Electron-phonon scattering in topological insulators
我们制定和应用强拓扑绝缘体的表面态的电子-声子相互作用的理论。声子建模使用各向同性弹性连续介质理论与无应力边界条件，并通过变形势与狄拉克表面费米子相互作用。我们讨论了准粒子寿命的温度依赖性的光电发射和表面电阻率。
2011-03-01 cond-mat.mes-hall
Moiré Fractional Chern Insulators I: First-principles calculations and Continuum Models of Twisted Bilayer MoTe$_2$
针对转角双层MoTe$_2$单粒子模型存疑导致相图预测不可靠的问题，结合第一性原理计算与改进的连续模型，明确其能带结构与陈数特征，为关联相研究提供基础。
2023-11-08 cond-mat.mes-hall
Bound states in the continuum of higher-order topological insulators
我们表明，具有高阶拓扑结构的晶格可以支持角定域束缚态的连续（BIC）。我们提出了一种直接识别凝聚态背景下BIC的方法，并用它来证明在一个具体的晶格模型中BIC的存在。虽然这些状态的起始是由某些拓扑结晶相中的角诱导填充异常给出的，但需要额外的对称性来保护BIC免于与其简并体态杂交。我们证明了在这个模型中的BIC的保护机制，并显示如何打破这种机制转换成高阶拓扑共振的BIC。我们的工作表明，拓扑相的体边界对应所产生的拓扑状态比以前预期的更强大，扩展搜索空间的晶体拓扑相，包括那些与边界本地化BIC或共振。
2020-05-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Edge accumulation and currents of moment in 2D topological insulators
这封信分析了2D拓扑绝缘体边缘的体自旋（矩）电流和自旋（矩）积累，并考虑了边缘的反射。积累只发生在边缘状态，这将拓扑绝缘体与常规绝缘体区分开来。带连续可以支持横向体自旋（矩）电流，但它不受拓扑陈数，并可能存在于传统的绝缘体。没有与体电流相关的边缘积累。
2010-07-24 cond-mat.mes-hall
Variational wavefunctions for fractional topological insulators
Institute for Theoretical Physics, ETH Zürich（苏黎世联邦理工学院理论物理研究所）；Department of Physics, University of Zürich（苏黎世大学物理系）
研究揭示了在反向陈数情况下，变分波函数无法有效建模，强调需抑制短程互旋库仑排斥以实现分数拓扑绝缘体。
2025-01-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Double-layer graphene and topological insulator thin-film plasmons
我们提出了耦合无质量狄拉克二维电子系统的光学和声学等离子体激元集体模式的数值和分析结果。我们的研究结果适用于拓扑绝缘体（TI）薄膜和两个石墨烯片由薄的电介质阻挡层分开。我们发现，由于强体介电屏蔽TI声学模式被锁定到顶部的粒子-空穴连续，因此可能无法观察到。
2011-12-07 cond-mat.mes-hall
Mapping a fractional quantum Hall state to a fractional Chern insulator
建立了分数量子Hall态到分数Chern绝缘体的变分原理。我们发现，该映射具有规范自由度，可以产生一类适用于不同形式相互作用的FCI基态波函数。因此，规范应固定的变分原理，使FCI模型的相互作用能最小化。对于软的各向同性电子-电子相互作用，该原理导致与朗道能级的最大定域\emph{two-dimensional}投影Wannier函数相一致的规范。
2015-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Universal properties of boundary and interface charges in continuum models of one-dimensional insulators
