Contrasts in electron correlations and inelastic scattering between LiFeAs and LiFeP revealed by charge transport
通过使用高质量的单晶，我们定量地比较了具有补偿电子和空穴载流子的LiFeAs和LiFeP超导体之间的输运性质。低温电阻率遵循费米液体$AT^2$依赖性，系数$A$的差异因子为$\sim 3$。这突出显示了LiFeP中较弱的电子相关性，这与其比LiFeAs低$\sim 70$倍的上临界场一致。我们的磁输运数据的分析表明，在LiFeP的电子载流子具有较轻的质量表现出更强的非弹性散射率的温度依赖性比空穴，这是相反的LiFeAs的情况。这种带相关非弹性散射的明显差异可能与最近报道的这两种超导体中的对比超导能隙结构有关。
2011-12-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pauli-limiting effects in the upper critical fields of a clean LiFeAs single crystal
本文通过直接测量LiFeAs单晶在高达36 T的静磁场下的电阻率，研究了上临界场Hc ~ 2（T）的温度依赖性。我们发现，在沿ab平面的磁场H的情况下，Hc 2ab（0）= 30 T明显低于轨道极限场Hc 2 orb，ab（0）= 39.6 T，|dHc2ab / dT| Tc，这表明存在泡利和轨道限制的影响，在对打破的过程。Hc 2ab（T）与Werthamer-Helfand-Hohenberg公式的最佳拟合结果是Maki参数α = 0.9和可忽略的自旋轨道散射常数λso = 0.0。另一方面，对于沿c轴的H，Hc 2c（T）线性增加到我们的最低温度0.8 K，这可以通过多带效应来解释。各向异性比Hc 2ab（T）/Hc 2c（T）在Tc附近为3，并且随着温度降低而系统地减小，在零温度下变为1.3。对各种铁基超导体中Hc 2ab（T）行为的比较概述表明，与LiFeAs类似，计算的Hc 2 orb，ab（0）通常远大于测量的Hc 2ab（0），因此需要在~ 0.4至3范围内的有限α值来描述低温Hc 2ab（T）行为。此外，LiFeAs被发现具有最小的|dHc2ab / dT| Tc值，表明LiFeAs是具有有限Maki参数的最干净的铁基超导体之一。我们还讨论了多带效应和自旋轨道散射的基础上发现，估计的保利限制场一般是远远大于BCS预测的铁基超导体的影响。
2011-07-08 cond-mat.supr-con
Anisotropic resistivity and Hall effect in MgB2 single crystals
本文报道了MgB_2单晶正常态和超导态的电阻率和霍尔效应测量结果。已发现电阻率是各向异性的，具有约3.5的略微温度依赖的电阻率比。霍尔常数，与磁场平行的Mg和B片是负的，与沿c轴指向的场的孔状霍尔响应相反，指示两种类型的载流子的存在，因此，MgB 2的多带电子结构。混合态中的霍尔效应没有出现符号变化的反常现象，再现了干净极限II型超导体中的霍尔效应行为。
2002-04-10 cond-mat.supr-con
Universal scaling of the Hall resistivity in MgB2 superconductors
在100 ~ 10000 A/cm ^2的电流密度范围内，研究了超导MgB_2薄膜的混合态霍尔电阻率和纵向电阻率随磁场的变化。我们观察到一个普遍的霍尔标度行为与常数指数为2.0，这是独立的磁场，温度和电流密度。这一结果可以在最近的理论背景下得到很好的解释。
2002-02-27 cond-mat.supr-con
Combined resistivity and Hall effect study on NaFe$_{1-x}$Rh$_x$As single crystals
电输运测量被用来研究Rh掺杂的NaFeAs超导体系列，重点是四相。电阻率曲率具有反常的温度依赖性，证明在相图中散射率、有效质量以及载流子密度的变化的两个交叉区域。第一交叉区域直接连接到结构转变，并且类似于电阻率各向异性的开始。第二个交叉区域也可以从温度相关的霍尔系数推导出来。与文献NMR数据的比较表明，该区域与远高于四方晶系到正交相变的π涨落有关。
2016-01-05 cond-mat.supr-con
Observation of a non-Ohmic Hall resistivity above the critical temperature in the high-temperature superconductor YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-δ}$
