Reversible Structural Transition in Epitaxial Manganite Film
利用高分辨透射电子显微镜（HREM）和电子衍射技术，结合图像和衍射计算，研究了在LaAlO 3衬底上外延生长的La_（2/3）Sr_（1/3）MnO_3薄膜的可逆结构转变。我们观察到，通过电子束照射，可以降低薄膜的晶体对称性，导致菱面体-单斜晶过渡。这种转变是失配应力和辐照热应力共同作用的结果。
2001-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Universal behavior of giant electroresistance in epitaxial La0.67Ca0.33MnO3 thin films
我们报道了一个巨大的电阻下降引起的直流电流在La 0.67 Ca 0.33 MnO 3外延薄膜。图案化薄膜的电阻随电流的增加呈指数下降，在电阻峰值温度Tp处出现最大下降。电阻随电流密度的变化可以分别在Tp以下和Tp以上缩放。这一工作对电阻法的进一步应用具有一定的指导意义。
2005-03-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetism in CaRuO3 thin films by efficient route of tensile epitaxial strain
我们表明，正交CaRuO3中的铁磁（FM）有序可以通过拉伸外延应变的方式建立和稳定，CaRuO3是FM系统SrRuO3的非磁性和同构类似物。在不同程度的应变CaRuO3薄膜的结构和磁性能的相关性的研究表明，FM力矩增加与拉伸应变。这是一个实验验证的理论预测的缩放的拉伸外延应变和磁序在该系统中。我们的研究进一步确立了拉伸应变比化学途径更有效地诱导FM秩序在CaRuO3的磁矩在这些应变膜是大于化学改性的CaRu 0.9Cr 0.1O3膜。
2013-01-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrical transport properties of RNiO3 (R= Pr, Nd, Sm) Epitaxial Thin Films
研究了脉冲激光沉积法生长的RNiO_3（R = Pr，Nd，Sm）薄膜的电输运性质。在LaAlO3（100）衬底上RNiO3薄膜沿（100）方向生长。与多晶固体不同，PrNiO 3薄膜表现出金属行为。在多晶固体中观察到的一阶金属到绝缘体的转变在RNiO 3膜中被抑制。通过改变LaAlO3上PrNiO3薄膜的厚度以及在SrTiO3和蓝宝石衬底上生长PrNiO3薄膜，研究了薄膜中晶格应变对薄膜输运性质的影响。在输运性质的偏差被解释为由于应变诱导的薄膜的生长。此外，我们发现LaNiO3薄膜的输运性质也受到类似的应变效应的影响。
2000-11-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Measurements of Spin Polarization of Epitaxial SrRuO3 Thin Films
我们已经测量了导电铁磁氧化物SrRuO 3的外延薄膜的输运自旋极化，使用点接触Andreev反射光谱（PCAR）。尽管从能带结构理论计算的SrRuO3的费米能级上的自旋上和自旋下的电子态密度实际上是相同的，但这些膜的实验输运自旋极化被发现约为50%。这一结果是一个直接后果的费米速度差距之间的多数和少数的频带，并在很好的协议与我们的理论估计。
2002-09-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunnel magnetoresistance and robust room temperature exchange bias with multiferroic BiFeO3 epitaxial thin films
我们报告的功能化的多铁性BiFeO 3外延薄膜的自旋电子学。第一个例子是通过在具有La 2/3Sr 1/3 MnO 3和Co电极的磁性隧道结中使用BiFeO 3的氧化物层作为隧道势垒来提供的。在这种结构中，在低温下获得了高达30%的正隧道磁电阻。第二个例子是利用BiFeO 3薄膜的反铁磁自旋结构，在室温下在CoFeB铁磁薄膜上产生相当大的（~60 Oe）交换偏置。值得注意的是，交换偏置效应在磁场循环时是稳健的，没有训练的迹象。
2006-09-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Stoichiometry control and epitaxial growth of AgCrSe2 thin films by pulsed-laser deposition
本研究利用脉冲激光沉积在晶格匹配衬底上成功外延生长出单相AgCrSe2薄膜，通过富Ag靶材补偿缺失抑制杂质相，证实其光电与磁学性质与块体一致，为热电和自旋电子学应用奠定基础。
2025-05-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial growth and magnetic properties of Sr2CrReO6 thin films
