Phase diagram and neutron spin resonance of superconducting NaFe$_{1-x}$Cu$_x$As
我们利用输运和中子散射研究了NaFe $_{1-x}$ Cu $_x$ As单晶的电子相图和自旋激发。与Co和Ni掺杂的NaFeAs类似，在$x\approx2\%$附近出现了体超导相，抑制了NaFeAs中的条形磁序。当进一步增加Cu浓度时，系统变得绝缘，最终在$x\approx 50\%$附近的反铁磁有序绝缘相。利用输运测量，我们证明了在NaFe $_{1-x}$ Cu $_x$ As中的电阻率在$x\approx1.8\%$附近表现出非费米液体行为。我们的非弹性中子散射实验揭示了在NaFe $_{0.98}$ Cu $_{0.02}$ As中沿$c$ -轴的单中子自旋共振模式表现出弱色散.相对于超导转变温度$T_{\rm c}$，共振的能量较高，但强度较弱，可能是由杂质效应引起的。这些结果与其他铁磷属元素化物超导体相似，尽管NaFe $_{1-x}$ Cu $_x$ As中的超导相连续地连接到$x\approx 50\%$附近的反铁磁有序绝缘相，并具有显著的电子关联。因此，电子关联是NaFe、$_{1-x}$、Cu、$_x$、As等铁磷属元素化物超导电性的重要组成部分。
2017-01-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase Diagram and Calorimetric Properties of NaFe$_{1-x}$Co$_x$As
测量了NaFe $_{1-x}$ Co $_x$ As单晶的电阻率和磁化率，绘制了相图。Co替代Fe抑制了结构和磁性转变，同时提高了超导转变温度（$T_{\rm c}$）和超导组分分数。所有超导样品的磁化率在500 K以下的高温下都表现出温度线性关系，但对于非超导过掺杂晶体，这种行为突然消失，表明超导性与磁化率的T线性关系密切相关。对最佳掺杂晶体超导态比热的分析表明，该晶体具有两带s波序参量，带隙振幅分别为$Δ_1(0)/k_{\rm B}T_{\rm c}$ = 1.78和$Δ_2(0)/k_{\rm B}T_{\rm c}$ =3.11，与角分辨光电子能谱实验所揭示的无节带隙对称性相一致.
2012-04-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electron Mass Enhancement near a Nematic Quantum Critical Point in NaFe$_{1-x}$Co$_{x}$As
在零温度（$T$）下，通过掺杂载流子或在量子临界点（QCP）处施加压力，可以完全抑制磁序，在量子临界点（QCP）附近，物理性质发生急剧变化。然而，对于破坏旋转对称性的电子有序，情况还不清楚。在这里，我们报告的核磁共振（NMR）研究NaFe $_{1-x}$ Co $_{x}$ As的磁和磁跃迁分离良好。核磁共振谱对涡旋状态下的不均匀磁场敏感，这与测量电子质量$m^*$的伦敦穿透深度$λ_{\rm L}$有关。我们发现了$λ_{\rm L}^2$（$T\sim$ 0）的掺杂依赖性中的两个峰;一个在$x_{\rm M}$ =0.027处，其中自旋-晶格弛豫速率显示量子临界行为，另一个在$x_{\rm c}$ =0.032处，在其附近，相变温度外推到零并且电阻率显示$T$ -线性变化。我们的结果表明，一个超导QCP位于超导圆顶下的$x_{\rm c}$，$m^*$增强。讨论了涨落对超导电性的影响。
2018-10-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic resistivity of Na$_{1-δ}$Fe$_{1-x}$Co$_x$As
本文研究了砷化铁超导体Na $_{1-δ}$ Fe $_{1-x}$ Co $_x$ As单晶中电流沿$ρ_a (T)$和横截$ρ_c (T)$两个方向的电阻率随温度的变化。与化学计量NaFeAs相比，掺杂Co增加了该化合物与环境反应的稳定性，并抑制了$ρ_a(T)$和$ρ_c(T)$中的许多特征。$ρ_a (T)$与$x$的演变遵循在其他磷属元素化物超导体中观察到的普遍趋势，表现出接近最佳掺杂的$T$ -线性温度依赖性和$T^2$依赖于进一步掺杂的发展。母体化合物中的$ρ_c (T)$显示出非单调行为，从室温冷却到$\sim$ 80 K时非金属电阻率增加到低于该温度时金属电阻率降低。$ρ_a (T)$和$ρ_c (T)$在$T>$ 80 K下均显示出几种相关的交叉样特征.尽管Co掺杂样品中的平面间电阻率的总体趋势是更多的金属行为，但从绝缘行为到金属行为的交叉温度（80 K）不会随着掺杂而改变太多。
2012-08-17 cond-mat.supr-con
Anisotropic resistivity and Hall effect in MgB2 single crystals