本文研究了最佳掺杂的YBaPDMATHABMM CuPDMATHABMN O $_{7-δ}$薄膜在正常态和超导转变上部的电阻率和霍尔效应随电场和温度的变化。使用快速脉冲电流技术允许减少样品的自加热，并达到高达1 kV/cm的电场。揭示了霍尔电导率在临界温度以上的固有非欧姆行为，该行为似乎源于两种不同的部分抵消效应。主要的贡献源于抑制Aslamazov-Larkin超导波动在高电场。
2009-03-04 cond-mat.supr-con
Normal-State Hall Effect and the Insulating Resistivity of High-T_c Cuprates at Low Temperatures
用61 T脉冲磁场抑制超导电性的方法测量了掺La的Bi_{2}、Sr_{2}、CuO_{y}（T_c \simeq 13 K）单晶和La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}薄膜的正常态霍尔系数RH和面内电阻率ρ {ab}。与T_c以上的数据相反，在\sim 10 K以下，无论ρ_{ab}表现为绝缘还是金属行为，所测得的所有样品的R_H都几乎没有温度依赖性。因此，无论何种物理机制在低温正常状态下产生绝缘行为，它都会使霍尔电导率相对不变。
1997-10-15 cond-mat.supr-con
Universal scaling of Hall resistivity in clean and moderately clean limits for Hg- and Tl-based superconductors
研究了HgBa_{2} CaCu_{2} O_{6}、HgBa_{2} Ca_{2} Cu_{3} O_{8}和Tl_{2} Ba_{2} CaCu_{2} O_{8}薄膜的混合态霍耳电阻率和纵向电阻率随磁场的变化关系。我们观察到在清洁和中等清洁范围内ρ xy和ρ xx之间的普适标度行为。标度指数β在高场和低温下的清洁极限为1.9，而在低场和高温下的适度清洁极限为1.0，这与基于涡核中间隙态的理论一致。这一发现意味着霍尔电导率在汞基和铊基超导体中也是普遍的。
1999-05-14 cond-mat.supr-con
Doping dependence of upper critical field and Hall resistivity in LaFeAsO1-xFx
用60 T脉冲磁体测量了LaFeAsO_（1-x）Fx在0 =< x =< 0.14范围内的电阻率（Rxx）和霍尔电阻率（Rxy）。虽然超导相图（Tc，x）显示了经典的圆顶形结构，我们发现，电阻上临界场（Hc 2）单调增加，随着氟浓度的降低，与最大的Hc 2>= 75 T x = 0.05。这让人想起在高Tc的铜酸盐的组合物的依赖性，并可能与开放的一个伪间隙中的欠掺杂区域。此外，超导样品的Hc 2（T）的温度依赖性可以根据多带超导性来理解。非超导样品的Rxy数据显示出非线性场依赖性，这也与多载波情况一致。
2009-04-13 cond-mat.supr-con
Model for the Hall resistivity and Hall-Lorenz ratio of YBa2Cu3O7-d
这篇论文已被撤回，因为它与cond-mat/0408613一起作为单独一章发表。
2008-10-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The magnetoresistance and Hall effect in CeFeAsO: a high magnetic field study
利用美国洛斯阿拉莫斯实验室的脉冲磁场装置，在45 T的磁场下，同时测量了CeFeAsO的纵向电阻率和横向霍尔电阻率。在Ts \approx 150 K处，当穿过结构相变时，在磁阻Rxx（μ 0 H）和霍尔电阻Rxy（μ 0 H）中观察到不同的行为。在高于Ts的温度下，几乎没有观察到磁阻，并且霍尔电阻率遵循线性场依赖性。在冷却到低于Ts的系统，大的磁阻发展和霍尔电阻率偏离线性场依赖。此外，我们发现，在Ts的过渡是非常强大的对外部磁场。我们认为CeFeAsO中的磁态不太可能是传统类型的自旋密度波（SDW）。
2011-01-17 cond-mat.supr-con
Non-linear Hall resistivity in overdoped Pr$_{1.82}$Ce$_{0.18}$CuO$_{4 + δ}$ electron-doped cuprate
本文在过掺杂PCCO薄膜中测量了由双载流子模型预言的非线性霍尔电阻率，发现该弱非线性项在所有温度下持续存在且强烈依赖温度，并通过分析得出电子密度大于空穴密度但空穴迁移率更高的结论。
