Microwave-induced magnetooscillations and signatures of zero-resistance states in phonon-drag voltage in two-dimensional electron systems
我们在垂直磁场中的二维电子气中观察到了微波辐射下与电阻振荡相关的声子拖曳电压振荡。这一现象的解释由微波的声子拖曳电压垂直于声子通量的耗散电阻率的影响。当最低阶电阻极小值演变为零电阻状态时，声子拖曳电压表现出尖锐的特征，表明与这些状态相关的电流域可以在没有外部直流驱动的情况下存在。
2015-11-24 cond-mat.mes-hall
High order fractional microwave induced resistance oscillations in 2D systems
我们报告的微波诱导电阻振荡的观察与分数比n/m的微波辐射频率的回旋频率的m高达8在一个二维的电子系统与高电子密度。这些特征在高微波频率下猝灭，与分数阶m无关。我们分析了温度，功率和频率的磁阻振荡的依赖关系，并讨论它们与现有的理论。
2009-07-30 cond-mat.mes-hall
Microwave radiation induced magneto-oscillations in the longitudinal and transverse resistance of a two dimensional electron gas
我们证实了在微波辐照的二维电子气中存在磁阻振荡，这是由Zhudov等人和Mani等人在一系列论文中首次报道的。在我们的实验中，在具有更适度迁移率的样品上，不仅在纵向-而且在横向-电阻（霍尔电阻）中观察到微波诱导的振荡。振荡的相位使得纵向电阻的减小（增大）伴随着霍尔电阻的绝对值的增大（减小）。我们相信，这些新结果提供了有价值的新信息，以更好地了解这一有趣现象的起源。
2003-10-15 cond-mat.mes-hall
Transport equation for 2D electron liquid under microwave radiation plus magnetic field and the Zero Resistance State
建立了一个质心运动的输运方程，用于研究均匀磁场和微波辐射下电子系统的输运。应用该方程研究了弱无序极限下的二维电子系统，当辐射场足够强时，观察到负阻不稳定性。本文提出了一个含自发交流电流的输运方程的解，用以解释实验上观察到的辐射感生零阻态。
2005-05-10 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced resistance oscillations in a back-gated GaAs quantum well
我们在可调密度GaAs/AlGaAs量子阱中利用微波诱导电阻振荡进行了有效质量测量。我们的主要结果是一个清晰的观察到的有效质量增加，密度降低，一般协议与早期的研究，调查的有效质量的密度依赖性采用舒布尼科夫-德哈斯振荡。这一发现提供了进一步的证据，微波诱导的电阻振荡是敏感的电子-电子相互作用，并提供了一个方便和准确的方法来获得有效质量。
2017-08-31 cond-mat.mes-hall
A model for the microwave assisted zero resistance states
在这项工作中，我们提出了一个模型的光电导的二维电子系统（2DES）受到磁场。该模型以非微扰的方式精确地考虑了微波和朗道的贡献，并对杂质散射效应作了微扰处理。基于这种形式主义，我们提供了一个Kubo的公式，考虑到振荡Floquet结构的问题。我们讨论了最近发现的零电阻态的相关结果。
2004-09-22 cond-mat.mes-hall
Zero-resistance States Induced by Bichromatic Microwaves
本文研究了二维电子气在微波诱导电阻振荡区的双色光阻态。Zudov和同事通过测量二维电子气体中的双色电阻，发现了零电阻态的明确实验证据。他们发现，双色电阻近似地复制了两个单色分量的叠加，前提是两个分量的贡献都是正的。然而，如果两种贡献中的一种使水稻处于零电阻状态，则叠加原理不再有效。Zudov等人的实验证实了负阻态通过A.安德列夫的对称破缺。本文提出了一个二维电子系统在均匀磁场作用下的双色光电导模型。我们的模型包括微波辐射的两个组成部分，一个均匀的磁场和杂质散射效应。电导率由Kubo式计算。我们的计算再现了Zudov实验结果的主要特征。
2006-09-14 cond-mat.mes-hall
Temperature effects on microwave-induced resistivity oscillations and zero resistance states in 2D electron systems