本文报道了MgB_2单晶正常态和超导态的电阻率和霍尔效应测量结果。已发现电阻率是各向异性的，具有约3.5的略微温度依赖的电阻率比。霍尔常数，与磁场平行的Mg和B片是负的，与沿c轴指向的场的孔状霍尔响应相反，指示两种类型的载流子的存在，因此，MgB 2的多带电子结构。混合态中的霍尔效应没有出现符号变化的反常现象，再现了干净极限II型超导体中的霍尔效应行为。
2002-04-10 cond-mat.supr-con
Universal scaling of the Hall resistivity in MgB2 superconductors
在100 ~ 10000 A/cm ^2的电流密度范围内，研究了超导MgB_2薄膜的混合态霍尔电阻率和纵向电阻率随磁场的变化。我们观察到一个普遍的霍尔标度行为与常数指数为2.0，这是独立的磁场，温度和电流密度。这一结果可以在最近的理论背景下得到很好的解释。
2002-02-27 cond-mat.supr-con
Observation of a non-Ohmic Hall resistivity above the critical temperature in the high-temperature superconductor YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-δ}$
本文研究了最佳掺杂的YBaPDMATHABMM CuPDMATHABMN O $_{7-δ}$薄膜在正常态和超导转变上部的电阻率和霍尔效应随电场和温度的变化。使用快速脉冲电流技术允许减少样品的自加热，并达到高达1 kV/cm的电场。揭示了霍尔电导率在临界温度以上的固有非欧姆行为，该行为似乎源于两种不同的部分抵消效应。主要的贡献源于抑制Aslamazov-Larkin超导波动在高电场。
2009-03-04 cond-mat.supr-con
Normal-State Hall Effect and the Insulating Resistivity of High-T_c Cuprates at Low Temperatures
用61 T脉冲磁场抑制超导电性的方法测量了掺La的Bi_{2}、Sr_{2}、CuO_{y}（T_c \simeq 13 K）单晶和La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}薄膜的正常态霍尔系数RH和面内电阻率ρ {ab}。与T_c以上的数据相反，在\sim 10 K以下，无论ρ_{ab}表现为绝缘还是金属行为，所测得的所有样品的R_H都几乎没有温度依赖性。因此，无论何种物理机制在低温正常状态下产生绝缘行为，它都会使霍尔电导率相对不变。
1997-10-15 cond-mat.supr-con
Universal scaling of Hall resistivity in clean and moderately clean limits for Hg- and Tl-based superconductors
研究了HgBa_{2} CaCu_{2} O_{6}、HgBa_{2} Ca_{2} Cu_{3} O_{8}和Tl_{2} Ba_{2} CaCu_{2} O_{8}薄膜的混合态霍耳电阻率和纵向电阻率随磁场的变化关系。我们观察到在清洁和中等清洁范围内ρ xy和ρ xx之间的普适标度行为。标度指数β在高场和低温下的清洁极限为1.9，而在低场和高温下的适度清洁极限为1.0，这与基于涡核中间隙态的理论一致。这一发现意味着霍尔电导率在汞基和铊基超导体中也是普遍的。
1999-05-14 cond-mat.supr-con
Resistivity and Hall effect of LiFeAs: Evidence for electron-electron scattering
LiFeAs在FeAs基超导体的大家族中是独特的，因为它在环境条件下具有相当大的$T_c\simeq 18$ K，尽管它是化学计量的化合物。我们研究了高质量单晶的电输运。电阻率在低温下呈二次温度依赖性，证明了强的电子-电子散射和室温附近的饱和趋势。霍尔常数是负的，并随温度而变化，这很可能是由于范霍夫奇点接近费米能的一个空穴带。使用基于角分辨光电子能谱的能带结构计算，我们能够再现电阻率和霍尔效应数据的所有基本特征。
2011-09-06 cond-mat.supr-con
Doping dependence of upper critical field and Hall resistivity in LaFeAsO1-xFx
用60 T脉冲磁体测量了LaFeAsO_（1-x）Fx在0 =< x =< 0.14范围内的电阻率（Rxx）和霍尔电阻率（Rxy）。虽然超导相图（Tc，x）显示了经典的圆顶形结构，我们发现，电阻上临界场（Hc 2）单调增加，随着氟浓度的降低，与最大的Hc 2>= 75 T x = 0.05。这让人想起在高Tc的铜酸盐的组合物的依赖性，并可能与开放的一个伪间隙中的欠掺杂区域。此外，超导样品的Hc 2（T）的温度依赖性可以根据多带超导性来理解。非超导样品的Rxy数据显示出非线性场依赖性，这也与多载波情况一致。
2009-04-13 cond-mat.supr-con
