Temperature dependence of the zero-bias anomaly in the Anderson-Hubbard model: Insights from an ensemble of two-site systems
受掺杂过渡金属氧化物实验的启发，本文考虑了简单体系中相互作用、无序、动能和温度的相互作用。一个双位Anderson-哈伯德模型系统的系综已经显示出与二维Anderson-哈伯德模型中发现的特征相同的零偏异常。在这里，这个合奏的状态密度的温度依赖性进行检查。在原子极限下，零温度下没有零偏异常，但在非零温度下会出现零偏异常。随着跳跃，小的温度增加了零温度动能驱动的零偏置异常，而在较大的温度下，异常被填充。
2010-08-13 cond-mat.str-el
Applicability of Anderson and Hubbard model for Ce metal and cerium heavy fermion compounds
研究了在金属铈和铈重费米子化合物的电子结构计算中考虑格位间$f-f$杂化的重要性。我们证明，对于重费米子系统，如铈化合物CeCu $_2$ Si $_2$ $f-f$杂化可以忽略不计，安德森模型的应用是合理的。另一方面，对于铈金属，$f-f$杂化足够强以提供与$4f$和巡回电子之间的杂化相当的杂化功能的贡献。我们认为，在Ce的情况下，只有最一般的哈伯德和安德森模型相结合的哈密顿量应使用。
2010-09-17 cond-mat.str-el
Anderson localization effects on doped Hubbard model
利用动力学平均场论结合典型介质理论，导出了掺杂哈伯德模型的无序-掺杂相图，该相图可以描述Mott（关联驱动）和Anderson（无序驱动）金属-绝缘体相变.我们观察到从金属到安德森-莫特绝缘体的转变，在所有的相互作用增加无序强度。在弱相关区和相当小的掺杂下，Anderson-莫特绝缘体显示出与半填充时相似的性质。特别地，该阶段的特征在于存在空站点。然而，如果我们进一步增加掺杂或相关性，则会出现不同类型的Anderson-Mott相，因为无序强度急剧减弱。在强关联区，该相占据了相图的最大部分，其特征在于没有空位。
2021-05-07 cond-mat.str-el
Metal-Insulator transitions in the periodic Anderson model
我们用动力学平均场论求解了Mott-Hubbard区域中的周期Anderson模型。在莫特绝缘体的电子掺杂时，发生金属-绝缘体转变，其在性质上类似于单带哈伯德模型的金属-绝缘体转变，即在有限温度下具有发散的有效质量和一阶特征。令人惊讶的是，在空穴掺杂时，金属-绝缘体转变不是一阶的，并且不显示发散质量。因此，单带哈伯德模型的过渡方案是不通用的周期性安德森模型，即使在莫特-哈伯德制度。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Disorder and Interaction in 2D: Exact diagonalization study of the Anderson-Hubbard-Mott model
利用有限尺寸精确对角化技术，通过数值计算电荷刚度，研究了二维哈伯德模型中随机对角无序和电子-电子相互作用对基态性质的影响.通过与相应的一维哈伯德模型结果的比较和启发式的论证，我们得出结论：虽然在一定参数范围内相互作用的影响是显著增强非相互作用电荷刚度，但存在二维金属-绝缘体量子相变的是\QTR{it}{unlikely}.