在这项工作中，我们从理论上解决了一个关键问题，微波引起的纵向电阻率振荡和零电阻状态，因为是温度。为了解释强的温度依赖性的纵向电阻率和热激活的运输在2DEG，我们已经开发了一个微观模型的基础上所遭受的阻尼由微波驱动的电子轨道动力学与晶格离子产生声学声子的相互作用。最近的实验结果表明，随着辐射强度的增加，纵向电阻率振荡的幅度减小，零电阻状态击穿。为了解释它，我们在我们的模型中包括电子加热由于大的微波强度和它对纵向电阻率的影响。
2005-10-19 cond-mat.mes-hall
Observation of microwave-induced resistance oscillations in strained Ge/SiGe quantum wells
微波诱导电阻振荡（MIRO）已经被广泛研究了十多年，但到目前为止，仍然是独特的GaAs/AlGaAs为基础的二维电子系统。在这里，我们报告的第一个观察MIRO在2D空穴气体托管在Ge/SiGe量子阱。我们的研究结果证实了MIRO是一个普遍现象，并表明微波光阻可以用来探测Ge/SiGe量子阱中二维空穴的能谱和相关效应。
2014-05-05 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced zero-resistance states in a high-mobility two-subband electron system
在本研究中，我们使用选择性掺杂的GaAs/AlAs异质结来制造一个高迁移率的两个子带电子系统，在子带中具有实质上不同的电子浓度。我们观察到微波光电阻在高数量的磁子带间振荡（MISO）。所研究的系统演示了微波诱导电阻振荡（MIRO）和MISO干扰。与MISO相比，所研究的两子带系统中的MIRO出现在较低的磁场中。这是一个迹象，一些未知的机制，存在于两个子带系统，是负责MISO振幅阻尼在低磁场，而它不影响MIRO振幅。在微波辐照下，在MISO最大值附近的窄范围磁场内，所研究的体系出现零电阻态（ZRS）。
2017-12-26 cond-mat.mes-hall
From zero resistance states to absolute negative conductivity in microwave irradiated 2D electron systems
最近的实验结果表明，在微波辐射的二维电子气的磁阻，除了呈现振荡和零电阻状态，可以演变到负值在最小值。换句话说，电流可以从无耗散流动演变为沿与所施加的直流偏置相反的方向流动。在这里，我们提出了一个理论模型，其中辐射诱导的绝对负电导率的存在进行了分析。我们的模型解释了从零电阻状态的过渡到绝对负电导率的多光子辅助电子散射由于带电杂质。它还显示了如何通过调谐微波频率和强度来驱动这种转变。然后，它打开了控制微波驱动的纳米器件中的电子拉莫尔轨道动力学（磁导率）的可能性。因此，零电阻状态的分析是有希望的，因为新的光学和输运性质的纳米器件将被预期。
2006-03-23 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced resistance oscillations in tilted magnetic fields
本文研究了面内磁场对高迁移率二维电子系统中微波感应电阻振荡的影响。我们已经发现，振荡振幅随磁场的面内分量$B_\parallel$呈指数衰减。虽然这些发现不能用现有的理论来解释，但我们的分析表明，这种衰变可以用$B_\parallel$引起的对量子散射率的修正来解释，该修正在$B_\parallel$中是二次的。
2012-11-15 cond-mat.mes-hall
Microwave induced negative resistance states in 2D electron gas with periodic modulation
研究了二维电子系统在磁场和二维调制作用下的微波诱导光电导。精确地考虑了微波和朗道的贡献，而对周期势作微扰处理。纵向电阻率呈现振荡，在$ω/ ω_c$中呈周期性。负阻态（NRS）发展为足够高的电子迁移率和微波功率。这种现象出现在晶格参数（$a$）值的窄窗口区域中，在$a \sim l_B$周围，其中$l_B$是磁性长度。有人提出，这些现象可以观察到在人工制造的阵列的周期性散射体在超净异质结的界面。05.60.- k，72.15.Rn}
2006-10-23 cond-mat.mes-hall
Oscillatory and Vanishing Resistance States in Microwave Irradiated 2D Electron Systems
高迁移率二维电子系统的直流磁电阻在毫米波辐照下会产生巨振幅振荡，在振荡最小值处出现零电阻态。在简要概述了现在众所周知的现象，本文报告的方面，最近的实验就这个问题。这些是：与多光子过程相关的新的零电阻状态;高频微波对Shubnikov-de Haas振荡的抑制;以及高迁移率二维空穴系统的微波光电导性。
2004-10-21 cond-mat.mes-hall
