Density dependence of microwave induced magneto-resistance oscillations in a two-dimensional electron gas
我们已经测量了连续微波照射下的二维电子气（2DEG）的磁阻作为电子密度和迁移率的函数与金属顶栅调谐。在整个范围内的密度和流动性，我们已经调查，我们观察到微波诱导的大振幅的振荡是B-周期性的。这些B周期振荡让人想起Kukushkin \textit{et al} [1]报道的那些，并且归因于边缘磁等离子体的存在。我们发现，在我们的样品中，B周期性并不随密度线性增加，而是在（2.4-3）10^{11} \rm cm^{-2} $范围内显示出一个平台。在这个制度中，B-周期振荡的相位被发现连续移动两个周期。
2005-02-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Charge Dynamics in the Colossal Magneto-Resistance Pyrochlore Tl2Mn2O7
本文给出了烧绿石Tl_2Mn_2O_7巨磁电阻（CMR）的光电导数据s（w）随温度（T）和外磁场（B）的变化关系。冷却后，在居里温度附近施加硼，CMR显现出来，s（w）显示出从绝缘体状到金属电子结构的明显转变，如在0.2 eV以下出现明显的Drude状组分所证明的。对这些（w）谱的分析表明，T和B引起的电子结构演化非常相似，它们普遍地与宏观磁化强度（M）的发展有关。特别是，从s（w）得到的有效载流子密度在T和B的宽范围内与M^2成比例。还根据数据评估了载体有效质量和散射时间对巨磁共振的贡献。
2001-08-22 cond-mat.str-el
Giant longitudinal negative magneto-resistance under perpendicular magnetic field in Bi$_{2-x}$Fe$_x$Se$_{3-x}$S$_x$ Topological insulators
研究了Fe和S共掺杂Bi 2Se 3的磁性、磁输运和ARPES。随着掺杂浓度的增加，磁电阻（MR）逐渐减小，在一定的掺杂浓度下，观察到巨负MR，并持续到室温。磁性测量结果表明，Fe掺杂诱导铁磁有序时，观察到负MR。磁有序可以归因于RKKY相互作用。随着掺杂浓度的增加，正的磁电阻再次出现，这可能是由于自旋-轨道耦合的关闭导致非平凡体态的破坏，从而降低了FM有序性。这实际上使导带与Fe自旋去杂交。ARPES数据还表明，超过临界掺杂浓度（x>0.09），非平凡体态被完全破坏。
2019-01-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Temperature Damping of Magneto-Intersubband Resistance Oscillations in Magnetically Entangled Subbands
本文研究了在不同温度下，在垂直于二维电子层的倾斜磁场中，具有两个子带的对称GaAs量子阱中高迁移率二维电子的磁子带间电阻振荡（MISO）。随着温度的升高，MISO的振幅减小。在中等倾斜度下，MISO振幅的温度降低与由于高温下量子电子寿命降低而导致的Dingle因子的降低一致。在大倾角下，观察到新的强MISO抑制随温度的变化。提出的模型将这种抑制与子带之间的磁纠缠联系起来，导致振荡态密度的跳动。该模型给出了相应的温度阻尼因子：$A_{MISO}(T)=X/\sinh(X)$，其中$X=2π^2kTδf$和$δf$是两个子带态密度振荡的差频。该因子与实验结果一致。观察到费米液体对MISO振幅的增强。
2021-05-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Unusual non saturating Giant Magneto-resistance in single crystalline Bi2Te3 topological insulator