2000-12-10 cond-mat.str-el
Finite-size scaling of correlation functions in one-dimensional Anderson-Hubbard model
利用密度矩阵重整化群方法研究了一维Anderson-哈伯德模型。定量地讨论了无序对Tomonaga-Luttinger液体行为的影响。基于密度-密度关联函数的有限尺寸标度分析，我们得到以下结果：i）电荷指数在低填充和接近半填充时通过无序而显著降低，ii）局域化长度以$ξ\sim Δ^{-2}$形式衰减，其中$Δ$是无序强度，与原位库仑相互作用以及能带填充无关，和iii）与Mott平台的形成相关的半填充附近的现场库仑相互作用强烈抑制了局域化长度。
2009-02-19 cond-mat.str-el
Similarities between the Hubbard and Periodic Anderson Models at Finite Temperatures
单带哈伯德和双带周期安德森哈密顿量传统上被应用于相当不同的物理问题-莫特转变和巡回磁性，近藤单线态的形成和散射的局域磁状态，分别。在本文中，我们比较了这两个系统的磁和电荷的相关性，以及光谱函数。我们定量地表明，它们表现出非常相似的行为，包括一个几乎相同的拓扑结构的有限温度相图在半填充。我们解决了潜在的影响，这对稀土的“体积膨胀”转变的理论。
2000-06-27 cond-mat.str-el
Numerical Renormalization Group Study of Probability Distributions for Local Fluctuations in the Anderson-Holstein and Holstein-Hubbard Models
我们表明，局部波动的概率密度的信息可以从一个数值重整化群计算的减少密度矩阵。我们将这种方法应用于Anderson-Holstein杂质模型，计算了本振子位移$x$的基态概率密度$ρ(x)$.从这个密度，我们可以推导出一个有效的本地潜在的振荡器，并比较其形式从一个半经典近似作为耦合强度的函数。利用动力学平均场论将该方法推广到无限维Holstein-哈伯德模型.我们使用这种方法来比较的概率密度的位移的本地振荡器在正常的，反铁磁和电荷有序的阶段。
2010-05-17 cond-mat.str-el
Non Fermi liquid behavior and continuously tunable resistivity exponents in the Anderson-Hubbard model at finite temperature
我们采用最近发展起来的计算多体技术研究的半充满安德森-哈伯德模型在有限温度和任意关联（$U$）和无序（$V$）的强度。有趣的是，从莫特绝缘体的无序引起的狭窄的零温度金属范围扩大与类似的量子临界点的方式增加温度。我们对这种金属的电阻率温度标度$T^α$的研究揭示了非费米液体的特性。此外，观察到$α$对$U$和$V$从线性到接近二次的连续依赖性。我们认为，这些奇异的结果产生的系统变化与$U$和$V$的“有效”的障碍，结合淬火无序和内在的本地化自旋。
2017-03-12 cond-mat.str-el
Physical mechanism for a kinetic energy driven zero-bias anomaly in the Anderson-Hubbard model
Anderson-哈伯德模型中强无序、强关联和跳跃的组合效应已被证明产生零偏异常，该零偏异常具有与跳跃成比例的能量标度和对相互作用强度、无序强度和掺杂的最小依赖性。对于纯局域相互作用，无序引起的态密度抑制与Efros-Shklovskii库仑能隙和Altshuler-Aronov反常都不一致，而且这种反常的能量尺度与弱耦合和强耦合图像的标准能量尺度都不一致。我们表明，具有类似功能的状态密度异常出现在两个网站系统的合奏，我们认为，能量标度t出现在强相关的系统与混乱，由于相邻网站上的低和上哈伯德轨道的混合。
2010-09-07 cond-mat.str-el
Local moment approach to multi-orbital Anderson and Hubbard models
变分局部矩法（V-LMA）是Logan { \it et al}等人提出的方法的改进，在这里介绍。从一开始就考虑了局部矩的存在，并通过变分原理通过最小化相应的基态能量来确定它们的值。我们的变分方法使我们能够处理费米和非费米液体系统的许多轨道以及绝缘体没有任何额外的假设。通过显式构造相应的Ward泛函，证明了V-LMA属于守恒逼近类。作为例子，V-LMA被用来解决多轨道单杂质安德森模型。该方法也被应用于求解多轨道哈伯德模型的动力学平均场方程。特别是，莫特-哈伯德金属-绝缘体过渡是在这种方法中解决。
2009-02-02 cond-mat.str-el
Self-consistent study of Anderson localization in the Anderson-Hubbard model in two and three dimensions