Effect of density on microwave-induced resistance oscillations in back-gated GaAs quantum wells
我们报道了30 nm宽的可调密度GaAs/AlGaAs量子阱中的微波诱导电阻振荡（MIRO）。我们发现，MIRO振幅显着增加与载流子密度。我们的分析表明，预期的有效微波功率和量子寿命随密度的增加不足以解释所观察到的振幅的增长。我们进一步观察到，基本振荡的极值移向回旋共振密度增加，这也与理论预测相矛盾。这些发现表明，现有的理论并没有正确地捕捉到密度依赖性，需要进一步的研究。
2019-04-05 cond-mat.mes-hall
Giant Magnetoresistance Oscillations Induced by Microwave Radiation and a Zero-Resistance State in a 2D Electron System with a Moderate Mobility
研究了频率为54 ~ 140 $\mathrm{GHz}$的微波场对具有AlAs/GaAs超晶格势垒且电子迁移率不高于$10^6$ $\mathrm{cm^2/Vs}$的GaAs量子阱中磁输运的影响。在给定的二维系统中，在微波辐射的作用下，观察到巨电阻振荡，它们在磁场中的位置由辐射频率与回旋频率的比值决定。早期，这种振荡只在迁移率高得多的GaAs/AlGaAs异质结构中观察到。当所研究的样品用140- $\mathrm{GHz}$微波场照射时，对应于回旋共振附近发生的主振荡最小值的电阻似乎接近于零。研究结果表明，低于$10^6$ $\mathrm{cm^2/Vs}$的迁移率值不会阻止微波辐射作用下二维系统中磁场中零电阻态的形成。
2006-11-14 cond-mat.mes-hall
Radiation induced zero-resistance states in GaAs/AlGaAs heterostructures: Voltage-current characteristics and intensity dependence at the resistance minima
高迁移率二维电子系统在微波激发时在宽磁场间隔上表现出电阻消失，在电阻最小值处随着辐射强度的增加电阻特征性减小。在这里，我们报告的实验结果检查的电压-电流特性，和电阻在最小值与微波功率。研究结果表明，在没有微波激发的情况下，非线性的V-I曲线在辐照下变得线性化，与预期不同，并且它们表明辐射强度和逆温度的作用之间的相似性。
2004-11-01 cond-mat.mes-hall
Driving Weiss oscillations to Zero Resistance States by Microwave Radiation
在这项工作中，我们提出了一个理论模型来研究微波辐射对外斯振荡的影响。在我们的建议外斯振荡，产生的空间周期性的潜力，调制微波辐射由于两者之间的干涉效应，空间和时间相关的，潜力。最终的磁电阻主要取决于空间势的空间周期和辐射频率。根据这些参数的值，我们预测外斯振荡可以达到零电阻状态。另一方面，这些无耗散的输运态，由辐射产生，可以被额外存在的周期性空间相关势破坏。然后通过调节空间周期或辐射频率，可以强烈地修改磁阻。
2008-08-18 cond-mat.mes-hall
On the phase of oscillatory microwave photoresistance and zero-resistance states
本文对最近在二维电子系统中观察到的振荡微波光阻态（OMP）和零阻态（ZRS）的周期和相位进行唯象分析。结果表明，随着磁场的增大，OMP向ZRS演化，相位的绝对值逐渐减小，约为1/B。实际上消除了相移，并导致不同的周期性的最大值和最小值，这种特定的依赖性是支持一个简单的模型的基础上振荡态密度。最后，它遵循的精细结构首次报道在参考文献3中可以被视为多光子过程的实验证据。
2003-06-19 cond-mat.mes-hall
Observation of a cyclotron harmonic spike in microwave-induced resistances in ultraclean GaAs/AlGaAs quantum wells
本文报道了在毫米波辐照和弱磁场作用下，在超净（迁移率为3 × 10^7cm ^2/Vs）GaAs/AlGaAs量子阱中观察到的一个巨大的、窄的电阻峰。这样的尖峰叠加在第二谐波微波诱导的电阻振荡（MIRO）上，但具有大于MIRO的300%的幅度，并且典型的FWHM ~50 mK，与朗道能级宽度相当。系统的研究表明，在这些量子阱的尖峰和一个明显的负磁阻之间的相关性，提出了一种机制的基础上的相互作用的强散射体和平滑的无序。或者，尖峰可以被解释为四极共振和高阶回旋跃迁之间的量子干涉的表现，在分离良好的朗道能级。
2010-10-26 cond-mat.mes-hall