The magnetoresistance and Hall effect in CeFeAsO: a high magnetic field study
利用美国洛斯阿拉莫斯实验室的脉冲磁场装置，在45 T的磁场下，同时测量了CeFeAsO的纵向电阻率和横向霍尔电阻率。在Ts \approx 150 K处，当穿过结构相变时，在磁阻Rxx（μ 0 H）和霍尔电阻Rxy（μ 0 H）中观察到不同的行为。在高于Ts的温度下，几乎没有观察到磁阻，并且霍尔电阻率遵循线性场依赖性。在冷却到低于Ts的系统，大的磁阻发展和霍尔电阻率偏离线性场依赖。此外，我们发现，在Ts的过渡是非常强大的对外部磁场。我们认为CeFeAsO中的磁态不太可能是传统类型的自旋密度波（SDW）。
2011-01-17 cond-mat.supr-con
Non-linear Hall resistivity in overdoped Pr$_{1.82}$Ce$_{0.18}$CuO$_{4 + δ}$ electron-doped cuprate
本文在过掺杂PCCO薄膜中测量了由双载流子模型预言的非线性霍尔电阻率，发现该弱非线性项在所有温度下持续存在且强烈依赖温度，并通过分析得出电子密度大于空穴密度但空穴迁移率更高的结论。
2024-10-13 cond-mat.supr-con
Scaling of the Hall Resistivity in the Solid and Liquid Vortex Phases in Twinned Single Crystal YBCO
纵向和霍尔电压测量在一个干净的孪生YBCO单晶在液体和固体涡旋相。对于偏离c轴超过2度的磁场，标度律|rho_xy| =A（rho_xx）^beta，其中beta近似为1.4的观察，这是不受涡格熔化过渡。涡旋固体霍尔电导率是非线性的，在低温下发散到负值。当磁场与c轴对齐时，双边界关联无序修改标度律，并且β近似= 2.标度定律不受玻色玻璃化转变的影响。我们讨论的标度行为的尺寸依赖理论的金属导体中的渗流。
1999-06-18 cond-mat.supr-con
Model for the Hall resistivity and Hall-Lorenz ratio of YBa2Cu3O7-d
这篇论文已被撤回，因为它与cond-mat/0408613一起作为单独一章发表。
2008-10-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hall resistivity correlations in disordered electron-doped Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$ films
研究了电子掺杂Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜在反铁磁（AF）-超导（SC）相变附近和具有不同无序度（$δ$）的电阻率张量随混合态磁场的变化关系$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $[ρ_{xx}(B)]^β$. $β$从$x$ = 0.14时的1.2 $\pm$ 0.2降低到$x$ = 0.15时的0.6 $\pm$ 0.1，这表明在从欠掺杂到最佳掺杂区域的过渡处，在外部磁场中从各向异性$s$波到$d$波配对对称性的变化的证据。混合态中涡旋运动的幂律依赖性的特性可以与层状电子掺杂超导体中的非化学计量无序的某些特征相联系。
2016-11-23 cond-mat.supr-con
Scaling of Hall Resistivity in the Mixed State of MgB2 Films
详细研究了混合状态下MgB 2薄膜的纵向电阻率（rho_{xx}）和横向电阻率（rho_{xy}）。我们发现，在固定磁场H下，rho_{xx}和ρ_{xy}的温度依赖关系满足$ρ_{xy}=Aρ_{xx}^β$标度律，其中指数β随磁场的不同而在2.0附近变化。在低场区（低于1 T），由于涡旋的钉扎强度较弱，主要来自π带的超流，β保持恒定值2.0。当H> 1 T时，由于π带准粒子的扩散，β在2 T附近突然下降到最低值，因此σ带超流涡旋的运动主导了耗散。随着磁场的进一步增加，涡旋钉扎强度减弱，并且在高磁场下β单调增加到2.0。所得结果与多带超导体涡旋物理的理论预期相符。
2008-01-06 cond-mat.supr-con
Crystal structures and the sign reversal Hall resistivity in iron-based superconductors Lix(C3H10N2)0.32FeSe (0.15<x<0.4)
