Quantum oscillation of thermal conductivity and violation of Weidemann-Franz law in TaAs$_2$ and NbAs$_2$
用单晶样品研究了半金属材料TaAs $_2$和NbAs $_2$在超低温和强磁场下的热导率和电阻率。在磁场中，热导率被强烈抑制，与大的正磁阻具有良好的对应关系，这表明电子对热导率的贡献占主导地位。此外，在亚开尔文温度和高达14 T的磁场中，不仅电阻率而且热导率都显示出明显的量子振荡行为。最显著的现象是热导率在非常低的温度下显示出$T^4$行为，而电阻率显示出$T$独立的行为。这表明强烈违反魏德曼-弗朗茨定律，并指出这些材料的非费米液态。
2019-06-18 cond-mat.mtrl-sci
Mobility induced unsaturated high linear magnetoresistance in transition-metal monopnictides Weyl semimetals
半金属过渡金属氧化物中Weyl费米子的发现是凝聚态物理的重大突破。Weyl半金属的特征是存在鲁棒Weyl点和费米弧形式的非闭合拓扑表面态。Weyl半金属过渡族铌酸盐的四种化合物，即NbP、TaP、NbAs和TaAs，都表现出极高的迁移率和不饱和的高磁电阻（MR）。例如，NbP在1.85 K时的MR值为8.5x10^5%，TaAs在3 K、9 T时的MR值为1.5x10^5%。NbP在2 K下也实现了非常低的残余电阻率值0.63微欧姆cm，这是由于抑制了散射，导致超高迁移率5x10^6 cm^2/Vs。有趣的是，我们发现这些化合物的迁移率对于如此大的MR起着重要的作用。
2016-06-21 cond-mat.mtrl-sci
Field-angle dependence of sound velocity in the Weyl semimetal TaAs
通过测量磁场作用下声速的相对变化，研究了Weyl半金属TaAs单晶的弹性模量$c_{44}$。利用超声脉冲回波技术，研究了声波传播与磁场夹角变化时晶体的剪切响应。我们观察到一个破碎的tetravel对称性在6 T以上的领域，各向异性，这可能是有关的纵向负磁阻，因此可能提供证据的手征异常，这类材料的主要拓扑签名之一。我们还观察到声速的量子振荡，其频率随磁场方向而变化。朗道能级指数的扇形图揭示了拓扑和平凡的Berry相位，这取决于场的方向，表明对不同费米表面口袋的敏感性，这些口袋分别包含或不包含Weyl节点。
2020-08-20 cond-mat.mtrl-sci
Chiral anomaly induced negative magnetoresistance in topological Weyl semimetal NbAs
本文报道了外磁场与电场平行时NbAs中Weyl费米子的锥间输运，这种量子现象称为Adler-Bell-Jackiw反常.令人惊讶的是，NbAs中产生的负磁阻（MR）显示出与NbP的显著差异。所观察到的低场正MR下降，这是在低温下失踪的NbP，表明自旋轨道耦合（SOC）是显着更强的NbAs比前者。结果表明，砷对TaAs和NbAs中有机碳的贡献不可忽略。
2015-06-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetic quantum oscillations in the thermal conductivity of TaAs: Indications of chiral zero sound
拓扑半金属由于其非平凡的能带拓扑结构，其电荷输运一直是人们研究的热点。另一方面，这些材料的热输运在很大程度上未被探索，并且仍然难以捉摸。在这里，我们报告的观察前所未有的，巨大的磁量子振荡的热导率在原型魏尔半金属钽砷。振荡是反相的量子振荡电子态密度的Weyl口袋，和它们的振幅的估计的基础上的Wiedemann-Franz法律的两个数量级。我们的分析表明，所有传统的热传输机制，通过传播的电子，声子和电子空穴双极激发的扩散，是远远不够的，以解释这些现象。进一步的实验事实，平行场配置有利于更高的磁热导率，我们建议，新提出的手征零声提供了一个合理的解释，这些奇特的现象。更多的工作集中在其他拓扑半金属沿着同一路线是迫切需要的。
2019-06-02 cond-mat.mtrl-sci
Huge anisotropic magneto-resistance in iridium atomic chains
本文分析了有限长和无限长铱和铂链的磁电阻比。我们的计算，这是基于非平衡格林函数技术和密度泛函理论的组合，包括一个完全自洽的处理非共线磁性和自旋轨道相互作用。他们指出，除了具有可以克服超顺磁极限的极大的磁各向异性之外，无限的并且也是现实的有限长度的铱链显示出相当大的各向异性磁阻比。因此，我们建议铱纳米结构作为有前途的候选人nanospintronics逻辑器件。
