Voltage-controlled tunneling anisotropic magneto-resistance of a ferromagnetic $p^{++}$-(Ga,Mn)As/$n^{+}$-GaAs Zener-Esaki diode
在大的温度和电压范围内，在垂直磁场作用下，单个$p^{++}$ -（Ga，Mn）As/ $n^{+}$ -GaAs Zener-Esaki二极管表现出大的隧穿各向异性磁阻效应.在施加的偏压下，隧道结的透明度被修改，允许连续地调整隧道和欧姆制度之间的各向异性传输特性。此外，还观察到各向异性隧穿磁电阻的非对称偏压依赖性：反向偏压突出了全部（Ga，Mn）As价带态的贡献，而正向偏压只探测部分态密度，揭示了两个子带的相反贡献.
2005-09-02 cond-mat.mes-hall
Magnetoplasmon resonance in 2D electron system driven into a zero-resistance state
我们报告了一个非常强大的，而尖锐的，光致电阻峰源于一个维度磁等离子体共振（MPR）在高迁移率GaAs/AlGaAs量子阱由微波辐射驱动到零电阻状态（ZRS）。MPR信号的分析揭示了一个负背景，为与ZRS相关的绝对负电阻概念提供了实验证据。当一个系统进一步受到直流场，微波诱导的电阻振荡的最大值衰减消失，系统揭示了一个状态与接近零的微分电阻。另一方面，MPR峰基本上保持不变，表明在MPR条件下具有令人惊讶的稳健欧姆行为。
2012-03-21 cond-mat.mes-hall
Two-dimensional Transport Induced Linear Magneto-Resistance in Topological Insulator Bi$_2$Se$_3$ Nanoribbons
本文报道了在垂直磁场作用下，Bi2Se3纳米带的线性磁电阻效应。通过角度依赖性磁输运实验，我们表明，这种线性MR是纯粹由于二维（2D）的运输，与最近发现的线性MR从2D拓扑表面状态散装Bi2Te3，和线性MR的其他无带隙半导体和石墨烯。我们进一步表明，Bi2Se3纳米带的线性MR持续到室温，强调了利用拓扑绝缘体纳米材料的室温磁电子应用的潜力。
2011-08-02 cond-mat.mes-hall
Interference of magnetointersubband and phonon-induced resistance oscillations in single GaAs quantum wells with two populated subbands
在大填充因子下，研究了具有两个布居子带的GaAs量子阱中的低温电子磁输运。磁子带间（MIS）和声声子诱导的耗散电阻振荡被发现是共存的，但相互干扰。实验表明，MIS振荡的振幅显着增强声子，声子散射和子带间电子跃迁之间的“建设性干涉”。量子振荡的温度阻尼被发现与相当大的电子-电子散射引起的朗道能级展宽有关。
2009-12-22 cond-mat.mes-hall
Quantum oscillations of dissipative resistance in crossed electric and magnetic fields
观察到GaAs量子阱中二维电子的耗散电阻响应于电流I和垂直于二维系统的强磁场的振荡。电流感应振荡的周期不依赖于磁场和温度。在固定电流下，振荡在反向磁场中是周期性的，其周期不依赖于直流偏置。该模型考虑了电子填充因子的空间变化，这是由电流引起的电阻振荡的起源。
2012-07-09 cond-mat.mes-hall
Large positive magneto-resistance in high mobility 2D electron gas : interplay of short and long range disorder
我们在AlGaAs/GaAs异质结中的高迁移率二维电子气中观察到了大的正准经典磁电阻。磁电阻是非饱和的，并且随着磁场的增加而增加，为$ρ_{xx}\sim B^α (α=0.9-1.2)$。在反点晶格中观察到非单调MR。我们表明，在这两种情况下，这种MR可以定性描述的理论最近提出的Polyakov等人（PRB，64，205 - 306（2001））。他们的预测是，我们观察到的这种行为可能是同时存在短程和长程散射势的结果。
2004-03-09 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced magnetooscillations and signatures of zero-resistance states in phonon-drag voltage in two-dimensional electron systems
我们在垂直磁场中的二维电子气中观察到了微波辐射下与电阻振荡相关的声子拖曳电压振荡。这一现象的解释由微波的声子拖曳电压垂直于声子通量的耗散电阻率的影响。当最低阶电阻极小值演变为零电阻状态时，声子拖曳电压表现出尖锐的特征，表明与这些状态相关的电流域可以在没有外部直流驱动的情况下存在。
2015-11-24 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced resistance oscillations in tilted magnetic fields