本文报道了两种铁基材料Li_（0.15）（C_3 H_（10）N_2）_（0.32）FeSe（P-4）和Li_x（C_3 H_（10）N_2）_（0.32）FeSe（P_4/nmm，0.25<x<0.4）的晶体结构、超导电性和正常态性质。确定的晶体结构揭示了超膨胀FeSe层内Li浓度和1，2-二氨基丙烷分子的起源之间的耦合。进一步用Lawence-Doniach模型对电阻率进行拟合，表明这两种超导体都属于准二维系统。随着温度的升高，晶体结构和掺杂水平的差异。第一性原理计算表明，FeSe层间距的增加将重构费米面，并在布里渊区的Gamma点附近产生新的空穴袋。我们的研究结果支持了二维度的增加将导致电子掺杂FeSe超导体的温度诱导Lifshitz转变。
2019-01-09 cond-mat.supr-con
Fermi Surface reconstruction and anomalous low temperature resistivity in electron-doped La2-xCexCuO4
在磁场高达14 T，温度低至1.8 K的条件下，测量了La_（2-x）Ce_xCuO_4薄膜的ab面霍尔效应和磁阻效应。在低温（1.8 K）正常态霍尔系数的一个显着的变化被发现附近的掺杂Ce=0.14。这与作为磁场的函数的非线性霍尔电阻一起表明费米表面在Ce= 0.14的临界掺杂下重构。一个竞争性的反铁磁相可能是费米面重构的原因。低温线性T电阻率在Ce=0.14处被发现，但不幸的是，在更高的掺杂下也是如此。我们将我们的数据与空穴掺杂铜氧化物中发现的类似行为进行比较，掺杂在赝能隙结束的地方
2017-06-23 cond-mat.supr-con
High-field Hall resistivity and magnetoresistance in electron-doped Pr_2-xCe_xCuO_{4-δ}
我们报道了电子掺杂Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$薄膜在高达58 T的磁场中的电阻率和霍尔效应测量结果。与空穴掺杂的铜氧化物相比，我们发现在最佳掺杂和过掺杂的薄膜中，霍尔电阻率在高场下具有令人惊讶的非线性磁场依赖性。我们还观察到一个交叉从二次线性场依赖性的正磁阻过掺杂薄膜。自旋密度波诱导的费米面重构模型可以定性地解释霍尔效应和磁电阻效应。
2007-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Scaling Behavior of Anomalous Hall Effect and Longitudinal Nonlinear Response in High-Tc Superconductors
在现有理论模型的基础上，考虑纵向非线性响应函数，导出了混合态霍尔电阻率随磁场、温度和外加电流变化的非线性方程。该方程使人们能够定量地比较实验数据与理论模型。我们还发现了一些新的霍尔电阻率的温度和场依赖性的标度关系。我们的理论曲线和实验数据之间的比较表明，一个公平的协议。
2001-07-03 cond-mat.supr-con
Normal state resistivity, upper critical field and Hall effect in superconducting perovskite $MgCNi_3$
本文研究了钙钛矿型超导体$MgCNi_3$（$T_c \approx 8 K$）的正常态磁导率、上临界场$H_{c2}$和霍尔系数$R_H$。在70 K以上，$ρ(T)$能很好地拟合Bloch-Grüneisen理论预测的曲线，与电子-声子散射一致。在弱耦合BCS理论下，估计$H_{c2}(0)$约为15.0特斯拉，超导相干长度$ξ(0)$约为47 Ω。$MgCNi_3$的$R_H$在整个温度范围内都是负的，这明确地表明$MgCNi_3$中的载流子是电子型的。$R_H$在$T_c$和$\sim$ 140 K之间不受温度影响。高于$\sim$ 140 K，$R_H$的大小随温度升高而减小。在T = 100 K时，载流子密度为$1.0 \times 10^{22}/cm^3$，其与钙钛矿$(Ba,K)BiO_3$中的载流子密度相当，并且小于金属二元$MgB_2$的载流子密度。
2001-06-02 cond-mat.supr-con
Multiple phase transitions in single-crystalline Na$_{1-δ}$FeAs
对高质量的单晶Na $_{1-δ}$ FeAs进行了比热、电阻率、磁化率和霍尔系数的测量。发现该化合物在52、41和23 K附近经历三个连续的相变，分别对应于结构、磁性和超导转变。霍尔效应的结果表明，由于自旋密度波不稳定性的发生，在低温下能隙的发展。我们的研究结果提供了直接的实验证据的磁有序的近化学计量比的NaFeAs。
2009-05-07 cond-mat.other cond-mat.supr-con
Evidence for a quantum phase transition in the electron-doped cuprate Pr2-xCexCuO4+d from Hall and resistivity measurements
本文报道了电子掺杂高Tc超导体Pr_（2-x）Ce_xCuO_（4 +d）取向薄膜的霍尔系数、相对湿度和ab面电阻率随掺杂和温度的变化关系。b（r= r 0 +AT^b）和R_sub_H（在350 mK）的掺杂依赖性表明在x=0.165附近的临界掺杂处存在量子相变。
