Energy shift and conduction-to-valence band transition mediated by a time dependent potential barrier in graphene
研究了描述低能电子的波包在石墨烯中通过含时有限阶跃势垒的散射。我们的结果表明，克莱因隧穿通过势垒后，电子获得额外的能量，这取决于势垒高度的变化率的时间。如果这样的速率是负的，则电子在离开势垒后失去能量并最终成为价带态，其有效地表现为带正电的准粒子
2016-01-04 cond-mat.mes-hall
Charged impurity scattering in two-dimensional materials with ring-shaped valence bands: GaS, GaSe, InS, and InSe
奇异态密度和两个费米波矢产生的环形或“墨西哥帽”价带引起的带电杂质散射率和带电杂质限制迁移率的独特趋势。环形价带是许多单层和少层二维材料的共同特征，包括III-VI材料GaS、GaSe、InS和InSe。的波矢量依赖的筛选，计算内的随机相位近似，是如此之强，它是决定的散射率和迁移率相对于温度和空穴密度的总体趋势的主导因素。被认为是放置在基板上和2D通道中的带电杂质。裸库仑势的不同波矢依赖性改变了迁移率的温度依赖性。将带电杂质5 $Å$从沟道中心移动到衬底使迁移率增加一个数量级。
2018-08-31 cond-mat.mes-hall
Permutations of the transverse momentum dependent effective valence-band potential for layered heterostructures. Pseudomorphic strain effects
详细研究了重空穴（\emph{hh}）和轻空穴（\emph{lh}）的横向动量相关的有效带阶（$V_{\mathrm{eff}}$）分布的演化.几个新的功能在变态的标准化的固定高度$V_{\mathrm{eff}}$配置文件的孔，在逐渐增加的价带混合和赝象应变的存在下，提出。在某些$III-V$非应变半导体层状异质结构中，固定高度电势对于\emph{lh}不再有效。事实上，我们发现-如预测的电子-，排列的$V_{\mathrm{eff}}$字符\emph{lh}，类似于一个“\emph{keyboard}“，连同带隙的变化，每当价带混合变化从低到高的强度。应变能够减弱\emph{keyboard}对$V_{\mathrm{eff}}$的影响，也会使其偶尔出现或消失。我们发现，多带混合效应和应力诱导事件，是竞争机制，不能普遍忽略假设一个固定的高度矩形空间分布的固定字符的势能，作为一个可靠的测试运行输入异质结构。在本报告之前，据我们所知，对于空穴，既没有直接的输运域测量，也没有针对这些$V_{\mathrm{eff}}$演变和排列的理论计算。我们的研究结果可能是相关的有前途的异质结构的设计指导下的价带结构模型，以提高空穴迁移率在$III-V$材料。
2014-06-10 cond-mat.mes-hall
Energy spectrum of valence band in HgTe quantum wells on the way from a two to the three dimensional topological insulator
本文通过磁输运和霍尔效应测量HgTe量子阱价带能谱，发现实验得到的回旋质量随空穴密度变化与四带kp模型预测严重不符，质疑该模型对价带描述的适用性。
2023-08-03 cond-mat.mes-hall
Signatures of an Atomic Crystal in the Band Structure of a Molecular Thin Film
分子材料中的输运现象与价态的轨道特性和定域化程度有着内在的联系。在这里，我们结合角度分辨光电发射与光电发射断层扫描，以确定所有的分子态的空间分布的价带结构的C $_{60}$薄膜。虽然两个最前沿的价态表现出很强的能带色散，在较大的结合能的状态的特征在于不同的发射模式在能量和动量空间。我们的研究结果表明，形成一个原子晶体状的能带结构的分子固体与离域的$π$样价态和强烈本地化的$σ$ -状态在较大的结合能。
2020-04-29 cond-mat.mes-hall
Novel excitonic states in quantum Hall systems: Bound states of spin waves and a valence band hole
如果塞曼能量小，则填充因子nu=1的二维电子气的最低能量激发是自旋波（自旋翻转激发）。当nu比1稍大（或稍小）时，反向自旋电子（自旋空穴）可以与K个自旋波形成束缚态，称为skyrmions，S_K^-（antiskyrmions，S_K^+）。本文提出，价空穴也可以束缚K自旋波，形成类似于S_K^+的激子复合物X_K^+。S_K^+的一个自旋空穴被价空穴简单地取代。当nu<=1时，在引入价空穴之前存在少量S_K^+。（S_K^+）-（X_K^+）排斥导致的关联和光致发光类似于nu<=1/3时的稀电子-（带电激子）（e-X^-）系统。当nu>=1时，（S_K^-）-（X_K^+）吸引可能导致不同的行为。