本文研究了面内磁场对高迁移率二维电子系统中微波感应电阻振荡的影响。我们已经发现，振荡振幅随磁场的面内分量$B_\parallel$呈指数衰减。虽然这些发现不能用现有的理论来解释，但我们的分析表明，这种衰变可以用$B_\parallel$引起的对量子散射率的修正来解释，该修正在$B_\parallel$中是二次的。
2012-11-15 cond-mat.mes-hall
Giant Anisotropic Magneto-Resistance in ferromagnetic atomic contacts
磁阻是一种具有重要基础和工业意义的物理效应，因为它是计算机读头和磁性随机存取存储器中使用的磁场传感器的基础。随着器件尺寸的减小，磁和电输运的一些重要的物理长度尺度将很快获得。最后，我们迫切需要知道导致磁阻的物理现象在原子尺度上是否仍然存在。在这里，我们表明，磁电阻的各向异性大大增强的原子尺寸收缩。我们解释了这种物理效应的电子态密度的变化时，在结的磁化旋转，支持我们的从头计算。这源于“自旋-轨道耦合”机制，将轨道的形状与自旋方向联系起来。这敏感地影响由价轨道的重叠确定的原子接触的电导。
2006-02-13 cond-mat.mes-hall
High order fractional microwave induced resistance oscillations in 2D systems
我们报告的微波诱导电阻振荡的观察与分数比n/m的微波辐射频率的回旋频率的m高达8在一个二维的电子系统与高电子密度。这些特征在高微波频率下猝灭，与分数阶m无关。我们分析了温度，功率和频率的磁阻振荡的依赖关系，并讨论它们与现有的理论。
2009-07-30 cond-mat.mes-hall
Hall field-induced resistance oscillations in tilted magnetic fields
研究了面内磁场对高迁移率二维电子系统中霍尔场致电阻振荡的影响。我们发现，振荡频率只取决于垂直分量的磁场，但振荡幅度衰减与平面内的分量呈指数关系。虽然这些发现不能用现有的非线性输运理论来解释，但我们的分析表明，这种衰减可以用平面内磁场引起的量子散射率的改变来解释。
2011-01-26 cond-mat.mes-hall
Temperature Dependence of Magnetophonon Resistance Oscillations in GaAs/AlAs Heterostructures at High Filling Factors
在T = 7.4 - 25.4K温度范围内，研究了中等迁移率、大填充因子的二维电子系统中声子诱导电阻振荡的温度依赖性。声子诱导振荡的振幅由量子弛豫时间决定，而量子弛豫时间又由电子-电子相互作用效应决定。这与最近在低电子密度的超高迁移率二维电子系统中得到的结果一致[A. T. Hatke等人，物理修订版信函102，086808（2009）]。随着温度的升高，磁声子电阻振荡的主最大值向更高的磁场移动。
2010-01-18 cond-mat.mes-hall
Anisotropic and strong negative magneto-resistance in the three-dimensional topological insulator Bi2Se3
本文报道了三维拓扑绝缘体Bi2Se3外延薄膜的高场角度依赖磁输运测量。在低温下，我们观察到量子振荡，表现出体和表面载流子的同时存在。Bi_2Se_3的磁电阻具有很强的各向异性。在平行电场和磁场存在的情况下，我们观察到了一个强的负纵向磁阻，它被认为是在某些半金属中由于所谓的轴向反常而存在手征费米子的一个确凿证据。它在三维拓扑绝缘体中的观测结果表明，轴向异常实际上可能是一种比最初想象的更为普遍的现象。
2016-08-11 cond-mat.mes-hall
Inter-subband resistance oscillations in crossed electric and magnetic fields
研究了垂直于单GaAs量子阱的电流和磁场作用下非线性电阻的量子振荡。在小磁场下，电流引起的振荡表现为最低子带内朗道能级之间的朗道-齐纳跃迁。这些振荡的周期与磁场成正比。在高磁场下，不同类型的量子振荡以一个周期出现，该周期与磁场无关。在固定电流下，振荡在逆磁场中是周期性的，其周期与直流偏置无关。所提出的模型认为，这些振荡的空间变化的结果引起的电流的两个子带之间的能量分离。
2012-06-22 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced resistance oscillations as a classical memory effect
通过数值模拟和分析研究，我们发现微波诱导电阻振荡现象可以理解为电子在回旋加速器周期后与散射中心再碰撞所引起的经典记忆效应。我们开发了一个类似德鲁德的方法，磁输运在微波场的存在下，考虑到记忆效应，并找到一个很好的协议之间的数值和分析结果，以及与实验的定性协议。
2016-04-14 cond-mat.mes-hall
Radiation-induced resistance oscillations in a 2D hole gas: a demonstration of a universal effect
