Conductivity and Fano factor in disordered graphene
利用递归格林函数方法，研究了无序单层石墨烯片中的电子输运问题。的导电性是为了$e^2/h$和其对载流子密度的依赖性有一个缩放的形式，仅由无序强度和样品大小和无序势的相关长度之间的比率控制。散粒噪声Fano因子在弱无序时在中性点附近有一个很窄的下降，而在强无序时几乎与掺杂无关。我们的研究结果是在良好的定性和定量协议与实验，并提供了一种方法，用于提取微观信息的大小在石墨烯的外在无序。
2008-02-04 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in graphene with particle-hole-asymmetric disorder
研究了具有光滑但粒子-空穴非对称无序势的石墨烯的导电性。利用微扰理论的弱无序制度和数值计算，我们调查如何粒子-空穴的不对称性移动的位置的最小电导率远离狄拉克点$\varepsilon = 0$。我们发现，电导率的最小值在相反的方向移动弱和强的无序。对于大的无序强度，电导率最小值出现在接近电子和空穴掺杂区（“水坑”）大小相等的掺杂水平。
2015-04-22 cond-mat.mes-hall
The shape of disorder broadened Landau subbands in graphene
数值计算了高均匀磁场和白噪声随机势作用下石墨烯的态密度。无序展宽的零能朗道带具有高斯形状，其宽度与随机势方差和磁场的平方根成正比。Wegner型计算用于证明结果。
2008-10-24 cond-mat.mes-hall
Transport spectroscopy of disordered graphene quantum dots etched into a single graphene flake
我们对用Ar/O2等离子体蚀刻成单个石墨烯片的尺寸为45、60和80 nm的量子点进行了输运测量，从而可以进行尺寸比较，避免不同石墨烯片的影响。的运输间隙和附加能量随着点的尺寸减小而增加，正如预期的那样，并显示出很强的相关性，这表明两者的相同的物理起源，即在存在小的限制间隙的情况下的无序诱导的本地化。栅极电容测量表明，点电荷位于窄器件区域的预期。一个占主导地位的作用的障碍进一步证实了栅极的依赖性和磁场的行为，只允许近似识别的电子-空穴交叉和自旋填充序列。最后，我们在误差条内提取与g=2一致的g因子。
2013-07-30 cond-mat.mes-hall
Reducing disorder in graphene nanoribbons by chemical edge modification
我们目前的电子输运测量蚀刻的石墨烯纳米带在二氧化硅之前和之后的短氢尿酸（HF）处理。我们报告的运输性能的变化，特别是在减少运输间隙和减少掺杂水平HF浸渍后。有趣的是，有效能隙几乎不受HF处理的影响。对具有横向石墨烯栅极的石墨烯纳米管的额外测量支持强有力的指示，即HF显著地修改了所研究的纳米带的边缘，导致这些石墨烯纳米结构中的无序势显著降低。
2013-11-21 cond-mat.mes-hall
DC conductivity of graphene with disorder
我们在石墨烯模型无序的随机杂质处理的相干势近似。使用解析可解的劳埃德模型的无序分布，我们表明，温度依赖性的最小电导率以及温度依赖性的电阻率在高密度和密度依赖性的各自的斜率是一致的解释由温度依赖性的无序强度$Γ$组成的常数加上$T$ -线性贡献。这一发现表明，至少有两个贡献的石墨烯中的散射是重要的，其传输特性，和贡献之一是由于热诱导激发的电子散射。
2012-03-10 cond-mat.mes-hall
High transmission in twisted bilayer graphene with angle disorder
角度无序是扭曲双层石墨烯和其他莫尔材料的固有特征。在这里，我们讨论了扭曲双层石墨烯中的角度无序的电子输运。我们计算局域态密度和兰道尔-比蒂克传输通过角度无序障碍的宽度可比的莫尔周期，使用抽取技术的基础上的一个真正的空间描述。我们发现，障碍，其中分离的频带的宽度不同的50%或更多的区域导致一个小的抑制的传输，传输是接近一个正常的入射，这是让人想起克莱因隧道。这些结果表明，扭曲的双层石墨烯中的输运弱受扭曲角无序。
2021-08-05 cond-mat.mes-hall
Signatures of disorder in the minimum conductivity of graphene
石墨烯因其独特的电子性质而被认为是未来纳米电子学的一种有前途的材料。了解这种新纳米材料在常见实验条件下的缩放行为对于开发基于石墨烯的纳米级器件至关重要。我们提出了一个全面的实验和理论研究的影响，边缘无序和体无序的石墨烯带的最小电导率。我们首次发现了具有峰值和饱和最小电导率的强非单调尺寸标度行为。通过大量的数值模拟和分析，我们能够将这些特征归因于石墨烯器件中的边缘和体无序量。该研究阐明了实际实验石墨烯系统中的量子输运机制，可用作设计具有改进性能的石墨烯基纳米器件的指导。
