Study of two-subband population in Fe-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures by persistent photoconductivity effect
用Shubnikov-de Haas方法研究了Fe掺杂Al_（0.31）Ga_（0.69）N/GAN异质结的电子性质。异质界面中二维电子气的两个子带被填充。在低温照射后，第一子带的电子密度从11.99 × 1012 cm-2增加到13.40 × 1012 cm-2，第二子带的电子密度从0.66 × 1012 cm-2增加到0.94 × 1012 cm-2。持续的光电导效应（~13%的增加）主要归因于GAN层中与Fe相关的深施主能级。当第一子带以密度n1 = 9.40 × 1012 cm-2填充时，第二子带开始填充。我们计算出第一和第二子带之间的能量间隔为105 meV。
2006-09-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetoconductance Oscillations in Electron-hole Hybridization Gaps and Valley Splittings in Tetralayer Graphene
该研究通过Bernal堆叠四石墨烯的磁输运实验，揭示轻质量子带中的朗道能级谷分裂，并将低密度体能隙内的磁电导振荡归因于能带反转引发的电子-空穴朗道能级杂化及边缘态数量变化。
2022-09-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Correlation between Superconductivity, Band Filling and Electron Confinement at the LaAlO$_{3}$-SrTiO$_{3}$ Interface
通过顶栅和背栅相结合的方法，我们研究了LaAlO $_3$ -SrTiO $_3$界面的能带填充和电子约束与超导电性的关系.我们发现，顶栅电压和背栅电压对超导临界温度的影响有明显的不同，这意味着束缚势阱对超导性有着深远的影响。我们调查的起源，这种行为通过比较的栅极依赖性的$T_c$相应的演变的带填充与栅极电压。对于几个背栅电压，我们观察到最大的$T_c$一致地符合在调谐高顶栅电压的带填充的扭结。自洽的薛定谔-泊松计算将这种扭结与第二$d_{xy}$子带的Lifshitz跃迁联系起来。这些结果建立了一个主要的作用，限制诱导的子带在相图中的SrTiO $_3$表面状态，并建立门控作为一种手段来控制这些状态的相对能量。
2018-05-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Understanding the superconducting proximity effect in semiconductors through quantum oscillations
University of California, Santa Barbara（加州大学圣塔芭芭拉分校）；University College London（伦敦大学学院）；University of Oxford（牛津大学）
本研究通过对覆盖不同金属薄膜的埋入式InAs量子阱的量子振荡分析，确定了超导体下方的载流子参数，揭示了金属对界面子带及量子寿命的影响，为超导体-半导体异质结构提供了关键的正常态参数。
2026-09-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Scattering anisotropy in HgTe (013) quantum well
本文报道了宽为22 nm的HgTe（013）量子阱在$[100]$和$[03\bar{1}]$方向上的电子输运各向异性随电子密度$n$的变化的详细实验研究。在电荷中性点附近的最小电子密度处不存在各向异性。各向异性随着n的增加而增加，当费米能级在第一子带H1内时，各向异性达到约10%。当费米能级达到第二子带E2时，各向异性急剧增加（高达60%）。我们的结论是，第一个效果是由于小的子带内各向异性界面粗糙散射，第二个是由于强烈的各向异性子带间粗糙散射，但这种强烈的变化的各向异性的微观原因仍然未知。
2022-08-24 cond-mat.mtrl-sci
Magnetoresistance and electronic structure of asymmetric GaAs/AlGaAs double quantum wells in the in-plane/tilted magnetic field
用磁输运测量方法研究了在标准异质结GaAs缓冲层中薄势垒形成的双层二维电子系统。在平行于电子层取向的磁场中，磁阻表现出与较高占据子带的减少和场诱导过渡到去耦双层相关联的振荡。Shubnikov-de Haas振荡在稍微倾斜的磁场中允许重建作为面内磁场的函数的各个子带中的电子浓度的演变。实验得出的系统的特性与电子结构的数值自洽场计算定量一致。
2000-04-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Time-Reversal Symmetry Protected Transport at Correlated Oxide Interfaces