双钙钛矿Sr 2CrReO 6是自旋电子学的一种有趣的材料，显示亚铁磁性高达635 K，预测的高自旋极化率约为86%。采用脉冲激光沉积法在（001）取向的SrTiO 3衬底上制备了Sr 2CrReO 6外延薄膜。通过在6.6x10-4 mbar的纯O2中在700 ° C的衬底温度下生长获得具有最佳晶体学和磁性的相纯薄膜。薄膜是c轴取向的，相干应变，并显示出小于20%的反位缺陷。磁化曲线显示出每分子式单位0.8 μ B的高饱和磁化强度和1.1 T的高磁化率，以及强磁各向异性。
2009-01-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of epitaxial strain on ferroelectric polarization in multiferroic BiFeO3 films
采用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（001）衬底上以SrRuO 3为底电极生长了厚度为40 ~ 960 nm的BiFeO 3多铁性外延薄膜。X射线衍射分析表明，随着薄膜厚度的增加，薄膜的结构由c/a ~ 1.04的角畸变四面体转变为c/a ~ 1.01的块状畸变菱面体。尽管有这种显著的结构演变，但如从沿法线方向的测量计算的，沿着扭曲的伪立方晶胞的体对角线的铁电极化几乎没有变化。
2007-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial stabilization of metastable 3C BaRuO3 thin film with ferromagnetic non-Fermi liquid phase
通式为ARuO 3（A = Ca和Sr）的钙钛矿钌酸盐的薄膜是用于可行的氧化物电子器件的通用电导体。它们在科学上也很有趣，因为它们表现出依赖于A位元素的非平凡电磁基态。其中，立方钙钛矿（3C）BaRuO 3薄膜的实现迄今为止一直是一个挑战，因为3C相是BaRuO 3的各种多晶型物相中具有最大形成能的亚稳相。在本研究中，我们成功地制备了3C BaRuO 3薄膜采用外延稳定。3C BaRuO 3薄膜具有巡游铁磁性，相变温度约为48 K，为非费米液相。3C BaRuO 3的外延稳定化进一步使我们能够对钙钛矿钌酸盐薄膜进行标准比较，从而建立Ru-O轨道杂化在理解巡回磁系统中的重要性。
2021-07-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Impedance spectroscopy of epitaxial multiferroic thin films
依赖于温度的阻抗谱使凝聚态物质的介电和电阻特性的许多贡献被去卷积和特征分别。我们已经实现了这一点的多铁性外延薄膜的BiFeO 3（BFO）和BiMnO 3（BMO），具有强磁电耦合材料的关键例子。我们证明，真正的薄膜电容的外延层是类似的电极界面，使分析的电容作为必要的膜厚度的函数，以实现去卷积。我们使用弛豫时间的高斯分布来模拟非德拜阻抗响应，并揭示了多铁性层上的常规电阻率测量可能受界面效应的影响。热激活电荷传输模型得到的激活能为0.60 eV +- 0.05 eV（BFO）和0.25 eV +- 0.03 eV（BMO），这与氧空位（BFO）和电子跳跃（BMO）主导的导电一致。本征膜介电常数被确定为320 ± 75（BFO）和450 ± 100（BMO）。
2007-04-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Suppression of Magnetic Phase Separation in Epitaxial SrCoOx Films
采用脉冲激光沉积和独特的快速淬火方法，我们已经在SiTiO 3衬底上制备了SrCoOx外延薄膜。随着电化学氧化将氧含量从x = 2.75增加到3.0，膜倾向于有利于在同系SrCoO（3-n/8）（n = 0，1，2）的体样品中看到的离散磁相。与体样品不同，200 nm厚的膜在整个氧化循环中保持单相。300 nm的薄膜在脱氧过程中可以同时显示两个相。这些结果归因于有限厚度效应，并意味着形成大于约300 nm的有序区域。
2013-03-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Direct evidence for the suppression of charge stripes in epitaxial La$_{1.67}$Sr$_{0.33}$NiO$_4$ thin films
利用脉冲激光沉积法成功地生长了具有小镶嵌结构的La $_{1.67}$ Sr $_{0.33}$ NiO $_4$外延薄膜。利用同步辐射，对于相对厚的薄膜，已经成功地观察到与电荷条纹相关联的X射线衍射峰。由于电荷有序过渡的异常已被检查使用四点探针电阻率测量。X射线散射提供了抑制薄样品中条纹相的直接证据;当薄膜厚度为$\leqslant$ 2600 μ m时，条纹相消失。抑制似乎是收缩条纹相域的结果。这可能反映了条纹相位从平行向各向同性的发展。