我们研究单通道连续模型的一维绝缘体引起的周期性电位调制，这是终止于一个硬墙（边界模型）或功能的位错和/或杂质电位打破平移不变性（界面模型）的单个区域。我们分别研究了在边界和界面附近积累的过剩电荷的普适性质。我们发现了一个严格的分析证明早期观察到的边界电荷的周期性电位调制的相位的线性依赖关系，以及扩展这些结果的接口模型。相位的线性依赖性显示了斜率的普遍值，并且在局域态进入或离开扩展态带的相位点处通过加或减一个电子电荷的不连续跳跃来消除。这两种贡献加起来，使得在$2π$周期上的相位中的过量电荷的周期性得以维持。虽然在边界模型中，此属性通常与体边界对应，在界面模型中的散射状态和局部化状态的贡献的总界面电荷的对应关系被揭开的基础上，所谓的近视原理。
2021-07-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Fractional Chern insulators with a non-Landau level continuum limit
分数量子霍尔（Fractional quantum Hall，简称FQH）物理学的最新发展强调了研究部分占据非朗道能级能带的粒子的FQH相的重要性。在强晶格效应的范围内，被称为分数Chern绝缘体的H-H相为此类研究提供了一种设置。当晶格效应的强度消失时，一般晶格模型的能带渐近地接近朗道能级。在这篇文章中，我们构建晶格模型的单粒子带是不同的朗道水平，即使在这个连续极限。我们描述了如何区分这样的频带和朗道水平是量化的频带几何形状的磁布里渊区和反映在电磁响应。我们分析了一个这样的模型中的定域-离域转变，并计算出定域长度指数为2.57（3）。此外，我们研究相互作用投影到这些频带，并发现签名的玻色子和费米子劳克林状态。最相关的是，我们的模型使我们能够隔离最佳能带几何形状的条件，并进一步了解晶格上的HzH相的稳定性。
2022-01-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Proximity effect in graphene-topological insulator heterostructures
我们制定了一个连续介质模型来研究由石墨烯形成的异质结构的低能电子结构的强三维拓扑绝缘体（TI）的情况下，公度和非公度堆叠。不可逆性可能是由于石墨烯和TI表面之间的扭转角或两个系统之间的晶格失配。我们发现，在石墨烯中的TI的接近诱导的自旋轨道耦合，可以通过扭转角调谐的强烈增强。
2014-03-17 cond-mat.mes-hall
Comment on "Shallow donor states near a semiconductor-insulator-metal interface"
在最近的论文中，Hao等人[Phys.Rev.B80，035329（2009）]报道了用新型试探波函数对半导体/绝缘体/金属结构中的浅类氢施主的能谱进行变分计算。他们还对半导体/绝缘体系统进行了计算，发现他们的方法给出的能量值低于MacMillen和Landman [Phys.Rev.B29，4524（1984）]得到的能量值。从这些结果中，麦克米伦和兰德曼得到的能量值误差比他们预期的要大得多。但我们证实MacMillen和Landman提出的理论方法对半导体-绝缘体界面附近的类氢施主体系给出了相当准确的能量值。
2011-04-18 cond-mat.mes-hall
Filling of magnetic-impurity-induced gap in topological insulators by potential scattering
我们发现，铁磁排列的磁性杂质在拓扑绝缘体表面诱导的能隙可以被填充，由于散射的非磁势的杂质。在连续表面模型和三维紧束缚晶格模型中，我们发现，能隙已经消失在弱势散射杂质共振添加光谱重量在狄拉克点。这可以帮助解释关于间隙存在的看似矛盾的实验结果。
2015-05-27 cond-mat.mes-hall
Electron-phonon scattering in topological insulator thin films
本文从理论上研究了强拓扑绝缘体薄膜中的电子-声子散射效应。声子模型由各向同性弹性连续介质理论与应力自由边界条件，和螺旋表面狄拉克费米子的相互作用是介导的变形势。我们确定了随温度变化的电阻率$ρ(T)$和准粒子衰减率$Γ(T)$可观察到的光电发射。这两个数量的低温和高温幂律得到解析。提供了Bi $_2$ Se $_3$的全部温度范围的详细估算值。
2011-11-17 cond-mat.mes-hall
Crystalline topological states at a topological insulator junction
我们考虑两个强时间反演不变的拓扑绝缘体之间的界面，它们具有相反的自旋手征，或者等价地，相反的镜像陈数。我们表明，这样的接口支持无间隙模式，保护镜像对称。的界面态进行了研究与连续介质模型的Bi 2 Se 3类的拓扑绝缘体，考虑到条款的晶体动量的第三阶，这确保了该模型具有正确的对称性。模型参数由从头计算得到。最后，我们考虑了在界面处的转动失配的影响，它打破了镜像对称性，并在界面光谱中打开了一个缺口。