我们报告的理论洞察微波诱导的电阻振荡和零电阻状态时，处理p型半导体和空穴，而不是电子。我们考虑了高迁移率的二维空穴气托管在一个纯Ge/SiGe量子阱。类似于电子，我们得到辐射诱导的电阻振荡和零电阻状态。我们解析地推导出辐射磁电阻的普遍表达式，解释了最小值位置及其$1/4$周期相移的起源。结果是，这些现象是普遍的，只取决于辐射和回旋频率。我们还研究了同时有两个不同的载体驱动的辐射：轻和重空穴的可能性。结果表明，由于两种载流子的有效质量不同，所计算的磁电阻呈现出干涉分布。
2015-07-03 cond-mat.mes-hall
Resistance oscillations of two-dimensional electrons in crossed electric and tilted magnetic fields
研究了直流电场对倾斜磁场中宽GaAs单量子阱中高迁移率二维电子输运的影响。研究表明，在垂直磁场中，由于电场引起的量子能级之间的Landau-Zener跃迁，对应于回旋加速器轨道之间的几何共振和电子态密度的周期性调制，电阻振荡。磁场倾斜使这些振荡反转。令人惊讶的是，观察到最强的反向振荡的倾斜对应于几乎没有调制的电子态密度的制度的磁击穿的半经典电子轨道。这种现象建立了一个例子，量子电阻振荡由于朗道量子化，这发生在电子系统具有恒定的状态密度。
2016-05-02 cond-mat.mes-hall
Coherent states in microwave-induced resistance oscillations and zero resistance states
研究低磁场下辐照的二维电子系统，发现量子谐振子相干态及其最小不确定原理是微波诱导磁阻振荡和零电阻态的核心，从而解释了光电振荡的物理起源与周期性等实验证据。
2024-02-16 cond-mat.mes-hall
Granularity Controlled Non-Saturating Linear Magneto-resistance in Topological Insulator Bi2Te3 Films
我们报告的磁输运性质的化学气相沉积生长的互连Bi 2 Te 3纳米片的薄膜。类似于许多其他拓扑绝缘体（TI）材料，这些颗粒状Bi 2 Te 3薄膜表现出线性磁阻（LMR）效应，这最近受到了很多关注。研究了不同粒度的样品，我们发现LMR的大小与薄膜的平均迁移率（μ）在近两个数量级的变化范围内具有普遍的相关性。根据Parish-Littlewood理论，颗粒控制的LMR效应归因于迁移率涨落引起的经典LMR。这些发现对TI和小带隙半导体材料的基本理解和磁阻器件应用都有影响。
2015-12-28 cond-mat.mes-hall
Influence of nonequilibrium phonons on the amplitude of magnetoquantum oscillations in the point-contact resistance
对于与Be和Al的金属点接触，研究了接触电阻中的磁量子振荡与接触上施加电压的函数关系。对于一组点接触的振荡幅度被发现与所施加的电压与点接触的电子-声子相互作用的频谱的相似性非单调变化。研究的点接触的另一部分示出了随着偏置电压的增加而减小的振荡幅度。为了理解点接触磁电阻振荡的振幅的电压依赖性，将讨论由弹道注入电子产生的非平衡声子的影响。
2017-05-17 cond-mat.mes-hall
Dependence of the amplitude of magnetoquantum oscillations of the metallic point-contact resistance on the bias voltage
研究了由$Al$和$Be$构成的金属点接触电阻随接触电势差差变化的磁量子振荡。磁场中电阻振荡的幅度随电压而增加，并且对于一组触点与点接触的EPI谱相同，而对于另一组触点与触点两端的偏置电压相同。振荡振幅的增加以及它的减少有一个非单调的依赖于能量。非平衡声子对电子的散射和非平衡电子系统中的费米液体效应被认为是观察到的效应背后的可能原因。
2016-01-01 cond-mat.mes-hall
Radiation-assisted magnetotransport in two-dimensional electron gas systems: appearance of zero resistance states
零电阻态（ZRS）通常与超导相和量子霍尔相有关。在磁场中微波辐照的二维电子气系统中，零参考系的实验探测是一个令人惊讶的发现。我们发展了一个半经典输运理论来解释这种现象。我们发现了一系列的零电阻态（ZRS）继承的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡的高频和大幅度微波辐射的影响下的抑制。此外，ZRS是非常明显的，并持续到宽间隔的磁场，如在微波照射的2DEG系统的实验中观察到的。
2015-10-12 cond-mat.mes-hall
Resistance fluctuations and Aharonov-Bohm-type oscillations in antidot arrays in the quantum Hall regime
研究了量子霍尔区反点晶格中的电阻涨落现象。有限反点阵列系统的磁阻在量子霍尔平台过渡区表现出两种类型的振荡效应。一种是非周期电阻波动（RF），另一种是Aharonov-Bohm（AB）型振荡。它们对磁场和栅电压的依赖性是相当不同的。虽然非周期性RF归因于可压缩通道的导电网络的复杂演化，但AB型振荡被解释为围绕单个反点形成的边缘状态。自洽屏蔽效应对这两种现象都很重要，而单电子充电效应在本例中起次要作用。