我们考虑了由于\HA模型中存在电子-电子排斥而引起的电子局域化的变化。考虑到局域Mott-Hubbard物理和无序势的静态屏蔽，该系统被映射到一个有效的单粒子Anderson模型，这是在电子局域化的自洽理论研究。我们发现丰富的非单调行为的本地化长度$ξ$在二维系统中，包括相互作用引起的指数增强的$ξ$的小和中等的障碍，虽然$ξ$仍然有限。在三维中，我们确定为半填充Mott-Hubbard辅助安德森本地化阶段之间存在的金属和Mott-Hubbard缺口阶段。对于小的$U$，存在从Anderson局域相到金属相的重入行为。
2008-12-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Theory of strongly correlated f and d-electron systems. I. Exact Hamiltonian, Hubbard-Anderson models and perturbation theory near atomic limit within non-orthogonal basis set
关联电子系统的理论以允许使用从头算能带结构理论（AIBST）作为参考点的形式来制定。该理论的构建分为两个步骤。作为第一步，总哈密顿量被转换成相关的形式。为了阐明周期Hubbard-Anderson模型（PHAM）参数的微观来源，分离了具有PHAM算符结构的全哈密顿量项。发现混合作用的矩阵元包括库仑作用对离子组态和粒子数的贡献。在第二步中，图技术（DT）的发展通过推广的Baym-Kadanoff方法的相关系统。
2000-11-15 cond-mat.str-el
Suppression of inelastic electron-electron scattering in Anderson Insulators
我们报告的安德森局域氧化铟薄膜的吸收测量从外加交流电场。的吸收显示滚降的频率是远远小于在相同的温度下测量的电子-电子散射率在这种材料的扩散样品。这些结果被解释为能谱离散的证据。
2012-04-13 cond-mat.str-el
Mott--Hubbard and Anderson Transitions in Dynamical Mean--Field Theory
本文用零温动力学平均场论研究了半填充时的Anderson-Hubbard哈密顿量。局域态密度的计算分别采用几何平均和算术平均。比较了不同平均方案下得到的非磁基态相图。
2005-02-10 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Mott--Hubbard transition vs. Anderson localization of correlated, disordered electrons
关联的，无序的电子的相图计算内动态平均场论使用几何平均（“典型”）的局域态密度。相关的金属，莫特绝缘体和安德森绝缘体相，以及共存和交叉制度。Mott和Anderson绝缘体被发现是连续连接的。
2004-03-31 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Kondo Insulator Behavior in the Disordered Periodic Anderson Model
在周期性Anderson模型下研究了二元合金无序对f电子材料铁磁相的影响。我们发现，在导带中的无序可以大大提高居里温度，由于本地f-矩的增加。这种效应可以用一个简单的理论分析来定性甚至定量地解释。还指出了非整数填充时合金近藤绝缘体的出现。
2008-01-25 cond-mat.str-el
Anderson-Mott transition in a disordered Hubbard model with correlated hopping
研究了一维半填充关联跳跃Anderson-哈伯德模型的基态相图。哈密顿量具有局部库仑排斥$U$和无序势，其局部能量以等概率随机分布在间隔$(-W,+W)$中，作用于单占据位点。禁止修改双占用站点数量的跳变过程。最近邻单占据和空位置之间或单占据和双占据位置之间的跳跃具有相同的幅度$t$。我们确定了三个不同的阶段作为无序振幅$W$和库仑相互作用强度$U>0$的函数。当$U<4t$时，系统显示金属相（i）只有当没有无序存在时才显示$W=0$，或者当引入无序时显示安德森定域相（ii）$W\neq 0$。当$U>4t$安德森本地化阶段生存，只要无序效应占主导地位的相互作用的影响，否则莫特绝缘体阶段（iii）出现。相（i）和（ii）的特征在于有限密度的双光子和基态和激发态之间的消失的电荷间隙。相（iii）的特点是消失的密度的doublons和有限的间隙的电荷激发。
2017-06-25 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Transition and Anderson Localization: Generalized Dynamical Mean-Field Theory Approach