2008-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Resonant Tunneling Magneto Resistance in Coupled Quantum Wells
本文研究了一种由稀磁半导体材料（ZnMnSe）形成的两个量子阱的三势垒共振隧穿结构，该材料的导带具有巨大的塞曼分裂。自洽的数值模拟的结构预测巨磁流的共振偏置制度，以及显着的电流自旋极化的一个相当大的范围内施加的偏压。
2006-06-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Exchange coupling and current-perpendicular-to-plane giant magneto-resistance of magnetic trilayers. Rigorous results within a tight-binding single-band model
结果表明，在弹道区，电流垂直于平面巨磁电阻（CPP-GMR）振荡与交换耦合（J）振荡有很强的相关性。巨磁电阻和J在严格可解的紧束缚单带模型中被平等对待。强相关性包括共享渐近相同的周期，由间隔费米面，和振荡与不同的间隔厚度主要在相反的阶段。
1996-11-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of bilinear magneto-electric resistance from topological-insulator surface states
从理论上研究了三维拓扑绝缘体表面的一种新的非线性磁电阻效应。与磁性双层膜中的单向磁电阻（UMR）效应不同，这种非线性磁电阻不依赖于导电铁磁层，并且与所施加的电场和磁场呈线性关系;因此，我们将其命名为双线性磁电阻（BMER）。我们表明，BMER的符号和幅度敏感地依赖于电流相对于磁场的方向以及结晶轴-一个属性，可以用来映射出的自旋纹理的拓扑表面状态通过简单的传输测量，替代角分辨光电子能谱（ARPES）。
2018-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magneto-resistance up to 60 Tesla in Topological Insulator Bi2Te3 Thin Films
本文报道了用脉冲激光沉积法生长的拓扑绝缘体Bi_{2} Te_{3}薄膜的磁输运性质。在低温下，在几特斯拉到60特斯拉的磁场范围内，观察到非饱和线性磁阻（MR）。我们证明了在高场下强的类线性磁共振可以很好地理解为Hikami-Larkin-Nagaoka理论所描述的弱反定域化现象。我们的分析表明，在我们的系统，一个拓扑绝缘体，弹性散射时间可以比自旋轨道散射时间长。我们简要地讨论了我们的狄拉克费米子物理和“量子线性磁阻”的背景下的结果。
2012-12-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A low field technique for measuring magnetic and magneto-resistance anisotropy coefficients applied to (Ga,Mn)As
我们展示了一种简单，低成本，磁输运方法快速表征的磁各向异性和各向异性磁阻（AMR）的铁磁器件与单轴磁各向异性。这种传输技术是散装材料的磁化率测量的模拟，但适用于非常小的样品与低的总力矩。该技术被用来表征从稀磁半导体（Ga，Mn）As制造的器件。该技术使我们能够探测接近居里温度的参数的行为，在所施加的磁场趋于零的限制。这避免了顺磁性的存在所引起的复杂性。
2009-08-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunnel Magneto-resistance in GaMnAs: going beyond Jullière formula
研究了GaMnAs/GaAlAs/GaMnAs结构中载流子自旋轨道相互作用强的情况下，隧道磁电阻（TMR）与自旋极化的关系.使用Landauer方法计算TMR。材料描述在6带$\bf {k}\cdot \bf{p}$模型，其中包括自旋轨道相互作用。铁磁性用虚晶平均场近似描述。我们的结果表明，TMR是自旋极化和势垒厚度的函数。由于强的自旋轨道相互作用，TMR还取决于电流方向与电极磁化方向之间的夹角。这些结果使Julliere公式的有效性受到影响。
2004-10-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Negative differential resistance and magnetoresistance in zigzag borophene nanoribbons