The microwave induced resistance response of a high mobility 2DEG from the quasi-classical limit to the quantum Hall regime
实验研究了微波诱导电阻振荡（MIRO）的频率范围从~20 GHz到~4 THz，从准经典区到量子霍尔效应区。在低频率下，观察到规则的MIRO，其周期性由微波与回旋频率的比率确定。对于低于150 GHz的频率的磁场依赖性的MIRO波形是很好地描述了一个简化版本的现有的理论模型，其中的阻尼是由朗道能级的宽度控制。在太赫兹的频率范围内MIRO消失，只有显着的电阻变化，观察到在回旋共振。MIRO随频率的演变进行了介绍和讨论。
2005-08-12 cond-mat.mes-hall
On the (circular) polarization-independence of microwave-induced resistance oscillations and zero resistance state
本文研究了微波感生磁阻振荡及其零阻区对微波圆极化方向的抗扰性。我们建议，一个自发的圆形运动的整个电子流体将稳定的系统和最小化的振荡直流电阻的极化灵敏度。自洽计算的结果捕捉实验观察的定性特征。
2007-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Fine structure of high-power microwave-induced resistance oscillations
本文报道了在超净二维电子气中观察到的微波诱导电阻振荡的精细结构。这种精细结构表现为多个次级尖锐极值，位于初级极值旁边，在高辐射功率下出现。理论研究表明，这种精细结构源于多光子辅助散射的短程杂质。精细结构的独特性质使我们能够访问所有的实验参数，包括微波功率，并分离不同的贡献光阻。此外，我们表明，精细结构提供了一个方便的手段，定量评估的相关性的无序势在高品质的系统，允许分离的短期和长期的无序贡献的电子迁移率。
2017-02-08 cond-mat.mes-hall
Coherent states in microwave-induced resistance oscillations and zero resistance states
研究低磁场下辐照的二维电子系统，发现量子谐振子相干态及其最小不确定原理是微波诱导磁阻振荡和零电阻态的核心，从而解释了光电振荡的物理起源与周期性等实验证据。
2024-02-16 cond-mat.mes-hall
Domain Patterns in the Microwave-Induced Zero-Resistance State
有人提出，在GaAs二维电子系统中，在低温和中等磁场下观察到的微波诱导的“零电阻”现象，是由具有多个畴的状态引起的，其中大的局部电场$\bE(\br)$在不同方向上取向。我们在这里探讨的问题是什么可以确定在一个给定的样品中的域的安排，什么样的域看起来像在代表性的情况下，和什么可能是宏观直流电导畴壁本地化的后果。我们认为，在一个简单的模型，它有一个恒定的霍尔电导率，其特征在于由一个李雅普诺夫函数的样品边界和无序的影响。
2005-10-27 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced zero-resistance" states and second-harmonic generation in an ultraclean two-dimensional electron gas
微波诱导电阻振荡（MIRO）和“零电阻”态（ZRS）是2001-2003年在超净二维电子系统中发现的，引起了研究者的极大兴趣。2011年，一个关于这些现象的综合理论被发展出来：所有实验观察到的相关性都可以自然地用微波作用下二维电子气近接触区域中产生的有质动力的影响来解释。现在，我们表明，相同的近接触的物理过程应该导致另一个非线性电动力学现象-二次谐波产生。我们计算的频率，磁场，迁移率和功率的依赖性的二次谐波强度，并表明，它可以高达~ 0.5 mW/cm 2在现实的实验条件下。本文的一部分致力于进一步讨论MIRO/ZRS现象：我们解释了有质动力理论如何解释不同的实验细节，包括那些在2011年不知道的，并批判性地讨论替代理论。
2013-08-22 cond-mat.mes-hall
Effect of a in-plane magnetic field on the microwave assisted magnetotransport in a two-dimensional electron system
在这项工作中，我们提出了一种理论方法来研究的影响，在平面（平行）磁场的微波辅助输运性质的二维电子系统。以前的实验证据表明，微波诱导的电阻振荡和零电阻状态的影响不同，这取决于实验设置：两个磁场（双轴磁铁）或一个倾斜的磁场。在第一种情况下，实验报告了一个明确的淬火电阻振荡和零电阻状态。在倾斜磁场中，可以得到位移振荡和猝灭，但后者是不平衡的，强度较低。在我们的理论建议中，我们解释这些结果的微波驱动的谐波运动的电子轨道，以及如何这种运动越来越阻尼的面内场。