2018-02-13 cond-mat.mes-hall
Approximate symmetries, insulators, and superconductivity in continuum-model description of twisted WSe$_2$
本研究针对扭曲双层WSe₂的超导电性发现，基于莫尔超晶格连续模型分析其关联物理，确定强耦合基态及微扰影响，分类超导不稳定性并揭示邻近谷间相干相与观测超导态的契合性及不同耦合下的配对态特征。
2024-07-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase Boundary of the Boson Mott Insulator in a Rotating Optical Lattice
我们考虑二维旋转光晶格中的玻色-哈伯德模型，并研究了旋转产生的有效磁场的后果。利用Gutzwiller型变分波函数，我们找到了莫特绝缘体（MI）-超流（SF）过渡边界的解析表达式，该表达式是由Hofstadter蝶形的最大本征值表示的.相界对有效磁场的依赖关系是复杂的，反映了单粒子能谱的自相似性质。最后，我们认为，分数量子霍尔相位存在接近MI SF过渡边界，包括MI状态的粒子密度大于1。
2007-04-19 cond-mat.mes-hall
Absence of Edge States in The Valley Chern Insulator in Moiré Graphene
我们研究了单层和双层石墨烯扭曲片的边缘谱，在这种情况下，连续模型预测了一个谷陈绝缘体-一种绝缘状态，其中每个谷的被占据的莫尔迷你带具有净陈数，但两个谷一起没有净陈数，如时间反演对称所要求的。在一个简单的图片中，这样的状态可能被期望具有手性谷极化反向传播边缘状态。我们提出的结果从严格对角化的紧束缚模型的相称结构的带状几何。我们发现，无论是单层和双层莫尔条纹强大的边缘模式一般都不存在。我们把这种缺乏边缘模式的事实，即边缘诱导谷混合。此外，即使在大体积中，陈谷绝缘体和普通绝缘体之间的明显区别也需要精确的$C_3$对称性。
2022-08-18 cond-mat.mes-hall
Observation of a higher-order topological bound state in the continuum
高阶拓扑绝缘体是近年来发现的一类具有零维局域态的材料，与晶格的维数无关。在这里，我们的实验表明，高阶拓扑绝缘体的拓扑角局部模式可以在连续的对称保护的束缚态，这些状态不杂交与周围的体状态的晶格，即使在没有散装带隙。因此，这类结构在限制和控制不支持完整光子带隙的系统中的光方面具有潜在的应用。
2020-06-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el physics.optics
Symmetry breaking, strain solitons and mechanical edge modes in monolayer antimony
二维材料表现出各种力学不稳定性，伴随着自发对称性破缺。在这里，我们开发了一个连续描述的锑片的屈曲不稳定性。相反方向的屈曲区域构成域分离的域壁，在我们的模型中的孤子。关于平衡的扰动在体中以具有带隙色散的波的形式传播，但是存在具有线性色散的无隙模式，其以使人想起拓扑绝缘体的电子模式的方式沿着畴壁传播。我们建立了单层锑是一个机械拓扑绝缘体，通过展示我们的连续模型和基本的狄拉克方程的对称类BDI，这是已知的是一个拓扑绝缘体在一维和弱拓扑绝缘体在二维之间的映射。单层锑可以通过剥离以及外延和本文中预测的效果应该是访问标准的实验工具，如扫描探针显微镜和拉曼光谱。我们推测，这里研究的效应（即低尺度对称性破缺，应变孤子和无隙边缘模）不仅限于锑，而是二维材料的共同特征。
2019-12-12 cond-mat.mes-hall
Quantum Hall Edge States in Topological Insulator Nanoribbons
我们提出了一个微观理论的手征一维电子气系统的侧壁上的磁性掺杂的Bi $_2$ Se $_3$ -家庭拓扑绝缘体纳米带的量子反常霍尔效应（QAHE）制度。我们的理论是基于一个简单的连续模型的侧壁状态，其参数提取详细的带状和薄膜几何紧束缚模型计算。与半导体量子阱中的量子霍尔效应的常见情况相反，微观手性通道的数量简单而系统地取决于带的厚度和表面态间隙内费米能级的位置。我们用我们的理论来解释最近的运输实验，表现出非零的纵向电阻的样品准确量化霍尔电导。
