Effects related to deposition temperature of ZnCoO films grown by Atomic Layer Deposition - uniformity of Co distribution, structural, optical, electrical and magnetic properties
Malgorzata I. Lukasiewicz, Bartlomiej Witkowski, Marek Godlewski, Elzbieta Guziewicz, Maciej Sawicki, Wojciech Paszkowicz, Rafal Jakiela, Tomasz A. Krajewski, Grzegorz Luka
In the present study we report on properties of ZnCoO films grown at relatively low temperature by the Atomic Layer Deposition, using two reactive organic zinc precursors (dimethylzinc and diethylzinc). The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to below 300oC. The influence of growth conditions on the Co distribution in ZnCoO films, their structure and magnetic properties was investigated using Secondary Ion Mass Spectroscopy, Scanning Electron Microscopy, Cathodoluminescence, Energy Dispersive X-ray Spectrometry (EDX), X-ray diffraction and Superconducting Quantum Interference Device magnetometry. We achieved high uniformity of the films grown at 160°C. Such films are paramagnetic. Films grown at 200° and at higher temperature are nonuniform. Formation of foreign phases in such films was detected using high resolution EDX method. These samples are not purely paramagnetic and show weak ferromagnetic response at low temperature.
Growth and characterization of GaN/Ga2O3 Nanowire Heterostructures for Ultraviolet Optoelectronics
Institute of Solid State Physics, University of Latvia（拉脱维亚大学固体物理研究所）；RISE Research Institutes of Sweden（瑞典RISE研究院）；KTH Royal Institute of Technology（瑞典皇家理工学院）；Hexagem AB（Hexagem公司）
Effect of atomic ordering on the magnetic anisotropy of single crystal Ni80Fe20
研究了原子有序化对Ni_（80）Fe_（20）at.%（Py）.为此，使用直流磁控溅射（dcMS）和高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）在MgO（001）上外延生长Py膜。除了在后一种情况下观察到的孪晶界，这两种方法都提供了高质量的单晶体与立方体上的立方体外延关系，通过重要晶面的极映射验证。然而，X射线衍射结果表明，更高阶的dcMS沉积膜向L12 Ni3Fe超晶格。这种差异可以通过HiPIMS在每个脉冲期间的非常高的沉积速率来理解，这抑制了吸附原子的迁移率和有序化。我们发现，dcMS沉积膜呈现双轴各向异性，而HiPIMS沉积给出了明确的单轴各向异性。因此，在dcMS沉积中实现的更高阶的行为如通过磁晶各向异性所预测的，即，由于形状各向异性，沿[110]方向的易磁化轴在平面中被迫沿[111]方向。在HiPIMS沉积膜的单轴行为，然后可以解释成对排序或最近的本地化组成不均匀性理论。此外，我们使用扩展的van der Pauw方法研究了薄膜沿[100]方向的磁电阻。我们发现，dcMS沉积膜的电导率低于他们的HiPIMS同行验证在dcMS的情况下，更高的顺序。
Vertical CVD Growth of Highly Uniform Transition Metal Dichalcogenides
二维过渡金属二硫属化合物（transition metal dichalcogenides，TMDCs）由于其良好的物理化学性质，在电子学和光电子学领域具有广阔的应用前景，引起了人们的广泛关注。由于难以控制固体前体的浓度和空间不均匀的生长动力学，迄今为止，生长具有良好均匀性和再现性的晶片级2D TMDC是具有挑战性的，这显著阻碍了它们的实际应用。在这里，我们报告了垂直化学气相沉积（VCVD）的设计，生长单层TMDC的密度均匀，高质量的整个晶片，并具有良好的再现性。使用这种VCVD设计可以容易地控制前体浓度、气体流量和温度这三个关键的生长参数，这在目前广泛使用的水平CVD系统中是不能做到的。统计结果表明，包括二硫化钼和WS2的VCVD生长的单层TMDC是高均匀性和质量的衬底上超过厘米尺寸。我们还通过一步转移的VCVD生长的TMDC样品，由于其良好的均匀性，制备了多个范德华异质结构。这项工作开辟了一种在晶圆级上生长具有高均匀性和可重复性的2D材料的方法，可用于2D材料及其异质结构的可扩展制造。
Wafer-Scale Integration of Piezo- and Ferroelectric Al0.64Sc0.36N Thin Films by Reactive Sputtering
Silicon Austria Labs GmbH（硅奥地利实验室有限公司）；Evatec AG（伊瓦泰克股份公司）；STMicroelectronics（意法半导体）；Tandem Laboratory, Uppsala University（乌普萨拉大学双联实验室）；USound GmbH（优声有限公司）
Thermal Control of Size Distribution and Optical Properties in Gallium Nanoparticles
Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, Universidad Politécnica de Madrid（马德里理工大学光电系统与微技术研究所）；Departamento de Ingeniería Eléctrica, Electrónica Automática y Física Aplicada, Universidad Politécnica de Madrid（马德里理工大学电气、电子自动与应用物理系）；Departamento de Ciencia de los Materiales e IM y QI, Universidad de Cádiz（加的斯大学材料科学及IM和QI系）
Cryogenic-temperature Grain-to-grain Epitaxial Growth of High-quality Ultrathin CoFe Layer on MgO Tunnel Barrier for High-performance Magnetic Tunnel Junctions