2012-11-21 cond-mat.mes-hall
Phonon-induced Resistance Oscillations in Very-high Mobility 2D Electron Systems
本文研究了高迁移率二维电子系统中声子诱导电阻振荡的温度依赖性。我们观察到，温度依赖性是非单调的，高阶振荡最好在逐渐降低的温度下发展。我们的分析表明，与Shubnikov-de Haas效应相反，声子诱导的电阻振荡对电子-电子相互作用的改变是敏感的。
2009-02-24 cond-mat.mes-hall
Synchronic scattering and geometric dephasing in microwave-induced resistance oscillations
提出微波诱导电阻振荡的量子输运模型，证明瞬时散射率受驱动相干态速度调制，并引入非线性几何退相机制解释振幅饱和，实现非平衡输运的完全相干描述。
2026-07-23 cond-mat.mes-hall
Circular polarization dependent study of the microwave photoconductivity in a two-dimensional electron system
在一个准光学装置中研究了二维电子系统的低场微波光电导和吸收的偏振依赖性，在该装置中可以原位产生线偏振和任意圆偏振。微波感应电阻振荡和零电阻区不受圆极化的影响。这一观察结果与一些提出的理论不一致。偏差只发生在回旋共振吸收附近，在那里观察到前所未有的大电阻响应。
2005-05-07 cond-mat.mes-hall
Microwave induced nonlocal transport in two-dimensional electron system
我们观察到微波诱导的非局域电阻在磁输运的单，双层电子系统。所获得的结果提供了证据的边缘态电流稳定的微波辐射由于非线性共振。我们的观察结果与二维电子系统中微波诱导振荡和零电阻态密切相关。
2014-04-22 cond-mat.mes-hall
Radiation-assisted magnetotransport in two-dimensional electron gas systems: appearance of zero resistance states
零电阻态（ZRS）通常与超导相和量子霍尔相有关。在磁场中微波辐照的二维电子气系统中，零参考系的实验探测是一个令人惊讶的发现。我们发展了一个半经典输运理论来解释这种现象。我们发现了一系列的零电阻态（ZRS）继承的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡的高频和大幅度微波辐射的影响下的抑制。此外，ZRS是非常明显的，并持续到宽间隔的磁场，如在微波照射的2DEG系统的实验中观察到的。
2015-10-12 cond-mat.mes-hall
Photo-excited zero-resistance states in the GaAs/AlGaAs system
微波激发的高迁移率二维电子系统在液氦温度下在$B = [4/(4j+1)] B_{f}$附近表现出电阻消失，其中$B_{f} = 2π\textit{f}m^{*}/e$，m $^{*}$是有效质量，e是电荷，并且\textit{f}是微波频率。在这里，我们总结了一些实验结果。
2005-04-08 cond-mat.mes-hall
Are Microwave Induced Zero Resistance States Necessarily Static?
我们研究了霍尔电导率的不均匀性对弱垂直磁场中微波辐照二维电子系统中零电阻态性质的影响，并表明在某些情况下可能会出现随时间变化的畴模式。对于一个环形的Corbino几何形状，与平衡电荷密度随半径线性变化，我们发现一个时间周期性的非平衡解，这可能是由一个电荷传感器，如SET检测。对于一个模型上的环面，除了静态域模式看到在高和低的平衡电荷不均匀性的值，我们发现，在中间政权，各种非稳态也可以存在。我们将在模拟中看到的可能性分类。在一个特定的唯象模型，我们表明，线性化的非线性电荷连续性方程关于一个特别简单的畴壁配置和分析的本征模，使我们能够估计的完整的非线性方程的解决方案的周期。
2008-06-10 cond-mat.mes-hall
Quantum oscillations of dissipative resistance in crossed electric and magnetic fields
观察到GaAs量子阱中二维电子的耗散电阻响应于电流I和垂直于二维系统的强磁场的振荡。电流感应振荡的周期不依赖于磁场和温度。在固定电流下，振荡在反向磁场中是周期性的，其周期不依赖于直流偏置。该模型考虑了电子填充因子的空间变化，这是由电流引起的电阻振荡的起源。