2002-06-21 cond-mat.mes-hall
Hole transport and valence band dispersion law in a HgTe quantum well with normal energy spectrum
本文报道了宽d<6.3nm的HgTe量子阱中价带能谱的实验研究结果。对Shubnikov-de Haas振荡的温度、磁场和栅电压依赖性的分析使我们能够恢复由自旋轨道相互作用分裂的两个价带分支的能谱。与理论计算的比较表明，六带kP理论能很好地描述价带顶附近的所有实验数据。
2014-02-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Energy spectra and photoluminescence of fractional quantum Hall systems containing a valence-band hole
研究了高磁场极限下二维电子气与价带空穴相互作用的能谱随填充因子nu和电子层与空穴层间距d的变化.对于小于磁性长度λ的d，空穴结合一个或多个电子以形成中性（X）或带电（X-）激子。低位态可以用带电费米子（电子和X-）之间的劳克林相关来理解。对于与λ相当的d，电子-空穴相互作用不足以结合完整的电子，并且形成分数带电的激子hQEn（空穴和一个或多个劳克林准电子的结合态，QE）。数值计算了这些激子复合物在很宽的nu和d值范围内对光致发光谱的影响。
2000-11-13 cond-mat.mes-hall
Valence Band Circular Dichroism in non-magnetic Ag/Ru(0001) at normal emission
对于Ru（0001）上的Ag膜的非磁性系统，我们已经测量了沿表面法线发射的光电子的圆二色性，光电子发射电子显微镜（PEEM）中通常使用的几何形状。光电子能谱从微米级的区域具有均匀的厚度Ag膜上的一个单一的，原子级平坦的Ru平台。对于一个单一的银层，我们发现一个圆二色性，超过6%的d-衍生带区域周围4.5 eV的结合能。二向色性随着Ag膜厚度增加到三个原子层而减小。我们讨论的对称性降低，甚至可以发生在正常发射的圆二色性的起源。
2013-01-18 cond-mat.mes-hall
Tightly bound excitons in two-dimensional semiconductors with a flat valence band
本文给出了二维平坦价带半导体中激子结合能的显式表达式。该公式是在假设激子是紧密束缚的情况下准经典地导出的;即，其基态半径由半导体的固有极化率而不是由环境的介电性质确定。该模型与最近发现的一些二维半导体有关，包括扭曲的1 T-TiSe $_2$，其电子基态被认为是不稳定的。价带平坦度降低了激子结合能，这也可能对到激子绝缘体的相变有影响。
2019-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Exporting superconductivity across the gap: Proximity effect for semiconductor valence-band states due to contact with a simple-metal superconductor
邻近效应是指在与本征超导材料接触的正常导体中感应出超导性质的现象。特别地，纳米结构半导体与块体超导体的组合是令人感兴趣的，因为当半导体的载流子经受大的自旋轨道耦合时，这些系统可以承载非常规的电子激发，例如马约拉纳费米子。后一种要求通常倾向于使用空穴掺杂的杂质半导体。另一方面，基本的对称性考虑意味着来自典型的简单金属超导体的状态将主要耦合到半导体的导带状态，因此，在第一种情况下，对带电子而不是空穴产生邻近效应。在这篇文章中，我们展示了如何在导带的超导关联也转移到空穴态的价带凭借带间耦合。本文提出了体空穴和低维空穴系统超导邻近效应的一般理论。带间耦合和量子限制的相互作用被发现导致不寻常的波矢依赖性的诱导超导能隙参数。一个特别有吸引力的结果是密度可调性的邻近效应在空穴量子阱和纳米线，这创造了新的可能性，操纵过渡到非平凡的拓扑相位在这些系统中。
2014-05-01 cond-mat.mes-hall
Magnetic field induced valence band mixing in [111] grown semiconductor quantum dots
本文提出了在（111）A衬底上生长的GaAs液滴点中磁场诱导重空穴态+/-3/2混合的微观理论。所提出的理论模型考虑了原子力显微镜中揭示的三角对称的引人注目的点形状。我们的空穴态的计算进行内的Luttinger哈密顿形式主义，补充津贴的三角形的限制潜力。它们是在定量协议与实验观察到的极化选择规则，发射线强度和能量分裂的纵向和横向磁场中性和带电激子在所有测量的单点。
2012-11-29 cond-mat.mes-hall