2011-02-17 cond-mat.mes-hall
Edge states versus diffusion in disordered graphene flakes
通过数值计算反参与比（$IPR$）及其标度，得到了石墨烯片的分形维数$D_{2}$，研究了短程无序石墨烯片中波函数的局域化性质.我们表明，存在于狄拉克点的弹道石墨烯（无障碍）与锯齿形边缘生存的边缘状态中存在的弱障碍与波函数本地化的边界处的薄片。我们认为，有一个强大的相互作用之间的基础相消干涉机制的蜂窝晶格的石墨烯导致边缘状态和扩散干扰机制引入的短程无序。这种相互作用导致高度异常的行为，随着无序的增加，波函数逐渐变得不那么局部化，由平均$\langle IPR\rangle$的减少和$D_{2}$的增加指示。我们验证，这种异常行为是不存在的扶手椅边缘不提供边缘状态的石墨烯薄片。
2014-02-20 cond-mat.mes-hall
Magneto-transport in Disordered Graphene: from Weak Localization to Strong Localization
我们提出了一个磁输运的石墨烯样品的研究，其中一个温和的无序引入暴露于臭氧。与原始石墨烯的电导率不同，暴露于臭氧的石墨烯样品的电导率对温度变得非常敏感：它在100 K和1 K之间降低了3个数量级以上。通过改变外部栅极电压或温度，我们不断调整的输运性质从弱到强的本地化制度。我们表明，过渡发生的相位相干长度变得可比的本地化长度。我们还强调了无序增强的电子-电子相互作用对电阻率的重要作用。
2010-03-05 cond-mat.mes-hall
Breakdown of the Law of Reflection at a Disordered Graphene Edge
反射定律指出，光滑的表面镜面反射波，从而作为一面镜子。只要无序的长度尺度小于波长，该定律对无序不敏感。单层石墨烯在低能量下表现出线性色散，因此具有发散的费米波长。我们提出的证据表明，对于一个无序的石墨烯边界，共振散射无序的边缘模式的结果在扩散电子反射，即使当电子波长远长于无序相关长度。利用数值量子输运模拟，我们证明了这种现象可以观察到一个非局域电导下降的磁聚焦实验。
2018-09-25 cond-mat.mes-hall
Nanomechanical displacement detection using coherent transport in ordered and disordered graphene nanoribbon resonators
石墨烯纳米带提供了将相位相干传输现象与纳米机电系统（NEMS）集成的机会。由于石墨烯纳米晶体谐振器中的偏转引起的应变，相干电子输运和机械变形耦合。由于石墨烯中的电子具有费米波长λ~ a_0 = 1.4 nm，这种耦合可以用于扶手椅型和锯齿型石墨烯纳米管NEMS中的灵敏位移检测。本文表明，对于长度为L的有序和无序带状系统，由于偏转w引起的应变ε~（w/L）^2导致电导δG/G ~（w^2/a_0L）的相对变化。
2010-10-04 cond-mat.mes-hall
Theory of 2D transport in graphene for correlated disorder
我们从理论上重新审视石墨烯输运性质作为载流子密度的函数，考虑到环境中库仑杂质无序的空间分布中可能的相关性。我们发现，带电杂质的相关性引起密度依赖的石墨烯导电性，这与现有的实验数据定性一致。我们还发现，相当出乎意料的是，电导率可以增加与杂质密度，如果有足够的杂质间的相关性存在于系统中。特别地，石墨烯电导率在较低（较高）栅极电压下的线性（次线性）自然地解释为仅由库仑无序中的杂质相关效应引起。
2011-10-05 cond-mat.mes-hall
Ballistic transport in disordered graphene
建立了弹道几何条件下无序石墨烯中电子输运的解析理论。我们考虑一个大的宽度W的样品和分析的电导，散粒噪声的演变，并在狄拉克点和在一个有限的栅极电压的电荷转移随着长度L的增加的全部统计。采用转移矩阵方法，结合无序微扰理论和重整化群。我们还讨论了交叉的扩散制度，并构建了一个“阶段”的各种运输制度的石墨烯。
2008-09-22 cond-mat.mes-hall
Disorder by order in graphene