我们研究了不同宽度的原始边缘硼纳米带（ZBNR）的输运性质，使用拳头原理计算。我们选择宽度为5和6的ZBNR作为奇数和偶数宽度。发现了偶氮和奇氮BNR的量子输运性质的差异，其中偶氮BNR和奇氮BNR具有不同的电流-电压关系。5-ZBNR在一定的偏压范围内表现出负微分电阻（NDR），而6-ZBNR表现为金属的特性，其电流随偏压的增加而增加。当两个电极的磁化方向相反时，可以显示出36%的自旋过滤效应。此外，磁阻效应出现在偶数N的ZBNR，最大值可达70%。
2017-01-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic field-dependent resistance crossover and logarithmic to non-saturating magnetoresistance in topological insulator Bi$_2$Te$_3$
我们报告了在230 K温度下，在垂直于表面施加外部磁场的情况下，单晶3D拓扑绝缘体Bi 2 Te 3中出现了类似金属-绝缘体的转变。这种转变在较大的磁场强度下变得更加突出，剩余电阻值随磁场线性增加。在低温下，磁电阻的磁场依赖性表现出从对数到线性行为的转变，并且该转变的起始磁场值随着温度的升高而减小。对数磁电阻表明表面狄拉克电子的弱反局域化，而高温行为源于本征杂质的体载流子。在更高的温度超过~230 K，一个完全经典的洛伦兹模型类型的二次行为的磁阻观察。我们还表明，实验观察到的异常在~ 230 K的磁输运性质不起源于任何堆垛层错的Bi 2 Te 3。
2020-06-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coexistence of magneto-resistance and -capacitance tunability in Sm2Ga2Fe2O9
我们提出电荷梯度导致材料系统中磁阻和电容共存的可调性。我们在实验上观察到Sm_2Ga_2Fe_2O_9中同时存在可调磁阻和电容。模型与实验结果吻合较好。
2016-02-02 cond-mat.mtrl-sci
Non-Classical Longitudinal Magneto-Resistance in Anisotropic Black Phosphorus
本文报道了在45 T平行磁场中，几层黑磷（bP）晶体的电阻率随面内场与器件源漏轴夹角的变化。通过拉曼光谱确定了bP晶体的晶向，其中锯齿轴位于S-D轴的5°范围内，扶手椅轴位于正交平面方向。观察到横向磁电阻（TMR）以及经典禁止的纵向磁电阻（LMR）。两者都被发现是强各向异性和非单调增加面内场。令人惊讶的是，在$\sim$ 32 T以上，正LMR的相对幅度（%）大于TMR。考虑到已知的各向异性的bP的锯齿形和扶手椅的有效质量相差约7倍，我们的实验强烈表明，这种LMR是一个后果的各向异性费米面的bP。
2018-12-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Two-Carrier Transport Induced Hall Anomaly and Large Tunable Magnetoresistance in Dirac Semimetal Cd3As2 Nanoplates
Cd_3As_2是狄拉克半金属的模型材料，在动量空间的三个方向上都具有线性色散关系。Cd_3As_2独特的能带结构使其同时具有Dirac性质和拓扑性质。它可以通过对称破缺被驱动到Weyl半金属或通过增强自旋轨道耦合被驱动到拓扑绝缘体。在这里，我们报告的温度和栅极电压依赖的磁输运性质的Cd 3As 2纳米板的费米能级附近的狄拉克点。霍尔异常表明，随着温度的降低，伴随着从n型到p型导电的转变的双载流子输运。载流子型转变的解释考虑温度依赖的自旋轨道耦合。磁电阻在高温下表现出很大的非饱和值，可达2000%，这归因于系统中的电子-空穴补偿。我们的研究结果对于理解与Dirac/Weyl半金属，如Na 3Bi，ZrTe 5，TaAs，NbAs和HfTe 5中的双载流子输运相关的实验观察是有价值的。
2016-05-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Negative Magneto-Resistance Beyond Weak Localization in Three-Dimensional Billiards: Effect of Arnold Diffusion
研究了弹道式开放三维台球的半经典电导。对于部分或完全破缺遍历的3-d台球，如SO（2）对称台球，电导对费米波数的依赖性显着改变的铅的取向。应用破缺弱磁场产生了三维台球的混合相空间结构，这确保了在二维台球中看不到的新颖的Arnold扩散。在相反的2-D的情况下，电导的异常增量应不可避免地包括阿诺德扩散以及弱本地化校正所产生的贡献。讨论了观测这一现象的物理条件。