2008-06-10 cond-mat.mes-hall
Phase of phonon-induced resistance oscillations in a high-mobility two-dimensional electron gas
我们报告的磁阻振荡的实验研究，起源于二维电子与热横向声学声子在非常高的迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的共振相互作用。我们发现，振荡的最大值始终发生时，频率的声子与两倍的费米动量超过整数倍的回旋频率。这一观察结果与以前所有将电阻最大值与磁声子共振及其谐波相关联的实验相反。我们的实验获得的共振条件是在良好的定量协议与最近的理论建议。
2011-12-20 cond-mat.mes-hall
Temperature effects on microwave-induced resistivity oscillations and zero resistance states in 2D electron systems
在这项工作中，我们从理论上解决了一个关键问题，微波引起的纵向电阻率振荡和零电阻状态，因为是温度。为了解释强的温度依赖性的纵向电阻率和热激活的运输在2DEG，我们已经开发了一个微观模型的基础上所遭受的阻尼由微波驱动的电子轨道动力学与晶格离子产生声学声子的相互作用。最近的实验结果表明，随着辐射强度的增加，纵向电阻率振荡的幅度减小，零电阻状态击穿。为了解释它，我们在我们的模型中包括电子加热由于大的微波强度和它对纵向电阻率的影响。
2005-10-19 cond-mat.mes-hall
Terahertz-induced resistance oscillations in high mobility two-dimensional electron systems
我们报告的理论工作下的太赫兹辐射下的磁输运与高迁移率的二维电子系统。我们专注于所获得的辐射感生磁阻振荡（RIRO）和Shubnikov-de Haas（SdHO）振荡之间的相互作用。我们研究了两个效果实验获得这种辐射。首先，观察到的SdHO振荡的消失，同时在零电阻状态区域的电阻消失。其次，在足够的太赫兹辐射功率下，SdHO振荡的强调制。我们的结论是，这两种效果共享相同的物理起源，辐射朗道状态之间的散射电子，（RIRO），并在一定的磁场，（SdHO）的可用的初始态密度之间的平均先进距离的干扰。因此，从物理的角度来看，太赫兹实验和理论模拟揭示的是，一方面，朗道态受到辐射的振荡性质，另一方面，它们在散射存在下的行为。
2016-04-10 cond-mat.mes-hall
Sub-linear radiation power dependence of photo-excited resistance oscillations in two-dimensional electron systems
我们发现GaAs/AlGaAs系统中的$R_{xx}$辐射感生磁电阻振荡的振幅按$A \propto P^α$的形式非线性增长，其中$A$为振幅，指数为$α< 1$ . %，其中$α\rightarrow 1/2$以%表示为低温极限。这个惊人的结果可以用辐射驱动电子轨道模型来解释，该模型表明电阻振荡的幅度线性地依赖于辐射电场，因此依赖于功率的平方根$P$。我们还研究了这种次线性幂律随晶格温度和辐射频率的变化。
2010-11-23 cond-mat.mes-hall
Observation of microwave-induced resistance oscillations in strained Ge/SiGe quantum wells
微波诱导电阻振荡（MIRO）已经被广泛研究了十多年，但到目前为止，仍然是独特的GaAs/AlGaAs为基础的二维电子系统。在这里，我们报告的第一个观察MIRO在2D空穴气体托管在Ge/SiGe量子阱。我们的研究结果证实了MIRO是一个普遍现象，并表明微波光阻可以用来探测Ge/SiGe量子阱中二维空穴的能谱和相关效应。
2014-05-05 cond-mat.mes-hall
Negative Tunneling Magneto-Resistance in Quantum Wires with Strong Spin-Orbit Coupling
本文研究了一个二维磁性隧道结FM/I/QW（FM+SO）/I/N结构，其中FM，I和QW（FM+SO）分别代表铁磁体、绝缘体和量子线，它们同时具有磁有序和Rashba自旋轨道（SOC）.隧穿磁电阻（TMR）表现出很强的各向异性，并且随着极化方向相对于量子阱轴的变化而改变符号，这是由于量子阱的一维性、磁有序性和强SOC之间的相互作用。这些结果为最近在LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$界面观察到的符号转换各向异性TMR提供了可能的解释。
2014-10-01 cond-mat.mes-hall
Large Magnetoresistance Ratio in Ferromagnetic Single-Electron Transistors in the Strong Tunneling Regime
我们研究通过铁磁单电子晶体管的运输。电阻被表示为路径积分，使得可以研究隧道电阻小于量子电阻的系统。在低阶顺序隧穿和共隧穿区域之外，在足够低的温度下，发现了大的磁电阻比，而在相反的极限下，当热能大于充电能量时，磁电阻比仅略有增加.
