Theory of Electron Transport near Anderson-Mott Transitions
本文提出了在共存电子关联和随机性影响下，在Anderson-Mott跃迁附近的绝缘体中直流电子输运的理论。在足够低的温度下，Anderson-莫特绝缘体中的直流电子输运由费米能级附近的单粒子态密度决定。安德森绝缘体，由随机性引起，其特征在于在费米能量处的非零DOS。然而，最近，作者提出，在绝缘体中共存的随机性和短程相互作用打开了一个软的哈伯德间隙的DOS，和DOS消失，只有在费米能量。基于软Hubbard带隙的图象，我们导出了直流电阻率随温度变化的临界行为公式。将本理论与静电载流子掺杂到有机导体kappa-（BEDT-TTF）_2Cu[N（CN）_2]Br中的实验结果进行比较，证明了当前软哈伯德标度的证据。
2010-10-13 cond-mat.str-el
Note on the exponent puzzle of the Anderson-Mott transition
本文在强关联电子对偶模型的基础上讨论了Anderson-Mott跃迁的指数之谜。
2007-03-30 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Mottness scenario for non-Fermi liquid behavior in the periodic Anderson model within Dynamical Mean Field Theory
本文用动力学平均场场论（DMFT）研究了周期Anderson模型中的Mott金属-绝缘体相变。在量子跃迁附近，我们发现一个非费米液态金属态下降到一个消失的温度标度。我们确定的起源的非费米液体的行为，由于磁散射的掺杂载流子的本地化时刻。非费米液体状态可以通过掺杂或外部磁场来调节。我们的研究结果表明，耦合到空间磁涨落（缺乏在DMFT）是不是一个先决条件，以实现重费米子系统的非费米液体的情况。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Mott transitions in the Periodic Anderson Model
本文在动力学平均场论的框架内研究了周期性安德森模型（PAM），特别着重于它所包含的相互作用驱动的Mott跃迁，以及由此产生的Mott-Hubbard型和电荷转移型莫特绝缘体。本文首先在一般的基础上，利用两个精确的结果，在包括金属相、Mott相、Kondo相和带绝缘体相的模型参数的全部范围内，推导出PAM相图的形式，然后证明了描述PAM在Mott相变附近的有效低能模型是一个单带哈伯德模型，其有效跳跃一般不只是最近邻的，但会随着距离呈指数衰减这种映射被证明有一系列的物理问题的影响，从相边界的单粒子动力学，所有这些都证实和补充NRG计算。最后，我们考虑了局域简并的非费米液体莫特绝缘体，这需要一个双自能描述。这是产生了一些确切的结果，相关的本地时刻，电荷，和相互作用重整水平，连同概括的Luttinger定理的莫特绝缘体。
2016-06-04 cond-mat.str-el
Anderson localization effects on doped Hubbard model
利用动力学平均场论结合典型介质理论，导出了掺杂哈伯德模型的无序-掺杂相图，该相图可以描述Mott（关联驱动）和Anderson（无序驱动）金属-绝缘体相变.我们观察到从金属到安德森-莫特绝缘体的转变，在所有的相互作用增加无序强度。在弱相关区和相当小的掺杂下，Anderson-莫特绝缘体显示出与半填充时相似的性质。特别地，该阶段的特征在于存在空站点。然而，如果我们进一步增加掺杂或相关性，则会出现不同类型的Anderson-Mott相，因为无序强度急剧减弱。在强关联区，该相占据了相图的最大部分，其特征在于没有空位。
2021-05-07 cond-mat.str-el
Mott--Hubbard transition vs. Anderson localization of correlated, disordered electrons
关联的，无序的电子的相图计算内动态平均场论使用几何平均（“典型”）的局域态密度。相关的金属，莫特绝缘体和安德森绝缘体相，以及共存和交叉制度。Mott和Anderson绝缘体被发现是连续连接的。
2004-03-31 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Slave-Rotor and Auxiliary Chain Analysis of the Mott Transition in a Modified Periodic Anderson Model
IITISM（印度科学技术学院）