2001-08-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scaling theory of magneto-resistance in disordered local moment ferromagnets
本文提出了安德森局域无序铁磁体中磁输运的标度理论。在我们的框架内，一个明显的磁场敏感的电阻峰值自然出现的温度附近的磁相变。我们发现电阻异常是由磁跃迁引起的局域化长度变化的直接结果。随着外部磁场值的增加，电阻峰值逐渐耗尽并被推向更高的温度。我们的结果与各种无序磁体的磁阻测量结果吻合得很好。
2004-11-15 cond-mat.mtrl-sci
Universal angular magnetoresistance and spin torque in ferromagnetic/normal metal hybrids
铁磁/正常金属（F/N）异质结构的电阻取决于结的性质，所述结可以是隧道势垒、点接触或金属间界面。对于所有的结类型，无序的F/N/F垂直自旋阀的电阻作为磁化矢量之间的角度的函数被示出服从一个简单的普遍规律。自旋电流感生的磁化力矩可以通过这些自旋阀的角磁阻来测量。所得结果可推广到任意磁电子电路。
2002-05-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Charge-transfer polaron induced negative differential resistance and giant magnetoresistance in organic spintronics: A Su-Schrieffer-Heeger model study
结合Su-Schrieffer-Heeger模型和非平衡格林函数理论，研究了低温下有机自旋电子学中的负微分电阻效应，并用自掺杂图像对其进行了描述.理论上预测了超过300%的巨负磁电阻是负微分电阻效应的结果。
2005-09-30 cond-mat.mtrl-sci
Magnetoresistance effects in the metallic antiferromagnet Mn$_2$Au
在反铁磁自旋电子学中，必须将纯磁源的电阻变化与旨在切换内尔矢量的电流脉冲产生的其他效应分开。研究了反铁磁Mn 2 Au（0 0 1）薄膜在磁场作用下的磁电阻效应。沿Mn2Au（001）晶体的不同晶面方向对样品施加60 T的磁场脉冲，测量其电阻。对于通过平行于易[110]方向的自旋翻转转变对齐的交错磁化，测量到约0.15%的各向异性磁阻。在平行于硬[100]方向的交错磁化的强制排列的情况下，一个更大的各向异性磁阻效应的证据被发现。此外，观察到约1%的瞬态电阻降低，这与反铁磁畴壁的磁场脉冲的湮灭。
2020-05-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of linear-polarization-sensitivity in the microwave-radiation-induced magnetoresistance oscillations
在准二维GaAs/AlGaAs系统中，研究了线极化微波的电场相对于电流旋转\textit{in-situ}对微波辐射感生磁阻振荡的影响.我们发现光激磁电阻振荡的频率和相位对极化不敏感。另一方面，磁电阻振荡的幅度显着的微波天线和样品中的电流轴之间的相对取向的响应。结果表明，在辐射感生磁电阻振荡的线性极化敏感性显着。
2012-09-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Properties of Binary Transition-Metal Arsenides (TAs)
本文研究了过渡金属（T）砷化物的热力学性质和输运性质，其中T = Sc的Ta为Ni（3d），Zr，Nb，Ru（4d），Hf和Ta（5d）。这些二元化合物的表征是通过粉末X射线衍射、温度和场相关的磁化强度和电阻率、温度相关的热容量、塞贝克系数和热导率进行的。除了TaAs和RuAs外，所有的二进制文件都显示出金属行为。TaAs、NbAs、ScAs和ZrAs是抗磁性的，而CoAs、VAs、TiAs、NiAs和RuAs显示近似泡利顺磁性行为。在TN = 71 K和TN \approx 260 K以下，FeAs和CrAs分别发生反铁磁有序. MnAs在低于TC = 317 K时为铁磁体，在TS = 317 K和384 K时分别发生六方-正交-六方转变。对于TA，Seebeck系数在2 K至300 K范围内在+40 uV/K和-40 uV/K之间变化，而热导率值保持在18 W/（m K）以下。索末菲系数γ小于10 mJ/（K ~ 2 mol）。在室温下，施加8 Tesla磁场，TaAs、MnAs和NbAs的正磁阻分别为25%、90%和75%。