1999-12-11 cond-mat.mes-hall
Bilinear magneto-electric resistance as a probe of three-dimensional spin texture in topological surface states
三维拓扑绝缘体的表面态表现出自旋动量锁定现象，电子自旋的方向由其动量决定。探测这些态的自旋织构对于拓扑绝缘体器件的实现具有重要意义，但目前可用的主要技术是自旋和角度分辨光电子能谱。在这里，我们揭示了自旋织构和一种新的磁阻之间的密切联系，这取决于电流相对于磁场以及晶轴的相对取向，并与所施加的电场和磁场呈线性关系。这种双线性磁-电阻可以通过简单的输运测量来映射拓扑表面态的自旋织构。对于一个典型的Bi 2Se 3单层，我们可以映射的自旋纹理的平面内和平面外的组件-后者所产生的六边形翘曲。理论计算表明，双线性磁电阻是由非平衡自旋电流在外加磁场作用下转变为电荷电流而产生的。
2017-06-29 cond-mat.mes-hall
Driving Weiss oscillations to Zero Resistance States by Microwave Radiation
在这项工作中，我们提出了一个理论模型来研究微波辐射对外斯振荡的影响。在我们的建议外斯振荡，产生的空间周期性的潜力，调制微波辐射由于两者之间的干涉效应，空间和时间相关的，潜力。最终的磁电阻主要取决于空间势的空间周期和辐射频率。根据这些参数的值，我们预测外斯振荡可以达到零电阻状态。另一方面，这些无耗散的输运态，由辐射产生，可以被额外存在的周期性空间相关势破坏。然后通过调节空间周期或辐射频率，可以强烈地修改磁阻。
2008-08-18 cond-mat.mes-hall
Effect of density on microwave-induced resistance oscillations in back-gated GaAs quantum wells
我们报道了30 nm宽的可调密度GaAs/AlGaAs量子阱中的微波诱导电阻振荡（MIRO）。我们发现，MIRO振幅显着增加与载流子密度。我们的分析表明，预期的有效微波功率和量子寿命随密度的增加不足以解释所观察到的振幅的增长。我们进一步观察到，基本振荡的极值移向回旋共振密度增加，这也与理论预测相矛盾。这些发现表明，现有的理论并没有正确地捕捉到密度依赖性，需要进一步的研究。
2019-04-05 cond-mat.mes-hall
Mesoscopic Current-In-Plane Giant Magneto-Resistance
我们开发了一个三维的半经典理论，概括的Valet-Fert模型，以占非共线系统的磁纹理，包括例如畴壁或磁涡旋。该理论允许横向于磁化的自旋在有限长度上穿透铁磁体内部，并适当地考虑了Sharvin电阻。对于铁磁-正常铁磁多层膜，电流注入在层平面（CIP），我们预测存在一个非零的介观CIP巨磁阻（GMR）在扩散水平。这种介观CIP-GMR，它增加了通常的弹道贡献，具有非单调的空间变化，并让人想起层中的电导量子化。此外，我们还研究了自旋阀纳米柱中的自旋转移矩。我们发现，当自由层内部的磁化方向不均匀时，自旋力矩的变化非常显著，简单的一维计算不再可靠。
2011-09-16 cond-mat.mes-hall
Aharonov-Bohm oscillations of four-probe resistance in topological quantum rings in silicene and bilayer graphene
我们考虑观察Aharonov-Bohm振荡在干净的系统的基础上，硅烯和双层石墨烯的拓扑保护电流的流动。这些材料中的手性通道由垂直电场的翻转限定。翻转线将手征电流限制在由谷确定的方向上。我们提出了一个电场的配置文件，形成一个交叉的环，其中四个终端可以连接，并发现，电导矩阵元振荡的垂直磁场，尽管没有反向散射。我们提出了一个四探针电阻测量设置，并证明了电阻振荡有很大的可见性，只要系统是以这样一种方式制备的，禁止电流探针之间的手性载流子的直接转移。
2020-02-25 cond-mat.mes-hall
Non linear magnetotransport theory and Hall induced resistance oscillations in graphene
研究了直流偏压下石墨烯非线性磁电阻的量子振荡。我们提出了一个理论模型的非线性磁输运的石墨烯载流子。该模型是基于有效的狄拉克方程的精确解在交叉的电场和磁场，而随机分布的杂质的影响微扰添加。为了计算非线性电流，我们开发了一个协变公式的迁移中心理论。对大磁场区微分电阻率的分析表明，当直流电流超过阈值时，Shubnikov de Hass振荡的极值反转。这一结果与实验观察结果符合得很好。在小磁场下，超净石墨烯样品存在霍尔感应电阻振荡。这些振荡起源于朗道能级之间的朗道-齐纳跃迁，朗道能级被强霍尔电场倾斜。