2012-07-09 cond-mat.mes-hall
Phase study of oscillatory resistances in microwave-irradiated- and dark- GaAs/AlGaAs devices: Indications of a new class of integral quantum Hall effect
本文报道了高迁移率GaAs/AlGaAs系统在大填充因子$ν$下的暗态研究和光激发研究的实验结果。在大$ν$中，暗研究表明振荡对角电阻和霍尔电阻之间的几种不同的相位关系（“类型-1”、“类型-2”和“类型-3”），因为典型积分量子霍尔效应（IQHE）表现在近似正交对角电阻和霍尔电阻振荡的“类型-1”情况下。令人惊讶的是，调查表明量子霍尔平台也在“类型-3”的情况下，其特征在于近似“反相”霍尔和对角电阻振荡，这表明一类新的IQHE。微波光激发下的传输研究表现出辐射诱导的磁阻振荡的对角线，$R_{xx}$，和非对角线，$R_{xy}$，电阻。此外，当辐射诱导的磁阻振荡扩展到量子霍尔区时，在$R_{xx}$ \textit{vs}中的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡的幅度中发生辐射诱导的非单调变化。B，以及$R_{xy}$中量子霍尔平台宽度的非单调变化。后一种效应导致IQHE在辐射诱导的$R_{xx}$振荡的最小值处随着光激发的增加而消失。我们的理由是，该机制是负责生产的非单调变化的振幅在$R_{xx}$在光激发下的SdH振荡也是负责消除，在光激发下，新的“3型”IQHE在高迁移率的标本。
2009-06-01 cond-mat.mes-hall
Residual resistance in two-dimensional, microwave driven Hall systems
本文讨论了微波辐照二维电子气在弱磁场中所观察到的剩余电阻的来源。我们研究了负光电导引起的电荷调制，并表明耗散电流被指数抑制。相关的指数的温度依赖性的微观参数从实验中，我们发现伪激活行为。为了得到这些结果，必须考虑库仑相互作用的有限范围。
2003-05-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Hall field-induced resistance oscillations in tilted magnetic fields
研究了面内磁场对高迁移率二维电子系统中霍尔场致电阻振荡的影响。我们发现，振荡频率只取决于垂直分量的磁场，但振荡幅度衰减与平面内的分量呈指数关系。虽然这些发现不能用现有的非线性输运理论来解释，但我们的分析表明，这种衰减可以用平面内磁场引起的量子散射率的改变来解释。
2011-01-26 cond-mat.mes-hall
Temperature Dependence of Magnetophonon Resistance Oscillations in GaAs/AlAs Heterostructures at High Filling Factors
在T = 7.4 - 25.4K温度范围内，研究了中等迁移率、大填充因子的二维电子系统中声子诱导电阻振荡的温度依赖性。声子诱导振荡的振幅由量子弛豫时间决定，而量子弛豫时间又由电子-电子相互作用效应决定。这与最近在低电子密度的超高迁移率二维电子系统中得到的结果一致[A. T. Hatke等人，物理修订版信函102，086808（2009）]。随着温度的升高，磁声子电阻振荡的主最大值向更高的磁场移动。
2010-01-18 cond-mat.mes-hall
Interference of magnetointersubband and phonon-induced resistance oscillations in single GaAs quantum wells with two populated subbands
在大填充因子下，研究了具有两个布居子带的GaAs量子阱中的低温电子磁输运。磁子带间（MIS）和声声子诱导的耗散电阻振荡被发现是共存的，但相互干扰。实验表明，MIS振荡的振幅显着增强声子，声子散射和子带间电子跃迁之间的“建设性干涉”。量子振荡的温度阻尼被发现与相当大的电子-电子散射引起的朗道能级展宽有关。
2009-12-22 cond-mat.mes-hall
Inter-subband resistance oscillations in crossed electric and magnetic fields
研究了垂直于单GaAs量子阱的电流和磁场作用下非线性电阻的量子振荡。在小磁场下，电流引起的振荡表现为最低子带内朗道能级之间的朗道-齐纳跃迁。这些振荡的周期与磁场成正比。在高磁场下，不同类型的量子振荡以一个周期出现，该周期与磁场无关。在固定电流下，振荡在逆磁场中是周期性的，其周期与直流偏置无关。所提出的模型认为，这些振荡的空间变化的结果引起的电流的两个子带之间的能量分离。