本研究利用奴隶转子平均场理论分析修正周期安德森模型中的莫特转变，引入双位点团簇扩展揭示短程关联对转变点的影响，并通过辅助链映射探索其拓扑特性。
2026-09-22 cond-mat.str-el
Metal-Insulator transitions in the periodic Anderson model
我们用动力学平均场论求解了Mott-Hubbard区域中的周期Anderson模型。在莫特绝缘体的电子掺杂时，发生金属-绝缘体转变，其在性质上类似于单带哈伯德模型的金属-绝缘体转变，即在有限温度下具有发散的有效质量和一阶特征。令人惊讶的是，在空穴掺杂时，金属-绝缘体转变不是一阶的，并且不显示发散质量。因此，单带哈伯德模型的过渡方案是不通用的周期性安德森模型，即使在莫特-哈伯德制度。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Disorder and Interaction in 2D: Exact diagonalization study of the Anderson-Hubbard-Mott model
利用有限尺寸精确对角化技术，通过数值计算电荷刚度，研究了二维哈伯德模型中随机对角无序和电子-电子相互作用对基态性质的影响.通过与相应的一维哈伯德模型结果的比较和启发式的论证，我们得出结论：虽然在一定参数范围内相互作用的影响是显著增强非相互作用电荷刚度，但存在二维金属-绝缘体量子相变的是\QTR{it}{unlikely}.
2000-12-10 cond-mat.str-el
Interface ordering and phase competition in a model Mott-insulator--band-insulator heterostructure
本文用半经典近似的动态平均场方法研究了模型莫特绝缘体-带-绝缘体异质结的相图，它是厚度、耦合常数和电荷限制的函数。一个界面稳定的铁磁相被发现，允许它的竞争和可能的共存与体莫特绝缘体的反铁磁序特性的研究。
2005-08-28 cond-mat.str-el
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
Peierls-insulator Mott-insulator transition in 1D
为了澄清从Peierls带绝缘体到Mott Hubbard绝缘体的交叉的性质，我们利用精确对角化技术分析了一维半填充Holstein哈伯德模型的基态和光谱性质.
2001-07-26 cond-mat.str-el
The Anderson-Mott transition induced by hole-doping in Nd1-xTiO3
本文研究了在0.010（6）< x < 0.243（10）的组成范围内，由钕空位引起的空穴掺杂引起的Mott-Hubbard反铁磁绝缘体Nd_（1-x）TiO_3的绝缘体/金属转变。当x < 0.071时，发现绝缘p型导电（10）。在Mott-Hubbard间隙存在下的安德森局域化是0.074（10）< x < 0.089（1）样品范围内的主要定位机制。对于x < 0.089（1），观察到n型导电，并且激活能通过x < 0.1外推到零。0.095（8）< x < 0.203（10）的样品是费米液体金属，并且在金属-绝缘体边界附近，强电子相关的效应在诸如大的费米液体T2系数的特征中是明显的。在0.074（9）< x < 0.112（4）时，在~ 15 K以下发现了弱的负磁电阻，这是由于传导电子与Nd ~（3+）磁矩的相互作用。结合我们的同伴研究的Nd 1-xTiO 3固溶体的磁性的信息，提出了相图。主要结论是长程反铁磁有序在金属行为出现之前消失，Anderson-Mott转变发生在有限的掺杂水平范围内。我们的研究结果与空穴掺杂的Nd 1-xCaxTiO 3系统的研究结果不同，后者发现反铁磁有序和金属行为共存，并且Mott转变发生在离散的掺杂水平。
2006-07-11 cond-mat.str-el
Anderson-Mott transition in a disordered Hubbard model with correlated hopping
研究了一维半填充关联跳跃Anderson-哈伯德模型的基态相图。哈密顿量具有局部库仑排斥$U$和无序势，其局部能量以等概率随机分布在间隔$(-W,+W)$中，作用于单占据位点。禁止修改双占用站点数量的跳变过程。最近邻单占据和空位置之间或单占据和双占据位置之间的跳跃具有相同的幅度$t$。我们确定了三个不同的阶段作为无序振幅$W$和库仑相互作用强度$U>0$的函数。当$U<4t$时，系统显示金属相（i）只有当没有无序存在时才显示$W=0$，或者当引入无序时显示安德森定域相（ii）$W\neq 0$。当$U>4t$安德森本地化阶段生存，只要无序效应占主导地位的相互作用的影响，否则莫特绝缘体阶段（iii）出现。相（i）和（ii）的特征在于有限密度的双光子和基态和激发态之间的消失的电荷间隙。相（iii）的特点是消失的密度的doublons和有限的间隙的电荷激发。