2014-02-12 cond-mat.mes-hall
Novel critical field in magneto-resistance oscillation of 2DEG in asymmetric GaAs/AlGaAs double wells measured as a function of the in-plane magnetic field
我们研究了在标准异质结的GaAs缓冲区中，由远离界面生长的薄AlGaAs势垒形成的强非对称双阱结构的磁阻。在平行于电子层取向的磁场中，磁阻表现出与较高占据子带的减少以及与场诱导过渡到去耦双层相关联的振荡。此外，增加的场将电子从三角形阱转移到矩形阱，并且在足够高的场值下，三角形阱被清空。因此，电子系统变成单层，这导致电子态密度的急剧阶跃和磁阻曲线的附加最小值。
2001-06-21 cond-mat.mes-hall
Magnetoquantum oscillations in the resistance of metallic point contacts: Influence of nonequilibrium phonons
本文研究了Al和Be点接触在平行于接触轴的磁场中的磁阻量子振荡幅度与施加在接触上的电压的关系。结果发现，对于一组接触的振荡幅度非单调增加的偏置电压的增加，而对于另一部分的接触的振幅减小观察。电子与非平衡声子的散射以及声子-声子碰撞将作为观察到的效应的可能原因进行讨论。
2016-01-02 cond-mat.mes-hall
Large Magneto-Electric Resistance in the Topological Dirac Semimetal alpha Sn
拓扑量子材料中表面态的自旋-动量锁定可以产生与磁场和电场成线性比例的电阻。这种双线性磁致电阻（BMER）效应为磁存储和磁场感测应用提供了一种全新的方法。然而，到目前为止所证明的影响相对较弱或适用于低温。在拓扑狄拉克半金属α-Sn薄膜中发现了强的室温BMER效应。在硅衬底上溅射生长外延α-Sn薄膜。他们显示BMER响应比先前报道的室温下大10^6倍，也比先前报道的低温下大。这些结果代表了现实BMER应用的重大进展。这些数据也使得第一个表征的三维，费米能级自旋纹理的拓扑表面状态的α-Sn。
2021-07-07 cond-mat.mes-hall
Rashba-Edelstein Magnetoresistance in Metallic Heterostructure
本文报道了在金属异质结中观察到的由Rashba自旋轨道耦合引起的磁电阻效应：Rashba-Edelstein（RE）磁电阻效应。我们发现，在一个Bi/Ag/CoFeB三层耦合电流诱导的自旋积累的电阻的直接和反向RE效应的同时行动。电阻随磁场角度而变化，这让人想起自旋霍尔磁阻，尽管体SOC不负责磁阻的事实。我们进一步发现，即使当磁化饱和时，电阻也随着磁场强度的增加而增加，这归因于该系统中的Hanle磁电阻。
2016-09-14 cond-mat.mes-hall
Theory of giant magnetoresistance at misfit interfaces
本文从理论上研究了具有不同晶格常数a和b的两个平面系统之间的界面电阻。电阻和磁场的影响敏感地取决于比值a/b。放大的单位晶胞$λ= n_Aa = n_Bb$（$n_A$，$n_B$：整数）的尺寸是关键量，并且穿过该放大的单位晶胞的磁通量确定电阻的振荡。因此，在a和b之间的（几乎）不相称关系下，磁阻非常增强。
2013-02-28 cond-mat.mes-hall
Strong Aharonov-Bohm oscillations in GaAs two-dimensional holes
我们测量了Aharonov-Bohm电阻振荡在浅的二维GaAs孔环结构，由局部阳极表面氧化定义。振荡的幅度约为环电阻的10%，在空穴系统中最强。此外，我们观察到电阻振荡的前栅极偏置的函数在零磁场。我们讨论的结果在光的自旋干涉环和自旋电子学的可能应用。
2007-03-07 cond-mat.mes-hall
Giant Magnetoresistance Oscillations Induced by Microwave Radiation and a Zero-Resistance State in a 2D Electron System with a Moderate Mobility