2008-02-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetoelectric coupling in epitaxial orthorhombic YMnO3 thin films
我们在Nb：SrTiO_3（001）衬底上外延生长了正交相YMnO_3氧化物薄膜，并测量了它们的结构、磁响应和介电响应。我们已经发现，基板引起的应变产生面内压缩的YMnO 3晶胞。温度依赖的磁化曲线显示出显着的ZFC-FC滞后在温度低于尼尔温度（TN约40 K）。的介电常数逐渐增加（高达26%）低于TN和模仿ZFC磁化曲线。我们认为，这些效果是在薄膜中的磁电耦合的表现形式和YMnO 3的磁性结构可以通过衬底的选择来控制。
2007-01-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic In-Plane Strain and Transport in Epitaxial Nd(0.2)Sr(0.8)MnO(3) Thin Films
报道了Nd（0.2）Sr（0.8）MnO（3）外延a轴取向薄膜的结构、形貌和电学性能，厚度为10 nm ≤ t ≤ 150 nm。薄膜生长与拉伸和压缩应变在各种基板上。据发现，在两种应变状态下的所有厚度的薄膜的拉长的晶体学的c轴保持充分应变的基板。由于高度各向异性的热膨胀，在拉伸应变下生长的膜在a和b轴上观察到松弛，从而形成单轴裂纹阵列（沿c轴）。对于后者的膜，室温面内电阻率各向异性，rho_b/rho_c，增加膜厚度的值~1000在最厚的膜研究，近似呈指数增加。张力下的膜的尼尔温度提高了约25 K的厚度无关，一致的铁磁交换沿其扩展的c轴的增强。
2009-10-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain-mediated metal-insulator transition in epitaxial ultra-thin films of NdNiO3
我们分别在SrTiO $_3$（001）和$_{3}$（001）上，采用拉应变和压应变的逐层生长方式，制备了NdNiO $_{3}$超薄膜。结合X射线衍射，温度依赖的电阻率，和软X射线吸收光谱已被应用于阐明样品的电子和结构特性。在相反的散装NdNiO $_{3}$，金属-绝缘体的过渡下的压缩应变被发现是完全淬火，而过渡下的拉伸应变，虽然修改的散装行为。
2010-03-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low Symmetry Phase in (001) BiFeO$_3$ Epitaxial Constrained Thin Films
用同步辐射X射线衍射确定了（001）取向的BiFeO $_3$外延薄膜的晶格。通过选择合适的包含固定（001）反射的散射区，我们发现室温下薄膜中存在类似于$M_A$相的低对称相。这些结果表明，在相稳定性的变化，从菱形体在大块单晶，在外延薄膜的修改单斜结构。
2005-01-27 cond-mat.mtrl-sci
Robust formation of skyrmions and topological Hall effect in epitaxial thin films of MnSi
研究了在Si（111）衬底上生长的B_（20）型MnSi外延薄膜的磁输运性质。洛伦兹透射电子显微镜（TEM）图像和拓扑霍尔效应（THE）都清楚地指出了在宽的温度-磁场区域内skyrmions的稳健形成。新的功能不同的散装MnSi的观察外延MnSi薄膜：一个较短的（近一半）周期的自旋螺旋和skyrmions，和相反的符号的THE。这些观察结果表明，skyrmion引起的THE的多功能超出了目前的理解。
2012-09-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial Ferroelectric HfO2 Films: Growth, Properties, and Devices
在掺杂HfO2多晶薄膜中首次报道铁电性之后大约十年，人们对这种材料产生了巨大的兴趣，铁电氧化物再次成为存储器行业的焦点。人们正在努力了解和控制铁电特性。与多晶薄膜相比，外延薄膜具有更少的缺陷和更可控的微观结构，因此对于这一目的非常有用。铁电HfO2的外延薄膜研究较少，但在2015年首次报道之后取得了重大进展。本文综述并讨论了外延HfO2的主要进展，考虑到生长，结构和铁电性能的研究，铁电相的识别，和设备的制造。我们希望这篇评论将有助于研究人员研究外延HfO2。它还可以帮助扩展铁电HfO2社区的兴趣，现在基本上集中在多晶样品，外延膜。
2021-04-27 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial Ferroelectric La-doped Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films