2017-06-25 cond-mat.str-el
Gutzwiller description of non-magnetic Mott insulators: a dimer lattice model
我们介绍了一种新的扩展Gutzwiller变分波函数能够处理绝缘体逃脱任何平均场的描述，例如非磁性绝缘体。作为应用，我们研究了顺磁性金属到非磁性Peierls或价键莫特绝缘体的莫特跃迁。在大配位晶格的极限下，我们利用Gutzwiller波函数对该模型进行了分析，发现：（1）Mott跃迁是一级跃迁;（2）在莫特绝缘体中，Peierls能隙很大，但主要是由电子排斥作用造成的;（3）在跃迁附近出现了单重态超导.
2007-04-11 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Transition and Anderson Localization: Generalized Dynamical Mean-Field Theory Approach
在广义动力学平均场论（DMFT+ NFT近似）下，分析了强关联强无序顺磁哈伯德模型的态密度、动态（光）电导率和相图.强相关性占DMFT，而无序考虑到通过适当的推广自洽理论的本地化。利用数值重整化群（NRG）方法求解三维半椭圆态密度系统的DMFT有效单杂质问题。通过态密度和动态电导率的演化确定了相关金属、莫特绝缘体和相关Anderson绝缘体相，证明了Mott-Hubbard和Anderson金属-绝缘体相变，并构造了完整的Anderson-哈伯德模型零温相图.相当不寻常的是无序诱导莫特绝缘体向金属转变的可能性。
2007-06-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Breakdown of Luttinger's theorem in two-orbital Mott insulators
对Luttinger定理的分析表明，与最近的说法相反，它对一般的莫特绝缘体是无效的。研究了每格点有两个电子的双轨道哈伯德模型从非磁关联绝缘相（Mott或Kondo绝缘体）到能带绝缘体的渡越.莫特绝缘相的特征在于自能的极点和格林函数中相应的零点，定义了带状绝缘体不存在的"Luttinger表面“。然而，这种每个晶胞有两个电子的绝缘体的基态是电连接的。
2007-11-20 cond-mat.str-el
Spatial inhomogeneity and strong correlation physics: a dynamical mean field study of a model Mott-insulator/band-insulator heterostructure
本文利用动力学平均场方法研究了有限个莫特绝缘体层嵌入无限大带绝缘体中的异质结构的电子性质。确定了相关效应随Mott绝缘层数目和异质结构中的位置的演化，并计算了光学电导率。结果表明，异质结一般是金属，适度重整化带的准粒子出现在相关和非相关区域之间的界面。
2004-07-22 cond-mat.str-el
From Mott Insulator to Band Insulator: A DMFT Study
莫特绝缘体和带状绝缘体是否有本质上的不同，这个问题最近一直是深入研究的问题。在这里，我们考虑一个简单的模型，它允许通过调整一个参数，连续地从莫特绝缘体带绝缘体。该模型由两个通过单粒子跳跃连接的Hubbard系统组成。Hubbard哈密顿量由动力学平均场论求解，使用量子蒙特卡罗来解决由此产生的量子杂质问题。计算了准粒子谱函数。在这里，我们专注于光学电导率，特别是可以通过实验测量的Drude重量。从我们的计算中，我们得出结论，有一个连续的过渡带绝缘体的莫特绝缘体相在有限的温度。
2006-05-23 cond-mat.str-el
Scaling behavior of an Anderson impurity close to the Mott-Anderson transition
本文研究了不同位能的Anderson杂质模型在Mott-Anderson跃迁附近的标度行为。根据杂质能量的不同，在临界状态下，该位置变成局部磁矩，如消失的准粒子权重Z -> 0所示，或者保持几乎双重占据或几乎空着，对应于Z -> 1。本文给出了Z的标度行为随在位能量和到跃迁距离的变化，并用一个合适的β函数β（Z）解释了我们的结果.