研究了频率为54 ~ 140 $\mathrm{GHz}$的微波场对具有AlAs/GaAs超晶格势垒且电子迁移率不高于$10^6$ $\mathrm{cm^2/Vs}$的GaAs量子阱中磁输运的影响。在给定的二维系统中，在微波辐射的作用下，观察到巨电阻振荡，它们在磁场中的位置由辐射频率与回旋频率的比值决定。早期，这种振荡只在迁移率高得多的GaAs/AlGaAs异质结构中观察到。当所研究的样品用140- $\mathrm{GHz}$微波场照射时，对应于回旋共振附近发生的主振荡最小值的电阻似乎接近于零。研究结果表明，低于$10^6$ $\mathrm{cm^2/Vs}$的迁移率值不会阻止微波辐射作用下二维系统中磁场中零电阻态的形成。
2006-11-14 cond-mat.mes-hall
Theory of Magneto-resistance of Disordered Superconducting Films
无序超导薄膜的磁电阻效应在最近的实验研究中发现了一个巨大的峰值（约5个数量级）。虽然可以预期磁场破坏超导性，导致电阻增强，但在较高磁场下电阻的衰减是令人惊讶的。我们提出了一个模型，占在整个范围内的磁场的实验结果，基于超导岛的形成，由于超导序参量振幅的波动。在强磁场下，这些岛的库仑阻塞产生负磁阻效应。随着磁场的减小，库仑阻塞的影响减弱，最终磁阻改变符号。数值计算结果与实验数据定性吻合较好。
2005-05-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
On the (circular) polarization-independence of microwave-induced resistance oscillations and zero resistance state
本文研究了微波感生磁阻振荡及其零阻区对微波圆极化方向的抗扰性。我们建议，一个自发的圆形运动的整个电子流体将稳定的系统和最小化的振荡直流电阻的极化灵敏度。自洽计算的结果捕捉实验观察的定性特征。
2007-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Anomalous Decay of Quantum Resistance Oscillations of Two Dimensional Helical Electrons in Magnetic Field
研究了在与导电层法线成$θ$角的磁场B中，高迁移率二维螺旋电子在应变碲化汞三维拓扑绝缘体导电表面上传输时的ShubnikovdeHaas电阻振荡.观察到振幅A随倾斜$A \sim \exp(-ξ/cos(θ))$的强烈减小，其中$ξ$是常数。振荡随温度T的演变表明参数$ξ$包含两项：$ξ=ξ_1+ξ_2 T$。温度无关项$ξ_1$描述了磁场B中电子平均自由程的减少，指向抑制电子态对杂质散射的拓扑保护。温度依赖项，$ξ_2 T$，表明在磁场中的电子光谱的修改的2D螺旋电子的倒数速度的增加。
2019-06-08 cond-mat.mes-hall
Commensurability oscillations in the Hall resistance of unidirectional lateral superlattices
我们在单向横向超晶格（ULSL）的霍尔电阻$R_{yx}$中观察到了可伸缩性振荡（CO）。通过直接检测ULSL区域和相邻的未调制的二维电子气区域之间的$R_{yx}$的差异，然后提取相对于磁场的奇数部分，获得具有小振幅（$\sim$ 1 $Ω$）并且叠加在大约三个数量级的大背景上的CO。由此获得的CO与理论计算进行了比较，结果表明其振幅比理论预测小得多。本文还简要讨论了$R_{yx}$中CO比预期小对ULSL热电功率的影响。
2021-06-07 cond-mat.mes-hall
Hall field-induced resistance oscillations in Ge/SiGe quantum wells
本文报道了在直流电场和高频微波辐射作用下，高迁移率二维空穴气在纯Ge/SiGe量子阱中的磁输运性质。我们发现，在施加直流偏压的微分电阻率表现出一个显着的最大值在磁场与所施加的电流线性增加。我们将这个最大值与霍尔场致电阻振荡（HIRO）的基本峰值，这是已知的发生在GaAs/AlGaAs系统中的2D电子气。考虑到丁格尔因子校正后，我们发现HIRO峰的位置很好地描述了空穴有效质量$m^\star \approx 0.09\,m_0$，从微波光阻在同一样品中获得。
2014-05-05 cond-mat.mes-hall
Phase study of oscillatory resistances in microwave-irradiated- and dark- GaAs/AlGaAs devices: Indications of a new class of integral quantum Hall effect