在铁电体Hf0.5Zr0.5O2中掺杂La是提高铁电体耐久性的一条很有前途的途径。然而，La对多晶膜的耐久性的有益影响可能伴随着保持力的下降。我们研究了掺镧外延薄膜的耐久性保持困境。与未掺杂的外延膜相比，在更宽的厚度范围内获得了大的极化值，而矫顽场是相似的，并且漏电流大幅降低。与多晶掺La薄膜相比，外延掺La薄膜表现出更强的疲劳性，但没有明显的唤醒效应和阻容保持困境。持久的唤醒效应常见的多晶La掺杂Hf0.5Zr0.5O2薄膜，是有限的几个周期，在外延膜。尽管疲劳，在外延镧掺杂薄膜的耐久性是超过1010个周期，这种良好的性能是伴随着超过10年的优秀保留。这些结果表明，唤醒效应和磁阻保持的困境是不是本征在La掺杂的Hf0.5Zr0.5O2。
2020-10-28 cond-mat.mtrl-sci
Reduced Coercive Field in Epitaxial Thin Film of Ferroelectric Wurtzite Al0.7Sc0.3N
首次获得了具有明显极化-电场电滞特性的外延纤锌矿铁电薄膜。在W/c-蓝宝石衬底上的这种外延Al 0.7Sc 0.3N膜的矫顽场比在Pt/TiO x/SiO 2/Si衬底上的常规纤维织构膜的矫顽场小0.4 ± 0.3 MV cm-1（8%），这归因于外延膜中的c轴晶格参数小0.01 ± 0.007 MV cm-1。的应变和矫顽场的减少最有可能源于外延应变，而不是在热膨胀系数的失配。这些结果提供了一个洞察力，进一步降低矫顽场的新型纤锌矿铁电体使用外延失配应变。
2021-01-17 cond-mat.mtrl-sci
First-principles study of FeSe epitaxial films on SrTiO3
SrTiO_3衬底上FeSe薄膜高温超导性的发现引起了人们极大的实验和理论兴趣。第一性原理密度泛函理论计算在铁基块体超导体的研究中发挥了重要作用，也参与了界面超导性的研究。在这篇文章中，我们回顾了FeSe外延薄膜的电子和磁性结构的计算结果，强调不同的自由度，如电荷，自旋和晶格振动之间的相互作用。此外，FeSe的单层和双层薄膜的SrTiO 3之间的比较进行了讨论。
2015-10-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Investigations of metastable Ca2IrO4 epitaxial thin-films: systematic comparison with Sr2IrO4 and Ba2IrO4
采用脉冲激光沉积法在YAlO 3（110）衬底上制备了介稳Ca 2 IrO 4薄膜。外延生长的Ca_2 IrO_4薄膜为K_2NiF_4型四元结构。输运和光谱测量表明，Ca_2 IrO_4薄膜的电子结构与Jeff = 1/2自旋-轨道耦合莫特绝缘体Sr_2 IrO_4和Ba_2 IrO_4的电子结构相似，只是带隙能有所增加。由于Ca 2 IrO 4八面体旋转和倾斜的增加，导致电子相关性增强，U/W，因此可以预期Ca 2 IrO 4的带隙增加。我们的研究结果表明，亚稳相薄膜的外延稳定生长可以有效地用于研究层状铱酸盐和各种复合氧化物系统。
2016-05-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Morphological evolution and surface/interface Fe-oxide formation in epitaxial Fe(001)/MgO(001) thin film
本研究利用电子束蒸发在MgO(001)衬底上生长外延Fe薄膜，通过同步进行RHEED与TM测量，分别监测了薄膜的结构与形貌演变。
2024-01-10 cond-mat.mtrl-sci
Crossover of conduction mechanism in Sr2IrO4 epitaxial thin films
在SrTiO 3（001）衬底上生长了不同厚度（9-300 nm）的高质量外延Sr 2 IrO 4薄膜，并研究了其电输运特性。所有样品均表现出预期的绝缘行为，具有对膜厚度的强电阻率依赖性，其在低温下可以大到三个数量级。运输数据的仔细检查发现有趣的交叉行为的传导机制时，厚度和温度的变化。虽然莫特可变范围跳跃（VRH）占主导地位的运输薄膜薄于85 nm，高温热激活行为观察到的薄膜厚度大，其次是交叉从莫特Efros-Shklovskii（ES）VRH在低温范围内。从Mott到ES VRH的这种低温交叉表明存在库仑能隙（~3 meV）。我们的研究结果表明，在Sr 2 IrO 4薄膜的竞争和可调的导电，这反过来将有助于理解的绝缘性质与强自旋轨道耦合的5d铱酸盐。
2014-08-28 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial ferromagnetic semiconductor GdN thin films on Si substrate
本文已被作者撤回
2010-04-30 cond-mat.mtrl-sci
Martensite structures and twinning in substrate-constrained epitaxial Ni-Mn-Ga films deposited by a magnetron co-sputtering process