2006-02-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Universal quantum criticality at the Mott-Anderson transition
我们提出了一个描述有限配位Bethe晶格上Mott-Anderson跃迁的微观模型的大N解。我们的结果表明，强烈的空间涨落，由于安德森局域化效应，显着修改附近的无序莫特跃迁的量子临界行为。准粒子波函数的主要临界行为表现为在从弱到强无序的全范围内呈现出普遍的形式，与无序驱动的非费米液体（“电子格里菲思相”）行为相反，这种行为只在强相关区域中发现。
2013-01-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator
用层动力学平均场论研究了拓扑带绝缘体与莫特绝缘体界面的电子结构。为了表示这些系统的体相，我们使用广义Bernevig-Hughes-Zhang模型，该模型除了导致能带反转的自旋-轨道耦合项之外还包含Hubbard样的现场库仑能量U。分别通过适当选择较小和较大的U值来实现拓扑相和莫特绝缘相。正如预期的那样，界面被发现是金属，因为本地化的边缘状态。然而，当莫特绝缘体中的库仑能量接近临界值时，这种边缘状态在莫特绝缘体内部而不是在界面处表现出其最大幅度。这一发现对应于邻近拓扑带绝缘体诱导的新型邻近效应，并表明，由于莫特绝缘体内的自旋轨道耦合，界面附近的几个层从莫特绝缘相转变为拓扑绝缘相。此外，我们认为，普通的邻近效应，即近藤峰诱导在莫特绝缘体由相邻的金属状态，伴随着一个额外的反向邻近效应，近藤峰引起的状态密度在相邻的金属层的增强。
2014-08-29 cond-mat.str-el
Mott--Hubbard and Anderson Transitions in Dynamical Mean--Field Theory
本文用零温动力学平均场论研究了半填充时的Anderson-Hubbard哈密顿量。局域态密度的计算分别采用几何平均和算术平均。比较了不同平均方案下得到的非磁基态相图。
2005-02-10 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Characterization of a topological Mott insulator in one dimension
通过研究关联电子模型的体拓扑不变量和纠缠谱，研究了一维拓扑莫特绝缘体的性质。阐明了无相互作用拓扑带绝缘体中的无隙边态如何演化为拓扑莫特绝缘体中的自旋边态。此外，我们还提出了一种拓扑Mott相变，这是一种新的拓扑相变，在自由费米子系统中从未观察到过。这种非常规的转变发生在自旋液相中的莫特绝缘体，并伴随着零的单电子格林函数和自旋激发光谱的间隙关闭。
2014-05-09 cond-mat.str-el
Variational description of Mott insulators
强相关模型的Gutzwiller波函数，如果补充一个长程Jastrow因子，可以提供一个适当的变分描述的莫特绝缘体，到目前为止还没有。我们证明了这一概念的原型一维$t-t^\prime$哈伯德模型，在半填充，我们重现所有已知的阶段，即普通莫特未二聚体绝缘体与幂律自旋相关性在小$t^\prime/t$，自旋带隙金属以上的临界$t^\prime/t$和小$U$，和二聚体莫特绝缘体在大排斥。
2004-12-16 cond-mat.str-el
Purely electronic THz polarization in dimer Mott insulators
理论上发现了二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ X在太赫兹频段的纯电子极化模。不寻常的低频模式产生的内二聚体电偶极矩的振荡和交替的二聚体间键级之间的耦合。这些集体运动在二聚体莫特绝缘体的动态介电性质中起着重要的作用。在二聚体Mott相变的相界附近，通过引入电子-晶格耦合实现铁电基态。
2010-03-24 cond-mat.str-el
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Higher-Order Topological Mott Insulator on the Pyrochlore Lattice