本文报道了高迁移率GaAs/AlGaAs系统在大填充因子$ν$下的暗态研究和光激发研究的实验结果。在大$ν$中，暗研究表明振荡对角电阻和霍尔电阻之间的几种不同的相位关系（“类型-1”、“类型-2”和“类型-3”），因为典型积分量子霍尔效应（IQHE）表现在近似正交对角电阻和霍尔电阻振荡的“类型-1”情况下。令人惊讶的是，调查表明量子霍尔平台也在“类型-3”的情况下，其特征在于近似“反相”霍尔和对角电阻振荡，这表明一类新的IQHE。微波光激发下的传输研究表现出辐射诱导的磁阻振荡的对角线，$R_{xx}$，和非对角线，$R_{xy}$，电阻。此外，当辐射诱导的磁阻振荡扩展到量子霍尔区时，在$R_{xx}$ \textit{vs}中的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡的幅度中发生辐射诱导的非单调变化。B，以及$R_{xy}$中量子霍尔平台宽度的非单调变化。后一种效应导致IQHE在辐射诱导的$R_{xx}$振荡的最小值处随着光激发的增加而消失。我们的理由是，该机制是负责生产的非单调变化的振幅在$R_{xx}$在光激发下的SdH振荡也是负责消除，在光激发下，新的“3型”IQHE在高迁移率的标本。
2009-06-01 cond-mat.mes-hall
Negative differential magneto-resistance in ferromagnetic wires with domain walls
铁磁一维纳米线中的畴壁由于与传导电子的耦合而经历电流感应运动。当电流不足以驱动磁畴壁通过导线时，或者它被限制在垂直层，它仍然会经历振荡运动。反过来，畴壁的这种振荡运动可以与系统中的电子共振耦合，进一步影响输运性质。我们研究了这些畴壁模式和电流电子之间的耦合对系统的输运性质的影响，并表明，这样的系统表现出负微分磁阻由于共振耦合与低的畴壁运动模式。
2012-07-05 cond-mat.mes-hall
Fine structure of high-power microwave-induced resistance oscillations
本文报道了在超净二维电子气中观察到的微波诱导电阻振荡的精细结构。这种精细结构表现为多个次级尖锐极值，位于初级极值旁边，在高辐射功率下出现。理论研究表明，这种精细结构源于多光子辅助散射的短程杂质。精细结构的独特性质使我们能够访问所有的实验参数，包括微波功率，并分离不同的贡献光阻。此外，我们表明，精细结构提供了一个方便的手段，定量评估的相关性的无序势在高品质的系统，允许分离的短期和长期的无序贡献的电子迁移率。
2017-02-08 cond-mat.mes-hall
Anisotropic magneto-resistance in a GaMnAs-based single impurity tunnel diode: a tight binding approach
使用先进的紧束缚的方法，我们估计的隧道传输的各向异性与旋转的5/2自旋的单个Mn原子形成一个受主态的GaAs和位于附近的AlGaAs隧道势垒。在平面内和平面外的几何形状的显着的各向异性被发现，从与p-d交换相互作用，重空穴色散的立方各向异性和化学键的低C2 v对称性的组合相关的大的自旋-轨道耦合的结果。
2012-01-06 cond-mat.mes-hall
Radiation-induced resistance oscillations in 2D electron systems with strong Rashba coupling
本文从理论上研究了辐射对具有强Rashba自旋轨道耦合的二维电子系统磁电阻的影响。我们想研究这些电子系统中两个众所周知的效应之间的相互作用：辐射诱导的电阻振荡和具有强烈Rashba相互作用的系统的典型拍频模式。我们解析地推导出电子波函数的精确解，对应于具有Rashba和辐射项的总哈密顿量。我们考虑一个扰动处理弹性散射由于带电杂质，最终获得系统的磁阻。在没有辐射的情况下，我们恢复了舒布尼科夫德哈斯振荡振幅的跳动模式：磁阻中的一组节点和腹点。在辐射的存在下，这种拍频模式强烈修改后的辐射诱导的磁阻振荡的轮廓。我们研究了它们对辐射强度和频率的依赖性，包括太赫兹制度。
2017-04-05 cond-mat.mes-hall
Higher harmonic resistance oscillations in micro-bridge superconducting Nb ring
研究了两种超导介观Nb环中的电阻振荡。在一个简单的超导环形装置中，可以清楚地观察到以量子化磁通量h/2 e为周期的电阻振荡。另一方面，在一个微桥环装置中，两个窄的部分被平行嵌入，并作为超导体正常金属超导结工作，高次谐波电阻振荡时，测量电流被调谐良好。我们认为，这样的高次谐波电阻振荡可以检测到，即使在微桥铌超导环装置的设备尺寸是远远大于铌的相干长度。
2022-05-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