报道了拓扑绝缘体Bi 2 Te 3的合成、结构细节和电输运性质。采用高温（950 ℃）熔体和缓慢冷却（2 ℃/小时）的方法获得了Bi_2 Te_3单晶样品。得到的晶体是有光泽的，一片（几厘米）并且是亮银色的。Bi_2Te_3晶体具有良好的[00 l]取向。对粉碎的晶体进行的粉末XRD图案显示Bi 2 Te 3以R3 m对称性结晶，其中a = b = 4.3866（2）A，c = 30.4978（13）A和γ = 120度。Bi位置在Wyckoff位置6c处被细化为（0，0，0.4038（9）），Te在Wyckoff位置3a处为（0，0，0），在6c处为（0，0，0.2039（8））。环境压力和低温（下至2K）电输运测量显示金属行为。在磁场下的磁输运测量表明，在2.5K和50 KOe磁场下，非饱和磁阻（MR）高达250%。总之，简短的交流清楚地表明，Bi_2 Te_3拓扑绝缘体在低于10 K的低温下表现出非饱和的大的正MR。在室温下可以看到非饱和MR，尽管幅度大大降低。值得一提的是，这些晶体本质上是块状的，因此异常MR显然是固有性质，而不是由于如对于纳米线或纳米线的薄膜所报道的尺寸效应。
2017-01-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interaction Effects and Viscous Magneto-Transport in a Strongly Correlated 2D Hole System
本研究探讨了强关联二维空穴系统中的磁输运，发现在低温下表现为费米液体特征的负磁阻，而高温下出现的正磁阻则源于流体动力学区域内的集体粘性输运。
2021-05-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The influence of magnetic order on the magnetoresistance anisotropy of Fe$_{1+δ-x}$Cu$_{x}$Te
我们进行了电阻测量的Fe $_{1+δ-x}$铜$_{x}$ Te与$x_{EDX}\leq 0.06$在面内施加磁场的存在下，揭示了电阻各向异性，可以在远低于结构和磁零场转变温度的温度下诱导。所观察到的电阻各向异性强烈依赖于相对于晶轴的场取向，以及场冷却的历史。我们的结果意味着所观察到的功能和低温磁序之间的相关性。滞后的角度依赖性表明一个强的钉扎的磁顺序在一个温度范围内，随Cu含量而变化。电阻各向异性在不同的温度下消失，这取决于是否存在外部磁场或剩余场：在存在外部磁场的情况下，闭合温度较高。对于$x_{EDX} = 0.06$的电阻各向异性关闭以上的结构转变，在相同的温度下，零场短程磁序消失，样品成为顺磁性。因此，我们认为在外加磁场下，电阻各向异性反映了磁序参量。我们讨论了在其他铁磷属元素化物材料中观察到的有序的相似性。
2017-05-08 cond-mat.str-el
Room-temperature Low-field Colossal Magneto-resistance in Double-perovskite Manganite
在强关联电子系统中，由于外加磁场的作用，电阻会急剧减小，这就是所谓的巨磁阻效应。锰氧化物中CMR的发现发展了电荷、轨道和自旋自由度之间强耦合的科学。CMR在传感器、存储器等方面的应用前景也吸引着科学家们的目光，但迄今为止，还没有发现能够满足高工作温度、低工作磁场、电阻变化大等应用条件的CMR材料，因此还没有实现利用CMR效应的应用。本文报道了A位有序NdBaMn_2_O_6_x晶体在低于2 T的磁场下，在300 K附近的电阻变化超过两个数量级。当温度和磁场从绝缘（金属）相扫向金属（绝缘）相时，绝缘（金属）导电分别在1 K和0.5 T内变为金属（绝缘）导电。CMR归因于电荷有序的熔化。从B-T相图估计的熵变小于电荷和轨道有序的预期。Mn自旋磁矩的短程铁磁涨落是高温低磁场巨磁电阻效应的重要关键。
2018-11-19 cond-mat.str-el
Unconventional magneto-resistance, and electronic transition in Mn$_3$Ge Weyl semimetal
外尔半金属因其非零的Berry曲率产生的大的虚拟磁场引起的反常输运效应而闻名。我们对磁性Weyl半金属Mn $_{3}$ Ge在a-b和a-c面的电输运测量结果进行了分析。在低磁场（$B<1.5$ T）下，我们观察到沿所有轴的负纵向磁阻（LMR）。高场LMR沿x轴和z轴表现出不同的行为。在平面霍尔效应（PHE）测量的情况下也观察到类似的趋势。高场LMR沿x轴的性质在200 K附近发生变化。在200 K附近，载流子浓度型占主导地位，并发生金属-半金属转变.这些观察结果表明两个主要结论：（i）Mn $_3$ Ge中的高场LMR是由化合物的金属-半金属性质驱动的。(ii)Mn $_3$ Ge化合物在200 K附近发生能带拓扑跃迁。单晶中子衍射在300 K以下没有显示出磁结构的任何变化。然而，面内晶格参数（a）在230 K附近显示出最大值。因此，在200 K附近电子能带结构的变化可能是由化合物的晶格参数驱动的。