为了获得Ni-Mn-Ga外延薄膜结晶在马氏体结构显示磁致重排（MIR）的马氏体变体，精细控制的组成是必需的。在这里，我们提出了如何共溅射过程可能有助于在Ni-Mn-Ga外延薄膜的发展。本文研究了用Ni-Mn-Ga三元靶和纯锰靶共溅射制备的一批Ni-Mn-Ga外延薄膜。共溅射工艺允许精确控制膜成分，并且能够在高温沉积期间保持Ni-Mn-Ga奥氏体的外延生长。它引起在室温下调节膜中的MIR-active 14-调制马氏体的含量，以及微观和宏观孪晶畴尺寸。
2011-01-17 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial germanidation of full-Heusler Co2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing
采用快速热退火诱导锗化方法，在绝缘体上硅（SOI）衬底上外延生长Fe/Co/赝Ge（001）-on-insulator（GOI）多层膜，制备了全Heusler Co2 FeGe（CFG）合金薄膜。X射线衍射（XRD）分析结果表明，薄膜沿[001]方向外延生长，且具有面内外延结构，薄膜的面内外延关系为[100]|| GOI[100]，虽然电影稍微包含纹理成分。强的（111）和（200）超晶格衍射强度表明，CFG薄膜具有高度有序的L21结构。薄膜的横截面高分辨率透射电子显微镜图像表明薄膜具有主要的外延和轻微的织构组分，这与XRD测量结果一致。外延元件直接生长在SOI衬底的BOX层上，而不形成任何界面层。
2010-12-09 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic electronic properties of a-axis-oriented Sr2IrO4 epitaxial thin-films
研究了在LaSrGaO 4（100）衬底上生长的a轴取向Sr 2 IrO 4外延薄膜沿c轴的输运和光学性质。c轴电阻率比ab平面电阻率大约大一个数量级。E//b极化的光学吸收光谱显示Ir 5d位间跃迁和电荷转移跃迁（O 2 p到Ir 5d），而E//c光谱仅显示后者。在a轴取向的薄膜中由双轴应变产生的结构各向异性也改变了电子结构和带隙能。这些a轴取向的外延薄膜为研究Sr 2 IrO 4的各向异性电子性质提供了有力的工具。
2013-09-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Low temperature photoluminescence study of thin epitaxial GaAs films on Ge substrates
采用有机金属气相外延（OMVPE）技术在Ge衬底上生长了厚度为140 ~ 1000 nm、不同Si掺杂水平的GaAs外延薄膜，并对其进行了低温光致发光（PL）光谱分析。
2007-03-26 cond-mat.mtrl-sci
Sputtering based epitaxial growth and modeling of Cu/Si thin films
采用磁控溅射法制备了外延铜薄膜。沉积过程中的吸附原子受到沉积参数的影响，从而导致薄膜性能的变化。通过XRD和FESEM研究了薄膜的生长机理。对溅射外延薄膜生长过程进行了模拟。对溅射过程中的溅射产额、压强、温度、电流密度、沉积时间等参数进行了关联，并对溅射过程进行了分析。
2015-08-20 cond-mat.mtrl-sci
Growth of epitaxial ReS2 thin film by pulsed laser deposition
采用脉冲激光沉积法（PLD）在c面蓝宝石衬底和MoS2模板上生长了大面积ReS2外延薄膜。在低于300 ℃的沉积温度下，薄膜倾向于以（0001）ReS2垂直于（0001）Al2O3和（0001）ReS2垂直于（0001）MoS2平行于（0001）Al2O3的方式生长。薄膜是在300摄氏度以上的温度下生长的多晶。与蓝宝石衬底相比，在MoS2模板上生长的薄膜的光滑度和质量得到了显著改善。结果表明，PLD法适合于大面积生长ReS2外延薄膜，具有实际的器件应用价值。
2018-10-23 cond-mat.mtrl-sci
Magnetoelastic coupling in epitaxial magnetic films: An ab-initio study
一种方法的开发，它允许确定一阶和二阶磁致弹性系数的磁性块状材料从从头计算的磁晶各向异性能作为预应变的函数。对体心立方Fe薄膜给出了满意的结果，并与外延Fe薄膜磁致伸缩应力测量的实验结果相吻合。
2000-05-02 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced magnetic and thermoelectric properties in epitaxial polycrystalline SrRuO3 thin film
过渡金属氧化物薄膜显示出通用的电、磁和热性能，其可以通过经由多晶固体有意地引入宏观晶界来定制。在这项研究中，我们专注于修改的磁性和热输运性能的制造单和多晶外延SrRuO3薄膜，使用脉冲激光外延。采用原子级平坦的多晶SrTiO_3衬底外延稳定化技术，实现了每个晶粒的结晶质量与单晶对应物的结晶质量相当的外延多晶SrRu_3薄膜。特别是，减轻压缩应变附近的晶界，由于合并证明结构，这诱导增强的多晶外延薄膜的铁磁有序。与晶界相关联的结构变化进一步降低了热导率而不恶化电子输运，并且与它们的单晶对应物相比，导致外延多晶薄膜中增强的热电效率。