我们提供了第一个无偏的证据，高阶拓扑莫特绝缘体在三维数值精确的量子蒙特卡罗模拟。该绝缘相在非相互作用极限下与三阶拓扑绝缘体电连接，其特征在于烧绿石晶格拐角处的无隙模式，其特征在于$\mathbb{Z}_{4}$自旋Berry相。关联和非关联拓扑相位之间的区别在于，在前一相位中，无隙角模仅出现在Mott类自旋激发中。我们还表明，从三阶拓扑莫特绝缘体到通常的莫特绝缘体的拓扑相变发生时，体自旋能隙单独关闭。
2021-10-25 cond-mat.str-el
From band insulator to Mott insulator in one dimension
我们导出了最近由江上、石原和立木[Science，{ \bf 261}，1307（1993）]提出的铁电钙钛矿的一维模型的相图。我们发现，共价性，电离性和强关联之间的相互作用，在一个自发的二聚相分离的弱耦合带绝缘体的强耦合莫特绝缘体的结果。从带绝缘体的二聚相的过渡被确定为伊辛临界点。电荷间隙在该单个点处消失，光导率发散为$σ(ω)\sim ω^{-3/4}$。自旋激发在第二跃迁到莫特绝缘体相以上是无隙的。
1999-04-22 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in a Mott insulator via magnetic field-driven insulator-metal transition
我们提出了一种新型的巨磁电阻效应，这种效应是由于在适当的磁场作用下，双层层状钛掺杂的Ca $_3$ Ru $_2$ O $_7$中Mott绝缘态的反常崩塌引起的。这种绝缘体-金属转变伴随着晶格和磁性结构的变化。我们的发现具有重要的意义，因为磁场通常稳定的绝缘基态在Mott-Hubbard系统，因此需要更深入的理论研究，重新审视磁场调谐的Mott系统的磁和电子的不稳定性和自旋晶格电荷耦合。这项研究进一步提供了一个模型的方法来寻找CMR系统以外的锰氧化物，如莫特绝缘体之间的竞争相的边界附近。
2018-02-07 cond-mat.str-el
Mean field theory of the Mott-Anderson transition
我们提出了一个无序相互作用的电子，可以描述莫特和安德森过渡的零无序和零相互作用的各自限制的理论。我们用它来研究T=0 Mott-Anderson跃迁在一个固定的电子密度，随着无序强度的增加。令人惊讶的是，我们发现两个临界值的无序W_{nfl}和W_c。当W > W_{nfl}时，系统进入"Griffiths“相，表现出金属非费米液体行为。在更强的无序下，W=W_c > W_{nfl}，系统经历金属绝缘体转变，其特征是典型态密度和典型准粒子重量都线性消失。
1997-06-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Anderson-Mott Transition in a Magnetic Field: Corrections to Scaling
结果表明，顺磁无序电子在外加磁场中的Anderson-Mott金属-绝缘体相变与最近讨论的铁磁金属-铁磁绝缘体相变具有相同的普适性.因此，在磁场普适性类中存在对标度的大的修正，这在以前的理论描述中被忽略了。这些校正缩放的性质和后果进行了讨论。
2000-08-03 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Comment on "Origin of Giant Optical Nonlinearity in Charge-Transfer--Mott Insulators: A New Paradigm for Nonlinear Optics"
评论物理。86、2086（2001）
2001-05-30 cond-mat.str-el
Mechanism of hopping transport in disordered Mott insulators