本文在无氧空位的LaAlO3/SrTiO3界面发现受时间反演对称性保护的子带，其输运沿具有Dirac拓扑和巨大Rashba自旋轨道耦合的准一维铁弹畴壁发生，为量子工程提供了新平台。
2025-05-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unveiling a two-dimensional electron gas with universal subbands at the surface of SrTiO3
与作为传统电子学基础的硅类似，钛酸锶（SrTiO 3）是新兴氧化物电子学领域的基石。SrTiO 3是在氧化物界面处产生电子物质的奇异二维（2D）相的优选模板，表现出金属-绝缘体转变、超导性或大的负磁阻。然而，这些二维电子气（2DEG）的电子结构的物理性质仍然难以捉摸，尽管它的确定对于理解它们的显着特性至关重要。在这里，我们表明，使用角分辨光电子能谱（ARPES），有一个高度金属通用的2DEG在真空劈裂表面的SrTiO 3，独立的体载流子密度超过七十年，包括未掺杂的绝缘材料。这种二维电子气被限制在约5个晶胞的区域内，其面载流子密度为约0.35个电子/a^2（a是立方晶格参数）。我们揭示了一个显着的电子结构组成的多个子带的重和轻电子。该2DEG与基于SrTiO 3的异质结构和场效应晶体管中报道的那些的相似性表明，在SrTiO 3的表面处的不同形式的电子限制导致基本上相同的2DEG。我们的发现提供了一个模型系统的SrTiO 3基器件的电子结构的研究，和一个新的路线，以产生2DEGs在过渡金属氧化物的表面。
2010-09-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
On the Origin of the 2DEG Carrier Density at the LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ Interface
在LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$界面处的二维电子气（2DEG）的输运测量发现载流子密度远低于“极性突变”论点所预期的。从一个详细的密度函数的研究，我们建议如何这种差异可能会被调和。我们发现，电子占据多个子带的接口，导致一个丰富的阵列的输运性质。一些电子被限制在一个单一的界面层，易于本地化，而其他小质量和扩展到几个层预计将有助于运输。
2008-12-09 cond-mat.mtrl-sci
Multiband Transport in Bilayer Graphene at High Carrier Densities
我们报道了高载流子密度下双层石墨烯的多带输运研究。采用聚（乙烯）氧化物-CsClO $_4$固体聚合物电解质栅极，我们证明了在载流子密度$|n|\geq2.4\times 10^{13}$ cm $^{-2}$下双层石墨烯样品中高能子带的填充。我们观察到电阻的突然增加和Shubnikov de Haas（SdH）振荡的第二个家庭的发病，因为这些高能量的子带填充。从同时霍尔和磁阻测量与SdH振荡在多带传导制度，我们推导出的载流子密度和迁移率分别为较高的能带，并发现迁移率至少是一个因素的两个高于那些在低能带。
2011-05-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Shubnikov-de Haas oscillations in coherently strained AlN/GaN/AlN quantum wells on bulk AlN substrates
该研究在体AlN衬底上的相干应变AlN/GaN/AlN量子阱中观察到SdH振荡，揭示了未掺杂与δ掺杂结构的能带占据差异，并直接测量了2DEG关键参数，为氮化物异质结构设计提供基础。
2025-02-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Shubnikov-de Haas oscillations in SrTiO3\LaAlO3 interface
观察到SrTiO 3/ \LaAlO 3界面的量子磁振荡。研究了它们的频率和幅度在不同栅压和温度下的演化。这些数据与Shubnikov de-Haas理论一致。霍尔电阻率ρ在低磁场下表现出非线性。它是假设多个载波贡献而拟合的。从霍尔数据推断的移动载流子密度和振荡频率之间的比较表明多谷和自旋简并。在多波段场景的框架下讨论了振荡的小振幅。
2010-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunable Band Structure Effects on Ballistic Transport in Graphene Nanoribbons
石墨烯纳米带（GNR）在相互垂直的电场和磁场中表现出其能带结构和电子输运性质的显著变化。一个强电场穿过带诱导多个手征狄拉克点，关闭扶手椅GNR的半导体间隙。在垂直磁场作用下，产生部分朗道能级和分散的表面束缚态。每个施加的场自身保持子带色散的偶对称性$E_{k} = E_{-k}$。当一起应用时，它们将色散宇称反转为奇数，并给出$E_{e,k} = -E_{h,-k}$，并在对应于整个带的电势变化的能量范围内混合电子和空穴子带。这导致在该能量范围内弹道电导的振荡。