2016-03-24 cond-mat.mes-hall
Topological magnetic textures in magnetic topological insulators
内禀磁性拓扑绝缘体（TI）的表面具有与狄拉克电子交换耦合的磁矩。我们使用变分和精确对角化方法研究了由调整电子密度所产生的磁相位。在稀释的限制，我们发现，形成磁性skyrmion结合到电子导致skyrmion维格纳晶体相，而在较高的密度自旋螺旋伴随着手性一维电子通道形成。电子与纹理的结合提高了用静电门控操纵纹理的可能性。我们确定的相图捕捉竞争的内在自旋-自旋相互作用和载流子密度和评论可能的应用实验中的磁TI和自旋电子器件，如skyrmion为基础的存储器。
2021-06-09 cond-mat.mes-hall
Time-dependent potential impurity in topological insulator
我们考虑周期性驱动的势杂质耦合到二维拓扑绝缘体的表面态。这个问题是通过两个模型来解决的，其中第一个模型是一个有效的连续哈密顿的表面状态，而凯恩-梅勒晶格模型是我们的第二种方法。虽然这两种模型的结果在电子态的局部密度的急剧变化与驱动场的振幅和频率的增加，线性低能量的电子态的局部密度保持在连续介质模型中，但是，随着费米速度的增加。在费米能级附近出现新的杂质共振时，连续介质模型的谱仍然是无隙的。Kane-Mele晶格模型代表一个有限尺寸的系统，边缘状态出现在系统的边界。因此，我们考虑杂质在两个不同的位置，一个在边界，一个在晶格的中心。在前一种情况下，降低和扩大的低能量的电子态的局域密度的结果与驱动场的幅度增加。另一方面，在光谱中没有新的共振出现。在后一种情况下，在不存在杂质以及驱动场的弱振幅的情况下，光谱都是有间隙的，而间隙倾向于用具有增加振幅的杂质状态填充。
2019-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The edge spectrum of Chern insulators with rough boundaries
陈氏绝缘体是周期性带状绝缘体，其性质是它们在占据带上的投影具有非零的陈氏数。具有均匀边界的Chern绝缘体显示出充满整个绝缘间隙的连续谱。对应于这部分谱的局域态密度位于边界附近，因此称为边缘谱。一个有趣的问题出现了，即，如果一个粗糙的边界，它可以被看作是一个强随机的潜力，这些准一维状态，将破坏连续边缘谱。本文展示了如何通过一个新制定的抽象框架，其中的期望值的电流的一般观察连接到一个特定的Fredholm运营商的指数可以回答这样的问题。对于本申请，我们将连接的期望值的电荷边缘电流与指标的Fredholm算子，保持不变的任意变形下的边界。
2009-02-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci math-ph
Higher-order topological insulators and semimetals in generalized Aubry-André-Harper models
物质的高阶拓扑相在物理学的各个领域都得到了广泛的研究。虽然Aubry-André-Harper模型提供了一个研究拓扑相的范例，但还没有探索广义Aubry-André-Harper模型是否可以表现出更高阶的拓扑现象。本文基于Aubry-André-Harper模型，构造了一个具有手征对称性的二维高阶拓扑绝缘体.我们发现零能量和非零能量角局域模共存。前者受到量子化四极矩的保护，而后者受到Wannier带的第一Chern数的保护。非零能量模式也可以被看作是一个陈绝缘体定位在一个表面上的结果。更有趣的是，非零能量角模可以位于扩展体态的连续谱中，并在高阶拓扑系统的连续谱中形成束缚态。最后，我们提出了一个实验方案，以实现我们的模型在电路。我们的研究为进一步研究基于Aubry-André-Harper模型的高阶拓扑相打开了一扇大门。
2020-06-10 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Band gap in Bi2Se3 topological insulator nanowires: magnetic and geometrical effects
在三维拓扑绝缘体纳米线干涉仪实现的激励下，从理论上分析了量子干涉效应对Bi_2Se_3纳米线低能谱的影响.从连续三维模型开始，特别强调磁性和几何效应的电子性质的圆形，方形和矩形截面的纳米线进行了分析。理论研究是基于数值精确对角化的离散模型的所有几何形状。在圆柱形导线的情况下，连续介质模型的近似解析解也进行了讨论。虽然预期对应于半量子通量的磁场将闭合由Berry相引起的带隙，但是在具有有限面积横截面的所有研究的几何结构中，间隙对于通常大于预期的磁场闭合。此外，出乎意料地，由于几何量子干涉效应，对于具有足够大的纵横比和范围从50°A到100°A的较小边的矩形导线，间隙对于特定的有限面积横截面闭合，而不施加磁场。
