partition function is carried to two-loop order within the systematic effective Lagrangian technique. Low-temperature series that are valid in weak magnetic and staggered fields are derived for the pressure, staggered magnetization, and magnetization. Remarkably, at $T$=0, the staggered magnetization is enhanced by the magnetic field, implying that the phenomenon of magnetic catalysis also emerges in antiferromagnetic films.
Photo-induced Antiferromagnetic-ferromagnetic Transition and Electronic Structure Modulation in GdBaCo$_2$O$_{5.5}$ Thin Film
利用时间分辨X射线磁性圆二色反射谱（XMCDR）和共振磁性X射线衍射（RMXD）研究了强关联氧化物系统GdBaCo $_2$ O $_{5.5}$薄膜的铁磁（FM）和反铁磁（AFM）超快动力学.观察到光致AFM-FM转变，其特征在于瞬态XMCDR超过未泵浦值的增加和RMXD的衰减。瞬态XMCDR和反射率的光子能量依赖性可能被解释为伴随的光诱导自旋态转变。
Reorientation of the bicollinear antiferromagnetic structure at the surface of Fe$_{1+y}$Te bulk and thin films
建立非常规超导体的非超导母体化合物中普遍存在的反铁磁性与其超导相之间的关系，被认为是理解这些材料中复杂物理的重要因素。从块体系统到薄膜的发展强烈地影响了非常规超导体的相图。对于Fe $_{1+y}$ Se $_{1-x}$ Te $_x$超导体的母体化合物Fe $_{1+y}$ Te，体敏中子衍射揭示了面内取向的双共线反铁磁结构。在这里，我们表明，通过自旋分辨扫描隧道显微镜，在体Fe $_{1+y}$ Te的表面上，以及在拓扑绝缘体Bi $_2$ Te $_3$上生长的薄膜上，自旋方向倾斜远离表面平面和表面单元格的高对称性方向，同时保持双共线磁性结构。我们的研究结果表明，在Fe-硫属化物表面的磁性显着偏离一个简单的面内取向的双共线反铁磁结构，这意味着在相关的超导化合物的表面的配对可能是不同的，在体。
Photoinduced Transient States of Antiferromagnetic Orderings in La${}_{1/3}$Sr${}_{2/3}$FeO${}_{3}$ and SrFeO${}_{3}$ Thin Films Observed through Time-resolved Resonant Soft X-ray Scattering
本文研究了反铁磁钙钛矿中磁相互作用与光生动力学之间的关系。在La ${}_{1/3}$ Sr ${}_{2/3}$ FeO ${}_{3}$薄膜中，相称的自旋有序伴随着电荷反对称，而SrFeO ${}_{3}$薄膜由于与La ${}_{1/3}$ Sr ${}_{2/3}$ FeO ${}_{3}$相比增加的铁磁耦合而显示不相称的螺旋反铁磁自旋有序。为了理解这些材料中的光致自旋动力学，我们通过时间分辨共振软X射线散射研究了自旋有序。在La ${}_{1/3}$ Sr ${}_{2/3}$ FeO ${}_{3}$中，观察到Fe原子间的电荷转移引起的磁有序在130 fs以内的非热过程的超快淬灭.我们比较了SrFeO ${}_{3}$的螺旋磁有序的光诱导动力学。我们发现，通过光诱导电荷转移的磁耦合的变化可以提供一个更有效的通道的自旋序操纵。
Unconventional anomalous Hall effect from antiferromagnetic domain walls of Nd2Ir2O7 thin films
铁电畴壁（DW）创建不同的对称性和有序状态相比，在单畴块体材料。特别是，具有非共面自旋结构的反铁磁（AFM）的DW具有明显的对称性，这在它们的铁磁对应物中是无法实现的。在本文中，我们表明，一个非常规的异常霍尔效应（AHE）可以产生从DW的非共面原子力显微镜，Nd 2 Ir 2 O 7。块体Nd 2 Ir 2 O 7具有立方对称性;因此，在没有施加磁场的情况下，其霍尔信号应该为零。在这种材料中产生的DW打破了双重旋转对称性，这允许有限的异常霍尔电导率。Nd和Ir磁矩之间的强f-d交换相互作用显著影响反铁磁畴翻转。我们的外延Nd 2 Ir 2 O 7薄膜表现出大的增强AHE信号时，AFM域切换，表明AHE主要是由于DW。我们的研究突出了原子力显微镜材料的对称破缺界面作为探索拓扑效应及其相关应用的新手段。