2010-04-15 cond-mat.mtrl-sci
Magneto-intersubband oscillations in two dimensional systems with energy spectrum split due to spin-orbit interaction
本文研究了HgTe/Hg $_{1-x}$ Cd $_x$ Te单量子阱中的磁子带间振荡（MISO）谱的“反转”和“正常”谱，以及常规In $_{1-x}$ Ga $_x$ As/In $_{1-y}$ Al $_y$ As量子阱中的磁子带间振荡（MISO）谱的正常谱。对于所有的情况下，当两个分支的光谱出现由于自旋轨道分裂，的Shubnikov-de Haas振荡的腹和MISO的最大值的相互安排发生相反的双量子阱和宽量子阱中观察到的两个子带占据，不同意的理论预测。一个“玩具”模型，应该定性解释这一不寻常的结果。
2020-04-07 cond-mat.mtrl-sci
Magnetoresistance oscillations and relaxation effects at the SrTiO3-LaAlO3 interface
我们提出了低温和高场磁输运数据SrTiO 3-LaAlO 3接口。电阻在磁场中表现出滞后现象，并随时间呈对数弛豫。观察到的磁阻振荡，显示在所施加的磁场的平方根周期性，无论是在大面积的非结构化样品，以及在结构化样品。一个解释的边缘状态在一个高度移动的二维电子气之间的衬底台阶边缘的可扩展性条件的建议。
2008-06-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-dimensional quantum oscillations of the conductance at LaAlO3/SrTiO3 interfaces
我们报告的研究LaAlO 3/SrTiO 3接口，其特征在于迁移率的顺序为几千厘米$^{2}$ /Vs的磁输运。我们观察到Shubnikov-de Haas振荡，表明费米面的二维字符。振荡的频率用信号表示量子阱中的多子带占据或多谷配置。从振荡幅度的温度依赖性，我们提取有效载流子质量$m^{*}\simeq1.45$ \，$m_{e}$。在背栅几何结构中施加的电场增加了迁移率、载流子密度和振荡频率。
2010-07-28 cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric effects at a Germanium-electrolyte interface: measuring 100 nK temperature oscillations at room temperature
我们描述了在室温下的100 nK温度振荡的测量，在p型掺杂锗，纳米尺寸的金属层，和电解质之间的复杂界面驱动。我们发现，热沉积在这个界面上的热电效应，但精确的微观机制仍有待建立。温度测量是通过观察来自界面的黑体辐射的调制来完成的。我们认为，这种几何提供了一种方法来研究分子尺度耗散现象。界面电解质侧的德拜层控制着大部分动力学。从第一原理解释的测量，我们表明，在这种几何形状的德拜层的行为像一个低频传输线。
2021-02-21 cond-mat.mtrl-sci
Suppression of spin beats in magneto-oscillation phenomena in two-dimensional electron gas
本文发展了具有线性k自旋分裂的二维电子系统的磁振荡理论。Dresselhaus和Rashba的贡献都被考虑在内。结果表明，磁振荡的模式极大地依赖于上述各项之间的比率。仅一种类型的k-线性项的存在产生拍频，即对应于自旋分裂子带的两个接近的谐波。然而，如果这两个贡献的强度是可比的，第三（中央）谐波出现在磁振荡的频谱。对于相等的贡献强度，只有中心谐波存在，振荡发生在一个单一的频率，虽然k-线性项仍然在哈密顿量。以舒布尼科夫-德哈斯效应为例，详细研究了自旋拍的这种抑制。
2004-12-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Layering at liquid metal surfaces and interfaces: Friedel oscillations and confinement effects
采用第一性原理分子动力学模拟对钠的液体表面和液固界面结构进行了研究。在自由表面的电子电荷密度中的弗里德尔振荡被发现在固体到液体的熔化过渡中持续存在，具有小但独特的电子分层，该电子分层保持与原子位置解耦。在液体表面和液-固界面处都观察到强离子分层，尽管在后一种情况下没有Friedel振荡或配位不足的原子。在这些软或硬边界的约束效应驱动原子进入准紧密堆积层;即使对于这种原型自由电子金属，弗里德尔振荡也与有序无关。
2005-09-23 cond-mat.mtrl-sci
Disturbance of spin equilibrium by current through the interface of noncollinear ferromagnets