2016-01-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Fluctuation-induced Topological Quantum Phase Transitions in Quantum Spin Hall and Quantum Anomalous Hall Insulators
研究了量子涨落在量子自旋霍尔绝缘体和量子反常霍尔绝缘体拓扑量子相变中的作用。采用变分集团近似方法得到了相互作用多体系统的单粒子格林函数，并通过直接计算最近提出的相互作用系统的拓扑序参量来表征不同相.我们在几种模型中精确地指出了量子涨落对量子自旋霍尔到莫特绝缘体跃迁的影响。此外，我们提出了一个一般的机制，拓扑量子相变可以驱动的相互作用引起的自能量的发散。
2012-11-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Stability of fractional Chern insulators in the effective continuum limit of Harper-Hofstadter bands with Chern number $|C|>1$
研究了具有陈数$|C|>1$的Harper-Hofstadter带中复合费米子分数量子霍尔态的稳定性。我们分析了玻色子与接触相互作用和（无自旋）与最近邻相互作用的复合费米子系列的状态。我们研究的缩放的多体带隙被调谐到有效的连续极限$n_ϕ\to 1/|C|$。在这些点附近，霍夫施塔特模型实现了大的磁性单位单元，产生具有完美平坦色散和贝里曲率的带。我们利用已知的缩放的能量在有效的连续极限，以保持一个固定的平方长宽比在有限尺寸的计算。基于带投影哈密顿量的精确对角化计算，我们表明，几乎所有的有限尺寸的光谱产生复合费米子理论预测的基态简并。我们确认，在复合费米子层次结构中的低秩状态是最强大的，并产生一个明显的差距，在热力学极限。对于$|C|=2$和$|C|=3$带中的玻色子，我们的复合费米子态的数据与热力学极限中的有限能隙相容。我们还报告了$|C|>1$带中费米子不可压缩态的新证据，这些费米子具有大的纠缠间隙。对于一个明确的光谱间隙的情况下，我们确认，热力学极限与有效的连续极限。我们分析了阿贝尔复合费米子态的关联函数的性质，发现它们具有$|C|^2$光滑片的特征。我们研究了两种情况下与玻色子整数量子霍尔效应（BIQHE）：$|C|=1$带中的$ν=2$，我们发现一个强的竞争状态具有较高的基态简并度，所以没有明确的BIQHE被发现在带投影Hofstadter模型;在$|C|=2$带中的$ν=…
2018-01-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Topological Insulators at Room Temperature
拓扑绝缘体是量子物质的新态，其表面态受到时间反演对称性的保护。在这项工作中，我们进行第一原理电子结构计算的$Sb_2Te_3$，$Sb_2Se_3$，$Bi_2Te_3$和$Bi_2Se_3$晶体。我们的计算预测，$Sb_2Te_3$，$Bi_2Te_3$和$Bi_2Se_3$是拓扑绝缘体，而$Sb_2Se_3$不是。特别地，$Bi_2Se_3$具有$0.3 eV$的拓扑非平凡能隙，适合于室温应用。我们提出了一个简单而统一的连续模型，它捕捉了这类材料的显着拓扑特征。这些拓扑绝缘体具有由在$Γ$点处的单个狄拉克锥组成的鲁棒表面态。
2008-12-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magic continuum in twisted bilayer WSe2
由电子相互作用驱动的出现的量子相可以在具有窄分散（即“平坦”）能带的材料中表现出来。最近，已经在各种石墨烯基异质结构中使用扭曲角、层堆叠和压力的调谐参数实现了平坦带，并且导致相关绝缘体和超导态。在这里，我们报告的实验观察到类似的相关现象在扭曲双层钨二硒化物（tWSe 2），半导体过渡金属二硫族化物（TMD）。不像扭曲的双层石墨烯，其中的平带只出现在一个狭窄的范围内的“魔角”，我们观察到相关态的角度连续，跨越4度到5.1度。在半带填充处出现了Mott型绝缘体，这种绝缘体可以用位移场进行灵敏的调谐。从头计算支持的霍尔测量表明，绝缘体的强度是由半填充状态的密度驱动的，与2D哈伯德模型在一个温和的相互作用制度。在5.1度扭曲，我们观察到的超导性的证据后，掺杂远离半填充，达到零电阻率约3 K。我们的研究结果建立了扭曲双层TMD作为一个模型系统，以研究相互作用驱动的现象，在平带动态可调的相互作用。