在广义动力学平均场论（DMFT+ NFT近似）下，分析了强关联强无序顺磁哈伯德模型的态密度、动态（光）电导率和相图.强相关性占DMFT，而无序考虑到通过适当的推广自洽理论的本地化。利用数值重整化群（NRG）方法求解三维半椭圆态密度系统的DMFT有效单杂质问题。通过态密度和动态电导率的演化确定了相关金属、莫特绝缘体和相关Anderson绝缘体相，证明了Mott-Hubbard和Anderson金属-绝缘体相变，并构造了完整的Anderson-哈伯德模型零温相图.相当不寻常的是无序诱导莫特绝缘体向金属转变的可能性。
2007-06-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of Hubbard-Holstein model at half-filling: Zero temperature metal-insulator and insulator-insulator transitions
本文采用动力学平均场论和Wilson数值重整化群方法研究了Hubbard-Holstein模型，该模型包含了分别用$U$和$g$表征的电子-电子和电子-声子相互作用.绘制了半填充时金属-绝缘体和绝缘体-绝缘体相变的零温相图，该相图显示了$U$和$g$之间的相互作用。当$U$（$g$）增加时，发生金属到Mott-Hubbard绝缘体（双极化子绝缘体）的转变，并且两个绝缘状态是不同的并且不能被电连接。讨论了三种状态的性质和过渡。
2003-12-16 cond-mat.str-el
Suppression of Mott-Hubbard states and metal-insulator transitions in the two band Hubbard model
我调查带和莫特绝缘状态在两个波段的哈伯德模型，了解理想化的单轨道模型和更现实的多波段的情况下之间的差异的目的。使用投影animals我表明，额外的轨道抑制金属-绝缘体过渡，导致约8倍的裸带宽的临界耦合。我还展示了轨道排序的影响，这阻碍了莫特-哈伯德状态和打开带隙。由于多带相关性在实际材料中很常见，这项工作表明，非常强的相关带绝缘体的存在可能比莫特-哈伯德绝缘体更常见。
2007-02-27 cond-mat.str-el
Single-particle excitations under coexisting electron correlation and disorder: a numerical study of the Anderson-Hubbard model
在Hartree-Fock近似下，利用Anderson-哈伯德模型研究了电子关联和随机性的相互作用.在短程相互作用和对角无序共存的情况下，我们得到了包含反铁磁绝缘体、反铁磁金属、顺磁绝缘体（Anderson局域绝缘体）和顺磁金属的三维基态相图.虽然在这个模型中只存在短程相互作用，但我们发现在绝缘相中存在非常规的软带隙，与电子填充、空间尺寸和长程序无关，其中单粒子态密度（DOS）在一维（1D）中以幂律标度消失，在二维（2D）和三维（3D）中甚至更快地朝着费米能消失。我们称之为软哈伯德间隙。此外，精确对角化的结果在1D支持软哈伯德间隙的形成超出平均场水平。由于软带隙的出现是由于长程库仑相互作用，因此软带隙的形成不能归因于Efros和Shklovskii（ES）的传统理论。事实上，基于多路能量景观的图片，我们提出了一个唯象标度理论，它预测的DOS的标度与数值结果完全一致。我们进一步讨论了修正的标度的DOS的库仑相互作用的长程部分，它修改了Efros和Shklovskii的标度。此外，通过可变范围跳跃的软间隙的影响下的直流电阻率的温度依赖性的显式公式推导。最后，我们比较了SrRu_{1-x} Ti_xO_3的理论和实验结果。
2009-05-20 cond-mat.str-el
Theory of Electron Transport near Anderson-Mott Transitions
本文提出了在共存电子关联和随机性影响下，在Anderson-Mott跃迁附近的绝缘体中直流电子输运的理论。在足够低的温度下，Anderson-莫特绝缘体中的直流电子输运由费米能级附近的单粒子态密度决定。安德森绝缘体，由随机性引起，其特征在于在费米能量处的非零DOS。然而，最近，作者提出，在绝缘体中共存的随机性和短程相互作用打开了一个软的哈伯德间隙的DOS，和DOS消失，只有在费米能量。基于软Hubbard带隙的图象，我们导出了直流电阻率随温度变化的临界行为公式。将本理论与静电载流子掺杂到有机导体kappa-（BEDT-TTF）_2Cu[N（CN）_2]Br中的实验结果进行比较，证明了当前软哈伯德标度的证据。
2010-10-13 cond-mat.str-el
Integer filling metal insulator transitions in the degenerate Hubbard model
在大维数（或大晶格连通性）的极限下，我们得到了退化哈伯德模型的精确数值解。连续的Mott-Hubbard金属绝缘体过渡整数填充发生在中间值的相互作用和足够低的温度下的顺磁相。结果是相关的过渡金属氧化物与部分填充窄简并带。
1996-11-06 cond-mat.str-el
Flatband localization in the Anderson-Falicov-Kimball model
利用Anderson-Falicov-Kimball模型，在动力学平均场论中分析了由平带引起的绝缘体-金属-绝缘体转变。我们观察到本方法和以前的结果之间的定量分歧。相互作用的存在增强了离域。