2018-04-17 cond-mat.mtrl-sci
Tuning magnetic and optical properties through strain in epitaxial LaCrO3 thin films
研究了外延应变对钙钛矿型LaCrO_3（LCO）单晶薄膜磁性和光学性质的影响。采用脉冲激光沉积法在合适的衬底上生长LCO薄膜，施加不同的应变状态。实验和理论相结合的方法来证明晶格应变和功能特性之间的直接相关性。磁化结果表明，晶格各向异性对LCO薄膜的磁行为起着决定性的作用。薄膜晶格中的应变诱导四方性强烈影响LCO的光学跃迁和电荷转移带隙。这项研究开辟了新的可能性，定制LCO和相关材料的功能特性的应变工程在外延生长。
2021-05-06 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial growth of topological insulator $β$-Ag2Te thin films
The University of Tokyo（东京大学）；RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS)（理化学研究所 新兴物质研究中心）
研究通过分子束外延法成功生长出β-Ag2Te薄膜，证实其二维金属导电性，为探索表面狄拉克态现象和异质结器件设计提供了平台。
2026-03-16 cond-mat.mtrl-sci
Fabrication and Low Temperature Thermoelectric Properties of Na_xCoO_2 (x = 0.68 and 0.75) Epitaxial Films by the Reactive Solid-Phase Epitaxy
我们采用反应固相外延法（reactive solid phase epitaxy：Ref.4），通过钠向Co_3O_4（111）外延膜中的横向扩散，制备了Na_xCoO_2薄膜。热扩散环境是控制薄膜中钠含量的关键。从x射线衍射和面内电阻率的结果，这些薄膜的外延生长和钠含量进行了鉴定。热电测量显示出类似于在单晶中观察到的大的热电功率。准粒子散射率被发现在低温下接近零，与小的剩余电阻率一致，表明高质量的Na_xCoO_2薄膜。
2007-01-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Atomically Controlled Epitaxial Growth of Single-Crystalline Germanium Films on a Metallic Silicide
我们展示了高质量的外延锗（Ge）薄膜上的金属硅化物，Fe 3Si，直接生长在Ge（111）衬底上。利用分子束外延技术，我们可以在Fe_3Si（111）表面获得人为控制的硅（Si）或铁（Fe）原子排列。Si终止的Fe 3Si（111）表面使我们能够生长二维外延Ge薄膜，而Fe终止的表面导致Ge薄膜的三维外延生长。生长在Si终止表面上的高质量Ge几乎没有应变，这意味着Ge膜不是生长在低温生长的Si缓冲层上，而是生长在晶格匹配的金属Fe 3Si上。这项研究将为具有金属源极/漏极接触的垂直型锗沟道晶体管开辟一条新的途径。
2012-10-03 cond-mat.mtrl-sci
Growth, microstructure and thermal transformation behaviour of epitaxial Ni-Ti films
外延薄膜有可能被用作模型系统的基础研究的马氏体相变在二元NiTi。本文讨论了在单晶MgO衬底上生长二元NiTi薄膜的问题。溅射沉积用于生长NiTi膜。通过互补的制备路线（具有不同的沉积温度和随后的热处理）制备的膜进行了研究，通过X射线衍射，电子显微镜，原子力显微镜，和电阻率测量，以优化膜的性能，特别是为了获得一个明确的取向的奥氏体晶胞和光滑的表面。我们的研究结果表明，沉积在升高的温度和仔细控制的后续热处理允许产生外延生长和光滑的NiTi薄膜，表现出可逆的一步或两步马氏体相变。
2016-12-21 cond-mat.mtrl-sci
The origin and properties of the wetting layer and early evolution of epitaxially strained thin films
我们发现，在外延应变薄膜，随着晶格失配应变的增加而减少的润湿层出现由于非线性弹性自由能随膜厚的变化。我们计算了如何以及在什么厚度的平膜变得不稳定的各向同性和各向异性的表面张力膜的不同大小的扰动。我们发现，各向异性的表面张力引起的亚稳扩大润湿层。扰动振幅需要不稳定的润湿层随着晶格失配的增加而减少。我们还研究了外延应变膜的早期演化。我们发现薄膜的生长依赖于材料沉积的方式。在一个平坦的薄膜中的微扰的增长被发现服从鲁棒的标度关系。这些标度关系对于各向同性和各向异性表面张力是不同的。
2002-01-15 cond-mat.mtrl-sci
X-ray interference effects on the determination of structural data in ultrathin La2/3Sr1/3MnO3 epitaxial thin films