我们预测在石墨烯传输中存在一种有趣的“有序无序”现象，（并且因此更有序）的样品，同时在高载流子密度下具有更高的迁移率，会表现出更强的绝缘性（并且因此有效地更无序）的行为，因为与较低质量的样品相比，载流子密度降低（具有更高的无序度），其在狄拉克点附近的低载流子密度下表现出近似的电阻率饱和现象。这预测了模拟金属-绝缘体转变的行为，我们相信最近在曼彻斯特大学的一个实验中已经观察到了这一点。A. Ponomarenko等人，Nat.Phys.7，958（2011）]，起因于在高质量石墨烯样品中电荷中性点附近抑制库仑无序诱导的不均匀熔池。
2012-05-24 cond-mat.mes-hall
Transition to Quantum Chaos in Weakly Disordered Graphene Nanoflakes
我们分析数值系综的紧束缚哈密顿描述高度对称的石墨烯纳米片与弱对角无序引起的随机静电势景观。随着无序度的增加，能级的统计分布由泊松分布向维格纳分布演化，表明系统向量子混沌过渡。具有普适指数的幂律将不同尺寸、边界和微观无序类型的纳米片中的无序强度映射到加性随机矩阵模型中的单个参数上。
2011-12-21 cond-mat.mes-hall
Ballistic guided electrons against disorder in graphene nanoribbons
石墨烯纳米带（GNR）是石墨烯中电子的天然波导。然而，与微米尺寸的样品不同，在这些窄的石墨烯条带中，电导几乎被抑制，这主要是由于在合成或切割过程中产生的边缘无序的散射。规避这种效应的一种可能方法是定义一个内部波导，该波导将特定模式与边缘无序隔离，并允许弹道传导。在石墨烯中定义波导有几种建议;在这篇手稿中，我们考虑应变折叠和标量势，并数值评估这些建议对边缘和体积无序的性能。使用格林函数的方法，我们计算电导和锯齿形GNRs的局域态密度（LDOS）和这些不同的物理波导效应在这两种类型的障碍的性能进行表征。我们发现，由于存在的内部波导的GNR的电子电导的一般改善，与准弹道性能和鲁棒性对边缘紊乱的高原的出现。这些发现将应用于现代纳米技术并进行实验测试。
2022-08-01 cond-mat.mes-hall
Full counting statistics in disordered graphene at Dirac point: From ballistics to diffusion
研究了光滑无序条件下未掺杂石墨烯中电荷输运的全计数统计。在Dirac点，在清洁和扩散极限下，石墨烯样品的输运性质由传输概率的普适Dorokhov分布描述。在交叉制度，从普遍性发生偏差，可以分析研究弹道和扩散方面。在弹道制度中，我们使用矩阵格林函数的图解技术。对于扩散系统，应用西格玛模型。我们的结果与最近的无序石墨烯中电子输运的数值模拟结果吻合得很好。
2010-06-07 cond-mat.mes-hall
Influence of disordered edges on transport properties in graphene
研究了等离子体刻蚀样品边缘对电输运和掺杂的影响。通过电输运测量，分析了单层和双层石墨烯样品的整体掺杂和迁移率。因此，边缘对样品的总体掺杂有很大贡献。此外，对于窄样品，边缘无序可以被发现是迁移率的主要限制源。
2016-05-11 cond-mat.mes-hall
Unconventional charge and spin dependent transport properties of a graphene nanoribbon with line-disorder
研究了在Rashba自旋轨道相互作用下锯齿形石墨烯纳米结构中一条（或几条）Anderson型无序线的电子输运.这样的线障碍引起的特殊行为，在这两个电荷以及自旋极化传输在下面的意义。在弱无序状态下，电荷输运数据显示安德森局域化达到一定的无序强度，超过该无序强度，扩展态出现并开始主导局域态。这些结果是选择性无序（与体无序相反）石墨烯纳米颗粒的标志性特征。然而，自旋极化输运表现出完全矛盾的行为。此外，结构对称性被证明在纳米带的自旋电子学性质中具有重要作用。此外，边缘无序的情况下（无序选择性地放置在边缘）似乎持有自旋过滤器和开关器件的应用程序的承诺。
2018-11-26 cond-mat.mes-hall
The effects of disorder and interactions on the Anderson transition in doped Graphene
我们对无序对石墨烯电子态的安德森局域化的影响进行了精确的数值研究。通过分析量子参与率倒数和几何平均态密度的标度行为，发现猝灭无序的存在可以引起Anderson金属-绝缘体跃迁。与传统的局域化图像相比，在特定的无序强度和杂质浓度下，可以观察到蜂窝晶格的四个迁移率边。考虑到相互作用对无序势的屏蔽作用，可以通过考察相互作用和无序的影响来解释水坑尺度扩大的实验结果。
2011-05-11 cond-mat.mes-hall
Edge Magneto-Fingerprints in Disordered Graphene Nanoribbons