2008-10-20 cond-mat.str-el
Analysis of the Disorder-Induced Zero Bias Anomaly in the Anderson-Hubbard Model
采用数值计算和解析计算相结合的方法，研究了由二维Anderson-哈伯德模型模拟的强关联系统态密度中的无序诱导零偏异常（ZBA）.我们发现，ZBA来自于响应的非局部非弹性自能的无序势，这一结果具有影响的理论方法，只保留本地自能。利用自能的近似解析形式，导出了二格点Anderson-哈伯德模型的态密度表达式。我们的形式再现的ZBA的基本特征，即宽度是成比例的跳跃幅度$t$，是独立的相互作用强度和无序势。
2010-12-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of the Anderson-Hubbard model with local and non-local disorder in tensor formulation
为了研究局域和非局域无序情况下的关联电子，将非对角无序平均的Blackman-Esterling-Berk方法应用到动力学平均场论中，并采用张量表示法.杂质模型相结合的障碍和相关性的解决使用最近开发的叉张量产品状态求解器，它允许一个计算单粒子谱函数的实频率轴上。在不存在非对角跳跃的情况下，我们建立了配位数为$Z$的非相互作用Bethe晶格的谱函数的精确界。在相互作用的存在下，在零温下计算了单带哈伯德模型的Mott绝缘顺磁相在合金中的位置和非对角无序。当Hubbard $U$参数增加时，发现发生了从合金带绝缘体通过相关金属到Mott绝缘相的转变。
2021-05-14 cond-mat.str-el
Renormalization Group Approach to Anderson Impurity in the Bulk of Topological Insulators
最近有人提出，当Anderson杂质浸入拓扑绝缘体中时，当带色散具有“倒墨西哥帽”形式时，近藤共振峰将与带隙束缚态同时出现.中间带隙束缚态产生另一自旋态，从而屏蔽了近藤效应。在本文中，我们在弱耦合RG方案中研究这个问题，我们表明，系统表现出复杂的交叉行为之间的不同对称配置，并可能演变成一个自屏蔽Kondo或SO（3）的低能量不动点。这种情况下的实验后果指出。
2014-01-04 cond-mat.str-el
Anderson localization in Hubbard ladders
研究了弱随机势对两腿Hubbard阶梯的影响。结果表明，除了足够吸引力的相互作用外，无规势诱导了安德森局域化，完全抑制了d波超导。这些本地化的影响仍然非常强，甚至许多阶梯耦合约瑟夫森耦合。直流和交流电导率和本地化长度。讨论了超导梯形化合物Sr $_x$ Ca $_{14-x}$ Cu $_{24}$ O $_{41+δ}$的结果。
1998-08-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Local moment approach to multi-orbital single impurity Anderson model; application to dynamical mean-field theory
利用Logan等人的局部矩方法，我们发展了一个多轨道单杂质Anderson模型的求解器。局部矩的存在是从一开始就采取和他们的价值是通过变分原理通过最小化相应的基态能量。用该方法求解了多轨道哈伯德模型的动力学平均场方程。特别是，莫特-哈伯德金属-绝缘体过渡是在这种方法中解决。
2005-11-17 cond-mat.str-el
Zero temperature metal-insulator transition in the infinite-dimensional Hubbard model
在动力学平均场论下，研究了哈伯德模型中从顺磁性金属到顺磁性绝缘体的零温转变。用Wilson数值重整化群方法计算了有效杂质Anderson模型（哈伯德模型映射在其上）的自能.讨论了Bethe晶格和超立方晶格的准粒子重量、谱函数和自能的结果。在这两种情况下，金属-绝缘体过渡被发现发生通过消失的准粒子共振，这似乎是孤立的哈伯德带。
1999-02-21 cond-mat.str-el
Thermodynamics of the metal-insulator transition in the extended Hubbard model
与哈伯德模型相比，扩展的哈伯德模型考虑了非局域相互作用，缺乏对金属-绝缘体相变热力学性质的系统研究。利用变分原理，我们进行了这样一个系统的研究，并描述了非局域相互作用屏幕本地相关费米液体和绝缘体不同。热力学揭示了非局域相互作用至少部分地导致了真实材料中的一阶金属-绝缘体相变。
2019-05-29 cond-mat.str-el
Effect of nonlocal interactions on the disorder-induced zero-bias anomaly in the Anderson-Hubbard model