边界条件推导出确定自旋电流通过两个非共线铁磁体的界面之间的任意角度的磁化矢量的渗透。我们从量子化轴旋转下电子自旋波函数的变换性质出发。它允许直接找到铁磁体的不同自旋子带的部分电流密度之间的联系。在近界面区假设没有自旋散射，因此当电子与界面相交时自旋守恒发生。给出了局部化学电势差的连续性条件。计算了自旋电流流过两个半无限长铁磁体接触时电子非平衡磁化强度的空间分布。该分布描述了由电流引起的自旋累积效应和界面处的电势降的相应移动。这些效应似乎强烈依赖于界面处的自旋接触电阻之间的关系。
2006-07-03 cond-mat.mtrl-sci
First-principles investigation of magnetocrystalline anisotropy oscillations in Co$_{2}$FeAl/Ta heterostructures
我们报告的第一性原理研究的磁晶各向异性能（MCAE）振荡作为一个功能的覆盖层厚度的Heusler合金Co \textsubscript{2} FeAl/Ta异质结。在FeAl界面结构中观察到大量的振荡。根据$k$ -空间和能带分解电荷密度分析，这种振荡主要归因于限制在Co \textsubscript{2} FeAl/Ta界面和Ta/真空表面之间的费米能邻位量子阱态（QWS）。共界面结构中较小的振荡幅度可以用界面处的平滑势跃迁来解释。这些研究结果表明，Co \textsubscript{2} FeAl/Ta中的MCAE并不是界面的局部性质，量子阱效应在异质结构的MCAE振荡中起主导作用。这项工作提出了在覆盖层中通过QWS调节MCAE的可能性，并为人工控制磁性隧道结中的磁各向异性能铺平了道路。
2018-02-09 cond-mat.mtrl-sci
Analysis of electric-field-induced spin splitting in wide modulation-doped quantum wells
我们在包络函数近似的框架下分析了电场诱导自旋分裂的正确包含。我们认为，Rashba效应应包括在一个多频带的方法，而不是常用的Rashba长期依赖于k和电场的对角项的宏观势的形式。指出子带中电场的期望值有时并不唯一，因为对于自旋分裂的子带分量，期望值甚至可以具有相反的符号。讨论了具有Dresselhaus项的对称量子阱以及界面对自旋分裂的影响。我们采用了一个行之有效的多频带的方法，以广泛的调制掺杂的InGaSb量子阱与强内置电场的界面区域。我们展示了一个有效的机制，用于开关的Rashba分裂的电场是一个数量级小于本地内置的字段，确定的Rashba分裂。我们的研究结果的影响，自旋电子器件，特别是Datta-Das自旋晶体管和建议的修改，进行了讨论。
2008-12-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High-mobility field-effect transistor using 2-dimensional electron gas at the LaScO3/BaSnO3 interface
在两种钙钛矿氧化物（极性正交钙钛矿LaScO 3（LSO）和非极性立方钙钛矿BaSnO 3（BSO））的界面处发现了一种新的具有高迁移率的二维电子气（2DEG）系统。在BSO膜上沉积LSO膜时，测量电导增强和所得的2DEG密度（n2 D）。与已有的LaInO_3/BaSnO_3（LIO/BSO）极性界面的结果相比，我们将界面极化模型应用于LSO/BSO体系，LSO中的极化从界面开始只存在4个以上的赝立方晶胞，之后就像LIO/BSO界面一样消失了.基于自洽Poisson-Schrodinger方程的计算，LSO/BSO异质界面的n2 D与LSO厚度的关系与该模型一致。此外，在量子阱中的一个单一的子带的预测。使用导电界面和LSO作为栅极电介质，证明了仅由具有接近100 cm 2 V-1 s-1的高场效应迁移率（uFE）的钙钛矿氧化物组成的2DEG晶体管。
2021-10-12 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Two-dimensional electron gas in a modulation-doped SrTiO3/Sr(Ti,Zr)O3 heterostructure
通过将未掺杂的SrTiO 3与用La掺杂的n型的宽带隙材料SrTi 1-xZrxO 3界面化，经由调制掺杂在SrTiO 3中产生二维电子气（2DEG）。所有层都是使用混合分子束外延生长的。使用磁阻测量，我们表明，电子被转移到SrTiO 3，并形成2DEG。特别是，Shubnikov-de Haas振荡示出仅依赖于垂直的磁场。实验Shubnikov-de Haas振荡进行了比较，假设多个占用子带的计算。
2013-07-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum oscillations in an optically-illuminated two-dimensional electron system at the LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ interface