2024-10-13 cond-mat.supr-con
Scaling of the Hall Resistivity in the Solid and Liquid Vortex Phases in Twinned Single Crystal YBCO
纵向和霍尔电压测量在一个干净的孪生YBCO单晶在液体和固体涡旋相。对于偏离c轴超过2度的磁场，标度律|rho_xy| =A（rho_xx）^beta，其中beta近似为1.4的观察，这是不受涡格熔化过渡。涡旋固体霍尔电导率是非线性的，在低温下发散到负值。当磁场与c轴对齐时，双边界关联无序修改标度律，并且β近似= 2.标度定律不受玻色玻璃化转变的影响。我们讨论的标度行为的尺寸依赖理论的金属导体中的渗流。
1999-06-18 cond-mat.supr-con
Hall resistivity correlations in disordered electron-doped Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$ films
研究了电子掺杂Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜在反铁磁（AF）-超导（SC）相变附近和具有不同无序度（$δ$）的电阻率张量随混合态磁场的变化关系$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $[ρ_{xx}(B)]^β$. $β$从$x$ = 0.14时的1.2 $\pm$ 0.2降低到$x$ = 0.15时的0.6 $\pm$ 0.1，这表明在从欠掺杂到最佳掺杂区域的过渡处，在外部磁场中从各向异性$s$波到$d$波配对对称性的变化的证据。混合态中涡旋运动的幂律依赖性的特性可以与层状电子掺杂超导体中的非化学计量无序的某些特征相联系。
2016-11-23 cond-mat.supr-con
Temperature - pressure phase diagram of the superconducting iron pnictide LiFeP
测量了超导体LiFeP的电阻率和磁化率，测量压力为p = 2.75GPa。在温度-压力（Tp）相图中存在一个宽的超导（SC）区。没有迹象表明自旋密度波过渡已被发现，但在低压下的电阻率系数增强暗示存在的磁波动。我们的结果表明，在LiFeP的超导态是更强大的同构和等电子的LiFeAs。我们认为这一发现与LiFeP中的[FeP_4]四面体近似规则有关。
2010-03-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Scaling of Hall Resistivity in the Mixed State of MgB2 Films
详细研究了混合状态下MgB 2薄膜的纵向电阻率（rho_{xx}）和横向电阻率（rho_{xy}）。我们发现，在固定磁场H下，rho_{xx}和ρ_{xy}的温度依赖关系满足$ρ_{xy}=Aρ_{xx}^β$标度律，其中指数β随磁场的不同而在2.0附近变化。在低场区（低于1 T），由于涡旋的钉扎强度较弱，主要来自π带的超流，β保持恒定值2.0。当H> 1 T时，由于π带准粒子的扩散，β在2 T附近突然下降到最低值，因此σ带超流涡旋的运动主导了耗散。随着磁场的进一步增加，涡旋钉扎强度减弱，并且在高磁场下β单调增加到2.0。所得结果与多带超导体涡旋物理的理论预期相符。
2008-01-06 cond-mat.supr-con
Crystal structures and the sign reversal Hall resistivity in iron-based superconductors Lix(C3H10N2)0.32FeSe (0.15<x<0.4)
本文报道了两种铁基材料Li_（0.15）（C_3 H_（10）N_2）_（0.32）FeSe（P-4）和Li_x（C_3 H_（10）N_2）_（0.32）FeSe（P_4/nmm，0.25<x<0.4）的晶体结构、超导电性和正常态性质。确定的晶体结构揭示了超膨胀FeSe层内Li浓度和1，2-二氨基丙烷分子的起源之间的耦合。进一步用Lawence-Doniach模型对电阻率进行拟合，表明这两种超导体都属于准二维系统。随着温度的升高，晶体结构和掺杂水平的差异。第一性原理计算表明，FeSe层间距的增加将重构费米面，并在布里渊区的Gamma点附近产生新的空穴袋。我们的研究结果支持了二维度的增加将导致电子掺杂FeSe超导体的温度诱导Lifshitz转变。
2019-01-09 cond-mat.supr-con
High-field Hall resistivity and magnetoresistance in electron-doped Pr_2-xCe_xCuO_{4-δ}