2022-10-26 cond-mat.str-el
Magnetic and magnetoresistive behavior of the ferromagnetic heavy fermion YbNi$_2$
本文研究了铁磁重费米子YbNi $_2$的磁化率$χ(T)$和电阻随温度和磁场$R(T,H)$的变化。X射线衍射分析表明，合成的多晶样品具有立方Laves相结构C15，空间群为$Fd\overline{3}m$。磁性测量表明其具有铁磁行为，转变温度为9 K.电阻在高温下是类似金属的，并且没有观察到近藤效应的特征。在铁磁状态下，考虑到磁振子谱中存在能隙，电阻可以通过电子-磁振子散射来证明。确定了各种外加磁场的能隙。从几个温度下的$R(T,H)$曲线中减去作为施加磁场的函数的磁阻，对于所有施加的磁场，从2 K直到约40 K是负的。负磁电阻的产生是由于磁场对磁无序的抑制。
2018-06-23 cond-mat.str-el
Observation of a temperature dependent electrical resistance minimum above the magnetic ordering temperature in Gd$_2$PdSi$_3$
报道了Gd基金属间化合物Gd $_{2}$ PdSi $_{3}$的电阻率、磁阻、磁化率、热容和Gd穆斯堡尔谱的测量结果。感兴趣的发现是，电阻率意外地在约45 K处显示出明确定义的最小值，远高于长程磁有序温度（21 K），这是通过施加磁场而得到抑制的特征。在Gd合金中的这种观察呈现了一种有趣的情况。在此基础上，我们提出了由s-f（或d-f）交换相互作用先于长程磁序诱导的电子局域化是电阻极小值的一种机制.
1998-11-27 cond-mat.str-el
Crossover from injection to tunneling conduction mode and associated magneto-resistance in a single $Fe_{3}O_{4}$(111)/$Alq_{3}$/Co spin-valve device
在$Fe_{3}O_{4}$（111）/ $Alq_{3}$ /Co垂直自旋阀（SV）器件中，利用$Fe_{3}O_{4}$电极Verwey相变对能带结构的改变，实现了界面能级工程.器件特性（I-V）研究的实验结果表明，在$Fe_{3}O_{4}$电极的Verwey转变温度（$T_{V}$）范围内，导电模式从载流子注入转变为隧穿。在单个SV器件中，分别在低于和高于$T_{V}$的温度下观察到巨磁电阻（GMR）和隧穿MR（TMR）随温度的变化。巨磁电阻的出现，以及注入受限的自然Schottky型I-V特性，为该SV器件中电极/ $Alq_{3}$界面的自旋注入和分子轨道输运提供了证据。TMR的特征与GMR的特征有很大的不同。这是由于在多步隧穿机制中占主导地位的超精细场相互作用。我们已经实现了室温SV操作在我们的设备。已经提出了一种用于器件操作的唯象模型来解释跨$T_{V}$的传导模式和相关MR特征的转变。我们提出，在费米能级上的电荷间隙的调整跨Verwey转变由于电荷在$Fe_{3}O_{4}$的八面体铁网站上的结果在相应的导电模式的调整，导致这种独特的交叉从GMR到TMR在这种铁氧体基的有机SV。
2013-06-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Ferromagnetic- and superconducting-like behavior of the electrical resistance of inhomogeneous graphite flake
我们测量了几微米长、厚度不均匀的石墨样品的电阻率随磁场和温度的变化。磁电阻的结果施加几乎平行于石墨烯平面的领域显示了颗粒超导行为以及在样品中的磁秩序的存在。
2009-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