我们报告（磁）运输实验在化学衍生的窄石墨烯纳米带在高磁场（高达60特斯拉）。场依赖的电子约束功能的证据，并允许估计可能的带边缘对称性。此外，测得的大的正磁导率表明由磁场诱导的后向散射的强烈抑制。这种情况下支持的量子模拟，考虑不同类型的潜在的障碍（平滑边缘障碍和远程库仑散射）。
2010-02-24 cond-mat.mes-hall
Edge disorder induced Anderson localization and conduction gap in graphene nanoribbons
研究了边缘无序对石墨烯纳米带电导的影响。我们发现，只有非常温和的边缘无序是足以诱导的传导能隙，否则金属GNRs和电梯之间的电导不同的边缘几何形状的纳米带的任何差异。我们涉及到的导电间隙的形成，以明显的边缘无序诱导安德森型本地化，导致在边缘的状态密度的强烈增强，形成表面状的状态和通过带状物的导电路径的阻塞。
2008-05-28 cond-mat.mes-hall
Evaluation of Disorder Introduced by Electrolyte Gating through Transport Measurements in Graphene
我们通过石墨烯中的输运测量来评估电解质门控器件中的无序程度。通过比较离子栅和标准金属栅器件中的迁移率，我们表明离子液体的沉积引入了密度约为$6\times 10^{12}$ cm $^{-2}$的带电杂质;将石墨烯中迁移率的上限设定为3000 cm $^2$ /Vs。在较高温度下，离子液体中的声子进一步降低迁移率，使其在室温下的上限为2000 cm $^2$ /Vs。由于无序的程度是独立的基础材料，这些结果是有价值的了解在一般设备中使用电解质门控的无序效应。
2016-06-01 cond-mat.mes-hall
Disorder Effects in the Quantum Hall Effect of Graphene p-n Junctions
对石墨烯pn结中的量子霍尔效应进行了数值研究，重点研究了两个相邻区域界面处的无序效应。电导平台被发现是连接到无序的强度，并伴随着普遍的电导波动的双极制度，这是在量子混沌腔的随机矩阵理论的理论预测很好的协议。计算出的Fano因子可用于基础输运特性的实验识别。
2008-10-26 cond-mat.mes-hall
Effects of Coulomb screening and disorder on artificial graphene based on nanopatterned semiconductor
在基于二维电子气的人造石墨烯的制备过程中，门系统中的残余无序是主要的问题。由于多体效应，该疾病可以被显著地筛选/减少。为了分析屏蔽/无序问题，我们考虑AlGaAs/GaAs/AlGaAs异质结与两个金属栅极。我们证明，最不容易受到无序的设计对应于弱耦合制度（相对于紧密结合），这是通过量子反点系统实现的。最相关的无序类型是区域无序，其是量子反点区域的随机变化。区域无序导致形成水坑。其他类型的紊乱，位置紊乱和形状紊乱，实际上是无关紧要的。水坑的形成/重要性极大地取决于纳米图案化异质结构的参数。参数变化20- 30%，可使熔池的相对振幅发生几个数量级的变化。基于这种分析，我们制定了可接受的异质结构的设计标准，旨在创造人造石墨烯。
2014-11-27 cond-mat.mes-hall
Conductance quantization and transport gap in disordered graphene nanoribbons
我们数值研究了边缘和体无序对石墨烯纳米带电导的影响。我们计算的电导抑制由于本地化引起的边缘散射。我们发现，即使是弱的边缘粗糙度，电导步骤被抑制和输运间隙出现。这些间隙与纳米取向度宽度近似成反比。开/关电导比随纳米尺度长度呈指数增长。我们的研究结果对石墨烯在弹道纳米线中的使用施加了严重的限制。
2009-01-26 cond-mat.mes-hall
Effects of long-range disorder and electronic interactions on the optical properties of graphene quantum dots
我们从理论上研究了长程无序和电子-电子相互作用对由多达10806个原子组成的六角扶手椅型石墨烯量子点光学性质的影响。使用紧束缚，平均场Hubbard和配置相互作用方法的组合进行数值计算。石墨烯量子点中的缺陷被建模为长程随机势场，从而产生电子-空穴水坑。我们发现，当电子-空穴水坑存在时，紧束缚方法给出的低能吸收谱的平均场和组态相互作用的计算结果相比，一个穷人的描述。随着石墨烯量子点尺寸的增大，在吸收光谱中可以观察到普遍的光学电导率极限。当存在无序时，计算的吸收光谱接近孤立单层石墨烯片的实验结果。
2017-02-05 cond-mat.mes-hall