2012-05-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Exchange Bias and Bistable Magneto-Resistance States in Amorphous TbFeCo thin Films
在热氧化硅衬底上室温溅射制备的TbFeCo非晶薄膜具有很强的垂直磁各向异性。原子探针层析成像（APT）、扫描透射电子显微镜（STEM）和能量色散光谱（EDS）绘图揭示了非晶薄膜中分布着两种纳米级非晶相，其中Tb原子百分比不同。通过磁化强度和磁输运测量，揭示了在室温附近存在着交换偏置和磁阻态。交换各向异性源于对应于两个非晶相的亚铁磁和铁磁组分之间的交换相互作用。这项研究提供了一个平台，交换偏置和磁阻开关使用单层非晶亚铁磁薄膜，不需要外延生长。
2015-12-18 cond-mat.mtrl-sci
Tuneable Magneto-Resistance by Severe Plastic Deformation
采用剧烈塑性形变，从由元素Cu、Co和Fe组成的不同二元粉末混合物合成块状金属样品。铁磁相的小颗粒起源于导电的Cu相，或者通过不完全溶解或者通过变形过程中的偏析现象。已知这些小颗粒会产生颗粒巨磁阻效应。利用简单的生产工艺，可以对工艺参数和材料成分对磁电阻的影响进行系统的研究。此外，它是可行的，以调整作为试样的化学成分的函数的磁阻行为。结果发现，低铁磁含量的试样在磁场中表现出几乎各向同性的电阻下降。随着铁磁含量的增加，磁化的铁磁相引起磁阻的各向异性。通过改变高压扭转过程的参数，即，样品尺寸、变形温度和应变速率，可以定制巨磁阻的大小。室温电阻率降低约。3.5%被发现为含有大约等原子分数的Co和Cu的散装试样。
2020-09-07 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic field-induced resistivity upturn and exceptional magneto-resistance in Weyl semimetal TaSb2
本文研究了新近发现的拓扑半金属TaSb_2单晶的磁输运性质。在磁场的存在下，电阻率表现出绝缘行为的开始，随后在低温下达到平台。这种电阻率平台通常被分配给拓扑表面状态。TaSb2具有极高的磁电阻，具有非饱和场依赖性。我们发现，非常大的磁电阻和电阻率平台方面的经典科勒标度很好地占。负纵向磁电阻的观测为反常手征输运提供了非生物学证据。Shubnikov-de Haas振荡揭示了两个主要频率，201 T和455 T。这些方面将TaSb 2归类为II型Weyl半金属。在低温下，霍尔电阻率的场依赖性显示出非线性行为，这表明存在两种类型的载流子与报告的电子能带结构一致。霍尔电阻率的分析暗示非常高的电子迁移率。
2018-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Study of the Negative Magneto-Resistance of Single Proton-Implanted Lithium-Doped ZnO Microwires
研究了单次质子注入ZnO和Li（7%）掺杂ZnO微丝的磁输运性质。所生长的微丝是高度绝缘的，没有磁性。质子注入后，Li（7%）掺杂ZnO微丝在150 K以上出现非单调的负磁阻（MR）行为。这与质子注入ZnO在50 K以下观察到的单调NMR相反。所观察到的导线的传输特性的差异是有关的质子注入和Li掺杂在近表面区域产生的稳定的Zn空位的量。电阻的磁场依赖性可以通过质子注入后在导线中形成磁性/非磁性异质结构来解释。
2015-04-30 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced Room Temperature Coefficient of Resistance and Magneto-resistance of Ag-added La0.7Ca0.3-xBaxMnO3 Composites
本文报道了La 0.7 Ca 0.3-xBaxMnO 3 + Agy（x = 0.10，0.15和y = 0.0至0.40）（LCBMO+Ag）复合锰氧化物在接近室温的情况下具有增强的电阻温度系数（TCR）。所观察到的TCR的增强归因于复合材料中的晶粒生长和新的导电通道的打开。银添加也被发现，以提高晶粒内的磁阻。晶间MR，但是，被认为是减少与Ag添加。在室温下/接近室温下增强的TCR和MR分别打开了使用这种材料作为红外测辐射热和磁场传感器的可能性。
2012-01-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Role of Se vacancies on Shubnikov de Haas oscillations in Bi2Se3: a combined magneto-resistance and positron annihilation study