我们分析了X射线衍射数据用于提取细胞参数的紧密匹配的基板上的薄膜。我们主要研究在（001）SrTiO_3单晶衬底上外延生长的La_（2/3）Sr_（1/3）MnO_3薄膜。它将被证明，由于薄膜和衬底的结构非常相似，数据分析必须明确考虑衬底和薄膜的衍射波的不同相位，以提取可靠的晶胞参数。这一发现的影响的理解应变效应的薄膜和界面将强调
2013-01-28 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial Thin Films of a Chalcogenide Perovskite
硫系钙钛矿材料是一种新型的电子材料，但由于缺乏高质量的外延薄膜，其基本性能和应用受到限制。我们报道了用脉冲激光沉积法外延生长BaZrS 3（一种典型的硫属化物）薄膜。X射线衍射研究表明，薄膜是强烈的织构面外，并有一个明确的面内外延与衬底的关系。电子显微镜的研究证实存在的外延的前几层的膜在界面处，即使远离界面的膜是多晶与大量的扩展的缺陷，这表明有潜力进一步改善生长。X射线反射率和原子力显微镜显示光滑的薄膜表面和衬底与薄膜之间的界面。薄膜在带边附近有很强的光吸收，在可见光区有很强的光致发光。的光电探测器设备显示快速和有效的光响应与最高的开/关比BaZrS 3膜迄今为止报道。我们的研究为实现硫系钙钛矿的外延薄膜、异质结构和超晶格提供了机会，以探测基本物理现象和由此产生的电子和光子器件技术。
2021-05-24 cond-mat.mtrl-sci
Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films
碲化铋拓扑绝缘体外延薄膜由于在自旋电子学和量子计算中的潜在应用而受到越来越多的关注。外延膜的最重要的性质之一是由于横向晶格失配而存在界面缺陷，因为电活性缺陷可以极大地损害器件性能。通过描述立方衬底上的六方碲化铋薄膜中的混合反射，面内晶格失配的准确性比使用其他X射线衍射方法至少好20倍，提供了0.007\%横向晶格失配的明确证据，与薄膜结构中与范德华间隙相关的应力松弛一致。
2020-07-29 cond-mat.mtrl-sci
On ``Epitaxial Pb(Zr,Ti)O$_3$ thin films with coexisting tetragonal and rhombohedral phases''
本文提出了PZT薄膜- MgO基片系统的热膨胀效应理论.我表明，基板的弹性特性必须考虑到描述这种效果。
2001-11-30 cond-mat.mtrl-sci
Nonlinear Dynamics of Domain Wall Propagation in Epitaxial Ferroelectric Thin Films
研究了外延Pb（Zr，Ti）O3薄膜在宽温度范围（3 - 300 K）内的铁电畴壁扩展。我们测量了不同电场下的畴壁速度，发现畴壁速度与电场有很强的非线性关系，特别是在低温下。我们发现，作为表面生长的问题之一，我们的畴壁速度数据从铁电外延薄膜可以分为蠕变，脱钉，和流动的制度，由于无序和弹性之间的竞争。速度和动力学指数的测量值表明，在外延薄膜的铁电畴壁是分形和钉扎由无序诱导的局域场。
2009-01-29 cond-mat.mtrl-sci
RBS/Channeling characterization of Ru(0001) and thin epitaxial Ru/Al$_2$O$_3$(0001) films
在绝缘衬底上的薄金属外延膜对于许多应用来说是必不可少的，例如在磁性器件中作为导电层或作为进一步生长的模板。在这项工作中，我们报告的单晶Al $_2$ O $_3$（0001）衬底上的外延Ru膜的生长磁控溅射和随后的系统表征使用卢瑟福背散射光谱的He离子在随机和沟道条件。我们包括Ru（0001）单晶的结果以供比较。沟道分析表明，厚度大于35 nm的薄膜生长与（0001）取向，一个明确的外延关系与衬底和高程度的晶体质量，可比的Ru（0001）单晶。厚度低至7 nm的较薄的膜，对于其外延应变的弛豫不完全，产生类似程度的去耦合。薄膜表面可以制备成清洁且有序的状态，以便在顶部进一步外延生长。
2021-12-14 cond-mat.mtrl-sci
Precipitation of amorphous ferromagnetic semiconductor phase in epitaxially grown Mn-doped Ge thin films
研究了外延生长的Mn掺杂Ge薄膜的铁磁性起源。采用低温分子束外延技术成功地生长了Mn掺杂的Ge薄膜，且没有析出Mn 5Ge 3等铁磁Ge-Mn金属间化合物。磁性圆二色性测量表明，外延生长的Mn掺杂Ge薄膜具有明显的铁磁行为，但在临界点处观察到的塞曼分裂不是由s，p-d交换作用引起的。高分辨率透射电子显微镜和能量色散X-射线光谱分析表明，无Mn单晶Ge基质中具有高Mn含量的非晶Ge 1-xMnx簇的相分离。由于非晶Ge_（1-x）Mn_x是一种均匀的铁磁半导体，因此非晶Ge_（1-x）Mn_x团簇的析出是外延生长Mn掺杂Ge薄膜铁磁半导体行为的起源。
2005-11-15 cond-mat.mtrl-sci