通过使用详细的实验研究和简单的理论论证相结合，我们确定了一种新的机制，其特征在于在莫特绝缘相的Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$附近的金属-绝缘体转变的跳跃输运。跳变指数$α$显示了从绝缘体中更深处的$α=1/2$值到更接近过渡的常规Mott值$α=1/3$的系统演化。这种行为，我们认为是一个普遍的特点，无序莫特系统接近金属-绝缘体过渡，反映了逐渐出现的无序诱导的局部电子状态填充莫特-哈伯德间隙。
2004-08-11 cond-mat.str-el
Mott metal-insulator transition in a modified periodic Anderson model: Insights from entanglement entropy and role of short-range spatial correlations
本研究在修正周期安德森模型中，利用动力学平均场理论及其简化版本，解析估计了零温度莫特转变的临界参数和纠缠熵，并扩展到团簇版本以探讨短程空间关联的影响。
2025-10-17 cond-mat.str-el
Quantitative Determination of the Critical Points of Mott Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Systems
本文利用动力学平均场理论研究Hubbard模型中的Mott相变，引入局部量子态保真度定量测定相变临界点，并一致描述了两种不同形式的Mott相变点。
2023-11-28 cond-mat.str-el
Typical-Medium Theory of Mott-Anderson Localization
Mott和Anderson局域化路线一直被认为是驱动金属-绝缘体转变（MIT）的两个基本过程。很久以前就讨论过分别描述这些机制的理论，但是一种可以同时包括这两种机制的公认方法仍然难以捉摸。由于不容易找到一个合适的静态序参量，所以金属和绝缘体之间没有明显的静态对称性，这就提出了另一个基本问题。强调了金属和绝缘体之间的关键区别在于电子的动力学。这一物理图像表明，“典型的”（几何平均的）从给定晶格位置的逃逸率应被视为MIT的合适的动力学序参量，其可以自然地描述用于局域化的Anderson和Mott机制。本文综述了典型介质理论的最新研究成果，为Mott-Anderson相变的双流体性质提供了新的认识。
2010-03-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
A local theory for Mott-Anderson localization
在动力学平均场论的框架下，采用非微扰局域矩方法研究了典型介质中Anderson-哈伯德模型（AHM）的顺磁金属相.我们的重点是在金属-绝缘体过渡附近的金属相的击穿中看到的单粒子光谱，散射率和相关的近藤尺度分布。我们证明了一个普遍的，潜在的低能量标度，$T_K^{peak}$的出现。这位于接近近藤尺度的分布的峰值内获得的顺磁性AHM的金属相。$ω\lesssim T_K^{peak}$的能量谱动力学表明，在标度区，$ω\gg T_K^{peak}$的费米液体普适性跨越到非相干普适动力学。这种普遍的动力学表明，在一个本地理论的低到中等低能量的物理是由一个有效的，{ \it无序renormalised}近藤筛选。
2016-08-15 cond-mat.str-el
Finite-Temperature Charge Dynamics and the Melting of the Mott Insulator
莫特绝缘体是典型的强关联电子态。通过将从费米子（holon-doublon）描述扩展到有限温度，我们获得了对二维莫特绝缘体物理的完全了解。我们首先基准其预测对国家的最先进的量子蒙特卡罗模拟，证明定量协议。同时，短程自旋涨落既诱导出了holon-doublon束缚态，又重整化了电荷扇区，形成了Hubbard带。莫特能隙被理解为由这些自旋涨落向下重整化的电荷能隙。随着温度的升高，莫特能隙在电荷能隙之前闭合，导致在莫特绝缘体熔化期间自然出现赝能隙状态。
2019-06-28 cond-mat.str-el
Mechanism of Ambipolar Field-Effect Transistors on One-Dimensional Organic Mott Insulators