磁电阻测量加上正电子寿命测量，以表征空位型缺陷，已进行了拓扑绝缘体（TI）系统Bi 2 Se 3，不同的Se/Bi的比例。在4 K至10 K温度范围内，在高达15 T的磁场中进行测量时，在标称Bi2Se3.1晶体中观察到明显的Shubnikov de Haas（SdH）振荡，磁场垂直于晶体的（001）平面。量子振荡，二维电子结构的特征，被认为只有在晶体中，具有较低浓度的硒空位，从正电子湮没光谱推断。
2014-12-08 cond-mat.mtrl-sci
Magneto-transport behaviour of Bi2Se3-xTex: Role of disorder
在4 ~ 300 K温度范围内，在高达15 T的磁场下，对快冷Bi_2Se_（3-x）Tex（x：0 ~ 2）单晶进行了磁电阻和霍尔电阻测量。的电阻率随温度的变化，指出在Bi 2Se 3中的金属行为，在低温下的Te掺杂的样品中示出了一个好转。Bi 2Se 3中的磁阻测量显示出在Te掺杂样品中得到抑制的Shubnikov de Hass振荡的清晰特征。在Bi 2SeTe 2样品中，磁阻在低磁场和低温下显示出尖点状正磁阻，这是与弱反定域（WAL）相关的特征，其在较高的磁场下跨越到负磁阻。定性不同的磁输运行为中看到的Bi 2SeTe 2相比，Bi 2Se 3是合理的，在无序方面，通过估计的载流子密度，载流子迁移率和分析的Ioffe Regel标准的支持下，从霍尔效应测量。
2015-10-29 cond-mat.mtrl-sci
Topological Phase Transition and Chiral-Anomaly Driven Negative Magneto-Resistance in Bulk Black Phosphorus
本文报道了非化合物能带半导体黑磷（BP）在静水压力下，在垂直和平行于电流I方向上施加16特斯拉的磁场B时的各向异性磁输运测量结果。在低磁场下，BP经历了从能带半导体到零能隙Dirac半金属态的拓扑Lifshitz转变，表现为弱定域-弱反定域转变，并出现了非平凡的Berry相.在过渡区，我们观察到一个压力依赖的负MR只有在B//I配置。这种负的纵向MR归因于存在弱反定位校正时的Adler-Bell-Jackiw异常（拓扑E $\cdot$ B项）。
2016-09-08 cond-mat.mtrl-sci
Giant AC magnetoresistance and anisotropic AC magnetoresistance in granular magnetic alloys
在5-300 K、磁场Hdc ~（-60）~ 60 kOe、频率1-1000 Hz范围内，测量了快淬Cu_（85）Co_（15）颗粒状磁性薄带的交流电阻随温度的变化。在相互作用的磁矩集体冻结温度附近，观察到零场电阻随频率变化的尖峰，以及在小磁场下的各向同性巨交流磁阻。在更宽的温度范围内观察到大磁场（Hdc > 20 kOe）下交流电阻的反常行为。这种效应不仅与频率有关，而且对各向异性高度敏感.我们称之为各向异性交流磁阻。
2000-03-14 cond-mat.mtrl-sci
Gate Tunable Magneto-resistance of Ultra-Thin WTe2 Devices
本工作测量了远离电子空穴平衡的超薄WTe 2/BN异质结的磁阻效应。发现这种器件的MR的变化在很大程度上由单个可调参数决定，即电子和空穴之间的不平衡量。我们还发现，超薄WTe 2器件的磁阻行为是很好地捕获的双流体模型。根据该模型，如果超薄样品被调谐到中性，同时保持在大块样品中观察到的167，000 cm 2 V-1 s-1的迁移率，则MR的变化可以高达400，000%，这是所有已知材料中MR的最大潜在变化。我们的研究结果显示了超薄WTe 2作为可变磁阻材料在未来应用中的前景，如磁场传感器，信息存储和提取设备，和电流隔离器。结果也提供了重要的洞察电子结构和超薄WTe 2样品中的大MR的起源。
2017-02-20 cond-mat.mtrl-sci
Impact of lattice strain on the tunnel magneto-resistance in Fe/Insulator/Fe and Fe/Insulator/La$_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_{3}$ magnetic tunnel junctions
本工作的目的是在一个新的方法，超越了单带输运模型描述隧道电子电流在单势垒磁性隧道结。我们提出了一个弹道多通道电子输运模型，该模型可以解释面内晶格应变对隧道磁电阻以及非对称电压行为的影响。以Fe/Insulator/Fe和Fe/Insulator/La $_{0.67}$ Sr $_{0.33}$ MnO $_{3}$隧道结的单晶磁性Fe（110）电极为例，通过\it{ab-initio}计算得到了Fe和La $_{0.67}$ Sr $_{0.33}$ MnO $_{3}$的电子能带结构.