Spin-3/2 physics of semiconductor hole nanowires: Valence-band mixing and tunable interplay between bulk-material and orbital bound-state spin splittings
本文对空穴量子线的电子光谱和塞曼分裂进行了详细的理论研究。自旋3/2字符的最高体价带态的子带边g因子在不同的子带之间的强烈变化的结果。我们阐明了量子限制和重空穴光空穴混合之间的相互作用，并确定了一定的鲁棒性所显示的低洼孔线子带边缘相对于线势的形状或强度的变化。能够在例如，传输或光学实验使得能够研究具有非标准自旋极化的空穴状态，这在自旋1/2系统中不存在。改变矩形截面的孔线的纵横比，结果强烈影响子带边缘的g因子，提供了一个机会，在自旋电子学中的可能应用的通用的原位调谐的空穴自旋属性。立方晶体对称性的相对重要性进行了讨论，以及自旋分裂远离区中心的子带边缘。
2008-12-04 cond-mat.mes-hall
Impact of the valence band on Rydberg excitons in cuprous oxide quantum wells
Universität Stuttgart（斯图加特大学）；Universität Rostock（罗斯托克大学）
本文基于卢蒂格-克恩模型，推导氧化亚铜量子阱中激子的完整哈密顿量，考虑复价带结构，揭示能量位移和简并性消除，并计算激子跃迁的振子强度。
2026-02-17 cond-mat.mes-hall quant-ph
Direct observation of electron emission as a result of a VVV Auger transition in the valence band of Graphene
我们报告的第一个直接观察到的电子发射到真空中作为一个VVV俄歇跃迁的结果，从一个深的空穴在价带弛豫。使用低能（<1.25eV）正电子束将正电子沉积到由单层石墨烯、多层石墨烯和石墨组成的样品的表面上。作为正电子湮灭的结果，从样品发射的电子的分布显示峰值延伸至约12 eV，最大值在约4 eV处。观察到的峰比先前观察到的湮灭诱导的C KVV峰大~17倍。基于密度泛函理论计算的正电子湮没率分析表明，该峰的宽度和强度与价带电子湮没激发的VVV俄歇跃迁产生的电子发射一致。在来自Cu表面上的单层石墨烯的数据与从独立石墨烯层的态密度的自折叠中发现的理论线形之间发现了良好的一致性。KVV和VVV跃迁的理论强度和测量强度之间的一致性表明，空穴通过俄歇跃迁衰变的分支比在两种情况下几乎相同（即接近100%）。我们的研究结果表明，利用湮没感应VVV俄歇谱研究价带宽度超过功函数的材料的局域态密度和空穴衰减过程的性质是可能的。
2016-11-04 cond-mat.mes-hall
Sharp enhancement on thermoelectric figure-of-merit of post-transition metal chalcogenides (PTMCs) using heterostructures with Mexican-hat valence band
后过渡金属硫族化合物（PTMCs）如GaSe、GaS、InSe和InS已被提出作为有前途的热电材料，这是由于低晶格电导率、高塞贝克系数以及期望当减薄到几层时其优值（figure of merit）随着能带结构转变为墨西哥帽价带（MHVB）而改善。在这里，我们表明，从头计算的MHVB应该存在，即使在厚膜的InSe/GaSe II型异质结构，和50%的增强在室温下的热电系数的优值zT预期相比，散装InSe。
2022-09-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Topological insulators in twisted transition metal dichalcogenide homobilayers
我们发现，扭曲的同质双层的莫尔带可以是拓扑非平凡的，并说明通过研究的价带态在$\pm K$谷扭曲的双层过渡金属二硫属化物，特别是双层MoTe $_2$的趋势。由于单层价带顶处的大的自旋轨道分裂，扭曲双层MoTe $_2$在$+K$（$-K$）谷处的低能价态可以使用具有具有莫尔周期的层赝自旋磁场$\boldsymbolΔ(\boldsymbol{r})$的双带模型来描述。我们证明了$\boldsymbolΔ(\boldsymbol{r})$在实空间中具有拓扑非平凡的skyrmion晶格织构，并且最顶部的莫尔价带提供了Kane-Mele量子自旋霍尔模型的实现，即，二维时间反演不变的拓扑绝缘体。由于能带在小的扭曲角下变窄，所以在每个摩尔单元的整数个电子数下可以出现丰富的对称性破缺绝缘态。
2019-02-11 cond-mat.mes-hall
Valence band orbital polarization in III-V ferromagnetic semiconductors