我们报道了电子掺杂Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$薄膜在高达58 T的磁场中的电阻率和霍尔效应测量结果。与空穴掺杂的铜氧化物相比，我们发现在最佳掺杂和过掺杂的薄膜中，霍尔电阻率在高场下具有令人惊讶的非线性磁场依赖性。我们还观察到一个交叉从二次线性场依赖性的正磁阻过掺杂薄膜。自旋密度波诱导的费米面重构模型可以定性地解释霍尔效应和磁电阻效应。
2007-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fermi Surface reconstruction and anomalous low temperature resistivity in electron-doped La2-xCexCuO4
在磁场高达14 T，温度低至1.8 K的条件下，测量了La_（2-x）Ce_xCuO_4薄膜的ab面霍尔效应和磁阻效应。在低温（1.8 K）正常态霍尔系数的一个显着的变化被发现附近的掺杂Ce=0.14。这与作为磁场的函数的非线性霍尔电阻一起表明费米表面在Ce= 0.14的临界掺杂下重构。一个竞争性的反铁磁相可能是费米面重构的原因。低温线性T电阻率在Ce=0.14处被发现，但不幸的是，在更高的掺杂下也是如此。我们将我们的数据与空穴掺杂铜氧化物中发现的类似行为进行比较，掺杂在赝能隙结束的地方
2017-06-23 cond-mat.supr-con
Scaling Behavior of Anomalous Hall Effect and Longitudinal Nonlinear Response in High-Tc Superconductors
在现有理论模型的基础上，考虑纵向非线性响应函数，导出了混合态霍尔电阻率随磁场、温度和外加电流变化的非线性方程。该方程使人们能够定量地比较实验数据与理论模型。我们还发现了一些新的霍尔电阻率的温度和场依赖性的标度关系。我们的理论曲线和实验数据之间的比较表明，一个公平的协议。
2001-07-03 cond-mat.supr-con
Evidence for a quantum phase transition in the electron-doped cuprate Pr2-xCexCuO4+d from Hall and resistivity measurements
本文报道了电子掺杂高Tc超导体Pr_（2-x）Ce_xCuO_（4 +d）取向薄膜的霍尔系数、相对湿度和ab面电阻率随掺杂和温度的变化关系。b（r= r 0 +AT^b）和R_sub_H（在350 mK）的掺杂依赖性表明在x=0.165附近的临界掺杂处存在量子相变。
2004-08-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Normal state resistivity, upper critical field and Hall effect in superconducting perovskite $MgCNi_3$
本文研究了钙钛矿型超导体$MgCNi_3$（$T_c \approx 8 K$）的正常态磁导率、上临界场$H_{c2}$和霍尔系数$R_H$。在70 K以上，$ρ(T)$能很好地拟合Bloch-Grüneisen理论预测的曲线，与电子-声子散射一致。在弱耦合BCS理论下，估计$H_{c2}(0)$约为15.0特斯拉，超导相干长度$ξ(0)$约为47 Ω。$MgCNi_3$的$R_H$在整个温度范围内都是负的，这明确地表明$MgCNi_3$中的载流子是电子型的。$R_H$在$T_c$和$\sim$ 140 K之间不受温度影响。高于$\sim$ 140 K，$R_H$的大小随温度升高而减小。在T = 100 K时，载流子密度为$1.0 \times 10^{22}/cm^3$，其与钙钛矿$(Ba,K)BiO_3$中的载流子密度相当，并且小于金属二元$MgB_2$的载流子密度。
2001-06-02 cond-mat.supr-con
Hall effect and resistivity in underdoped cuprates
霍尔比$R_{H}(T)$随温度的变化是铜氧化物超导体最有趣的正常态性质之一。所有数据的一个特征是在正常状态下$R_{H}(T)$的最大值，随着掺杂的减少，该最大值变宽并转移到远高于$T_c$的温度。我们表明，预形成的双极化子对模型提供了一个自洽的定量描述$R_{H}(T)$与面内电阻率和均匀的磁化率为广泛的掺杂。
2003-06-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Logarithmic divergence of normal state resistivity of bipolaronic high-$T_{c}$ cuprates