研究了LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$界面二维电子系统的磁输运性质.光照显著降低了薄膜的零场薄层电阻，消除了低温下的近藤效应，并将负磁阻转变为正磁阻。照射后高迁移率载流子密度的大幅增加导致了源于朗道量子化的磁阻的量子振荡。从振荡估计的载流子密度（$\sim 2 \times 10^{12}$ cm $^{-2}$）和有效质量（$\sim 1.7 ~m_e$）表明，高迁移率电子占据了Ti：t $_{2g}$轨道的d $_{xz/yz}$子带，该轨道在SrTiO $_3$导电片内深入延伸。我们的研究结果表明，在界面处诱导额外的载流子的照明可以铺平道路，以控制近藤散射和研究复杂的氧化物异质结构中的量子输运。
2021-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electron scattering and capture rates in quantum wells by emission of hybrid optical phonons
考虑了AlAs/GaAs/AlAs双异质结中由混合光学声子介导的子带内和子带间散射率以及电子俘获率。在评估散射率，我们首先集中在一个无限的量子阱的电子，并表明，外部的金属障碍的存在下，由于抑制的界面模式的子带内和子带间的散射率的减少。对于有限深的量子阱，我们发现外势垒是导致阱上方存在离散能谱的原因。在这些情况下的电子捕获过程被定义为电子跃迁从第一个电子子带以上的井内的所有可能的子带的混合声子的发射。显式计算表明，捕获率的特点是由尖锐的峰值，称为电子共振时产生的一个新的电子态上产生的量子阱宽度的增加。其他尖锐的峰被识别为声子共振，并且当初始状态的能量与量子阱子带底部的电子状态相差声子能量时出现。
2010-03-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A New Class of Magnetoresistance Oscillations: Interaction of a Two-Dimensional Electron Gas with Leaky Interface Phonons
报道了在GaAs-Al $_x$ Ga $_{1-x}$ As异质结中观察到的一类新的高迁移率二维电子气（2DEG）的磁阻振荡。出现在一个弱磁场（$B<$ 0.3 T），只有在一个狭窄的温度范围（2 K $<T<$ 9 K），这些振荡是周期性的1/B的频率成正比的电子费米波矢量，$k_F$。我们解释的效果作为磁声子共振的2DEG与泄漏的界面声学声子模式进行波矢量$q=2k_F$。计算结果表明，在GaAs-Al $_x$ Ga $_{1-x}$ As界面上存在几个这样的模的分支，其速度与实验数据定量吻合。
2001-04-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantization of Hall Resistance at the Metallic Interface between an Oxide Insulator and SrTiO$_{3}$
在氧化物绝缘体和SrTiO 3之间的界面处形成的二维金属为氧化物电子学提供了新的机会。然而，量子霍尔效应，其中一个最迷人的效果，电子限制在两个维度，仍然在这些复杂的氧化物异质界面探索不足。在这里，我们报告的调制掺杂的非晶LaAlO $_{3}$ /SrTiO $_{3}$异质结构的基础上，SrTiO 3异质界面中的量子化霍尔电阻的实验观察，它具有高电子迁移率超过10000厘米$^{2}$ /Vs和低载流子密度的顺序为~10 $^{12}$ cm $^{-2}$。随着明确的Shubnikov-de Haas振荡，量子化霍尔电阻的间距表明，界面是由一个量子阱与10个平行的导电二维子带。这为导电氧化物界面的电子结构提供了新的见解，并代表了设计和理解先进氧化物器件的重要一步。
2016-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interface states and anomalous quantum oscillations in graphene hybrid structures
单层和双层石墨烯最近被证明具有新的物理现象，例如非常规的量子霍尔效应和使用外延石墨烯支持非硅技术平台的前景。虽然单层和双层石墨烯都已被广泛研究，但拥有这两个部分的石墨烯的连续片材尚未被探索。在这里，我们报告了这种石墨烯混合结构的研究。在大面积的单层和双层石墨烯以及它们之间的界面的体杂化中，我们发现了两组朗道能级和与界面相关的特征;在大面积的双层石墨烯和窄的单层石墨烯边缘的边缘杂化中，我们观察到了由于单层和双层石墨烯费米能级的锁定和出现的手征界面态导致的量子振荡振幅的异常抑制。这些发现表明了这些杂化结构的重要性，其独特的界面态和相关现象值得进一步研究。
2009-04-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum oscillations from networked topological interfaces in a Weyl semimetal