2019-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Possible topological phases of bulk magnetically doped Bi2Se3: turning a topological band insulator into the Weyl semimetal
讨论了在磁掺杂拓扑带绝缘体中实现外尔半金属相的可能性。当磁矩为铁磁极化时，由于拓扑质量和磁质量的竞争，系统中存在三个相：拓扑带绝缘相、Weyl半金属相和平凡相.从拓扑绝缘体在Dirac点附近的一般连续哈密顿量出发，导出了Weyl点的低能理论，例如Bi_{2} Se_{3}在$Γ$点附近的${\bf k} \cdot {\bf p}$理论.在此基础上，我们引入金刚石晶格上的微观紧束缚模型来描述磁掺杂拓扑绝缘体，发现了Weyl半金属相。我们还讨论了外尔半金属相对反常霍尔效应的尺寸交叉。最后，我们讨论了外尔半金属相的实验情况。
2012-06-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological protection of bound states against the hybridization
拓扑不变量通常被认为是负责保护扩展状态不受无序的影响。一个突出的例子是在二维（2D）量子霍尔系统中以及在三维（3D）拓扑绝缘体表面上存在拓扑保护的扩展态。与这种情况不同，本文引入了一个新的概念，即束缚态对杂化的拓扑保护。这种情况是可实现的，在一个二维量子霍尔绝缘体放在一个三维平凡绝缘体。在这样的配置中，存在拓扑保护的束缚态，沿着二维平面的法线方向，尽管与连续的扩展状态的杂交。一维边缘态也沿着相同的方向局域化，只要它们的能量在带隙内。这一发现证明了拓扑不变量的双重作用，因为它们还可以保护束缚态免受连续统中的杂交。
2012-12-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Mott scattering at the interface between a metal and a topological insulator
我们计算了金属与三维拓扑带绝缘体界面处的自旋激活散射矩阵和局域谱。结果表明，存在一个临界入射角，在该入射角处自旋翻转反射完全（100%），自旋旋转角跳跃$π$。我们讨论了这一现象的起因，系统地研究了自旋翻转和自旋守恒散射振幅与界面透明性和金属费米面参数的关系。界面光谱包含一个定义良好的狄拉克锥在隧道极限，并顺利地演变成一个连续的金属诱导的间隙状态良好的接触。我们还研究了Bi $_2$ Se $_3$的复杂能带结构。
2011-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electron-phonon interaction on the surface of a 3D topological insulator
我们分析了瑞利表面声子模在三维拓扑绝缘体表面电子-声子相互作用中的作用。一个强大的重整化的声子色散，最终导致瑞利声子的消失，被排除在一个连续的长波长限制的理想情况下，这是唯一合理的，如果表面是干净的，无缺陷。狄拉克电子在费米表面的背散射的情况下，部分负责减少的影响的电子-声子相互作用。介电响应函数中由于瑞利声子色散的极点可以驱动电子-电子相互作用在低频吸引。然而，平均配对相互作用内的弱耦合方法被发现是太小，诱导表面超导不稳定性。
2013-05-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Bulk soliton dynamics in bosonic topological insulators
本文从理论上研究了非线性/相互作用玻色拓扑绝缘体中空间孤子的动力学行为。我们采用了一个时间反演的破Lieb晶格模拟的一个陈氏绝缘体，并发现，在存在一个饱和的非线性，孤子分叉从一个带的非零陈氏数到拓扑带隙的涡旋状结构的子晶格。我们数值证明了存在稳定的涡旋孤子的参数范围内，晶格孤子动力学受到与大Berry曲率在拓扑Lieb带边的异常速度。新的连续介质Dirac模型很好地描述了涡旋孤子的特性。我们进一步展示了一种新的相互作用：当这些拓扑孤子'反弹'的有限结构的边缘，他们创建手征边缘状态，这引起了一个“异常”反射的孤子从边界。
2019-04-21 cond-mat.mes-hall physics.optics