随机势中带电玻色子（小双极化子）的共振维格纳散射导致了在几种铜氧化物中观察到的几何发散的低温电阻率。定量描述了$La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$的电阻率和霍尔效应在宽温度范围内的温度依赖性，为高$T_{c}$铜酸盐中$La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$荷电玻色液体提供了证据。
1996-10-08 cond-mat.supr-con
Anisotropy of the In-Plane and Out-of-Plane Resistivity and the Hall Effect in the Normal State of Vicinal-Grown YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-δ}$ Thin Films
铜氧化物高温超导体$_{2}$ O $_{7-δ}$（YBCO）的电阻率和霍尔效应具有显著的各向异性。使用离轴切割SrTiO $_3$衬底上生长的YBCO薄膜，可以在均匀电流密度下研究平面和定义良好的样品几何形状中的这些各向异性输运性质。在正常状态下，平行于氧化铜层探测的霍尔电压是正的并且强烈地依赖于温度，而面外霍尔电压是负的并且几乎与温度无关。结果证实了以前的测量单晶通过一个完全不同的测量方法，并表明，邻位薄膜也可能是有用的其他层状纳米材料的调查。
2021-03-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Hall coefficient and Hc2 in underdoped LaFeAsO0.95F0.05
测量了LaFeAsO 0.95F 0.05多晶样品在室温至1.5 K范围内，在高达m0 H = 60 T的脉冲磁场中的电阻率和霍尔系数。在低于70 K时，正常态的电阻表现出负的温度系数（dr/dT <0），表明低掺杂LaFeAsO系统的基态与重掺杂的化合物相比是绝缘的。由霍尔效应得到的载流子密度可以描述为常数加上热激活项，其能隙DE = 630 K。上临界场，Hc2，估计从电阻率测量，超过75 T与零场Tc = 26.3 K，这表明一个非常规的性质超导。
2008-06-26 cond-mat.supr-con
Resistivity tensor correlations in the mixed state of electron-doped superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$
研究了电子掺杂化合物Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$在欠掺杂区（$x$ =0.14）和不同无序度（$δ$）的纵向电阻和霍尔电阻随磁场的变化关系。通过实验建立了纵向电阻率和霍尔电阻率之间的相关性，可以基于比例关系进行分析：$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $ρ^β_{xx}$（$B$）。对于所研究的Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜的总体，发现普适值$β$ =1.5 $\pm$ 0.4。波配对对称性和一个相当强的钉扎由于在所研究的样品中的基本程度的无序。
2016-01-19 cond-mat.supr-con
Resistivity, Hall effect, and anisotropic superconducting coherence lengths of HgBa$_2$CaCu$_2$O$_{6+δ}$ thin films with different morphology
用脉冲激光沉积法在SrTiO $_3$衬底上制备了高温超导体HgBa $_2$ CaCu $_2$ O $_{6+δ}$的薄膜。这种薄膜的微观结构特性可以有很大的不同，并已通过X射线衍射和原子力显微镜分析。而电阻率显着增强的样品与粗晶粒结构，霍尔效应表现出很小的变化。这种差异进行了讨论的基础上模型在粒状材料中的传输特性。我们发现，尽管形态的变化，所有的样品具有相似的超导性能。临界温度$T_c \sim 121.2$ K、$\dots 122.0$ K、电阻率和霍尔数据表明样品是最佳掺杂的。通过对零磁场和有限磁场中超导序参量涨落的分析，得到了零温下的面内$ξ_{ab}(0) \sim 2.3$ nm $\dots 2.8$ nm和面外$ξ_{c}(0) \sim 0.17$ nm $ \dots 0.24$ nm Ginzburg-Landau相干长度.霍尔测量提供了正常状态下的载流子散射缺陷和晶粒内部超导状态下的涡旋钉扎特性的估计。