利用X射线磁性圆二色性（XMCD）技术，直接测定了（III，Mn）As铁磁半导体中价带轨道磁矩的大小和性质。一个明显的二向色性观察到的As K吸收边，产生一个作为4 p轨道磁矩约-0.1玻尔磁子每价带孔。这是强烈的影响，应变，表明其对磁各向异性的重要影响。Ga K边的二向色性弱得多。Mn和As的K边XMCD信号均为正号，表明Mn的4p态对Mn的K边谱有重要贡献。
2008-01-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Optical orientation of electron spins and valence band spectroscopy in germanium
我们研究了体锗直接带隙附近的光学取向。通过极化分辨光致发光激发光谱研究了电子自旋极化，揭示了掺杂和从布里渊区中心向边缘的超快电子转移之间的相互作用。结果，当激发激光能量增加时，直接间隙光致发光圆偏振可以从30%变化到-60%。这项研究还提供了同时访问的共振电子拉曼散射由于内部的价带激发的自旋极化的空穴，产生一个快速和多功能的光谱方法，用于确定半导体材料中的空穴的能谱。
2015-04-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Valence band and core-level analysis of highly luminescent ZnO nanocrystals for designing ultrafast optical sensors
采用改进的溶胶-冷冻干燥法合成了尺寸约为2 nm的高发光ZnO：Na纳米晶。利用X射线光电子能谱学（XPS）对ZnO：Na纳米晶的表面进行了扫描、芯能级和价带谱分析，确定了Na+的存在。所观察到的带隙从3.30（体）增加到4.16 eV（纳米），归因于电子和空穴在所有三个方向上的运动的量子限制。光致发光和衰减测量补充和支持我们的研究，设计一个高效和超快响应的光学传感设备。
2010-05-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Photoluminescence spectra of an n-doped (Cd,Mn)Te quantum well: an exemplary evidence for the anisotropy-induced valence-band mixing
利用线偏振分辨率和面内磁场测量了（001）-Cd 0.99 Mn 0.01 Te量子阱的光致发光谱。由于量子阱中含有二维电子气，因此光谱包含几个特征。由于量子阱层是由稀磁半导体形成的，所以当施加面内磁场时，光谱显示出明显的偏振依赖性转变。在磁场中，样品绕表面法向轴旋转90度会产生明显不同的光谱，这意味着样品中名义上等同的[1 - 10]和[1-10]方向实际上并不等同。但是，值得注意的是，偏振器和分析器的额外90度旋转恢复了初始光谱。这种关于样品同时旋转90度和偏振配置反转的组合不变性先前仅对于自旋翻转拉曼光谱已知。我们目前的观察解释的价电子带的混合导致的伪各向同性g因子的基态空穴。
2015-10-29 cond-mat.mes-hall
Spatially resolved, energy-filtered imaging of core level and valence band photoemission of highly p and n doped silicon patterns
作为局部掺杂的函数，在微米和亚微米尺度上图案化的半导体衬底的能级的空间变化的准确描述是微电子工业的重要技术挑战。空间分辨表面分析的光电子能谱显微镜可以提供一个宝贵的贡献，由于相对非破坏性的，定量分析。我们目前的结果高掺杂的n型和p型图案，分别为p型和n型硅衬底。利用同步辐射和球差校正能量滤波技术，我们获得了Si 2p芯能级和价带上的光谱图像序列。局部带对齐提取，占掺杂，带弯曲和表面光电压。
2017-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Measurement of Conduction and Valence Bands g-factors in a Transition Metal Dichalcogenide Monolayer
在磁场中进行的光学和输运测量中，可以操纵单层过渡金属二硫属化物中的电子谷和自旋自由度。确定塞曼分裂的关键参数，即电子和空穴g因子的单独贡献，在大多数测量中是不可访问的。在这里，我们提出了一个原始的方法，使访问的导带和价带的测量塞曼分裂的各自的贡献。它利用了激子复合物的光学选择规则，特别是涉及谷间声子的规则，避免了在传输实验中损害单粒子g因子确定的强重整化效应。这些研究产生了一个直接确定的单带g因子。我们测量gc1= 0.86，gc2=3.84的底部（顶部）的导带和gv=6.1的单层WSe 2的价带。这些测量有助于对在磁场中进行的光学和输运测量进行定量解释。此外，测量的g因子是用于优化这些2D材料的能带结构计算的有价值的输入参数。