Low energy theory of disordered graphene
在较低的外部掺杂值下，石墨烯显示出丰富的非常规输运性质。也许最引人注目的是，它支持一个强大的“金属”制度，具有电导量子量级的普遍电导。本文采用平均场和玻色化相结合的方法研究了系统的大尺度输运性质。我们发现，无论掺杂水平，无序石墨烯是受共同的机制安德森局域化。然而，在低掺杂的重整化机制的数量合谋保护系统的导电性，在一定程度上，强本地化可能不会被看到，即使在温度远小于那些基本目前的实验工作。
2006-07-10 cond-mat.mes-hall
Anomalous criticality in the quantum Hall transition at $n=0$ Landau level of graphene with chiral-symmetric disorders
我们数值研究了手征对称性是否是决定无序石墨烯量子霍尔跃迁临界性的唯一因素。当无序遵守手征对称性时，在$n=0$朗道能级处的平台到平台跃迁被示出为变得异常（即，类阶梯函数）。然而，令人惊讶的是，异常是强大的，对包括均匀的次近邻跳跃，这降低了晶格模型的手征对称性。我们还表明，交流（光学）霍尔电导率表现出一个强大的平台结构时，无序尊重的手征对称性。
2010-08-16 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in graphene with out-of-plane disorder
研究石墨烯面外无序缺陷对电子输运的影响，通过紧束缚和密度泛函计算发现晶格共格性是决定背散射抑制的关键，为控制石墨烯输运性质提供指导。
2022-11-02 cond-mat.mes-hall
Long-range-correlated disorder in graphene
我们研究了在静态长程关联随机标量势和矢量势的存在下，二维准相对论电子激发在石墨烯中的输运。使用微扰理论和路径积分技术相结合，我们估计控制德鲁德电导率，磁输运，和弗里德尔振荡的弹道制度的大准粒子能量的散射率。我们还讨论了零能态的性质和相关的本地化方案。
2006-11-30 cond-mat.mes-hall
Disorder-enabled hydrodynamics of charge and heat transport in monolayer graphene
电子系统中的流体动力学行为通常被认为与非常干净的样品相关，使得电子-电子碰撞占主导地位并且总动量守恒。与此相反，我们表明，在单层石墨烯的无序的存在是必不可少的，使一个非常规的流体动力学制度，存在于附近的电荷中性点，其特征在于由一个大的增强的Wiedemann-Franz比。尽管随着无序度的降低，这种增强变得更加明显，但观察到这种效应的可能性关键取决于无序度的存在。我们计算的最大非本征载流子密度$n_c$低于该效果变得明显，并表明，$n_c$消失在零障碍的限制。对于$n>n_c$，我们预测Wiedemann-Franz比实际上随着无序度的降低而降低。我们完成了我们的分析，提出了一个透明的图片的物理过程，负责从传统的交叉到无序启用流体动力学。讨论了最近关于单层石墨烯的实验，并表明与这张图一致。
2019-02-27 cond-mat.mes-hall
Neutral-current Hall effects in disordered graphene
一个非本地霍尔棒的几何形状被用来检测中性电流霍尔效应在二氧化硅上的石墨烯。在超高真空中添加Au或Ir吸附原子可以调谐无序。一个可重复的中性电流霍尔效应被发现在这两个制造和adatom修饰的石墨烯。霍尔角表现出复杂但可再现的依赖于栅极电压和无序，并显着打破电子空穴对称性。霍尔和逆霍尔探针之间的长度的指数依赖性表明约300 nm的中性电流弛豫长度。在平行磁场中弛豫长度较短且无进动，表明中性电流为谷电流。从7-300 K几乎没有温度依赖性是前所未有的，并有希望使用受控的无序室温中性电流电子学。
2015-04-22 cond-mat.mes-hall
Observation of vacancy-induced suppression of electronic cooling in defected graphene
先前对不纯石墨烯中电子-声子相互作用的研究发现，静态无序可以增强电子冷却。我们研究了动态无序的影响，并观察到与清洁石墨烯相比，电子冷却的数量级抑制。这种效应在具有更多空位的石墨烯中更强，证实了其空位诱导的性质。耦合常数对声子温度的依赖关系暗示了它与无序动力学的联系。我们的研究突出了无序对石墨烯中电子-声子相互作用的影响。此外，电子冷却的抑制对于改善石墨烯基测辐射热计和光电探测器设备的性能具有很大的希望。
2014-08-01 cond-mat.mes-hall
Disorder induced helical-edge transport near $ν$=0 of monolayer graphene