为了扩展可用于解释无序强关联系统实验的框架，特别是为了进一步探索在Anderson-哈伯德模型中发现的强耦合零偏异常，我们问这种异常如何响应于增加非局域电子-电子相互作用。我们利用精确对角化方法计算了推广的Anderson-哈伯德模型的单粒子态密度。我们发现，对于弱非局部相互作用的零偏异常的形式是定性不变的。异常的能量标度继续由非局部相互作用重整化的有效跳跃振幅设定。然而，在较大的值的非局部相互作用强度，跳跃不再是一个相关的能量尺度和更高的能量与电荷相关的功能占主导地位的态密度。
2012-03-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Persistence of energy-dependent localization in the Anderson-Hubbard model with increasing system size and doping
具有有界无序的非相互作用系统已经被证明在带边缘处表现出尖锐的态密度峰，这与突然抑制的局部化的能量范围一致。最近的工作表明，这些功能也发生在现场相互作用的存在下，在合奏的两个网站安德森-哈伯德系统在半填充。在这里，我们证明了这种影响在相互作用的系统中持续远离半填充，而且，尽管在状态密度的尖锐功能的损失，但具有抑制本地化的能量区域继续出现在更大的系统的合奏。
2016-01-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Doping induced metal-insulator transition in two-dimensional Hubbard, $t-U$, and extended Hubbard, $t-U-W$, models
我们的数值计算表明，掺杂诱导的金属-绝缘体过渡的性质在二维哈伯德模型是从根本上改变了列入一项，$W$，这取决于一个平方的单粒子最近邻跳跃。通过计算绝缘状态下的局域化长度$ξ_l$可得到该结果。在$W$的有限值下，我们发现结果与$ξ_l \sim | μ- μ_c|^{- 1/2} $一致，其中$μ_c$是临界化学势。相比之下，$ξ_l \sim | μ- μ_c|^{-1/4}$为哈伯德模型。在有限的$W$值下，数值结果表明，掺杂反铁磁莫特绝缘体导致$d_{x^2 - y ^2}$超导体。
1997-11-18 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Gapped electron liquid state in the symmetric Anderson lattice, Kondo insulator state
利用平均场方法研究了半填充对称Anderson模型中的近藤绝缘态。结果表明，近藤绝缘体的状态是在一个具有双胞的晶格中实现的，带隙电子液体的行为类似于无隙的马约拉纳自旋液体。d电子的局域磁矩形成带电子在其中运动的静态$Z_2$场。准粒子激发谱中的能隙值随外加磁场的增大而减小，并在临界值处接近。研究了电子液体在任意维数下的行为。所提出的方法导致KIS的描述，而不需要诉诸人工对称性破缺，以替代理解这种相态的物理性质。
2022-11-06 cond-mat.str-el
Asymmetry between the electron- and hole-doped Mott transition in the periodic Anderson model
研究了Mott-Hubbard机制下周期性Anderson模型中掺杂驱动的Mott金属-绝缘体相变。发现电子或空穴驱动的跃迁具有明显的不对称性，在较大的U值下，电子掺杂的MIT与单带哈伯德模型中的结果相似，由于溶液的共存，具有一阶特征.与此相反，空穴掺杂的MIT是二阶的，并且可以被描述为Zhang-Rice单线态的离域。
2009-06-25 cond-mat.str-el
Anderson localization effects near the Mott metal-insulator transition
在无序相互作用系统中，Mott和Anderson的局域化路线之间的相互作用产生了不同的跃迁和输运机制。本文采用动力学平均场论结合Mott-Anderson金属-绝缘体相变的有效理论--典型介质理论研究了有限温度下的相图。我们主要关注与Mott相变相关的共存区的性质。对于弱无序，共存区域被发现是在干净的情况下类似。然而，当我们增加无序安德森局域化效应是负责收缩的共存区域，并在足够强的无序（约等于两倍的裸带宽），它急剧变窄，临界温度突然变为零，我们观察到一个相变的金属和绝缘相共存的情况下。在这一制度中，相互作用和无序的影响被认为是相当重要的电荷本地化。
2015-09-24 cond-mat.str-el
Optical studies of gap, hopping energies and the Anderson-Hubbard parameter in the zigzag-chain compound SrCuO2