2020-08-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Band gaps induced by vacuum photons in closed semiconductor cavities
本文从理论上考虑了一个封闭的（零维）半导体微腔，其中的真空光子模与半导体价带中的电子耦合。结果表明，真空诱导的价带和导带之间的虚电子跃迁导致电子能谱的重整化。结果，真空诱导的带隙出现在价带内。计算值的带隙是亚meV规模，这使得这种QED效应是可测量的，在国家的最先进的实验。
2014-11-20 cond-mat.mes-hall quant-ph
Simultaneous quantization of bulk conduction and valence states through adsorption of nonmagnetic impurities on Bi2Se3
将拓扑绝缘体Bi 2 Se 3的（111）表面暴露于一氧化碳导致在角分辨光电发射中观察到的特征的强烈移位。该行为非常类似于经常报道的表面的“老化”效应，并且可以得出结论，这种老化最有可能是由于其余气体分子的吸附。光谱变化也类似于最近报道的磁性吸附原子Fe的吸附。所有的光谱变化都可以用导带和价带态的同时限制来解释。这是唯一可能的，因为不寻常的体电子结构的Bi2Se3。价带量子化导致光谱特征类似于狄拉克点处的带隙开口的光谱特征。
2011-05-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Impact of the valence band structure of Cu$_{2}$O on excitonic spectra
本文提出了一种计算具有复杂能带结构的直接半导体激子谱的方法。薛定谔方程求解使用一个完整的基组与库仑Sturmian函数。该方法还允许计算振子强度。在这里，我们应用这种方法来研究氧化亚铜$\left(\mathrm{Cu_{2}O}\right)$的能带结构对黄色激子光谱的影响。结果不同于那些在[物理学评论快报。115，027402（2015）];讨论并解释了差异。第二个和第三个Luttinger参数之间的差异可以通过与实验的比较来确定，但是，所有三个Luttinger参数的评估不是唯一可能的。我们的结果与能带结构的计算结果是一致的。还考虑到质心的有限动量$\hbar K$，我们表明，对于$1S$激子态观察到的大的$K$依赖的线分裂[Phys. Rev. Lett. 91，107401（2003）]与交换相互作用无关，而是与$\mathrm{Cu_{2}O}$的复杂能带结构有关。
2016-05-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Electrically controllable valence-conduction band reversals in helical trilayer graphene
Weizmann Institute of Science（魏茨曼科学研究所）；Massachusetts Institute of Technology（麻省理工学院）；University of Texas at Dallas（德克萨斯大学达拉斯分校）；Stanford University（斯坦福大学）；SLAC National Accelerator Laboratory（斯坦福直线加速器中心）；National Institute for Materials Science（国立材料研究所）
研究揭示了螺旋三重层石墨中电子相互作用驱动的价带与导带周期性反转机制，通过磁阻抗检测发现锯齿状磁性转变及新的磁滞回线，揭示了电子相互作用对自旋、谷度和子晶格三种内部自由度的调控。
2026-03-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Determination of the valence band offset at cubic CdSe/ZnTe type II heterojunctions: A combined experimental and theoretical approach
我们提出了一个实验和理论相结合的方法来确定的低温价带偏移（VBO）在CdSe/ZnTe异质结与底层的锌晶体结构。在实验方面，II型界面的光学跃迁允许精确测量II型带隙。我们展示了如何依赖于激发功率的光致发光（PL）信号的移位可以用于任何II型系统的VBO的精确测定。在理论方面，我们使用一个精炼的经验紧束缚参数化，以准确地再现的能带结构和周围的带隙区域的立方CdSe和ZnTe的态密度，然后计算的分支点能量（也被称为电荷中性水平）为两种材料。由于立方晶体结构和小的晶格失配在整个界面上，所考虑的材料系统的VBO然后可以从电荷中性条件下获得，在良好的协议与PL测量。
2012-10-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Green's Function Coupled Cluster Simulation of the Near-valence Ionizations of DNA-fragments