在磁输运实验中研究了单层石墨烯填充因子$ν$ =0的复杂性质。作为垂直磁场的函数，观察到的金属-绝缘体的转变，这是由于在倾斜的反铁磁相的无序诱导朗道能级加宽。在金属制度的零朗道能级的分离出现和量子自旋霍尔效应的迹象被视为附近$ν$ =0。除了本地运输，非本地运输实验结果与螺旋边缘运输是一致的。
2019-08-07 cond-mat.mes-hall
Disorder induced Coulomb gaps in graphene constrictions with different aspect ratios
我们目前的电子输运测量光刻定义和蚀刻的石墨烯纳米收缩具有不同的纵横比，包括不同的长度（L）和宽度（W）。在电荷中性点附近可以观察到一个与长度无关的无序诱导的有效能隙。该能隙与宽度成反比，即使在收缩部的长度小于其宽度（L<W）的情况下也是如此。在很短的收缩，我们观察到由于本地化的状态或带电的岛屿和一个整体电导水平（0.1- 1 E2/h），这是强烈的长度依赖于间隙区域的共振。这使得非常短的石墨烯收缩对于高度透明的石墨烯隧穿势垒是有趣的。
2011-02-15 cond-mat.mes-hall
Intervalley scattering, long-range disorder, and effective time reversal symmetry breaking in graphene
我们讨论了某些类型的静态无序的影响，如曲率或拓扑缺陷引起的，量子校正石墨烯的电导率。我们发现，当谷间散射时间长或相当于$τ_ϕ$，这些缺陷可以诱导一个有效的时间反演对称性破缺的哈密顿量的两个山谷中的每一个在石墨烯。这种现象抑制了电导率的量子校正的幅度，并可能导致完全不存在低场磁阻，如最近实验发现的。我们的工作表明，在石墨烯弱局域化的定量描述必须包括新的制度，不存在于传统的二维电子气的分析。
2006-06-28 cond-mat.mes-hall
Disorder-induced enhancement of transport through graphene p-n junctions
我们研究了垂直磁场下石墨烯pn结的电子输运。利用Landauar-Buttiker方法结合非平衡格林函数方法，研究了清洁和无序样品的电导。对于干净的pn结，电导相当小。在疾病的存在下，它被强烈增强，并在适当的疾病范围内表现出平台结构。我们的数值计算结果表明，最低的平台可以生存的一个非常广泛的无序强度，但高原的存在依赖于系统参数，有时不能在所有形成。当无序稍微超出该无序范围时，仍然可以出现一些电导平台，其值低于理想值。这些结果与最近的实验非常一致。
2008-07-10 cond-mat.mes-hall
Thermoelectric properties of disordered graphene antidot devices
我们计算的电子和热输运性质的设备的基础上有限的石墨烯antidot晶格（GAL）连接到完美的石墨烯引线。我们使用原子的方法的基础上的$π$紧束缚模型，布伦纳潜力，并采用递归格林函数。我们考虑了随机无序对电子和热输运性质的影响，并研究了通过剪裁无序的热电价值的潜在增益。我们提出了几种路线来优化GAL系统的传输特性。最后，我们说明了如何量子热输运可以解决分子动力学模拟，并比较的GAL系统的弹道极限的格林函数的结果。
2012-09-14 cond-mat.mes-hall
Disorder induced loss of magnetization in Lieb's graphene quantum dots
研究了Lieb石墨烯量子点（GQD）的磁化强度对无序的稳定性。这样的系统在自旋极化电子占据的能隙中间表现出边缘态的简并壳层。无序影响能谱并导致简并的去除，从而导致磁化的损失。我们发现，有一个临界值的无序强度超过磁化开始下降。我们首先考虑GQD与不同的形状和边缘终止和比较体和边缘无序的效果。我们发现，体无序影响远离费米能级的能谱，而边缘无序影响费米能级附近的态。的铁磁秩序对无序强度的稳定性进行了分析的结构具有不同的边长。确定了获得最大自旋极化的概率。
2013-05-27 cond-mat.mes-hall
Disorder-Assisted Electron-Phonon Scattering and Cooling Pathways in Graphene
我们预测，石墨烯是一个独特的系统，其中无序辅助散射（超碰撞）在很宽的温度范围内（直到室温）主导电子晶格冷却。这是因为对于动量守恒的电子-声子散射，由于费米表面尺寸小，每次碰撞的能量转移受到严重限制。特性$T^3$温度依赖性和幂律冷却动力学提供了这种新的冷却机制的明确的实验签名。冷却速率可以通过改变无序的量来改变数量级，这为依赖于热载流子传输的各种新应用提供了手段。
2012-07-23 cond-mat.mes-hall