层状过渡金属硫族化合物是一种很有前途的电子Weyl节点和拓扑超导电性的主体。MoTe $_2$是一个引人注目的例子，它同时具有非中心对称的T $_d$和中心对称的T'相，这两种相都被认为是拓扑非平凡的。所施加的压力将分离这些相的结构转变调谐到零温度，稳定混合的T $_d$ -T'矩阵，其需要两个非平凡拓扑相之间的界面的独特网络。在这里，我们表明，这一临界压力范围的特点是独特的相干量子振荡，表明在两相之间的拓扑结构的变化引起一个新的拓扑界面状态。拓扑非平凡的电子结构和锁定转换障碍的罕见组合导致了这种违反直觉的情况，其中可以在结构不均匀的材料中观察到量子振荡。这些结果打开了稳定多个拓扑超导相的可能性，这对于解决量子计算机中的退相干问题是重要的。
2019-05-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Electron-phonon interaction in CdTe/CdMnTe/CdMgTe quantum wells
在介电连续介质模型下，计算了两种稀磁半导体结构的光学振动模（受限模和界面模）、电子-声子相互作用和空穴-声子相互作用，这两种稀磁半导体结构分别是：单阱结构的Cd_（1-x）Mn_xTe/Cd_（1-y）MgyTe，阱中含有磁性离子;内和子带间跃迁的散射率得到的电子和空穴。
1999-11-15 cond-mat.mtrl-sci
Shubnikov-de Haas quantum oscillations with large spin splitting in highmobility Al0.8Ga0.2Sb/InAs/ Al0.8Ga0.2Sb quantum-well heterostructures
本研究通过优化AlGaSb势垒层铝镓比制备出高迁移率AlGaSb/InAs量子阱异质结构，观测到高温下仍存在的Shubnikov-de Haas振荡与大自旋分裂，验证其在拓扑自旋电子器件中的应用潜力。
2025-05-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unconventional quantum oscillations and evidence of nonparabolic electronic states in quasi-two-dimensional electron system at complex oxide interfaces
本研究通过高场输运测量，在EuO/KTO和LAO/STO界面二维电子系统中观察到频率和回旋质量随磁场增加的非常规量子振荡，证实了非抛物型电子态，为拓扑类电子态提供证据并建立新范式。
2024-12-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Intersubband transition engineering in the conduction band of asymmetric coupled Ge/SiGe quantum wells
n型Ge/SiGe非对称耦合量子阱代表了各种纳米级量子器件的构建块，包括最近提出的硅基太赫兹量子级联激光器的设计。在本文中，我们结合结构和光谱实验上的20个模块的上层结构，每个具有两个Ge井耦合通过富锗隧道势垒，作为设计的几何参数和P掺杂浓度的函数。通过太赫兹光谱数据与子带间光吸收共振的数值计算的比较，我们证明了通过设计来调节异质结构导带中量子限制子带的能量和空间重叠是可能的。样品的高结构/界面质量和子带杂化上实现的控制是朝向工作电泵浦发光器件的有希望的起点。
2020-02-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Diffusion-Induced Oscillations of Extended Defects
从一个简单的模型驱动运动的平面界面的影响下的扩散场，我们推导出阻尼非线性振荡方程的界面位置。在一个不稳定的制度，阻尼项是负的，我们找到极限环的解决方案，描述了振荡传播的接口。在一个不断增长的凝固前沿的情况下，这提供了一个透明的方案，在二元合金中的溶质带的形成，并考虑到Mullins-Sekerka不稳定性，带状组织。
2011-12-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Electrostatic gate-controlled quantum interference in a high-mobility two-dimensional electron gas at the (La$_{0.3}$Sr$_{0.7}$)(Al$_{0.65}$Ta$_{0.35}$)O$_3$/SrTiO$_3$ interface
National High Magnetic Field Laboratory, Los Alamos National Laboratory（美国国家强磁场实验室）；Department of Physics, National University of Singapore（新加坡国立大学物理系）；Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses (LNCMI-EMFL), Université de Toulouse, CNRS, INSA, UPS（法国图卢兹大学国家强磁场实验室）
研究通过电场门控控制二维电子气中的量子干涉，发现磁场周期性振荡现象，揭示了复杂氧化物界面在量子干涉研究中的潜力。
2026-02-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