2020-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Scaling Behavior of Magnetoresistance and Hall Resistivity in Altermagnet CrSb
本研究测量了Altermagnet CrSb单晶的磁阻与霍尔电阻率，发现其表现出明显的标度行为，首次在AM材料中证实磁输运性质源于本征电子结构并由洛伦兹力主导。
2024-12-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Flux flow resistivity and vortex viscosity of high-Tc films
在霍尔效应符号反转的温度范围内，研究了不同正常态热导率的高温$_{\rm c}$样品的磁通流态。涡旋粘度与正常状态电阻率的标度符合Bardeen-Stephen理论。还对霍尔效应符号反转的可能机制的影响进行了估计。
1996-07-12 cond-mat.supr-con supr-con
Hall effect and resistivity study of the magnetic transition, carrier content and Fermi liquid behavior in Ba(Fe(1-x) Cox)2As2
在Ba（Fe（1-x）Cox）_2As_2相图上测得的负霍尔常数R_H表明电子载流子总是主导输运性质。低掺杂（x<2%）时，R_H随x的变化表明，在x<2%时，超导体的能带结构发生了重要的变化。对于较大的x，需要用电子浓度随T的变化来解释R_H的低T变化，而电子散射率则符合费米液体的T^2定律。的T=0的剩余散射的影响由Co无序的磁相，但占主导地位的顺磁状态的初期无序。
2009-09-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of the Hall Coefficient and the Resistivity on the Layered Organic Superconductors κ-(BEDT-TTF)
在有机超导κ-（BEDT-TTF）化合物中，各种输运现象表现出明显的非费米液体行为，这是理解该体系电子态的重要线索。特别是，霍尔系数（$R_H$）表现出居里-外斯型温度依赖性，这是类似的高Tc铜酸盐。本文研究了半填充各向异性三角晶格上的哈伯德模型，它是研究κ-（BEDT-TTF）化合物的有效模型.基于波动交换近似（FLEX近似），考虑满足守恒定律所需的电流顶点修正，计算了电阻率（$ρ$）和$R_H$。我们对$R_H$和$cot(θ_H)$的理论结果很好地解释了传统玻尔兹曼输运近似所不能再现的实验行为。此外，我们扩展了标准的Eliashberg输运理论，并推导出更精确的电导率公式，这在较高的温度下变得很重要。
2001-02-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Temperature dependence of resistivity and Hall-coefficient in a strongly disordered metal: NbN
我们报道了kFl~3.27-10.12的均匀无序外延NbN薄膜在正常状态下的电阻率（rho）和霍尔系数（R_H）与温度的关系。这些薄膜的超导转变温度（Tc）在8.13 ~ 16.8K之间。虽然我们的最小无序薄膜显示出通常的金属行为，但对于kFl<8.13的所有薄膜，在高达300 K时，和都是负的。我们观察到所有薄膜的R_H（T）与ρ（T）呈线性关系。在2nm厚的Be膜上进行的测量显示出类似的行为。这种行为与无序金属中局域化和电子-电子相互作用的现有理论不一致。
2009-07-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Carrier-doping effect and anomalous transport properties in Ni-doped CeCoIn5 investigated by Hall resistivity measurements
College of Science, Ibaraki University（茨城大学理学部）；Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo（东京大学固体物理研究所）；Institute for Materials Research, Tohoku University（东北大学材料科学高等研究所）；Faculty of Education, Shinshu University（信州大学教育学部）