Inhomogenous electronic structure, transport gap, and percolation threshold in disordered bilayer graphene
计算了猝灭电荷杂质存在下无带隙和带隙无序双层石墨烯的非均匀实空间电子结构。对于有间隙的双层石墨烯，我们发现，对于当前的实验条件下，屏蔽的无序势的波动的幅度的顺序是（或往往大于）的固有间隙$Δ$诱导的垂直电场的应用。我们计算了交叉化学势，$Δ_{\rm cr}$，将绝缘状态与其中双层石墨烯样品的面积的不到一半是绝缘的绝缘状态分开。我们发现，目前的实验大多是在与$Δ_{\rm cr}<<Δ$的澄清制度。与$Δ$相比，$Δ_{\rm cr}$的巨大抑制为理论带隙$Δ$和实验提取的传输带隙之间的大差异提供了可能的解释。
2011-10-05 cond-mat.mes-hall
Average Density of States in Disordered Graphene systems
采用递归方法计算了无序石墨烯体系中二元合金无序的平均态密度。我们观察到一个明显的共振峰所造成的与周围的杂质和反共振下降的ADOS曲线附近的狄拉克点。我们还发现共振能量（Er）和倾角位置对无序浓度（x）和它们的在位电位（v）敏感。线性关系不仅在杂质浓度低时成立，而且在一定的约束条件下，该关系可以进一步扩展到高杂质浓度区域。我们还计算了有限空位密度下的ADOS，并与以前的理论结果进行了比较。
2007-11-07 cond-mat.mes-hall
Disorder-Induced Delocalization in Magic-Angle Twisted Bilayer Graphene
本文通过数值模拟发现魔角扭曲双层石墨烯平带中无序可反常增大平均自由程，揭示无序诱导的去局域化现象及其对莫尔系统奇异物理的重要影响。
2025-03-13 cond-mat.mes-hall
Anomalously large conductance fluctuations in weakly disordered graphene
我们数值研究了介观波动的石墨烯带（宽度W大的长度L相比）的电导，在一个合奏的样品与不同的实现随机静电势景观。对于强无序（潜在的波动可比的跳跃能量），电导的方差接近由Altshuler-Lee-Stone理论的普遍电导波动预测的值。对于较弱的无序的方差大大增强，如果潜在的原子分离的尺度上是光滑的。如果势在原子尺度上变化，则没有增强，这表明蜂窝晶格上没有背散射是巨大波动的起源。
2007-06-28 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in disordered graphene antidot lattice devices
石墨烯的纳米结构化部分地由在电子能带结构中打开间隙的要求所激发。特别地，反点晶格形式的周期性穿孔的石墨烯片可以具有这样的间隙。已经研究了这种系统，以期在晶体管或波导器件中应用。已经预测了原子精确系统所需的特性，但制造方法将在单个反点的形状、位置和边缘配置中引入显著的无序水平。我们计算了各种有限石墨烯反点器件的电子输运性质，以确定这些紊乱对其性能的影响。适度的几何无序被认为对含有小的、紧密堆积的反点的设备具有不利影响，所述反点在原始晶格中具有最佳性能。较大的反点显示一系列的效果，这在很大程度上取决于它们的边缘几何形状。具有扶手椅边缘的反点系统被认为比由锯齿形或混合边缘反点组成的反点系统具有更稳健的输运能隙。无序在波导几何形状中的作用略有不同，并且可以通过扩展观察到波导行为的能量范围来增强性能。
2014-09-08 cond-mat.mes-hall
Electronic states of disordered grain boundaries in graphene prepared by chemical vapor deposition
石墨烯的二维碳晶格的扰动，例如晶界，对这种材料的电荷传输和机械性能具有显著影响。这里提出的扫描隧道显微镜测量结果表明，狄拉克点附近的局域态占主导地位的化学气相沉积生长的石墨烯的晶界的状态的局部密度。这样的低能量状态是不再现的理论模型，处理的晶界作为周期性的位错核心组成的五边形-七边形碳环。使用从头计算，我们已经扩展了这个模型，包括无序，通过引入空位到由周期性位错核心组成的晶界。在这个模型的框架内，我们能够重现测量的状态密度的功能。我们提出的证据表明，在铜上生长的石墨烯中的晶界以双配位碳原子的形式结合了大量的无序。
2013-07-09 cond-mat.mes-hall
Splitting of the Zero-Energy Landau Level and Universal Dissipative Conductivity at Critical Points in Disordered Graphene