Electronic and optical properties of La-doped Sr$_3$Ir$_2$O$_7$ epitaxial thin-films
研究了拉伸应变（Sr $_{1-x}$ La $_x$）$_3$ Ir $_2$ O $_7$（x = 0，0.025，0.05）外延薄膜的结构、输运和光学性质。虽然高T $_c$超导理论预测的系统中，我们已经观察到，所有的样品保持绝缘与有限的光学能隙和莫特可变范围跳跃特性的运输。横截面扫描透射电子显微镜表明，结构缺陷，如堆垛层错出现在这个系统。La掺杂Sr $_3$ Ir $_2$ O $_7$薄膜的绝缘行为可能是由于La的无序诱导局域化和无效电子掺杂引起的，这揭示了铱酸盐外延薄膜与体单晶之间的有趣差异。
2018-02-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Comparative study of phase transitions in polycrystalline and epitaxial BaTiO3 thin films by means of specific heat measurements
纳米结构的钙钛矿铁电体的热性能的实验数据的介绍和分析。本文讨论了改进的3 w法测量比热的能力，并用多晶（BaTiO_3/SiO_2，50-1100 nm）和外延（BaTiO_3/MgO，50-500 nm）薄膜的热性能进行了说明。揭示了多晶薄膜和纳米晶陶瓷比热、相变过剩熵演化的相似性。在400 K附近，外延膜的比热数据显示出极端扩散的反常现象，随着膜厚的减小，相变有向高温移动的微弱趋势。对于最薄的（50 nm）膜，直到480 K没有检测到异常。
2006-12-24 cond-mat.mtrl-sci
Hall effect in Fe$_3$O$_4$ epitaxial thin films
用脉冲激光沉积法在MgO和Si衬底上制备了磁性外延薄膜。一个关键的结果是薄膜的性质几乎与块体材料的性质相同。对于40 - 50 nm厚的薄膜，室温下的饱和磁化强度和电导率分别为453 emu/cm ^3和225 1/（Ohm cm）。Verwey转变温度为117 K.霍尔效应表示在室温下对应于每分子式单位0.22个电子的电子浓度。正常和反常的霍尔效应都有一个负号。
2004-04-06 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial Ba2IrO4 thin-films grown on SrTiO3 substrates by pulsed laser deposition
用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（001）衬底上外延生长了Ba 2 IrO 4（BIO）薄膜，并通过直流输运和光谱实验研究了其电子结构。我们已经观察到，BIO薄膜是绝缘的，但接近的金属绝缘体过渡边界的显着较小的运输和光学带隙能量比它的姐妹化合物，Sr2IrO4。此外，BIO薄膜具有增强的电子带宽和电子相关能。我们的研究结果表明，生物薄膜具有很大的潜力，实现有趣的物理性能预测层状铱酸盐。
2014-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
X-ray diffraction analysis to support phase identification in FeSe and Fe$_7$Se$_8$ epitaxial thin films
对脉冲激光沉积（PLD）法生长的硒化铁薄膜进行了X射线衍射（XRD）分析。该薄膜含有双外延结构的$β$ -FeSe和Fe $_7$ Se $_8$相，其中$β$ -FeSe相（001）在（001）MgO生长衬底上取向。Fe $_7$ Se $_8$在一定的生长条件下同时呈现两种不同的外延取向，表现出（101）-和（001）-取向。这些取向中的每一个都用所提供的XRD数据进行了验证。另外，示出了用于确定PLD靶组成以及$β$ -FeSe相的镶嵌结构的XRD数据。
2019-01-28 cond-mat.mtrl-sci
Texture and morphology of epitaxially grown LuNi2B2C thin films on single crystalline MgO substrates of different orientation
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2010-02-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Soft modes of collective domain-wall vibrations in epitaxial ferroelectric thin films
计算了外延薄膜中铁弹畴壁从平衡位置位移时的机械回复力，并讨论了它们的各种协同平移振荡模式。对于波矢量对应于第一布里渊区的中心和边界的畴壁超晶格的振动，挑选出的软模式是由最小幅度的回复力区分。结果表明，在多畴铁电薄膜中，壁振动的软模对薄膜介电常数的贡献非常大。
2000-12-28 cond-mat.mtrl-sci