2012-06-22 cond-mat.mes-hall
Radiation-induced zero-resistance states with resolved Landau levels
微波光激发的高迁移率GaAs/AlGaAs二维电子系统在磁场$B = [4/(4j+1)] B_{f}$附近表现出电阻消失的磁电阻效应，其中$B_{f} = 2π\textit{f}m^{*}/e$，m $^{*}$为有效质量，e为电荷，\textit{f}为微波频率，$j$ = 1，2，3.在这里，我们报告运输以及解决朗道水平，和一些传输特性。
2005-01-05 cond-mat.mes-hall
Radiation-induced resistance oscillations in a 2D hole gas: a demonstration of a universal effect
我们报告的理论洞察微波诱导的电阻振荡和零电阻状态时，处理p型半导体和空穴，而不是电子。我们考虑了高迁移率的二维空穴气托管在一个纯Ge/SiGe量子阱。类似于电子，我们得到辐射诱导的电阻振荡和零电阻状态。我们解析地推导出辐射磁电阻的普遍表达式，解释了最小值位置及其$1/4$周期相移的起源。结果是，这些现象是普遍的，只取决于辐射和回旋频率。我们还研究了同时有两个不同的载体驱动的辐射：轻和重空穴的可能性。结果表明，由于两种载流子的有效质量不同，所计算的磁电阻呈现出干涉分布。
2015-07-03 cond-mat.mes-hall
Resistance oscillations of two-dimensional electrons in crossed electric and tilted magnetic fields
研究了直流电场对倾斜磁场中宽GaAs单量子阱中高迁移率二维电子输运的影响。研究表明，在垂直磁场中，由于电场引起的量子能级之间的Landau-Zener跃迁，对应于回旋加速器轨道之间的几何共振和电子态密度的周期性调制，电阻振荡。磁场倾斜使这些振荡反转。令人惊讶的是，观察到最强的反向振荡的倾斜对应于几乎没有调制的电子态密度的制度的磁击穿的半经典电子轨道。这种现象建立了一个例子，量子电阻振荡由于朗道量子化，这发生在电子系统具有恒定的状态密度。
2016-05-02 cond-mat.mes-hall
Giant microwave photoresistivity in a high-mobility quantum Hall system
本文报道了在低温弱磁场作用下，在高迁移率二维电子系统中观察到的强微波光阻效应。这种效应表现为一个巨大的微波感应电阻率峰值，与微波感应电阻振荡相反，它只出现在回旋共振的二次谐波附近，并且只出现在足够高的微波频率下。出现在微波强度线性的状态下，峰值可以比微波诱导的电阻振荡强一个数量级以上，并且不能用现有的理论来解释。
2011-05-06 cond-mat.mes-hall
Coherent states and their superpositions (cat states) in microwave-induced resistance oscillations
基于量子谐振子相干态理论，提出新方法解释微波诱导电阻振荡、零电阻态及超高迁移率下的磁阻共振峰移动和巨负磁阻现象。
2023-06-21 cond-mat.mes-hall
Theory of the microwave induced zero resistance states in two-dimensional electron systems
2001 - 2003年，人们在超净二维电子系统中发现了微波诱导零阻态（MIZRS）和微波诱导电阻振荡（MIRO）现象，引起了人们的极大兴趣。尽管有许多理论上的努力，这些效应的真正起源至今仍不清楚。我们表明，MIRO/ZRS现象的自然解释的有质动力的影响下产生的近接触区域的二维电子气微波的作用。所提出的分析理论与迄今为止积累的所有实验事实相一致，并对所观察到的效应的微波频率、极化、磁场、迁移率、功率和温度依赖性提供了简单而不言自明的解释。
2011-02-03 cond-mat.mes-hall physics.plasm-ph
Dependence of the amplitude of magnetoquantum oscillations of the metallic point-contact resistance on the bias voltage
研究了由$Al$和$Be$构成的金属点接触电阻随接触电势差差变化的磁量子振荡。磁场中电阻振荡的幅度随电压而增加，并且对于一组触点与点接触的EPI谱相同，而对于另一组触点与触点两端的偏置电压相同。振荡振幅的增加以及它的减少有一个非单调的依赖于能量。非平衡声子对电子的散射和非平衡电子系统中的费米液体效应被认为是观察到的效应背后的可能原因。
2016-01-01 cond-mat.mes-hall