2004-08-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Logarithmic divergence of normal state resistivity of bipolaronic high-$T_{c}$ cuprates
随机势中带电玻色子（小双极化子）的共振维格纳散射导致了在几种铜氧化物中观察到的几何发散的低温电阻率。定量描述了$La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$的电阻率和霍尔效应在宽温度范围内的温度依赖性，为高$T_{c}$铜酸盐中$La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$荷电玻色液体提供了证据。
1996-10-08 cond-mat.supr-con
Hall effect and resistivity in underdoped cuprates
霍尔比$R_{H}(T)$随温度的变化是铜氧化物超导体最有趣的正常态性质之一。所有数据的一个特征是在正常状态下$R_{H}(T)$的最大值，随着掺杂的减少，该最大值变宽并转移到远高于$T_c$的温度。我们表明，预形成的双极化子对模型提供了一个自洽的定量描述$R_{H}(T)$与面内电阻率和均匀的磁化率为广泛的掺杂。
2003-06-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hall coefficient and Hc2 in underdoped LaFeAsO0.95F0.05
测量了LaFeAsO 0.95F 0.05多晶样品在室温至1.5 K范围内，在高达m0 H = 60 T的脉冲磁场中的电阻率和霍尔系数。在低于70 K时，正常态的电阻表现出负的温度系数（dr/dT <0），表明低掺杂LaFeAsO系统的基态与重掺杂的化合物相比是绝缘的。由霍尔效应得到的载流子密度可以描述为常数加上热激活项，其能隙DE = 630 K。上临界场，Hc2，估计从电阻率测量，超过75 T与零场Tc = 26.3 K，这表明一个非常规的性质超导。
2008-06-26 cond-mat.supr-con
Resistivity tensor correlations in the mixed state of electron-doped superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$
研究了电子掺杂化合物Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$在欠掺杂区（$x$ =0.14）和不同无序度（$δ$）的纵向电阻和霍尔电阻随磁场的变化关系。通过实验建立了纵向电阻率和霍尔电阻率之间的相关性，可以基于比例关系进行分析：$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $ρ^β_{xx}$（$B$）。对于所研究的Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜的总体，发现普适值$β$ =1.5 $\pm$ 0.4。波配对对称性和一个相当强的钉扎由于在所研究的样品中的基本程度的无序。
2016-01-19 cond-mat.supr-con
Anisotropy of the In-Plane and Out-of-Plane Resistivity and the Hall Effect in the Normal State of Vicinal-Grown YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-δ}$ Thin Films
铜氧化物高温超导体$_{2}$ O $_{7-δ}$（YBCO）的电阻率和霍尔效应具有显著的各向异性。使用离轴切割SrTiO $_3$衬底上生长的YBCO薄膜，可以在均匀电流密度下研究平面和定义良好的样品几何形状中的这些各向异性输运性质。在正常状态下，平行于氧化铜层探测的霍尔电压是正的并且强烈地依赖于温度，而面外霍尔电压是负的并且几乎与温度无关。结果证实了以前的测量单晶通过一个完全不同的测量方法，并表明，邻位薄膜也可能是有用的其他层状纳米材料的调查。
2021-03-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Resistivity, Hall effect, and anisotropic superconducting coherence lengths of HgBa$_2$CaCu$_2$O$_{6+δ}$ thin films with different morphology