2013-11-14 cond-mat.mtrl-sci
Antiferromagnetic anisotropy determination by spin Hall magnetoresistance
提出了一种测量反铁磁绝缘体（AFI）磁各向异性的电学方法。当具有强自旋-轨道相互作用的金属膜，例如，铂（Pt）沉积在AFI上，由于自旋霍尔磁阻（SMR），其电阻应受到AFI N单元矢量方向的影响。因此，受外部磁场和磁各向异性两者影响的AFI N eel矢量的方向反映在Pt的电阻中。考虑SMR，计算了Pt电阻与AFI的磁场角度关系，表明在强磁场中，通过监测Pt电阻，可以从实验上获得反铁磁各向异性。对Pt/Cr2 O3、Pt/NiO和Pt/CoO等实际体系进行了计算。
2017-08-31 cond-mat.mtrl-sci
Giant Linear Magneto-resistance in Nonmagnetic PtBi2
合成了$_2$单晶，在磁场$μ_0H$ = 15 T，温度$T$ = 2 K时，观测到高达684%的巨线性磁电阻效应.线性磁电阻随温度的升高而降低，但在室温下，当$μ_0H$为15 T时，线性磁电阻仍高达61%.由于量子条件不满足，这种巨大的线性磁共振不太可能用量子模型来描述。相反，我们发现MR的斜率与霍尔迁移率成比例，它可以很好地解释了一个经典的无序模型。
2016-06-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Giant Magneto-impedance in stress-annealed Finemet/Copper/Finemet based trilayer structures
测量和分析了基于应力退火纳米晶Fe_（75）Si_（15）B_6Cu_（11）Nb_3薄带的Finemet/Cu/Finemet三明治结构的磁阻抗（MI）电阻和电抗分量随不同磁场（纵向和垂直方向）和频率的变化。在30-600 kHz频率范围内，磁阻和磁感应系数分别达到700%和450%。这些大的磁阻和磁感应比是由于三层结构中的闭合磁通量路径而导致的大的有效相对磁导率的直接结果。在纵向磁阻抗（LMI）结构中，垂直偏置场（Hper）的影响大大提高了磁阻抗比和灵敏度。当Hper ~ 1 Oe时，电阻部分的最大磁阻比可达2500%，当Hper ~ 30 Oe时，在600 kHz频率下，磁阻灵敏度从48%/Oe提高到288%/Oe，这种高磁阻比和灵敏度的提高是由于形成了有利的（横向）畴结构。
2007-07-28 cond-mat.mtrl-sci
Magneto Transport of high TCR (temperature coefficient of resistance) La2/3Ca1/3MnO3: Ag Polycrystalline Composites
本文报道了La_（2/3）Ca_（1/3）MnO_3：Ag_x多晶复合材料（x = 0.0，0.1，0.2，0.3和0.4）的合成、微观结构、磁输运和磁化强度。Ag的加入显著提高了铁磁转变附近的电阻温度系数。FM转变温度（TFM）也略有增加与Ag添加。磁输运测量显示，磁阻MR被发现是最大的TFM附近。此外，在7特斯拉的施加场中，对于较高银添加的样品，在300 K以上看到高达60%的增加的MR。在TFM附近观察到尖锐的TCR，其中Ag（0.4）样品的最高值高达15%，这比目前的原始样品高一个数量级，并且是任何多晶LCMO化合物报道的最佳值。增加TCR，TFM和显着高于室温MR的La 2/3Ca 1/3 MnO 3：Agx复合材料的基础上，解释了改善晶粒尺寸和连接性与基体中的银添加。更好的耦合FM域和近导电晶界引起的La 2/3Ca 1/3 MnO 3锰氧化物的物理性能的改善。
2006-09-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Simultaneous MOKE imaging and measurement of magneto-resistance with vector magnet: a low noise customized setup for low field magnetic devices and thin films characterization
本文研制了一套集成矢量磁体、MOKE 成像与低噪声磁阻测量的定制装置，可表征低场磁性薄膜与传感器，并通过 LSMO 器件验证了邻晶衬底诱导的单轴各向异性。
2025-01-08 cond-mat.mtrl-sci
Observation and enhancement of room temperature bilinear magnetoelectric resistance in sputtered topological semimetal Pt3Sn
本研究在室温单层溅射半金属Pt3Sn中观察到双线性磁电电阻，证实了自旋动量锁定，并通过添加CoFeB磁性层使BMER值翻倍，拓宽了材料体系并促进了自旋器件应用。
2023-05-24 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