我们报告的强大功能的纵向电导率（$σ_{xx}$）的石墨烯零能朗道水平存在的障碍和变化的磁场。通过混合一个安德森无序势与低密度的亚晶格杂质，从金属到绝缘状态的转变理论上探讨了作为朗道能级分裂的函数，使用高效的实空间方法来计算久保电导率（$σ_{xx}$和霍尔$σ_{xy}$）。只要保持谷简并性，所获得的临界电导率$σ_{xx}\simeq 1.4 e^{2}/h$在无序增加（几乎一个数量级）和磁场范围从约2到200特斯拉时是稳健的。当亚晶格对称性被破坏时，$σ_{xx}$由于局域化效应最终在狄拉克点处消失，而赝自旋分裂态的临界电导率（决定$σ_{xy}=0$平台的宽度）变为$σ_{xx}\simeq e^{2}/h$，而不管分裂强度、叠加无序或磁场强度如何。这些发现指向在朗道能级分裂存在下无序石墨烯中的量子霍尔效应的非耗散性质。
2013-02-14 cond-mat.mes-hall
Effect of the disorder in graphene grain boundaries: A wave packet dynamics study
在铜箔上化学气相沉积（CVD）是制备石墨烯样品的最有前途的方法之一，尽管在完美的石墨烯晶格中引入了许多晶界。通过控制CVD方法中的参数，可以在实验上实现丰富多样的GB结构。晶界含有非六方碳环（4、5、7、8元环）和各种比例和排列的空位。利用波包动力学（WPD）模拟和紧束缚电子结构计算，研究了GBs结构对输运性质的影响。在计算机中创建了三种具有增加的无序度的模型GB：周期性的5-7 GB、“蛇形”GB和包含4，8元环和空位的无序GB。发现对于小能量（E=EF+-1eV），透射率随无序度的增加而减小。四元环和空位被确定为主要的散射中心。揭示GBs的性质与CVD生长方法之间的联系可能会在基于石墨烯的纳米电子学中开辟新的机会。
2013-10-25 cond-mat.mes-hall
Disorder assisted transmission due to charge puddles in monolayer graphene: Transmission enhancement and local currents
我们调查的贡献的电荷水坑的非零导电性最小值在无序石墨烯片在电荷中性点。为了这个目的，我们研究系统的几何形状，抑制传输由于倏逝模式允许挑选出的电荷波动的影响在传输特性。我们使用递归的格林函数技术，以获得本地和总的传输通过系统，模仿消失的状态密度在电荷中性点的存在下，一个本地无序的本地电位模型的电荷水坑。我们的微观模型包括电子-电子相互作用，通过自旋分辨哈伯德平均场项。我们建立了电荷池无序势与电荷中性点处的电子传输之间的关系。我们讨论了我们的研究结果的影响，高迁移率石墨烯样品沉积在不同的基板上，并提供了一个定性的解释最近的实验结果。
2015-10-17 cond-mat.mes-hall
Robustness of topologically protected transport in graphene-boron nitride lateral heterostructures
以前，石墨烯纳米带设置在横向异质结构与六方氮化硼被预测支持拓扑保护状态在低能量。我们调查如何强大的这些国家的输运性质对晶格无序。我们发现，不耦合锯齿形石墨烯纳米管的两个谷的无序形式不影响在低偏压下的输运性质，这表明这些横向异质结构是非常有前途的候选芯片级导电互连。确实耦合两个谷的无序形式，例如石墨烯带中的空位，或石墨烯-六方氮化硼界面处扶手椅边缘的大量夹杂物，将对传输产生负面影响。然而，这些形式的紊乱在目前的实验中并不常见。
2016-09-06 cond-mat.mes-hall
Electron Transport in Disordered Graphene Nanoribbons
我们报道了在不同温度下对不同宽度和长度的石墨烯纳米带进行的电子输运研究。在电荷中性点处，形成长度无关的输运能隙，其大小与宽度成反比。在这个间隙中，电子被局部化，并且电荷传输表现出在较高温度下的简单热激活行为和在较低温度下的可变范围跳跃之间的转变。通过改变几何电容，通过添加顶栅，我们发现，充电效应构成的激活能的一个重要部分。
2009-10-26 cond-mat.mes-hall
Insulating state in low-disorder graphene nanoribbons
我们报告的量子输运测量蚀刻石墨烯纳米带封装在六方氮化硼（hBN）。在零磁场下，我们的器件在性质上表现得与在$\text{SiO}_2$或hBN上的石墨烯纳米带非常相似，但表现出相当小的传输带隙。在$3~$ T附近的磁场下，输运行为发生显著变化，并且由完全抑制输运的电子-电子相互作用引起的大得多的能隙主导。该能隙以$3-4~ $ meV/T数量级的斜率增加，在$ 9~ $ T处达到高达$ 30~\mathrm{meV} $的值。
2019-08-29 cond-mat.mes-hall