准确描述DNA的电离过程对于理解电离辐射对DNA的损伤以及探索DNA链在纳米电子学中的潜在应用至关重要。在本工作中，我们利用我们最近在超级计算设备上开发的格林函数耦合簇（GFCC）库，研究了几种鸟嘌呤$-$胞嘧啶的光谱函数（G $-$ C）碱基对结构（[G $-$ C] $_n$，$n=1-3$）首次在相对较宽的近价区（[-25.0，-5.0] eV）。我们的重点是给出一个初步的多体耦合团簇的理解和指导方针的垂直电离能（VIE），光谱轮廓，和电离功能的变化，这些系统的系统规模扩大，在这个近价区。结果表明，随着系统尺寸的增大，尽管最低VIE不断减小，但谱函数轮廓和相对峰位的变化却出乎意料地变小。进一步分析与光谱函数中最强峰相关的电离态，揭示了所考虑的G $-$ C碱基对系统的电离波函数中不可忽略的$|2h,1p\rangle$。随着G $-$ C碱基对尺寸的扩大，与G $-$ C碱基对的胞嘧啶部分的主要电离相关的主要$|2h,1p\rangle$的特征是从碱基对内胞嘧啶$π\rightarrowπ^\ast$激发到碱基对间电子激发的跃迁，这也指示了DNA系统的多体计算中的最小量子区域。
2019-12-11 cond-mat.mes-hall physics.chem-ph physics.comp-ph
Mexican hat-like valence band dispersion and quantum confinement in rhombohedral ferroelectric alpha-In2Se3
本研究通过ARPES和DFT计算，发现菱方α-In2Se3在Gamma点具有墨西哥帽状价带色散（深度140 meV）、约1.25 eV间接带隙及高表面电子掺杂，揭示了其量子限域效应和电子积累层，为III/VI族半导体应用提供基础。
2025-09-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Flattening conduction and valence bands for interlayer excitons in a moiré MoS$_2$/WSe$_2$ heterobilayer
本研究通过连续介质模型，发现扭转对MoS$_2$/WSe$_2$异质双层激子带平坦化作用有限，而垂直压力和电场可显著增强带平坦化，实现创纪录的平坦带，为强关联激子现象提供新途径。
2023-03-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Numerical study of Valence Band states evolution in AlGaAs [111] QDs systems
本文采用适配倒金字塔结构的四带 Luttinger Kohn 模型，数值研究 GaAs/AlGaAs [111] 量子点及量子点分子的价带态与光学性质，并给出可模拟 AlGaAs/InGaAs 纳米结构的源代码及电场调控偏振的最优结构参数。
2023-07-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Resonant and Bound States of Charged Defects in Two-Dimensional Semiconductors
二维半导体中的带电缺陷的详细了解是需要的可编程电子器件的发展。在这里，我们研究带负电荷的受体杂质单层WS $_2$使用扫描隧道光谱和大规模原子电子结构计算相结合。在价带边缘附近观察到几个具有类氢波函数特征的局域缺陷态。这些缺陷态中的一些是束缚态，而另一些是共振态。共振态由WS $_2$的多谷价带结构产生，由此源自$Γ$处的次价带最大值的局域态与来自K/K $^{\prime}$处的主价带最大值的连续态杂交。共振态对于电子输运具有重要的影响，因为它们可以捕获移动载流子数十皮秒。
2019-09-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Band structure of Si/Ge core-shell nanowires along [110] direction modulated by external uniaxial strain
采用第一性原理密度泛函理论计算了Si/Ge核壳纳米线沿[110]方向的应变调制电子性质。特别地，详细地探讨了导带/价带的能量色散关系。在Γ点处，单轴应变使两个带的能级发生显著变化，从而导致带隙发生明显变化。相反，当K矢量远离Γ时，导带/价带随应变的变化大大减小。另外，在足够的拉伸应变（~1%）下，Si/Ge核壳纳米线的价带边（VBE）从Γ向远离Γ的方向移动，这表明Si/Ge核壳纳米线的带隙经历了从直接带隙到间接带隙的转变。我们的研究进一步表明，载流子的有效质量也可以通过外部单轴应变来调节。空穴的有效质量随拉伸应变的增加而显著增加，而应变对电子的有效质量的影响很小。最后，从波函数的角度讨论了应变与导带/价带边的关系。
2011-02-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