实验观察到的，双极场效应特性的莫特绝缘体复制在一维哈伯德模型连接到一个紧束缚模型的源极和漏极。肖特基势垒的形成，源于功函数的差异，考虑到由一个潜在的满足泊松方程与适当的边界条件。然后，这些场效应特性被证明是由独特的电流-电压特性的金属-莫特-绝缘体接口相关。
2007-10-18 cond-mat.str-el
Fractional Quantum Hall Effect and Featureless Mott Insulators
我们指出并明确证明了无特征的莫特绝缘体和分数量子霍尔液体之间存在着密切的联系。在最低朗道能级（LLL）下，以磁Wannier态为单粒子基，证明了LLL中相互作用玻色子的哈密顿量映射到由磁Wannier态形成的三角晶格上无特征莫特绝缘体的哈密顿量上.哈密顿量非常简单，只包含短程排斥和环交换项。
2010-03-11 cond-mat.str-el
Topological Bose-Mott insulators in one-dimensional non-Hermitian superlattices
研究了一维非厄米特超晶格中玻色-莫特绝缘体的拓扑性质，这些绝缘体可以作为具有两体损耗和单体损耗的冷原子光学系统的有效哈密顿量.我们发现，在强排斥极限下，整数填充下具有有限两体损耗的Bose-哈伯德模型的莫特绝缘体态是拓扑绝缘体，其特征在于有限的电荷间隙，非零的整数Chern数，以及在开边界条件下低能激发谱中的非平凡边缘模.由于强排斥作用抑制了两体损耗，得到了一个稳定的拓扑玻色-莫特绝缘体，它具有与厄米特绝缘体相似的特征。然而，对于与单体损耗有关的非厄米模型，我们发现非厄米拓扑莫特绝缘体在有限的虚激发能隙下是不稳定的。最后，通过求解Lindblad主方程，我们还讨论了在两体损失存在下Mott相的稳定性。
2020-07-28 cond-mat.str-el
Proximity effects in a topological-insulator/Mott-insulator heterostructure
利用非均匀动力学平均场论研究了二维莫特绝缘体（MI）和拓扑绝缘体（TI）关联异质结构中的邻近效应。我们表明，TI的边缘状态诱导MI区域内的强重整化的中间间隙状态，仍然有剩余的螺旋能谱。界面隧穿$V$控制的低能电子的穿透大大增强了MI内部的电子质量，并且在强$V$区域中将边缘位置处的单个Dirac锥分裂成空间分离的两个Dirac锥。
2013-03-12 cond-mat.str-el
Theory of Mott insulator/band insulator heterostructure
提出了一种由莫特绝缘体LaTiO $_3$和带状绝缘体SrTiO $_3$组成的异质结构理论。Ti $d$ % -电子的能带结构用最近邻紧束缚近似处理; La $^{3+}$ /Sr $^{2+}$电荷差和载流子引起的电场用Hartree近似处理;原位相互作用用无限制的Hartree-Fock近似处理。确定了作为相互作用强度和层数的函数的相图，并对光学电导率实验进行了预测。值得注意的发现是异质结构的边缘通常是金属的。
2004-04-13 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Field theories of paramagnetic Mott insulators
本文总结了作者最近发表的综述文章（cond-mat/0109419、cond-mat/0211005和cond-mat/0211027）中的一个中心论点。本文导出了具有共线自旋关联的顺磁莫特绝缘体中低能自旋单重态激发的有效场论。
2003-04-09 cond-mat.str-el
Surface effects in doping a Mott insulator
研究了在固体-真空界面存在下掺杂莫特绝缘体的物理过程。使用嵌入方法的动态平均场论，我们表明，在掺杂的莫特绝缘体的表面光谱演化的变化是由电荷转移效应和增强的相关效应的组合驱动。接近莫特绝缘相从金属侧，我们表明，死层形成在固体的表面，准粒子振幅呈指数抑制。表面跳跃积分的变化会对表面关联和电荷转移效应产生很大的影响。
2011-03-04 cond-mat.str-el