我们结合偏振光吸收、反射、光反射和赝介电函数的测量和模型计算研究了锯齿形梯形（链状）化合物SrCuO_2的电子结构。这些测量产生的能隙为1.42 eV（1.77 eV）在300 K沿（垂直）的Cu-O链。我们已经发现，最低的能隙，相关间隙，是温度无关的。用局域自旋密度近似梯度修正方法和紧束缚关联电子理论计算了该氧化物的电子结构。非关联电子和关联电子的电子态密度均呈现准一维特征。在电子跳跃参数t = 0.30 eV（沿链），t_yz = 0.12 eV（链间）和铜位上的Anderson-Hubbard排斥U= 2.0 eV的条件下，计算出相关能隙值分别为1.42 eV（间接跃迁）和1.88 eV（直接跃迁）. SrCuO_2属于相关带隙绝缘体。
2001-01-19 cond-mat.str-el
Static Screening and Delocalization Effects in the Hubbard-Anderson Model
我们研究了Hubbard-Anderson模型中由于无序屏蔽而导致的电子局域化的抑制。我们专注于变化的费米能级内的静态图片，其中相互作用被吸收到重新定义的随机现场能量的电子局域化长度。提出了两种不同的近似，任何一个产生的相互作用强度的本地化长度的非单调依赖，在一个中间的相互作用强度有明显的最大值。尽管它的简单，我们的方法是在最近的数值结果很好的协议。
2008-01-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Partial Disorder and Metal-Insulator Transition in the Periodic Anderson Model on a Triangular Lattice
在平均场近似下，系统地研究了三角晶格上周期Anderson模型的基态。我们发现，该模型表现出两种不同类型的部分无序状态：一种是在半填充和其他相称的填充。在后一种情况下，动能是通过形成一个广泛的网络，涉及磁性和磁性位点，在形成鲜明对比，在前一种情况下，磁性位点是相当孤立的。这种空间延伸的性质的钙钛矿产生金属部分无序状态的空穴掺杂。从电子结构的变化讨论了金属-绝缘体转变的机理。
2012-08-23 cond-mat.str-el
Projective Quantum Monte Carlo Method for the Anderson Impurity Model and its Application to Dynamical Mean Field Theory
本文发展了一种Hirsch-Fye型的投影量子Monte Carlo算法，用于计算Anderson杂质模型的基态性质。用这种方法求解了动力学平均场论的自洽方程。结果表明，该方法能迅速收敛到基态，从而得到可靠的零温结果。作为第一个应用，我们研究了单带哈伯德模型的Mott-Hubbard金属-绝缘体跃迁，再次证实了数值重整化群的结果。
2004-05-18 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Scenario for the Metal-Insulator Transition in the Two Dimensional Electron Gas
通过比较金属-绝缘体转变（MIT）附近的面内磁场的响应，我们发现，在Si MOSFET中观察到的MIT可以用非微扰Mott-Hubbard方案来描述。通过重新绘制实验数据，揭示并证实了独立可测量之间的相互关系。从实验数据中提取了一个在MIT处消失的普遍的临界能标，并求出了临界指数。
2006-08-01 cond-mat.str-el
Mott transition of the f-electron system in the periodic Anderson model with nearest neighbor hybridization
我们分析表明，在一定的假设下，周期性安德森模型和哈伯德模型成为等价的准粒子重量Z -> 0的动态平均场论。一个标度关系推导，这是验证数字使用的数值重整化群在零温度和量子蒙特卡罗模拟在有限的温度。结果表明，半满周期最近邻杂化Anderson模型的f电子在有限的临界相互作用强度U_c处局域化，并且在零温下也是如此.这个转变等价于哈伯德模型中的莫特转变。
2000-06-27 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Insulator in Infinite Dimensions
计算了Bethe晶格上哈伯德模型的Mott-Hubbard绝缘相在无限配位数极限下的单粒子态密度.我们采用加藤-高桥微扰理论在强耦合极限附近导出格林函数。我们表明，格林函数的较低的哈伯德带可以表示在裸空穴跳跃运营商的多项式。我们检查我们的技术对Falicov-Kimball模型的精确解，并给出明确的结果，包括二阶逆哈伯德相互作用。我们的结果提供了一个严格的测试分析和数值研究的Mott-Hubbard绝缘体和Mott-Hubbard过渡内的动态平均场论。我们发现，Hubbard-III近似是不令人满意的超越最低阶，但本地矩的方法提供了一个很好的描述Mott-Hubbard绝缘体在强耦合。
2001-10-16 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Critical properties of the band-insulator-to-Mott-insulator transition in the strong-coupling limit of the ionic Hubbard model