用脉冲激光沉积法在SrTiO $_3$衬底上制备了高温超导体HgBa $_2$ CaCu $_2$ O $_{6+δ}$的薄膜。这种薄膜的微观结构特性可以有很大的不同，并已通过X射线衍射和原子力显微镜分析。而电阻率显着增强的样品与粗晶粒结构，霍尔效应表现出很小的变化。这种差异进行了讨论的基础上模型在粒状材料中的传输特性。我们发现，尽管形态的变化，所有的样品具有相似的超导性能。临界温度$T_c \sim 121.2$ K、$\dots 122.0$ K、电阻率和霍尔数据表明样品是最佳掺杂的。通过对零磁场和有限磁场中超导序参量涨落的分析，得到了零温下的面内$ξ_{ab}(0) \sim 2.3$ nm $\dots 2.8$ nm和面外$ξ_{c}(0) \sim 0.17$ nm $ \dots 0.24$ nm Ginzburg-Landau相干长度.霍尔测量提供了正常状态下的载流子散射缺陷和晶粒内部超导状态下的涡旋钉扎特性的估计。
2020-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Scaling Behavior of Magnetoresistance and Hall Resistivity in Altermagnet CrSb
本研究测量了Altermagnet CrSb单晶的磁阻与霍尔电阻率，发现其表现出明显的标度行为，首次在AM材料中证实磁输运性质源于本征电子结构并由洛伦兹力主导。
2024-12-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Flux flow resistivity and vortex viscosity of high-Tc films
在霍尔效应符号反转的温度范围内，研究了不同正常态热导率的高温$_{\rm c}$样品的磁通流态。涡旋粘度与正常状态电阻率的标度符合Bardeen-Stephen理论。还对霍尔效应符号反转的可能机制的影响进行了估计。
1996-07-12 cond-mat.supr-con supr-con
Hall effect and resistivity study of the magnetic transition, carrier content and Fermi liquid behavior in Ba(Fe(1-x) Cox)2As2
在Ba（Fe（1-x）Cox）_2As_2相图上测得的负霍尔常数R_H表明电子载流子总是主导输运性质。低掺杂（x<2%）时，R_H随x的变化表明，在x<2%时，超导体的能带结构发生了重要的变化。对于较大的x，需要用电子浓度随T的变化来解释R_H的低T变化，而电子散射率则符合费米液体的T^2定律。的T=0的剩余散射的影响由Co无序的磁相，但占主导地位的顺磁状态的初期无序。
2009-09-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of the Hall Coefficient and the Resistivity on the Layered Organic Superconductors κ-(BEDT-TTF)
在有机超导κ-（BEDT-TTF）化合物中，各种输运现象表现出明显的非费米液体行为，这是理解该体系电子态的重要线索。特别是，霍尔系数（$R_H$）表现出居里-外斯型温度依赖性，这是类似的高Tc铜酸盐。本文研究了半填充各向异性三角晶格上的哈伯德模型，它是研究κ-（BEDT-TTF）化合物的有效模型.基于波动交换近似（FLEX近似），考虑满足守恒定律所需的电流顶点修正，计算了电阻率（$ρ$）和$R_H$。我们对$R_H$和$cot(θ_H)$的理论结果很好地解释了传统玻尔兹曼输运近似所不能再现的实验行为。此外，我们扩展了标准的Eliashberg输运理论，并推导出更精确的电导率公式，这在较高的温度下变得很重要。
2001-02-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Power-law Temperature Dependent Hall Angle in the Normal State and its Correlation with Superconductivity in iron-pnictides
本文报道了K和Co掺杂BaFe $_2$ As $_2$和NaFe $_{1-x}$ Co $_x$ As正常态的霍尔测量。我们发现，在正常态下，对于不同掺杂水平的样品，当温度范围远高于结构转变、自旋密度波转变和超导转变时，霍耳角cot $θ_{\rm H}$ $\propto$ $T^β$均服从幂律温度关系。母体化合物和重欠掺杂样品的功率$β$接近4，而超导样品的功率约为3。$β$在接近超导性出现的掺杂水平下突然从4变为3。这表明$\sim 3$的$β$与超导电性密切相关。我们的数据表明，与铜酸盐类似，铁磷族化合物的正常态物理性质与超导电性之间存在联系。这些发现揭示了高温超导的机制。
2013-01-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Temperature dependence of resistivity and Hall-coefficient in a strongly disordered metal: NbN