Coexistence of Antiferromagnetic Spin Fluctuations and Superconductivity in La2SmNi2O7 Thin Films
ShanghaiTech University（上海科技大学）；Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences（中国科学院上海高等研究院）；Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）
Direct imaging and control of Berry curvature in noncollinear antiferromagnetic single-crystal thin films
University of Wisconsin-Madison（威斯康星大学麦迪逊分校）；University of California, Irvine（加州大学尔湾分校）；University of Nebraska, Lincoln（内布拉斯加大学林肯分校）；University of Oxford（牛津大学）；University College London（伦敦大学学院）；STFC Rutherford Appleton Laboratory（英国科学与技术设施委员会鲁瑟福阿普尔顿实验室）
Indication of antiferromagnetic interaction between paramagnetic Co ions in the diluted magnetic semiconductor Zn$_{1-x}$Co$_{x}$O
采用X射线磁性圆二色性（XMCD）技术研究了ZnO（0001）衬底上不同氧分压下同质外延生长的Zn $_{1-x}$ Co $_x$ O（$x=0.07$和0.10）薄膜在Co $2p$芯能级吸收边的磁性.吸收光谱的线形在所有的膜中是相同的，并且表明Co $^{2+}$离子取代了Zn位点。的磁场和温度的XMCD强度的依赖性是一致的磁化强度测量，表明除了钴有没有额外的来源的磁矩，并证明在同质外延Zn $_{1-x}$ Co $_{x}$ O薄膜的顺磁和铁磁成分的共存，相反，在异质外延Zn $_{1-x}$ Co $_{x}$ O薄膜的铁磁性先前研究。利用Curie-Weiss定律对XMCD的强度进行了分析，发现顺磁性Co离子之间存在反铁磁相互作用。缺失的XMCD强度和磁化强度信号表明，大多数的Co离子是非磁性的，可能是因为它们是强耦合的反铁磁彼此。在高真空中退火降低了顺磁和铁磁信号。我们将还原归因于Zn $_{1-x}$ Co $_{x}$ O中Co离子与反铁磁纳米团簇的热扩散和聚集。
Spatially Selective and Reversible Doping Control in Cuprate Films
我们描述了一种可逆的，空间控制的铜氧化物薄膜掺杂方法。该技术已被用于创建超导体-反铁磁绝缘体-超导体（S-AFI-S）结和最佳掺杂超导体-欠掺杂超导体-最佳掺杂超导体（OS-US-OS）铜酸盐结构。我们演示了如何S-AFI-S结构可以用来可靠地测量在低温下使用超导体作为无缝电引线的反铁磁绝缘体区域的输运性质。我们还讨论了应用和基本的问题，可以解决与这种掺杂方法创建的结构。虽然在本工作中它是在铜氧化物膜（YBa 2Cu 3 O 7-δ）上实施的，但是该方法也可以应用于其物理性质由氧含量决定的任何混合价过渡金属氧化物。
Selective stabilization of antiferromagnetic orders in FeTe films via local strain engineering
Beijing Academy of Quantum Information Sciences（北京量子信息科学研究院）；School of Physics, Renmin University of China（中国人民大学物理学院）；Key Laboratory of Quantum State Construction and Manipulation (Ministry of Education), Renmin University of China（中国人民大学量子态构建与操控教育部重点实验室）；Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）