通过霍尔电阻测量研究了Ni掺杂对CeCoIn5中载流子密度和异常输运性质的影响，发现载流子密度随掺杂量增加线性增加，表明Ni掺杂作为电子掺杂剂，同时异常霍尔电阻在超导上临界场附近和超导转变温度以上低场区域显著增强，但Ni掺杂显著抑制了这种异常，探讨了可能的抑制原因。
2026-05-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Influence of doping on the Hall coefficient in Sr_{14-x}Ca_xCu_24O_41
本文采用霍尔效应测量方法研究了两腿梯形化合物Sr_{14-x} Ca_xCu_24O_41（0 <= x <= 11.5）中参与直流输运的载流子数。空穴在梯形子系统和链状子系统之间的分布是理解这些化合物物理的关键问题之一。我们的霍尔效应和电阻率测量显示了x < 11.5时的典型半导体行为。然而，对于x=11.5，结果完全不同，霍尔系数和电阻率行为定性地类似于高温铜氧化物超导体。我们已经确定了在室温下的有效载流子数，并将其与通过其他实验技术获得的梯子中的孔数进行了比较。我们提出，从x=0到x=11.5，每个分子式单元中添加不到1个孔到阶梯，并且负责Ca掺杂的电阻率的显著变化。
2008-10-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
In-plane Hall effect in c-axis-oriented MgB2 thin films
我们测量了高度c轴取向的MgB_2薄膜的纵向电阻率和ab面的霍尔电阻率。在正常状态下，霍尔系数（RH）随温度（T）的升高表现为RH ~ T，在更高的温度下，则偏离T的线性关系。霍尔角余切的T^2依赖性仅在130 K以上观察到。混合态霍尔效应在10^2 ~ 10^4 A/cm ^2的电流密度和高达5 T的磁场范围内没有显示出任何异常信号。
2002-01-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Doping dependence of the nonlinear Hall resistivity in electron-doped Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4 \pm δ}$
本文系统研究电子掺杂铜氧化物PCCO薄膜中霍尔电阻率的非线性磁场依赖，发现负的$B^{3}$项在最佳掺杂附近最强，并借助双载流子模型揭示类电子载流子密度更高而类空穴载流子迁移率更大。
2024-10-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Observation of non-Fermi liquid behavior in hole-doped LiFe$_{1-x}$V$_x$As
我们合成了一系列掺钒的LiFe $_{1-x}$ V $_x$ As单晶。LiFeAs的超导转变温度$T_c$以7 K/1 V的速率迅速下降，当V掺杂量为4.2%时，LiFeAs的霍尔系数由负变正，表明V掺杂引入了空穴载流子.这一观察结果进一步证实了费米表面体积的角度分辨光电子能谱（ARPES），从其中推导出0.3孔掺杂每V原子引入测量的评价。有趣的是，空穴的引入并不遵循刚性能带位移。我们还表明，作为掺杂的函数的电阻率的温度演化是一致的从费米液体到非费米液体的交叉。我们的ARPES数据表明，当其中一个空穴$d_{xz}/d_{yz}$费米面被反铁磁波矢很好地嵌套到具有$d_{xy}$轨道特征的内电子费米面口袋时，非费米液体行为得到了极大的增强。LiFe $_{1-x}$ V $_x$ As的磁化率表明V掺杂后存在强磁性杂质，从而为V掺杂后超导性的快速抑制提供了自然的解释。
2016-09-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hall-effect in LuNi_2B_2C in normal and superconducting mixed states
LuNi_2B_2C的霍尔电阻率rho_{xy}在正常态和混合态都是负的，没有高T_c超导体的典型符号反转。当T <40 K时，正常态的rho_{xy}对磁场H的依赖性表现出明显的非线性，当T= 20 K时，当μ_0 H = 16 T时，其磁电阻达到+90%.在混合态下，发现了rho_{xy} ~ ρ_{xx}^β（ρ_{xx}为纵向电阻率）的标度关系，β的值与无序度有关。
1998-11-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