我们报道了kFl~3.27-10.12的均匀无序外延NbN薄膜在正常状态下的电阻率（rho）和霍尔系数（R_H）与温度的关系。这些薄膜的超导转变温度（Tc）在8.13 ~ 16.8K之间。虽然我们的最小无序薄膜显示出通常的金属行为，但对于kFl<8.13的所有薄膜，在高达300 K时，和都是负的。我们观察到所有薄膜的R_H（T）与ρ（T）呈线性关系。在2nm厚的Be膜上进行的测量显示出类似的行为。这种行为与无序金属中局域化和电子-电子相互作用的现有理论不一致。
2009-07-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Carrier-doping effect and anomalous transport properties in Ni-doped CeCoIn5 investigated by Hall resistivity measurements
College of Science, Ibaraki University（茨城大学理学部）；Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo（东京大学固体物理研究所）；Institute for Materials Research, Tohoku University（东北大学材料科学高等研究所）；Faculty of Education, Shinshu University（信州大学教育学部）
通过霍尔电阻测量研究了Ni掺杂对CeCoIn5中载流子密度和异常输运性质的影响，发现载流子密度随掺杂量增加线性增加，表明Ni掺杂作为电子掺杂剂，同时异常霍尔电阻在超导上临界场附近和超导转变温度以上低场区域显著增强，但Ni掺杂显著抑制了这种异常，探讨了可能的抑制原因。
2026-05-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Influence of doping on the Hall coefficient in Sr_{14-x}Ca_xCu_24O_41
本文采用霍尔效应测量方法研究了两腿梯形化合物Sr_{14-x} Ca_xCu_24O_41（0 <= x <= 11.5）中参与直流输运的载流子数。空穴在梯形子系统和链状子系统之间的分布是理解这些化合物物理的关键问题之一。我们的霍尔效应和电阻率测量显示了x < 11.5时的典型半导体行为。然而，对于x=11.5，结果完全不同，霍尔系数和电阻率行为定性地类似于高温铜氧化物超导体。我们已经确定了在室温下的有效载流子数，并将其与通过其他实验技术获得的梯子中的孔数进行了比较。我们提出，从x=0到x=11.5，每个分子式单元中添加不到1个孔到阶梯，并且负责Ca掺杂的电阻率的显著变化。
2008-10-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
In-plane Hall effect in c-axis-oriented MgB2 thin films
我们测量了高度c轴取向的MgB_2薄膜的纵向电阻率和ab面的霍尔电阻率。在正常状态下，霍尔系数（RH）随温度（T）的升高表现为RH ~ T，在更高的温度下，则偏离T的线性关系。霍尔角余切的T^2依赖性仅在130 K以上观察到。混合态霍尔效应在10^2 ~ 10^4 A/cm ^2的电流密度和高达5 T的磁场范围内没有显示出任何异常信号。
2002-01-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Doping dependence of the nonlinear Hall resistivity in electron-doped Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4 \pm δ}$
本文系统研究电子掺杂铜氧化物PCCO薄膜中霍尔电阻率的非线性磁场依赖，发现负的$B^{3}$项在最佳掺杂附近最强，并借助双载流子模型揭示类电子载流子密度更高而类空穴载流子迁移率更大。
2024-10-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hall-effect in LuNi_2B_2C in normal and superconducting mixed states
LuNi_2B_2C的霍尔电阻率rho_{xy}在正常态和混合态都是负的，没有高T_c超导体的典型符号反转。当T <40 K时，正常态的rho_{xy}对磁场H的依赖性表现出明显的非线性，当T= 20 K时，当μ_0 H = 16 T时，其磁电阻达到+90%.在混合态下，发现了rho_{xy} ~ ρ_{xx}^β（ρ_{xx}为纵向电阻率）的标度关系，β的值与无序度有关。
1998-11-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