Resistance fluctuations and Aharonov-Bohm-type oscillations in antidot arrays in the quantum Hall regime
研究了量子霍尔区反点晶格中的电阻涨落现象。有限反点阵列系统的磁阻在量子霍尔平台过渡区表现出两种类型的振荡效应。一种是非周期电阻波动（RF），另一种是Aharonov-Bohm（AB）型振荡。它们对磁场和栅电压的依赖性是相当不同的。虽然非周期性RF归因于可压缩通道的导电网络的复杂演化，但AB型振荡被解释为围绕单个反点形成的边缘状态。自洽屏蔽效应对这两种现象都很重要，而单电子充电效应在本例中起次要作用。
2008-06-10 cond-mat.mes-hall
Influence of nonequilibrium phonons on the amplitude of magnetoquantum oscillations in the point-contact resistance
对于与Be和Al的金属点接触，研究了接触电阻中的磁量子振荡与接触上施加电压的函数关系。对于一组点接触的振荡幅度被发现与所施加的电压与点接触的电子-声子相互作用的频谱的相似性非单调变化。研究的点接触的另一部分示出了随着偏置电压的增加而减小的振荡幅度。为了理解点接触磁电阻振荡的振幅的电压依赖性，将讨论由弹道注入电子产生的非平衡声子的影响。
2017-05-17 cond-mat.mes-hall
Phase of phonon-induced resistance oscillations in a high-mobility two-dimensional electron gas
我们报告的磁阻振荡的实验研究，起源于二维电子与热横向声学声子在非常高的迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的共振相互作用。我们发现，振荡的最大值始终发生时，频率的声子与两倍的费米动量超过整数倍的回旋频率。这一观察结果与以前所有将电阻最大值与磁声子共振及其谐波相关联的实验相反。我们的实验获得的共振条件是在良好的定量协议与最近的理论建议。
2011-12-20 cond-mat.mes-hall
Terahertz-induced resistance oscillations in high mobility two-dimensional electron systems
我们报告的理论工作下的太赫兹辐射下的磁输运与高迁移率的二维电子系统。我们专注于所获得的辐射感生磁阻振荡（RIRO）和Shubnikov-de Haas（SdHO）振荡之间的相互作用。我们研究了两个效果实验获得这种辐射。首先，观察到的SdHO振荡的消失，同时在零电阻状态区域的电阻消失。其次，在足够的太赫兹辐射功率下，SdHO振荡的强调制。我们的结论是，这两种效果共享相同的物理起源，辐射朗道状态之间的散射电子，（RIRO），并在一定的磁场，（SdHO）的可用的初始态密度之间的平均先进距离的干扰。因此，从物理的角度来看，太赫兹实验和理论模拟揭示的是，一方面，朗道态受到辐射的振荡性质，另一方面，它们在散射存在下的行为。
2016-04-10 cond-mat.mes-hall
Sub-linear radiation power dependence of photo-excited resistance oscillations in two-dimensional electron systems
我们发现GaAs/AlGaAs系统中的$R_{xx}$辐射感生磁电阻振荡的振幅按$A \propto P^α$的形式非线性增长，其中$A$为振幅，指数为$α< 1$ . %，其中$α\rightarrow 1/2$以%表示为低温极限。这个惊人的结果可以用辐射驱动电子轨道模型来解释，该模型表明电阻振荡的幅度线性地依赖于辐射电场，因此依赖于功率的平方根$P$。我们还研究了这种次线性幂律随晶格温度和辐射频率的变化。
2010-11-23 cond-mat.mes-hall
Magnetocapacitance oscillations and thermoelectric effect in two-dimensional electron gas irradiated by microwaves
为了研究微波辐射对二维电子的影响，我们采用了一种基于GaAs量子阱样品中的电容测量的方法，其中栅极覆盖层的中心部分。我们发现，在高磁场，由热力学态密度振荡引起的电容振荡，微波没有本质上修改。然而，在低于1特斯拉的区域中，我们观察到另一组振荡，其周期和相位与微波感应电阻振荡的周期和相位相同。微波诱导的电容振荡的现象被解释在违反爱因斯坦的电导率和扩散系数之间的关系，在微波的存在下，这导致依赖于电容器充电的异常电导率。我们还观察到微波引起的振荡的电容响应外部加热的周期性变化。这些振荡出现由于热电效应，并在反相微波诱导的电阻振荡，因为我们的实验装置的Corbino样的几何形状。
2016-07-21 cond-mat.mes-hall