Relaxation Dynamics of Photocarriers in One-Dimensional Mott Insulators Coupled to Phonons
研究了一维莫特绝缘体中光生载流子与声子耦合的复合过程。通过密度矩阵重整化群计算，我们发现即使在小的电子-声子耦合下，也会动态地产生大量的声子，从而导致辐照后的初始弛豫过程。同时，抑制了由照射引起的高能态和低能态的混合引起的自旋-电荷耦合。我们讨论莫特和带状绝缘体的弛豫动力学之间的差异。
2012-02-02 cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Cluster Mott insulators and two Curie-Weiss regimes on an anisotropic Kagome lattice
受量子自旋液体候选材料LiZn 2 Mo 3 O 8最近实验的启发，我们研究了各向异性Kagome晶格上1/6电子填充的单带扩展哈伯德模型.由于晶格的部分填充，需要产生莫特绝缘体，其中电子被定位在簇中，而不是在晶格位置处的位置间排斥相互作用。结果表明，这些团簇莫特绝缘体一般是具有自旋费米面的U（1）量子自旋液体.团簇莫特绝缘体中的电荷激发的性质与传统的莫特绝缘体有很大的不同，我们发现存在一种新颖的团簇莫特绝缘体，其中六角团簇周围的电荷波动诱导了元胞电荷序（PCO）。由于PCO的存在，自旋液体团簇莫特绝缘体中的自旋子激发谱被重构，只有1/3的自旋子激发是磁激活的。基于这些结果，我们提出LiZn_2 Mo_3 O_8中自旋磁化率的两个Curie-Weiss区域可以用具有PCO的团簇莫特绝缘体的有限温度性质以及自旋子的分数激发来解释。现有的和可能的未来实验LiZn 2 Mo 3 O 8，和其他钼基团簇磁体进行了讨论，根据这些理论预测。
2016-06-15 cond-mat.str-el
Spin susceptibility anomaly in cluster Mott insulators on a partially-filled anisotropic Kagome lattice: applications to LiZn2Mo3O8
受量子自旋液体候选材料LiZn 2 Mo 3 O 8最近实验的启发，我们研究了各向异性Kagome晶格上1/6电子填充的单带扩展哈伯德模型.由于晶格的部分填充，需要产生莫特绝缘体，其中电子被定位在簇中，而不是在晶格位置处的位置间排斥相互作用。我们提供了这样的集群莫特绝缘体的例子，并研究金属态和集群莫特绝缘体的各向异性的可果美晶格之间的相变。结果表明，这些团簇莫特绝缘体一般是具有自旋费米面的U（1）量子自旋液体.然而，在不同的集群莫特绝缘体的电荷激发的性质可能是完全不同的，我们表明，存在一种新的集群莫特绝缘体的电荷波动周围的六边形集群诱导的元胞电荷秩序（PCO）。由于PCO的存在，自旋液体团簇莫特绝缘体中的自旋子激发谱被重构，只有1/3的自旋子激发是磁激活的。同一模型的强耦合极限也通过一个Kugel-Khomskii-like模型进行了分析。基于这些结果，我们认为LiZn_2Mo_3O_8有限温度自旋磁化率的反常行为可以用具有PCO的团簇莫特绝缘体的有限温度性质以及自旋子的分形激发来解释.现有的和可能的未来实验LiZn 2 Mo 3 O 8，和其他钼基团簇磁体进行了讨论，根据这些理论预测。
2014-08-14 cond-mat.str-el
Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Electronic Structure of Mott Insulators Studied by Inelastic X-ray Scattering
莫特绝缘体的电子结构仍然是物理学中一个主要的未解决的问题，尽管半个多世纪的紧张的研究工作。发展良好的动量分辨光谱学，如光电子能谱或中子散射不能探测整个莫特能隙。本文报道了利用高分辨率共振非弹性X射线散射技术在高Tc母体Ca_2CuO_2Cl_2中观察到的Mott能隙中的色散电荷激发，揭示了Mott能隙的各向异性。这些结果为哈伯德模型描述Mott能隙中的电荷激发提供了直接的支持。
2001-03-24 cond-mat.str-el