本文利用密度矩阵重整化群和有限尺寸标度，在离子哈伯德模型的基础上处理强耦合有效模型，研究了一维材料中中性到离子的绝缘体-绝缘体相变.有效的模型，制定在自旋一表示，包含一个单一的参数。我们进行了广泛的有限尺寸标度分析的相关差距和兼容性，以表征两个零温度转变。我们发现，从离子带绝缘相过渡到中间自发二聚相是伊辛，从二聚相到莫特绝缘相的过渡是Kosterlitz无，与基于场论的预测一致。
2009-02-06 cond-mat.str-el
Kondo insulators in the periodic Anderson model: a local moment approach
对称周期性安德森模型是众所周知的捕捉近藤绝缘体材料的基本物理。在动力学平均场论的框架内，我们发展了一种局域矩方法来研究顺磁相的单粒子动力学。该方法本质上是非微扰的，包括所有的能量尺度和相互作用强度，并满足费米液体理论的低能量要求。它捕捉特别是强耦合行为和指数小准粒子尺度特性的近藤晶格制度，以及简单的微扰行为在弱耦合。特别强调的是自然给予强耦合动力学，在那里产生的清洁分离的能量尺度，使单粒子光谱的标度行为得到。
2003-03-13 cond-mat.str-el
Exact diagonalization analysis of the Anderson-Hubbard model and comparison to real-space self-consistent Hartree-Fock solutions
我们得到了具有周期性边界条件的4 × 4晶格上不同电子填充的Anderson-哈伯德模型的精确基态波函数-对于1/2填充，这样的基态大约有1.66亿个态。当与不相关的基态（Hubbard相互作用设置为零）相比时，我们发现了由于Hubbard相互作用而非常有效地屏蔽电荷均匀性的强有力的证据。我们已经成功地模拟了这些局部电荷密度使用一个非相互作用的模型与静态屏蔽的杂质电位。此外，我们比较了这种波函数的自洽实空间的非限制性Hartree-Fock解决方案，并发现这些近似的基态波函数是非常成功的再现本地电荷密度，并可能表明偶极回流在产生一个新的金属态在两个维度的作用。
2007-11-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Optical signature for distinguishing between Mott-Hubbard, intermediate and charge-transfer insulators
确定过渡金属化合物中带隙的性质仍然具有挑战性。我们提出了第一性原理研究的电子和光学性质的CoO使用混合功能赝势。我们表明，光学吸收光谱可以提供一个明确的指纹，以区分莫特-哈伯德，中间和电荷转移绝缘体。这种区别反映在峰值卫星的定性差异，由于独特的相互作用之间的$d$ - $d$和$p$ - $d$激发，从而允许识别从实验数据单独，不像现有的方法，需要额外的理论解释。我们的结论是，CoO是一个中间体，而不是一个莫特-哈伯德绝缘体，因为最初认为。
2022-12-15 cond-mat.str-el
Ultrafast charge recombination in photoexcited Mott-Hubbard insulator
我们提出了一个计算的基础上的未掺杂的铜氧化物相关的二维模型的激发的holon-doublon对的复合率表明，快的过程，在Pump-probe实验中观察到的Mott-Hubbard绝缘体在皮秒范围内，甚至可以定量地解释与多磁振子发射。前提条件是存在的Mott-Hubbard束缚激子的s型。我们发现，它的衰减是指数依赖于Mott-Hubbard间隙和磁振子的能量，与一个小的前因子，可以追溯到强关联，从而大激子-磁振子耦合。
2012-11-14 cond-mat.str-el
Field-induced phase transition in the periodic Anderson model
利用周期性Anderson模型研究了磁场对近藤绝缘体的影响。动力学平均场论结合量子蒙特卡罗模拟的分析表明，在低温下，磁场驱动Kondo绝缘体转变为横向反铁磁绝缘体.我们计算了交错自旋磁化率，发现它的发散信号的反铁磁不稳定性。通过对自旋关联函数和磁化过程的进一步研究，阐明了磁场是如何抑制近藤单线态的形成并诱导横向反铁磁有序化的。
2004-07-20 cond-mat.str-el
Direct observation of fragile Mott insulators on plaquette Hubbard lattices
利用扩展的胞腔动力学平均场论（CDMFT）和精确对角化杂质求解器，研究了半填充哈伯德模型在1/5耗尽和棋盘格两种格子上的基态相图和非磁性金属-绝缘体跃迁.我们确定三种不同的绝缘体的相图：二聚体绝缘体，反铁磁绝缘体，和plaquette绝缘体。我们证明了格形绝缘体是一种新的脆性莫特绝缘体（FMI），它具有$C_{4v}$晶体点群的非平凡的一维不可约表示，并且不能与任何具有时间反演对称性的能带绝缘体电连接.此外，我们还研究了从金属到FMI的非磁量子相变，发现这种Mott金属-绝缘体相变的特征是由于相互作用效应引起的非相互作用带的分裂。
2014-12-23 cond-mat.str-el
